專利名稱：快速消除震蕩的切換式電源供應(yīng)器及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種切換式電源供應(yīng)器(switching regulator)及其控制 電路與方法，特別是指一種能夠消除震蕩(ringing)的切換式電源供應(yīng) 器，以及其控制電路與方法。
背景技術(shù)：
常用的切換式電源供應(yīng)器包括降壓型(Buck)、升壓型(Booster)與反 壓型(Inverter)三種。首先就降壓型切換式電源供應(yīng)器來加以說明，其電 路結(jié)構(gòu)大致如圖1所示，降壓型切換式電源供應(yīng)器1包含有兩個晶體 管開關(guān)Q1、 Q2，其柵極分別受上下橋訊號UG與LG所控制，根據(jù)晶 體管Q1、 Q2的開與關(guān)，控制電感L上的電流量與方向，以將電能傳 送給輸出端OUT。上下橋訊號UG與LG可根據(jù)從輸出端萃取出的反 饋電壓訊號FB，經(jīng)適當(dāng)電路安排而產(chǎn)生，例如可以為PWM (脈寬調(diào) 變)訊號或PFM (脈頻調(diào)變)訊號等等(此部分為已知，故省略其說 明)。圖2與圖3分別示出升壓型切換式電源供應(yīng)器2與反壓型切換 式電源供應(yīng)器3。
請回閱圖1并對照圖4，為求最佳的能量供應(yīng)效率，在先前技術(shù)美 國專利第6，580，258號案中，提出一種作法，其主要概念如圖4所示， 是通過適當(dāng)控制晶體管Q1、Q2，使得當(dāng)電感電流方向?qū)⒁烧D(zhuǎn)負(fù)時， 即關(guān)閉晶體管Q2，如此即不致有能量從輸出端OUT流失，可減少不 必要的耗損。如圖中所示，晶體管Q1、 Q2有一段同時關(guān)閉的時間T， 稱為"睡眠模式(sleep mode)"。
然而，此種先前技術(shù)的作法有其缺點(diǎn)。當(dāng)晶體管Ql、 Q2同時關(guān) 閉而進(jìn)入睡眠模式時，其實(shí)際在電感L上的電流與節(jié)點(diǎn)Lx處的電壓，并非很理想的波形，而是如圖5所示，呈震蕩波形(ringing);此震蕩 將造成種種困擾。
有鑒于此，本發(fā)明即針對上述先前技術(shù)的不足，提出一種能夠消 除震蕩的切換式電源供應(yīng)器，以及其控制方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種能夠消除震蕩的切換式電源供應(yīng)器。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種用以控制切換式電源供應(yīng)器的控 制方法。
為達(dá)上述的目的，在本發(fā)明其中的一個實(shí)施例中，提供了一種消 除震蕩的切換式電源供應(yīng)器，包含第一晶體管、第二晶體管、與電 感器，相互電連接于一共同節(jié)點(diǎn)，其中該第一晶體管與一輸入電壓電 連接、該第二晶體管電性接地、該電感器與一輸出端電連接，且其中 該第一晶體管和第二晶體管受控而切換其狀態(tài)，以將輸入電壓轉(zhuǎn)換供 應(yīng)給輸出端；其特征在于，該第一晶體管至少具有導(dǎo)通和低電流流通 兩種狀態(tài)。在該低電流流通狀態(tài)中，第一晶體管受控于一個電流控制 電路。
此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，也提供了一種消除震蕩的切 換式電源供應(yīng)器，包含可變電阻、晶體管、與電感器，相互電連接 于一共同節(jié)點(diǎn)，其中該可變電阻與一輸入電壓電連接、該晶體管電性 接地、該電感器與一輸出端電連接，藉此，根據(jù)該可變電阻的阻值變 化與該晶體管的切換，而將輸入電壓轉(zhuǎn)換供應(yīng)給輸出端。
又，根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，也提供了一種切換式電源供應(yīng) 器的控制方法，包含以下步驟提供一個切換式電源供應(yīng)器，該切換式電源供應(yīng)器包括第一晶體管、第二晶體管、與電感器，相互電連接 于一共同節(jié)點(diǎn)，其中該第一晶體管與一輸入電壓電連接、該第二晶體 管電性接地、該電感器與一輸出端電連接；控制該第一晶體管和第二 晶體管，以切換其狀態(tài)；以及在第二晶體管關(guān)閉后的一段時間內(nèi)，使 第一晶體管為低電流流通狀態(tài)。
上述各實(shí)施例中，所述的第二晶體管，可具有開啟、關(guān)閉、低電 流流通三種狀態(tài)，或具有開啟與低電流流通兩種狀態(tài)。前者情形下， 當(dāng)?shù)谝痪w管開啟時，第二晶體管為關(guān)閉狀態(tài)；當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)閉時， 第二晶體管為開啟或低電流流通狀態(tài)。后者情形下，當(dāng)?shù)谝痪w管開 啟時，第二晶體管為低電流流通狀態(tài)；當(dāng)?shù)谝痪w管關(guān)閉時，第二晶 體管為開啟或低電流流通狀態(tài)。
以下將通過具體實(shí)施例詳加說明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、 技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效；其中，相似的元件以相同的符號 來標(biāo)示。


圖1為先前技術(shù)的降壓型切換式電源供應(yīng)器的示意電路圖。 圖2為先前技術(shù)的升壓型切換式電源供應(yīng)器的示意電路圖。 圖3為先前技術(shù)的反壓型切換式電源供應(yīng)器的示意電路圖。 圖4為先前技術(shù)美國專利第6,580,258號案的理想波形示意圖。 圖5為先前技術(shù)美國專利第6,580,258號案的實(shí)際波形示意圖。 圖6與圖7以降壓型切換式電源供應(yīng)器為例，說明本發(fā)明實(shí)施例 的概念。
圖8為本發(fā)明的具體電路示意圖。
圖9與圖IO標(biāo)出本發(fā)明的其中一個實(shí)施例的示意電路圖和對應(yīng)的 波形。
圖11進(jìn)一步顯示本發(fā)明另一 個實(shí)施例的示意電路圖。
圖12與圖13標(biāo)出本發(fā)明的又另一個實(shí)施例的示意電路圖和對應(yīng)的波形。
圖中符號說明
1降壓型切換式電源供應(yīng)器 2升壓型切換式電源供應(yīng)器 3反壓型切換式電源供應(yīng)器 11降壓型切換式電源供應(yīng)器
20電流控制電路
30多路電路
40整流電路
50過高電壓保護(hù)電路
A,B開關(guān)
EA誤差放大器
FB反饋訊號
GM轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器
lb, Ic，IL電流
IN輸入端
L電感
LG訊號
OUT輸出端
Ql、 Q2、 Q3、 Q4晶體管
T, Tl-T3時段
UG訊號
UGCT訊號
Vovp參考電壓
VpH節(jié)點(diǎn)；節(jié)點(diǎn)VpH處的電壓
Vref參考電壓
VR1可變電阻
VX節(jié)點(diǎn)；節(jié)點(diǎn)VX處的電壓
具體實(shí)施例方式
請參考圖6與圖7，首先以降壓型切換式電源供應(yīng)器為例來說明本
發(fā)明的主要概念；圖中以UGCT表示晶體管Q1的柵極訊號，LG表示 晶體管Q2的柵極訊號。本發(fā)明的主要概念在于，當(dāng)電感L上的電流lL 即將由正轉(zhuǎn)負(fù)時，并不完全關(guān)閉晶體管Q1，而是使其成為低導(dǎo)通狀態(tài)， 容許低流量的電流通過。故晶體管Q1角色由單純的晶體管開關(guān)，轉(zhuǎn)換 成一個可變電阻VRl;如此，與美國專利第6,580,258號案相比，本發(fā)
明將可大幅縮短其震蕩時間。圖7標(biāo)出本發(fā)明的主要硬件概念，其中 將原本的上橋開關(guān)，改換為一個可變電阻VR1，其電阻值受訊號UGCT 所控制。
如圖6所示，晶體管Ql可以包括全開、全關(guān)、低導(dǎo)通三種狀態(tài)(第 一種波形)，或僅包括全開、低導(dǎo)通兩種狀態(tài)(第二種波形)。前者 在節(jié)能效果上較好，后者的電路復(fù)雜度較低，各有優(yōu)劣，同屬于本發(fā) 明的范疇。無論是何種，在晶體管Q2關(guān)閉后，晶體管Q1均繼續(xù)呈低 導(dǎo)通狀態(tài)，亦即在時段T之中，可變電阻VR1的電阻值不為0，亦非 無窮大。此外需說明的是，雖然在圖6中的時段T內(nèi)，晶體管Q1的柵 極控制電壓是繪示為定值，但本發(fā)明并不局限于此；在時段T內(nèi)，晶 體管Q1的柵極控制電壓可以為任意的變化波形，僅需其所對應(yīng)產(chǎn)生的 電流量，在1mA (微安培)或其以上，但在晶體管Q1完全導(dǎo)通的電流 量(不含)以下，即可。
熟悉本技術(shù)者當(dāng)可立即發(fā)現(xiàn)，以上說明中的晶體管Q1、 Q2是以 NMOS為例。當(dāng)然，晶體管Q1、 Q2亦可個別改以PMOS來制作，其 對應(yīng)的波形圖自亦不同，但并不脫離本發(fā)明的概念。
控制訊號UGCT的產(chǎn)生方式，例如請參考圖8的示意電路圖，其 中以降壓型切換式電源供應(yīng)器為例顯示本發(fā)明的其中一個實(shí)施例。如 圖所示，在本實(shí)施例的降壓型切換式電源供應(yīng)器11中，設(shè)有多路電路 30，此電路選擇以已知方式所產(chǎn)生的上橋訊號UG、或電流控制電路20的輸出，而將兩者之一供應(yīng)給晶體管開關(guān)Q1的柵極。當(dāng)晶體管Q1受
控于UG訊號時，其角色為開關(guān)，而當(dāng)晶體管Q1受控于電流控制電路 20時，其成為低導(dǎo)通狀態(tài)而容許低電流通過。本發(fā)明所稱的"低電流 "是指前述1mA (微安培)或其以上，但在晶體管Ql完全導(dǎo)通的電流 量(不含)以下的電流。
以上實(shí)施例的更具體電路結(jié)構(gòu)，舉一例說明如圖9，并請對照圖 IO的波形。在本實(shí)施例中，晶體管Q1、 Q4為PMOS晶體管，晶體管 Q2、 Q3為NMOS晶體管，UG訊號與LG訊號為以已知方式所產(chǎn)生的 切換訊號(其波形與圖4相同)，而節(jié)點(diǎn)Vx上的電壓即等于控制訊號 UGCT。在T1時段中，當(dāng)UG訊號為高位準(zhǔn)時，晶體管Q3導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn) Vx接地，其電壓為0。當(dāng)UG訊號為低位準(zhǔn)時，晶體管Q3切斷，節(jié)點(diǎn) Vx的電壓視開關(guān)A、 B的狀態(tài)而定；在T2時段中，當(dāng)開關(guān)A導(dǎo)通且 開關(guān)B切斷時，節(jié)點(diǎn)Vx的電壓等于輸入電壓IN，而在T3時段中，當(dāng) 開關(guān)A切斷且開關(guān)B導(dǎo)通時，晶體管Q1與晶體管Q4構(gòu)成電流鏡，根 據(jù)晶體管Q1和Q4之間的匹配比例，將電流Ib成比例地鏡射為Ic，使 晶體管Ql成為低電流狀態(tài)，此時晶體管Ql上通過的電流Ic可協(xié)助使 電感電流k迅速進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)，消除震蕩。
上述電路中，開關(guān)A、 B的控制訊號，可根據(jù)UG訊號與LG訊號 來產(chǎn)生；此外，為保證電路能正確反應(yīng)，可對開關(guān)A、 B的切換時間提 供防護(hù)區(qū)間(guard band)，例如，在開關(guān)A導(dǎo)通后，使其稍微較LG 訊號延后一些關(guān)閉，并使開關(guān)B在開關(guān)A關(guān)閉后一小段時間才導(dǎo)通， 等等。圖IO僅從宏觀角度繪示各重要節(jié)點(diǎn)的電壓波形，至于上述微觀 細(xì)節(jié)，熟悉本技術(shù)者當(dāng)可在本發(fā)明的揭示下，根據(jù)電路需求而設(shè)計， 在此不多予贅述。
本發(fā)明除可消除震蕩之外，由于在下橋開關(guān)晶體管Q2關(guān)閉的期 間，自輸入電壓IN額外供應(yīng)電流Ic，故其對輸出端OUT提供電壓的 效率也較高，換言之，與先前技術(shù)相比較，就相同的輸出電壓需求而言，可降低晶體管Q1、 Q2的切換頻率，因此其切換損失也較低。此一 優(yōu)點(diǎn)，在輕載時更為明顯。
又，同樣由于額外供應(yīng)電流IC之故，如圖11所示，最好在電路
中設(shè)置整流電路(trimming circuit)40和過高電壓保護(hù)電路(over voltage protection)50。整流電路40的目的是過濾掉電流Ic中的不正常變化， 過高電壓保護(hù)電路50的目的是避免因額外供應(yīng)電流Ic，造成輸出電壓 過高。過高電壓保護(hù)電路有多種作法，例如可將反饋訊號FB與一參考 電壓Vovp相比較，當(dāng)比較結(jié)果顯示輸出電壓過高時，即強(qiáng)迫導(dǎo)通晶體 管Q2，等等。作法很多，不一一盡述。
當(dāng)然，在本發(fā)明的概念下，達(dá)成圖6波形的作法不只一種，茲再 舉一例如圖12。在本實(shí)施例中，晶體管Q1-Q4都是NMOS晶體管， UG訊號與LG訊號同樣為以已知方式所產(chǎn)生的切換訊號，而節(jié)點(diǎn)Vx 上的電壓即等于控制訊號UGCT。
一般而言，已知電路中產(chǎn)生UG訊號與LG訊號的方式，是使用誤 差放大器EA將反饋訊號FB與一參考電壓Vref相比較，并將比較結(jié)果 送給一個PWM訊號產(chǎn)生電路(未示出)，以產(chǎn)生UG訊號與LG訊號。 本實(shí)施例中，除了上述的PWM主回路之外，另增加一線性副回路，使 其具震蕩消除以及小電流電壓調(diào)整(Voltage regulation)的穩(wěn)壓功能。如 圖所示，此副回路是另行利用反饋訊號FB，在轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器GM中與另 一參考電壓相比較，此參考電壓宜設(shè)定為略高于參考電壓Vref，故圖 中以Vref+AV表示。轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器GM的輸出，供應(yīng)給晶體管Q4的漏 極與柵極。在副回路發(fā)生作用時，且供應(yīng)給輸出端負(fù)載的電流小于此 回路所能提供的最大電流時，F(xiàn)B電壓會平衡在Vref+AV附近。在負(fù)載 電流大于此副回路提供的最大電流時，會使得FB電壓低于Vref，因而 PWM主回路就會發(fā)生作用，使此轉(zhuǎn)換器回復(fù)被主回路控制的PWM狀 態(tài)。請對照圖13，在T1時段中，當(dāng)UG訊號為高位準(zhǔn)且開關(guān)A切斷 時，晶體管Q3導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)Vx的電壓為高位準(zhǔn)。當(dāng)UG訊號為低位準(zhǔn) 時，晶體管Q3切斷，節(jié)點(diǎn)Vx的電壓視開關(guān)A、 B的狀態(tài)而定。在T2 時段中，當(dāng)開關(guān)A導(dǎo)通且開關(guān)B切斷時，節(jié)點(diǎn)Vx接地，其電壓等于0。 在T3時段中，當(dāng)開關(guān)A切斷且開關(guān)B導(dǎo)通時，電路有如一個線性穩(wěn) 壓電路(linear regulator)，其參考電壓為Vref+AV。節(jié)點(diǎn)Vx的電壓受 轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器GM的輸出控制，使晶體管Q1成為低導(dǎo)通狀態(tài)，此時晶體 管Ql上通過的電流Ic可協(xié)助使電感電流k迅速進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)，消除 震蕩。
又，與前一實(shí)施例相似地，在本實(shí)施例中，亦可設(shè)置整流電路、 過高電壓保護(hù)電路、對開關(guān)A、 B的切換時間提供防護(hù)區(qū)間等等，不另 繪示。
以上已根據(jù)本發(fā)明的概念，舉兩具體電路為舉例作說明；唯以上 所述者，僅系為使熟悉本技術(shù)者易于了解本發(fā)明的內(nèi)容而已，并非用 來限定本發(fā)明的權(quán)利范圍。對于熟悉本技術(shù)者，當(dāng)可在本發(fā)明精神內(nèi)， 立即思及各種等效變化；例如，在所示各實(shí)施例中，舉例以分壓方式， 從輸出端萃取反饋電壓訊號，但萃取反饋訊號的方式，并不局限于此。 再如，電路中可插入不影響訊號主要意義的元件，如其它開關(guān)等。又 如，雖然在以上說明中僅以降壓型切換式電源供應(yīng)器為例，但本發(fā)明 同樣可應(yīng)用在升壓型切換式電源供應(yīng)器和反壓型切換式電源供應(yīng)器 中。故凡依本發(fā)明的概念與精神所為的均等變化或修飾，均應(yīng)包括于 本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種快速消除震蕩的切換式電源供應(yīng)器，包含第一晶體管、第二晶體管、與電感器，相互電連接于一共同節(jié)點(diǎn)，其中該第一晶體管與一輸入電壓電連接、該第二晶體管電性接地、該電感器與一輸出端電連接，且其中該第一晶體管和第二晶體管受控而切換其狀態(tài)，以將輸入電壓轉(zhuǎn)換供應(yīng)給輸出端；其特征在于，該第一晶體管至少具有導(dǎo)通和低電流流通兩種狀態(tài)。
2. 如權(quán)利要求l所述的切換式電源供應(yīng)器，其中當(dāng)?shù)诙w管開 啟時，第一晶體管為關(guān)閉；當(dāng)?shù)诙w管關(guān)閉時，第一晶體管為低電 流流通狀態(tài)。
3. 如權(quán)利要求l所述的切換式電源供應(yīng)器，其中該第一晶體管具 有導(dǎo)通、關(guān)閉和低電流流通三種狀態(tài)。
4. 如權(quán)利要求3所述的切換式電源供應(yīng)器，其中當(dāng)?shù)诙w管開 啟時，第一晶體管為關(guān)閉；當(dāng)?shù)诙w管關(guān)閉時，第一晶體管為開啟 或低電流流通狀態(tài)。
5. 如權(quán)利要求l所述的切換式電源供應(yīng)器，其更包含有一個電流 控制電路，用以控制使該第一晶體管成為低電流流通狀態(tài)。
6. 如權(quán)利要求5所述的切換式電源供應(yīng)器，其更包含一個多路電 路，此多路電路接收前述電流控制電路的輸出作為其輸入之一，多路 電路的輸出控制第一晶體管的柵極。
7. 如權(quán)利要求6所述的切換式電源供應(yīng)器，其自輸出端取得一反 饋訊號，并根據(jù)該反饋訊號而產(chǎn)生上下橋控制訊號，該上橋控制訊號 供應(yīng)作為多路電路的另一輸入，該下橋控制訊號控制第二晶體管的切換。
8.如權(quán)利要求6所述的切換式電源供應(yīng)器，其中該電流控制電路 包括一個第三晶體管和一個與該第三晶體管電連接的電流源，當(dāng)該多 路電路選擇該電流控制電路時，該電流控制電路將該電流源的電流成 比例地鏡射至該第一晶體管上。
9. 如權(quán)利要求6所述的切換式電源供應(yīng)器，其中該電流控制電路包括一個轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器，此轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器將來自輸出端之一反饋訊號與一 參考電壓比較而產(chǎn)生輸出訊號，當(dāng)該多路電路選擇該電流控制電路時， 該電流控制電路將該轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器的輸出供應(yīng)至該第一晶體管的柵極。
10. —種消除震蕩的切換式電源供應(yīng)器，包含可變電阻、晶體管、與電感器，相互電連接于一共同節(jié)點(diǎn)，其中 該可變電阻與一輸入電壓電連接、該晶體管電性接地、該電感器與一 輸出端電連接，藉此，根據(jù)該可變電阻的阻值變化與該晶體管的切換， 而將輸入電壓轉(zhuǎn)換供應(yīng)給輸出端。
11. 如權(quán)利要求IO所述的切換式電源供應(yīng)器，其中當(dāng)該晶體管自 導(dǎo)通切換至關(guān)閉后的一段時間內(nèi)，該可變電阻的阻值在0與無窮大值之間，其中不含o與無窮大值。
12. 如權(quán)利要求IO所述的切換式電源供應(yīng)器，其中該可變電阻為一具有導(dǎo)通、關(guān)閉和低電流流通三種狀態(tài)的晶體管。
13. 如權(quán)利要求12所述的切換式電源供應(yīng)器，其中當(dāng)該三態(tài)晶體 管為低電流流通狀態(tài)時，通過該三態(tài)晶體管源漏極的電流，為1微安 培或其以上，但在其完全導(dǎo)通的電流量以下。
14. 一種切換式電源供應(yīng)器的控制方法，包含以下步驟-提供一個切換式電源供應(yīng)器，該切換式電源供應(yīng)器包括第一晶體 管、第二晶體管、與電感器，相互電連接于一共同節(jié)點(diǎn)，其中該第一 晶體管與一輸入電壓電連接、該第二晶體管電性接地、該電感器與一輸出端電連接；控制該第一晶體管和第二晶體管，以切換其狀態(tài)；以及 在第二晶體管關(guān)閉后之一段時間內(nèi)，使第一晶體管為低電流流通狀態(tài)。
15. 如權(quán)利要求14所述的切換式電源供應(yīng)器的控制方法，尚包含 以下步驟選擇性地提供兩種控制訊號之一給該第一晶體管的柵極， 在第一控制訊號下，第一晶體管在導(dǎo)通與關(guān)閉間切換，在第二控制訊 號下，第一晶體管成低電流流通狀態(tài)。
16. 如權(quán)利要求15所述的切換式電源供應(yīng)器的控制方法，尚包含 以下步驟自輸出端取得一反饋訊號，并根據(jù)該反饋訊號而產(chǎn)生上下 橋控制訊號，該上橋控制訊號供應(yīng)作為第一晶體管的第一控制訊號， 該下橋控制訊號控制第二晶體管的切換。
17. 如權(quán)利要求15所述的切換式電源供應(yīng)器的控制方法，尚包含 以下步驟提供一個第三晶體管和一個與該第三晶體管電連接的電流 源，并使用此第三晶體管和電流源來產(chǎn)生所述第二控制訊號。
18. 如權(quán)利要求15所述的切換式電源供應(yīng)器的控制方法，尚包含 以下步驟自輸出端取得一反饋訊號；在一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器中將該反饋訊號與一參考電壓相比較；以及使用此轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器的輸出來產(chǎn)生所述第二控制訊號。
全文摘要
本發(fā)明提出一種快速消除震蕩的切換式電源供應(yīng)器及其控制方法，包含可變電阻、晶體管、與電感器，相互電連接于一共同節(jié)點(diǎn)，其中該可變電阻與一輸入電壓電連接、該晶體管電性接地、該電感器與一輸出端電連接，藉此，根據(jù)該可變電阻的阻值變化與該晶體管的切換，而將輸入電壓轉(zhuǎn)換供應(yīng)給輸出端。本發(fā)明提供的電路可以使晶體管成為低電流狀態(tài)，此時晶體管上通過的電流Ic可協(xié)助使電感電流I_L迅速進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)，消除震蕩。
文檔編號H02M3/155GK101286700SQ200710096539
公開日2008年10月15日 申請日期2007年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月11日
發(fā)明者陳安東, 魏維信, 龔能輝 申請人:立锜科技股份有限公司