一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器包括：半導體襯底、下層傳輸線、介質(zhì)、上層傳輸線、金屬化介質(zhì)過孔，金屬化襯底過孔，其中，所述半導體襯底位于底層，所述下層傳輸線與所述半導體襯底的上表面連接，所述上層傳輸線位于所述下層傳輸線的上方，所述介質(zhì)位于所述下層傳輸線和所述上層傳輸線之間，所述下層傳輸線和所述上層傳輸線之間設(shè)有所述金屬化介質(zhì)過孔，所述下層傳輸線與所述半導體襯底之間和所述上層傳輸線與所述半導體襯底之間均設(shè)有所述金屬化襯底過孔，實現(xiàn)了阻抗變換器體積小、超寬帶特性、提高技術(shù)指標一致性的技術(shù)效果。
【專利說明】
一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及石油機械領(lǐng)域，具體地，涉及一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器。
【背景技術(shù)】
[0002]阻抗變換器的作用是解決微波傳輸線與微波器件之間匹配的，阻抗匹配是無線電技術(shù)中常見的一種工作狀態(tài)，它反映了輸入電路與輸出電路之間的功率傳輸關(guān)系。阻抗匹配常見于各級放大電路之間、放大器與負載之間、測量儀器與被測電路之間、天線與接收機或發(fā)信機與天線之間。
[0003]阻抗變換器用于實現(xiàn)各種不同阻抗之間的轉(zhuǎn)換，在電子技術(shù)行業(yè)起到重要作用。但是現(xiàn)在的阻抗變換器面臨著體積大、帶寬窄、難于采用微波單片技術(shù)實現(xiàn)等問題，為生產(chǎn)帶來了很多麻煩。
[0004]綜上所述，本申請發(fā)明人在實現(xiàn)本申請實施例中實用新型技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題:
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的阻抗變換器存在體積大、帶寬窄、難于采用微波單片技術(shù)實現(xiàn)的技術(shù)問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型提供了一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器，解決了現(xiàn)有的阻抗變換器存在體積大、帶寬窄、難于采用微波單片技術(shù)實現(xiàn)的技術(shù)問題，實現(xiàn)了阻抗變換器體積小、超寬帶特性、提高技術(shù)指標一致性的技術(shù)效果。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本申請實施例提供了一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器，包括半導體襯底、下層傳輸線、介質(zhì)、上層傳輸線、金屬化介質(zhì)過孔，金屬化襯底過孔，下層傳輸線、上層傳輸線、介質(zhì)和金屬化介質(zhì)過孔組合形成寬邊耦合和側(cè)邊耦合效應(yīng);所述金屬化襯底過孔用于實現(xiàn)上層金屬與半導體襯底背面形成電連接。
[0008]本申請中的阻抗變換器包括半導體襯底、下層傳輸線、介質(zhì)、上層傳輸線、金屬化介質(zhì)過孔，金屬化襯底過孔，所述半導體襯底用于支撐電路結(jié)構(gòu)制作，所述下層傳輸線由位于介質(zhì)下層的金屬組成，所述介質(zhì)由具有一定介電常數(shù)的絕緣或半絕緣材料制作，介質(zhì)位于下層傳輸線與上層傳輸線之間，所述上層傳輸線由介質(zhì)上層的金屬組成，金屬化過孔用于實現(xiàn)下層金屬穿過介質(zhì)與上層金屬形成共平面或上層金屬穿過介質(zhì)與下層金屬形成共平面結(jié)構(gòu)，金屬化襯底過孔用于實現(xiàn)下層金屬或上層金屬與半導體襯底背面形成電連接。本實用新型超寬帶單片集成阻抗變換器采用雙層微波傳輸線形成寬邊耦合和側(cè)邊耦合結(jié)構(gòu)在微波單片集成技術(shù)上實現(xiàn)了小面積、超寬帶阻抗變換以及提高了電路承受功率。
[0009]作為優(yōu)選，所述阻抗變換器采用在半導體襯底上制作雙層傳輸線結(jié)構(gòu)構(gòu)成具有寬邊耦合和側(cè)邊耦合效應(yīng)的微波傳輸線，達到了實現(xiàn)超寬帶阻抗變換與減小電路尺寸的特點。
[0010]作為優(yōu)選，所述雙層傳輸線結(jié)構(gòu)可多級聯(lián)組合，可以實現(xiàn)電路的更寬頻帶工作特性。
[0011]作為優(yōu)選，所述阻抗變換器上信號在下層金屬上傳播經(jīng)介質(zhì)與上層金屬形成寬邊耦合效應(yīng)，同時在下層金屬上傳播的信號經(jīng)金屬化介質(zhì)過孔與上層金屬連接形成側(cè)邊耦合效應(yīng)。
[0012]本申請實施例中提供的一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0013]本實用新型采用雙層金屬傳輸線解決了傳統(tǒng)微波單片集成阻抗變換器所難以實現(xiàn)的超寬帶特性，并且極大的減小了電路的體積、提尚技術(shù)指標一致性。
【附圖說明】
[0014]此處所說明的附圖用來提供對本實用新型實施例的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本實用新型實施例的限定；
[0015]圖1是本申請實施例一中微波超寬帶單片集成阻抗變換器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]其中，1-上層傳輸線，2-金屬化介質(zhì)過孔，3-介質(zhì)，4-下層傳輸線，5-半導體襯底，6-金屬化襯底過孔。
【具體實施方式】
[0017]本實用新型提供了一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器，解決了現(xiàn)有的阻抗變換器存在體積大、帶寬窄、難于采用微波單片技術(shù)實現(xiàn)的技術(shù)問題，實現(xiàn)了阻抗變換器體積小、超寬帶特性、提高技術(shù)指標一致性的技術(shù)效果。
[0018]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術(shù)方案進行詳細的說明。
[0019]下面結(jié)合具體實施例及附圖，對本發(fā)明作進一步地的詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0020]實施例一:
[0021]請參考圖1，本申請?zhí)峁┝艘环N微波超寬帶單片集成阻抗變換器包括:半導體襯底
5、下層傳輸線4、介質(zhì)3、上層傳輸線1、金屬化介質(zhì)過孔2，金屬化襯底過孔6，其中，所述半導體襯底位于底層，所述下層傳輸線與所述半導體襯底的上表面連接，所述上層傳輸線位于所述下層傳輸線的上方，所述介質(zhì)位于所述下層傳輸線和所述上層傳輸線之間，所述下層傳輸線和所述上層傳輸線之間設(shè)有所述金屬化介質(zhì)過孔，所述下層傳輸線與所述半導體襯底之間和所述上層傳輸線與所述半導體襯底之間均設(shè)有所述金屬化襯底過孔。
[0022]本申請中的阻抗變換器包括半導體襯底、下層傳輸線、介質(zhì)、上層傳輸線、金屬化介質(zhì)過孔，金屬化襯底過孔，所述半導體襯底用于支撐電路結(jié)構(gòu)制作，所述下層傳輸線由位于介質(zhì)下層的金屬組成，所述介質(zhì)由具有一定介電常數(shù)的絕緣或半絕緣材料制作，介質(zhì)位于下層傳輸線與上層傳輸線之間，所述上層傳輸線由介質(zhì)上層的金屬組成，金屬化過孔用于實現(xiàn)下層金屬穿過介質(zhì)與上層金屬形成共平面或上層金屬穿過介質(zhì)與下層金屬形成共平面結(jié)構(gòu)，金屬化襯底過孔用于實現(xiàn)下層金屬或上層金屬與半導體襯底背面形成電連接。本實用新型超寬帶單片集成阻抗變換器采用雙層微波傳輸線形成寬邊耦合和側(cè)邊耦合結(jié)構(gòu)在微波單片集成技術(shù)上實現(xiàn)了小面積、超寬帶阻抗變換以及提高了電路承受功率。
[0023]其中，在本申請實施例中，所述阻抗變換器采用在半導體襯底上制作雙層傳輸線結(jié)構(gòu)構(gòu)成具有寬邊耦合和側(cè)邊耦合效應(yīng)的微波傳輸線，達到了實現(xiàn)超寬帶阻抗變換與減小電路尺寸的特點。
[0024]其中，在本申請實施例中，所述雙層傳輸線結(jié)構(gòu)可多級聯(lián)組合，可以實現(xiàn)電路的更寬頻帶工作特性。
[0025]其中，在本申請實施例中，所述阻抗變換器上信號在下層金屬上傳播經(jīng)介質(zhì)與上層金屬形成寬邊耦合效應(yīng)，同時在下層金屬上傳播的信號經(jīng)金屬化介質(zhì)過孔與上層金屬連接形成側(cè)邊耦合效應(yīng)。
[0026]上述本申請實施例中的技術(shù)方案，至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0027]本實用新型采用雙層金屬傳輸線解決了傳統(tǒng)微波單片集成阻抗變換器所難以實現(xiàn)的超寬帶特性，并且極大的減小了電路的體積、提尚技術(shù)指標一致性。
[0028]盡管已描述了本實用新型的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型范圍的所有變更和修改。
[0029]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種微波超寬帶單片集成阻抗變換器，其特征在于，所述微波超寬帶單片集成阻抗變換器包括:半導體襯底、下層傳輸線、介質(zhì)、上層傳輸線、金屬化介質(zhì)過孔，金屬化襯底過孔，其中，所述半導體襯底位于底層，所述下層傳輸線與所述半導體襯底的上表面連接，所述上層傳輸線位于所述下層傳輸線的上方，所述介質(zhì)位于所述下層傳輸線和所述上層傳輸線之間，所述下層傳輸線和所述上層傳輸線之間設(shè)有所述金屬化介質(zhì)過孔，所述下層傳輸線與所述半導體襯底之間和所述上層傳輸線與所述半導體襯底之間均設(shè)有所述金屬化襯底過孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波超寬帶單片集成阻抗變換器，其特征在于，所述下層傳輸線和所述上層傳輸線均采用金屬制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波超寬帶單片集成阻抗變換器，其特征在于，所述介質(zhì)采用絕緣或半絕緣材料制成。
【文檔編號】H01P5/08GK205488448SQ201620321701
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月18日
【發(fā)明人】石偉屹
【申請人】成都仙童科技有限公司