一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。其中，陣列基板包括：在襯底基板上依次形成的半導(dǎo)體層和電極圖形，所述電極圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板的正投影；所述陣列基板還包括：設(shè)置在所述半導(dǎo)體層與所述電極圖形之間的吸光圖形，所述吸光圖形在襯底基板上的正投影的至少一部分與所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影重合。本實(shí)用新型在半導(dǎo)體層的上方設(shè)置了吸光圖形，該吸光圖形可以吸收來(lái)自上方電極圖形反射過(guò)來(lái)的光線，從而避免半導(dǎo)體層受到光照后影響薄膜晶體管的閾值電壓。
【專利說(shuō)明】
一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，顯示面板的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層主要是由IGZO材料形成，IGZO即銦鎵鋅氧化物，是一種光敏材料，一旦受到照射就會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管閾值電壓Vth發(fā)生變化，致使顯示畫面會(huì)上出現(xiàn)不正常的亮度。
[0003]在如圖1所示的現(xiàn)有AMOLED顯示面板中，襯底基板上I的底柵G正對(duì)半導(dǎo)體層3下方設(shè)置，可以起到部分遮光效果。但是光源5從側(cè)面反射光線會(huì)通過(guò)上面的金屬層6反射到半導(dǎo)體層，因此現(xiàn)有的AMOLED結(jié)構(gòu)或多或少地影響到了薄膜晶體管的閾值電壓。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有的陣列基板中的半導(dǎo)體層容易受到光照，致使薄膜晶體管的閾值電壓不穩(wěn)定的問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括:在襯底基板上依次形成的半導(dǎo)體層和電極圖形，所述電極圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影；
[0006]其中所述陣列基板還包括:
[0007]設(shè)置在所述半導(dǎo)體層與所述電極圖形之間的吸光圖形，所述吸光圖形在所襯底基板上的正投影的至少一部分與所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影重合。
[0008]可選地，所述吸光圖形由遮光性的樹脂材料形成。
[0009]可選地，所述陣列基板還包括:
[0010]設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的源極和漏極。
[0011]可選地，所述陣列基板還包括:
[0012]設(shè)置在所述半導(dǎo)體層與所述源極、漏極之間的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；
[0013]其中，所述源極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接，所述漏極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接。
[0014]可選地，所述陣列基板還包括:
[0015]設(shè)置在所述源極、漏極與所述吸光圖形之間的第二絕緣層。
[0016]可選地，所述陣列基板還包括:
[0017]設(shè)置在所述第二絕緣層與所述電極圖形之間的樹脂圖形，所述樹脂圖形與所述吸光圖形共同構(gòu)成平坦層。
[0018]可選地，所述陣列基板還包括:
[0019]設(shè)置在所述吸光圖形與所述電極圖形之間的平坦層。
[0020]可選地，所述電極圖形為陰極。
[0021]另一方面，本實(shí)用新型還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。
[0022]此外，本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0023]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0024]本實(shí)用新型，在半導(dǎo)體層的上方設(shè)置了吸光圖形，可以阻擋電極圖形反射過(guò)來(lái)的光線照射到半導(dǎo)體層上，從而保證薄膜晶體管閾值電壓的穩(wěn)定性，進(jìn)而使顯示畫面能夠穩(wěn)定維持在正常亮度。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本實(shí)用新型的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3和圖4分別為本實(shí)用新型的陣列基板在不同實(shí)現(xiàn)方式下的具體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]針對(duì)現(xiàn)有的陣列基板中的半導(dǎo)體層容易受到光照，致使薄膜晶體管的閾值電壓不穩(wěn)定的問題，本實(shí)用新型提供一種解決方案。
[0030]—方面，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括:在襯底基板I上依次形成的半導(dǎo)體層3和電極圖形6。該電極圖形6在襯底基板I上的正投影覆蓋半導(dǎo)體層3在襯底基板I上的正投影，該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或多或少會(huì)將光源5的光線反射到半導(dǎo)體層3上。但與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，本實(shí)施例陣列基板還包括:
[0031]設(shè)置在半導(dǎo)體層3與電極圖形6之間的吸光圖形7，該吸光圖形7在襯底基板I上的正投影的至少一部分與半導(dǎo)體層3在襯底基板I上的正投影重合(作為優(yōu)選方案，吸光圖形7在襯底基板I上的正投影完全涵蓋半導(dǎo)體層3在襯底基板I上的正投影)。
[0032]顯然，根據(jù)圖2所示的結(jié)構(gòu)可以看出，本實(shí)施例的吸光圖形7可以阻擋上方電極圖形6反射過(guò)來(lái)的光線照射到半導(dǎo)體層上，從而保證薄膜晶體管閾值電壓的穩(wěn)定性，進(jìn)而使顯示畫面能夠穩(wěn)定維持在正常亮度。
[0033]具體地，在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例的吸光圖形可以由遮光性的樹脂材料形成，該遮光性的樹脂材料不僅具有很好的吸光性能，且本身也是顯示裝置上的黑矩陣的形成材料。因此采用遮光性的樹脂材料制作吸光圖，在制作工藝具有很高的成熟度，使得本實(shí)施例的方案更易于實(shí)施。
[0034]下面結(jié)合實(shí)際的實(shí)現(xiàn)方式，對(duì)本實(shí)施例陣列基板的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行介紹。
[0035]實(shí)現(xiàn)方式一
[0036]如圖3所示，本實(shí)施例的陣列基板包括:
[0037]襯底基板I;
[0038]設(shè)置在襯底基板上I的柵極G;
[0039]設(shè)置在柵極G上方的半導(dǎo)體層3，該半導(dǎo)體層3與柵極之間可相隔有柵絕緣層(未在圖中示出)；
[0040]設(shè)置在半導(dǎo)體層3上方的源極S、漏極D;
[0041]設(shè)置在半導(dǎo)體層3與所述源極S、漏極D之間的第一絕緣層OCl，該第一絕緣層OCl具有第一過(guò)孔dl和第二過(guò)孔d2;其中，源極S通過(guò)第一過(guò)孔dl與半導(dǎo)體層3連接，漏極D通過(guò)第二過(guò)孔d2與半導(dǎo)體層3連接；
[0042]覆蓋源極S、漏極D的第二絕緣層0C2，該第二絕緣層可以是由硅的氧化物材料形成；
[0043]設(shè)置在第二絕緣層0C2上方的樹脂圖形8和吸光圖形7。其中，樹脂圖形8與吸光圖形7共同構(gòu)成一個(gè)平坦層，在該平坦層上方形成有電極圖形6。作為示例性介紹，本實(shí)施例中，電極圖形6可以是陣列基板的陰極。
[0044]可見，在本實(shí)現(xiàn)方式一中，將額外制作的吸光圖形7作為平坦層的一部分，該平坦層的厚度可以與原有厚度保持一致，使得吸光圖形7不會(huì)增加陣列基板的圖層厚度。
[0045]實(shí)現(xiàn)方式二
[0046]如圖4所示，本實(shí)施例的陣列基板包括:
[0047]襯底基板I;
[0048]設(shè)置在襯底基板上I的柵極G;
[0049]設(shè)置在柵極G上方的半導(dǎo)體層3，該半導(dǎo)體層3與柵極之間可相隔有柵絕緣層(未在圖中示出)；
[0050]設(shè)置在半導(dǎo)體層3上方的源極S、漏極D;
[0051]設(shè)置在半導(dǎo)體層3與所述源極S、漏極D之間的第一絕緣層OCl，該第一絕緣層OCl具有第一過(guò)孔dl和第二過(guò)孔d2;其中，源極S通過(guò)第一過(guò)孔dl與半導(dǎo)體層3連接，漏極D通過(guò)第二過(guò)孔d2與半導(dǎo)體層3連接；
[0052]覆蓋源極S、漏極D的第二絕緣層0C2，該第二絕緣層可以是由硅的氧化物材料形成；
[0053]設(shè)置在第二絕緣層0C2上方的吸光圖形7，該吸光圖形7由黑矩陣材料形成，并在豎直方向上完全覆蓋半導(dǎo)體層3的設(shè)置區(qū)域；
[0054]覆蓋吸光圖形7的平坦層8，該平坦層由樹脂材料形成；
[0055]形成在平坦層8上的電極圖形6。
[0056]通過(guò)與實(shí)現(xiàn)方式一對(duì)比可以知道，實(shí)現(xiàn)方式二中，吸光圖形7不再作為平坦層8的一部分，雖然增加了陣列基板的圖層厚度，但在制作工藝上要比實(shí)現(xiàn)方式一簡(jiǎn)單，因此更易于實(shí)施。
[0057]另一方面，本實(shí)用新型還提供一種顯示面板，包括有上述的陣列基板。顯然基于該陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型的顯示面板的薄膜晶體管具有穩(wěn)定的閾值電壓。
[0058]此外，本用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，基于該顯示面板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型的顯示裝置穩(wěn)定呈現(xiàn)正常亮度的顯示畫面，從而提升了用戶的體驗(yàn)。
[0059]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括:在襯底基板上依次形成的半導(dǎo)體層和電極圖形，所述電極圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影； 其特征在于，所述陣列基板還包括: 設(shè)置在所述半導(dǎo)體層與所述電極圖形之間的吸光圖形，所述吸光圖形在所襯底基板上的正投影的至少一部分與所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的正投影重合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述吸光圖形由遮光性的樹脂材料形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的源極和漏極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述半導(dǎo)體層與所述源極、漏極之間的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有第一過(guò)孔和第二過(guò)孔； 其中，所述源極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接，所述漏極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述源極、漏極與所述吸光圖形之間的第二絕緣層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述第二絕緣層與所述電極圖形之間的樹脂圖形，所述樹脂圖形與所述吸光圖形共同構(gòu)成平坦層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述吸光圖形與所述電極圖形之間的平坦層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述電極圖形為陰極。9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK205680683SQ201620607690
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月20日 公開號(hào)201620607690.1, CN 201620607690, CN 205680683 U, CN 205680683U, CN-U-205680683, CN201620607690, CN201620607690.1, CN205680683 U, CN205680683U
【發(fā)明人】徐攀, 李永謙
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司