具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，主要包括供料盤、進料模塊以及回料模塊。其中，供料盤用于供給多個待測晶粒，回料模塊用于回收自進料模塊所落下的待測晶粒至供料盤；而進料模塊通過設(shè)置于進料軌道與供料盤之間的預(yù)先排向單元，可預(yù)先進行篩選和排向，當待測晶粒的設(shè)定面經(jīng)過預(yù)先排向單元時可順利通過，而非設(shè)定面經(jīng)過預(yù)先排向單元時將被篩選落下，故可達到預(yù)先排向的功效。此外，預(yù)先排向單元還可適當調(diào)節(jié)待測晶粒的供給量，當出現(xiàn)過量供給的情況時，多余的待測晶粒亦將被預(yù)先排向單元篩選落下。
【專利說明】
具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，特別涉及一種適用于晶粒檢測設(shè)備的進料裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]公知的晶粒檢測設(shè)備的進料裝置主要用于將待測晶粒移至取放裝置可取放的位置或檢測裝置上。而公知的晶粒檢測設(shè)備請參閱圖1以及圖2,圖1為公知的晶粒檢測設(shè)備的進料模塊的俯視圖，圖2為公知的晶粒檢測設(shè)備的進料模塊和取放裝置的局部放大圖。如圖 1所示，晶粒檢測設(shè)備的進料模塊主要包括震動供料盤5、進料直震模塊6、回料直震模塊7、 以及吸料機構(gòu)8。
[0003]其中，震動供料盤5用于存放待測晶粒C和供給待測晶粒C，待測晶粒C會從震動供料盤5的供料口 51送至進料直震模塊6的進料軌道61上。由于待測晶粒C通常不是會有規(guī)律地依照順序進給，故進料軌道61上設(shè)有落料口 62，以使進給位置不正確的待測晶粒C從該落料口 62落入回料直震模塊7的回料軌道71上，使待測晶粒C回到震動供料盤5中重新進給。
[0004]然而，為了提升檢測效率，震動供料盤5的供給量將大幅提高，而待測晶粒C將大量地堆積于進料軌道61上。因此，一方面為了順利地對大量的待測晶粒C實行進料，而另一方面又必須加快進料的速度，故進料直震模塊6的輸出功率勢必大幅提高。
[0005]換言之，進料軌道61下方的震蕩器須提高震動頻率來加強推力以帶動待測晶粒C 往如并加速。而當震動頻率提尚時，待測晶粒C跳動變大，此時便容易發(fā)生待測晶粒C堆置的情形，即導(dǎo)致待測晶粒C一端會翹起而跨在另一待測晶粒C上，即如圖2所示。
[0006]然而，當發(fā)生待測晶粒C堆疊的情形時，一旦吸料機構(gòu)8進行取放，堆疊的待測晶粒 C因整體高度的改變，會直接受到吸料機構(gòu)8的沖擊，導(dǎo)致待測晶粒C破裂毀損、擊碎，或造成吸料機構(gòu)8毀損。
[0007]綜上所述，如何達成一種在高速進料的情形下，無需過度地調(diào)高震蕩器的振幅推力，而待測晶粒即可平順地循序地進給，使吸料機構(gòu)可以容易地吸取待測晶粒并進行測試， 實為目前產(chǎn)業(yè)所需突破的問題?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0008]本實用新型的主要目的在于提供一種具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其能提高進料速度，無需過度的推力，故無需大幅調(diào)高震蕩器的振幅推力，可提升設(shè)備的可靠度和穩(wěn)走度。
[0009]為達成上述目的，本實用新型的一種具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，主要包括供料盤、進料模塊以及回料模塊。供料盤包括出料口，且供料盤在出料口供給多個待測晶粒;而每個待測晶粒的每個立面?zhèn)缺谠诤穸确较蛏习ㄒ黄矫嬉约耙恍泵?。進料模塊接續(xù)于供料盤的出料口，進料模塊包括進料軌道、預(yù)先排向單元以及進料驅(qū)動器;而預(yù)先排向單元設(shè)置于出料口與進料軌道之間；且進料驅(qū)動器將多個待測晶粒從供料盤的出料口推進經(jīng)過預(yù)先排向單元至進料軌道;又，預(yù)先排向單元包括落料面以及排向軌道，排向軌道設(shè)置于落料面上，排向軌道包括彼此鄰接的底面和篩選壁;每個待測晶粒行經(jīng)排向軌道的底面時， 如待測晶粒以立面?zhèn)缺诘男泵娴纸佑诤Y選壁，待測晶粒將自篩選壁脫落而從落料面滑落。 回料模塊包括回料軌道以及回料驅(qū)動器，而回料軌道用于承接自落料面滑落的待測晶粒， 且回料驅(qū)動器用于驅(qū)使待測晶粒回流至供料盤。
[0010]整體而言，本實用新型通過在進料模塊設(shè)置預(yù)先排向單元，其可先進行篩選和排向，當待測晶粒的設(shè)定面經(jīng)過該預(yù)先排向單元時可順利通過，而非設(shè)定面經(jīng)過該預(yù)先排向單元時將被篩選落下，故可達到預(yù)先排向的功效。此外，又通過預(yù)先排向單元的設(shè)置，可適當調(diào)節(jié)待測晶粒的供給量，當出現(xiàn)過量供給的情況時，多余的待測晶粒亦將被該預(yù)先排向單元篩選落下。
[0011]較優(yōu)選的是，本實用新型的每個待測晶粒的每個立面?zhèn)缺诘钠矫娴母叨却笥谛泵娴母叨?，而斜面的高度大于或等于排向軌道的篩選壁的高度。據(jù)此，本實用新型的預(yù)先排向功能即是利用當待測晶粒的立面?zhèn)缺诘男泵娴挚颗畔蜍壍赖暮Y選壁時，因篩選壁的高度等于或較低于斜面的高度，待測晶粒將受到自身重力的影響，斜面無法支撐而滑落。另一方面，如果是當待測晶粒的立面?zhèn)缺诘钠矫娴挚颗畔蜍壍赖暮Y選壁時，平面可穩(wěn)固地抵靠于篩選壁，故可順利通過預(yù)先排向單元。
[0012]再者，本實用新型的排向軌道的篩選壁包括第一區(qū)段以及第二區(qū)段，第一區(qū)段的高度和第二區(qū)段的高度不同；其中，若第一區(qū)段的高度大于第二區(qū)段的高度，將可先于第一區(qū)段進行進給量的調(diào)節(jié)，后再于第二區(qū)段進行排向篩選;其中，若第二區(qū)段的高度大于第一區(qū)段的高度，則于第一區(qū)段同時進行進給量的調(diào)節(jié)和排向篩選，而第二區(qū)段則僅是平順進給。
[0013]又，本實用新型的進料模塊還可包括上層軌道，其連接于供料盤的出料口并位于進料軌道上方，預(yù)先排向單元位于上層軌道。而且，上層軌道還可包括進料滑槽，其介于進料軌道與預(yù)先排向單元之間；而多個待測晶粒經(jīng)過預(yù)先排向單元后經(jīng)由進料滑槽進入進料軌道。換言之，本實用新型的預(yù)先排向單元可設(shè)置于進料軌道的上方，當待測晶粒經(jīng)過排向篩選后，再通過進料滑槽進入下方的進料軌道。
[0014]此外，本實用新型的預(yù)先排向單元還可包括承接斜面，其位于落料面的下方;待測晶粒從落料面滑落至承接斜面，并自承接斜面落到該回料軌道。換言之，因預(yù)先排向單元與回料軌道間離開有相當高度，故待測晶粒自預(yù)先排向單元直接落到回料軌道時，有可能會彈出軌道，且亦有可能造成待測晶粒毀損?！靖綀D說明】
[0015]圖1為公知的晶粒檢測設(shè)備的進料模塊的俯視圖。
[0016]圖2為公知的晶粒檢測設(shè)備的進料模塊和取放裝置的局部放大圖。
[0017]圖3為本實用新型第一實施例所實施測試的待測晶粒的立體圖。
[0018]圖4為本實用新型第一實施例的俯視圖。
[0019]圖5為本實用新型第一實施例的預(yù)先排向單元的局部放大立體圖。
[0020]圖6A為本實用新型第一實施例的局部放大側(cè)視圖，其顯示待測晶粒接點面朝上時排向軌道與待測晶粒的狀態(tài)。
[0021]圖6B為本實用新型第一實施例的局部放大側(cè)視圖，其顯示待測晶粒接點面朝下時排向軌道與待測晶粒的狀態(tài)。
[0022]圖7A為本實用新型第二實施例的預(yù)先排向單元的局部放大立體圖。[〇〇23]圖7B為本實用新型第三實施例的預(yù)先排向單元的局部放大立體圖?！揪唧w實施方式】
[0024]本實用新型的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置在本實施例中被詳細描述之前， 要特別注意的是，以下的說明中，類似的組件將以相同的組件符號來表示。再者，本實用新型的圖式僅作為示意說明，其未必按比例繪制，且所有細節(jié)也未必全部呈現(xiàn)于圖式中。
[0025]請先參考圖3,圖3為本實用新型第一實施例所實施測試的待測晶粒的立體圖。首先說明，本實施例所實施測試的待測晶粒C的每一立面?zhèn)缺贑W包括平面CW1以及斜面CW2，而平面CW1所環(huán)繞的表面為接點面Cf，其為測試接點(圖中未示)所處的表面。而且，在本實施例中，接點面Cf應(yīng)朝下以供下方接觸探針(圖中未示)電性接觸來進行測試。
[0026]再請同時參考圖4以及圖5,圖4為本實用新型第一實施例的俯視圖，圖5為本實用新型第一實施例的預(yù)先排向單元的局部放大立體圖。如圖中所示，本實施例的晶粒進料裝置主要包括供料盤1、進料模塊2以及回料模塊3;其中，供料盤1以震動的方式驅(qū)動待測晶粒 C的移動、進給，且供料盤1包括用于供給多個待測晶粒C的出料口 11。[〇〇27]再者，本實施例的進料模塊2主要包括上層軌道20、進料軌道21、預(yù)先排向單元22 以及進料驅(qū)動器23;其中，上層軌道20位于進料軌道21的上方，上層軌道20的一端連接于供料盤1的出料口 11，上層軌道20的另一端設(shè)有進料滑槽24，而預(yù)先排向單元22設(shè)置于上層軌道20上，并位于供料盤1的出料口 11與進料滑槽24之間。再者，本實施例的進料驅(qū)動器23為震動驅(qū)動模塊，其同樣以震動的方式驅(qū)動待測晶粒C的移動、進給。也就是說，進料驅(qū)動器23 將多個待測晶粒C自供料盤1的出料口 11推進經(jīng)過預(yù)先排向單元22至進料軌道21。另外，關(guān)于預(yù)先排向單元22,其包括落料面221以及排向軌道222,排向軌道222設(shè)置于落料面221上， 落料面221為一斜面。[〇〇28]請一并參考圖6A以及圖6B，圖6A為本實用新型第一實施例的局部放大側(cè)視圖，其顯示待測晶粒C接點面Cf朝上時排向軌道222與待測晶粒C的狀態(tài)；圖6B為本實用新型第一實施例的局部放大側(cè)視圖，其顯示待測晶粒C接點面C f朝下時排向軌道2 2 2與待測晶粒C的狀態(tài)。
[0029]如圖中所示，排向軌道222包括彼此鄰接的底面223及篩選壁224,而待測晶粒C的每個立面?zhèn)缺贑W的平面CW1的高度H 1大于斜面CW2的高度H2,而斜面CW2的高度H2又大于排向軌道222的篩選壁224的高度h。據(jù)此，當每個待測晶粒C行經(jīng)排向軌道222的底面223時，若待測晶粒C接點面Cf朝上，即如圖6A中所示，即待測晶粒C的立面?zhèn)缺贑W的斜面CW2抵靠排向軌道222的篩選壁224時，因篩選壁224的高度較低于斜面CW2的高度，故待測晶粒C將受到自身重力的影響，導(dǎo)致斜面CW2將無法支撐而滑落。
[0030]另一方面，若待測晶粒C接點面Cf朝下，即如圖6B中所示，即當待測晶粒C的立面?zhèn)缺贑W的平面CW1抵靠排向軌道222的篩選壁224時，因平面CW1可穩(wěn)固地抵靠于篩選壁224,故篩選壁224可支撐待測晶粒C，而待測晶粒C可順利通過預(yù)先排向單元22,以此達到篩選、排向功能。
[0031]請再參考圖4,圖中顯示有回料模塊3,其包括回料軌道31以及回料驅(qū)動器32,該回料軌道31用于承接自落料面221滑落的待測晶粒C，而回料驅(qū)動器32用于驅(qū)使待測晶粒C回流至供料盤1。同樣地，本實施例的回料驅(qū)動器32為震動驅(qū)動模塊，其同樣以震動的方式驅(qū)動待測晶粒C的移動、回流。[0032 ]此外，在本實施例中，預(yù)先排向單元22還包括承接斜面227，其位于落料面221的下方。其中，待測晶粒C從落料面221滑落至承接斜面227,并自承接斜面227落至回料軌道31。 換言之，因預(yù)先排向單元22與回料軌道31間離開有相當高度，故待測晶粒C自預(yù)先排向單元 22直接落到回料軌道31時，有可能會彈出軌道，另一方面也有可能因掉落時的重力加速度造成待測晶粒C毀損，故設(shè)置承接斜面227來緩沖待測晶粒C直接落下所造成的影響與傷害。
[0033]請參考圖7A，圖7A為本實用新型第二實施例的預(yù)先排向單元的局部放大立體圖。 本實施例與第一實施例的主要差異在于，本實施例的預(yù)先排向單元22的篩選壁224包括第一區(qū)段225以及第二區(qū)段226,且第一區(qū)段225的高度hi與第二區(qū)段226的高度h2不同。在本實施例中，第一區(qū)段225的高度hi大于第二區(qū)段226的高度h2;而第一區(qū)段225的高度hi又大于待測晶粒C的斜面CW2的高度H2,且第二區(qū)段226的高度h2則小于待測晶粒C的斜面CW2的高度H2。[〇〇34]據(jù)此，因第一區(qū)段225的高度hi大于待測晶粒C的斜面CW2的高度H2,故即便是待測晶粒C接點面Cf?朝上的情況，仍有部分的平面CW1會抵靠在篩選壁224上；因此，不論待測晶粒C接點面Cf是朝下或朝上都會順利通過第一區(qū)段225;當待測晶粒C進入第二區(qū)段226后， 才會由第二區(qū)段226的篩選壁224來進行篩選、排向。然而，本實施例設(shè)置所述兩個區(qū)段的目的在于，當有大量的待測晶粒C進入預(yù)先排向單元22時，將可通過第一區(qū)段225來調(diào)節(jié)進給量，因第一區(qū)段225每次僅能讓待測晶粒C排列依序通行，故多余的進給量將直接滑落。 [〇〇35]請參考圖7B，圖7B為本實用新型第三實施例的預(yù)先排向單元的局部放大立體圖。 本實施例與前述第二實施例的主要差異在于，本實施例的第二區(qū)段226的高度h2大于第一區(qū)段225的高度hi。據(jù)此，在本實施例中，第一區(qū)段225將同時進行進給量的調(diào)節(jié)和排向篩選，而第二區(qū)段226則僅是平順進給。
[0036]上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本實用新型所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求所述為準，而非僅限于上述實施例。[〇〇37] 符號說明 [〇〇38]〔公知〕[〇〇39]5震動供料盤
[0040]51供料口[〇〇4116進料直震模塊
[0042]61進料軌道
[0043]62落料口
[0044]7回料直震模塊
[0045]8吸料機構(gòu)[〇〇46]〔本實用新型〕[〇〇47]1供料盤
[0048]11出料口
[0049]2進料模塊
[0050]20上層軌道[0051 ]21進料軌道[〇〇52]22預(yù)先排向單元
[0053]221落料面
[0054]222排向軌道
[0055]223底面
[0056]224篩選壁
[0057]225第一區(qū)段
[0058]226第二區(qū)段
[0059]227承接斜面
[0060]23進料驅(qū)動器[0061 ]24進料滑槽
[0062]3回料模塊
[0063]31回料軌道
[0064]32回料驅(qū)動器
[0065]C待測晶粒
[0066]Cf接點面
[0067]CW立面?zhèn)缺?br>[0068]CW1平面
[0069]CW2斜面[〇〇7〇]H1平面的高度[〇〇71]H2斜面的高度
[0072]h篩選壁的高度[〇〇73]hi第一區(qū)段的高度
[0074]h2第二區(qū)段的高度。
【主權(quán)項】
1.一種具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，包括:供料盤，其包括出料口，該供料盤自該出料口供給多個待測晶粒;每個待測晶粒的每個 立面?zhèn)缺谟诤穸确较蛏习ㄒ黄矫嬉约耙恍泵?；進料模塊，其接續(xù)于該供料盤的該出料口，該進料模塊包括進料軌道、預(yù)先排向單元以 及進料驅(qū)動器;該預(yù)先排向單元設(shè)置于該出料口與該進料軌道之間；該進料驅(qū)動器將所述 多個待測晶粒自該供料盤的該出料口推進經(jīng)過該預(yù)先排向單元至該進料軌道;該預(yù)先排向 單元包括落料面以及排向軌道，該排向軌道設(shè)置于該落料面上，該排向軌道包括彼此鄰接 的一底面以及一篩選壁;每個待測晶粒行經(jīng)該排向軌道的該底面時，如該待測晶粒以該立 面?zhèn)缺诘脑撔泵娴纸佑谠摵Y選壁，該待測晶粒將自該篩選壁脫落而從該落料面滑落;以及回料模塊，其包括回料軌道以及回料驅(qū)動器，該回料軌道用于承接自該落料面滑落的 該待測晶粒，該回料驅(qū)動器用于驅(qū)使該待測晶?；亓髦猎摴┝媳P。2.如權(quán)利要求1所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，每個待測晶粒的每個 立面?zhèn)缺诘脑撈矫娴母叨却笥谠撔泵娴母叨?，該斜面的高度大于或等于該排向軌道的該篩 選壁的高度。3.如權(quán)利要求1所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，該排向軌道的該篩選 壁包括第一區(qū)段以及第二區(qū)段，該第一區(qū)段的高度和該第二區(qū)段的高度不同。4.如權(quán)利要求3所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，該第一區(qū)段的高度大 于該第二區(qū)段的高度。5.如權(quán)利要求3所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，該第二區(qū)段的高度大 于該第一區(qū)段的高度。6.如權(quán)利要求1所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，該進料模塊還包括上 層軌道，其連接于該供料盤的該出料口并位于該進料軌道上方，該預(yù)先排向單元位于該上 層軌道。7.如權(quán)利要求6所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，該上層軌道還包括進 料滑槽，其介于該進料軌道與該預(yù)先排向單元之間；所述多個待測晶粒經(jīng)過該預(yù)先排向單 元后經(jīng)由該進料滑槽進入該進料軌道。8.如權(quán)利要求1所述的具有預(yù)先排向功能的晶粒進料裝置，其中，該預(yù)先排向單元還包 括承接斜面，其位于該落料面下方;所述待測晶粒從該落料面滑落至該承接斜面，并自該承 接斜面落至該回料軌道。
【文檔編號】H01L21/677GK205582902SQ201620211172
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年3月18日
【發(fā)明人】黃德崑
【申請人】臺北歆科科技有限公司