一種提高電流擴散的led芯片的制作方法
【專利摘要】一種提高電流擴散的LED芯片，涉及LED的生產(chǎn)技術領域。在基板的同一側設置N型層、發(fā)光層、P型層、透明導電歐姆接觸層和透明導電擴散層，其特征在于LED還設置電阻高于透明導電擴散層的透明導電Barrier層，所述N型層、發(fā)光層、P型層、透明導電歐姆接觸層、透明導電Barrier層和透明導電擴散層依次設置在基板的同一側。本實用新型在現(xiàn)有的傳統(tǒng)的透明導電層結構基礎之上，增加了透明導電Barrier層結構，以改善現(xiàn)有傳統(tǒng)的透明導電層結構電流擴展均勻性的問題，使LED芯片的發(fā)光效率得以提升。
【專利說明】
一種提高電流擴散的LED芯片
技術領域
[0001]本實用新型涉及LED的生產(chǎn)技術領域。
【背景技術】
[0002 ]如附圖1所示，在現(xiàn)有LED芯片結構中設置有:1.P電極;2.透明導電擴散層;4.透明導電歐姆接觸層;5.P型層;6.發(fā)光層;7.N型層;8.基板;9、N電極。
[0003]由于P-GaN電導率較差，為改善P-GaN電流擴展效果，通常在P-GaN之上采用透明導電擴展層，諸如ΙΤ0、Ζη0膜層等，其既要起到透明及電流擴散的作用，同時，也需要和P型層形成歐姆接觸。
[0004]但采用此種結構，存在一個問題，由于透明導電層電導率有限，距離P電極比較遠的區(qū)域，電流擴展不易，進而導致發(fā)光不均勻，遠離P電極區(qū)域，亮度偏暗，而接近P電極區(qū)域，亮度偏亮，進而影響發(fā)光效率。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型目的是提出一種能解決當前透明導電層結構電流擴展不均勻問題的能提高電流擴散的LED芯片。
[0006]本實用新型包括基板，在基板的同一側設置N型層、發(fā)光層、P型層、透明導電歐姆接觸層和透明導電擴散層，其特征在于LED還設置電阻高于透明導電擴散層的透明導電Barrier層，所述N型層、發(fā)光層、P型層、透明導電歐姆接觸層、透明導電Barrier層和透明導電擴散層依次設置在基板的同一側。
[0007]本實用新型在現(xiàn)有的傳統(tǒng)的透明導電層結構基礎之上，增加了透明導電Barrier層結構，以改善現(xiàn)有傳統(tǒng)的透明導電層結構電流擴展均勻性的問題，使LED芯片的發(fā)光效率得以提升。
【附圖說明】
[0008]圖1為傳統(tǒng)LED的一種結構示意圖。
[0009]圖2為本實用新型的一種結構示意圖。
【具體實施方式】
[0010]—、制作工藝:
[0011]1、在一基板的同一側，依次外延生長形成N型層7、發(fā)光層6、P型層5、透明導電歐姆接觸層4、透明導電Barr i er層3和透明導電擴散層2。形成透明導電Barr i er層3的材料可以包括11'0、2110、2抑2等。
[0012]2、通過光刻、刻蝕的方式，自透明導電擴散層2下向刻蝕掉部分導電擴散層2、電阻高于透明導電擴散層的透明導電Barrier層3、透明導電歐姆接觸層4、P型層5、發(fā)光層6，直至暴露出N型層7。
[0013]3、在暴露出的N型層7上制作N電極9，在透明導電擴散層2上制作P電極I。
[0014]4、制作保護層。
[0015]二、產(chǎn)品結構特點:
[0016]如圖2所示，在基板8的同一側依次設置N型層7、發(fā)光層6、P型層5、透明導電歐姆接觸層4、透明導電Barrier層3和透明導電擴散層2，
[0017]在暴露出的N型層7上制作有N電極9，在透明導電擴散層2上制作有P電極I。
[0018]三、產(chǎn)品性能特點:
[0019]透明導電歐姆接觸層、透明導電Barrier層、透明導電擴散層和保護層，四者之間形成透射膜系管系，能改善LED芯片電流擴展均勻性，進而改善發(fā)光效率。
【主權項】
1.一種提高電流擴散的LED芯片，包括基板，在基板的同一側設置N型層、發(fā)光層、P型層、透明導電歐姆接觸層和透明導電擴散層，其特征在于LED還設置透明導電Barrier層，所述N型層、發(fā)光層、P型層、透明導電歐姆接觸層、透明導電Barrier層和透明導電擴散層依次設置在基板的同一側。
【文檔編號】H01L33/14GK205645860SQ201620282727
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年4月7日
【發(fā)明人】劉英策, 陳凱軒, 李俊賢, 張永, 陳亮, 魏振東, 鄔新根, 周弘毅, 吳奇隆, 蔡立鶴, 黃新茂
【申請人】廈門乾照光電股份有限公司