專利名稱：高壓側(cè)驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種驅(qū)動電路，且特別是一種高壓側(cè)驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
隨著科技的日新月異，電子產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)廣泛地運用在人們的 日常生活中，像是電源供應(yīng)器、馬達驅(qū)動器等等?，F(xiàn)今而言，許多功率轉(zhuǎn)換器采用高壓側(cè)驅(qū) 動器來控制耦接到負載的電壓源。 請參照圖l，其是一種現(xiàn)有的高壓側(cè)驅(qū)動器的等效電路圖。圖1中，高壓側(cè)晶體管 10耦接低壓側(cè)晶體管20。當高壓側(cè)晶體管10截止，且低壓側(cè)晶體管20導(dǎo)通時，電容30可 進行充電。然而，高壓側(cè)驅(qū)動器在高壓應(yīng)用中，由于切換所造成的損耗，造成能源的浪費。
基于上述原因，需要一種新的高壓側(cè)驅(qū)動電路，適用于高壓應(yīng)用而且不會造成能 源的浪費。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的要解決的技術(shù)問題是提供一種新的高壓側(cè)驅(qū)動電路，其可有效地降低漏 電流，不會造成能源的浪費。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種高壓側(cè)驅(qū)動電路，包含靴帶
電容器、P通道金屬氧化物半導(dǎo)體、N通道金屬氧化物半導(dǎo)體以及非重迭電路。靴帶電容器
具有正端與負端，其中正端耦接電壓源，負端耦接高壓側(cè)晶體管的源極及低壓側(cè)晶體管的
漏極。P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接靴帶電容器，P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦
接高壓側(cè)晶體管的柵極。N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的
漏極，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接高壓側(cè)晶體管的源極。非重迭電路，包含輸入端、
第一輸出端以及第二輸出端。輸入端可接收訊號。第一輸出端可根據(jù)訊號，輸出一第一驅(qū)
動訊號至P信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極，其中第一輸出端于一第一時間，輸出第一驅(qū)動
訊號的前緣；且第一輸出端于一第二時間，輸出第一驅(qū)動訊號的后緣。第二輸出端可根據(jù)訊
號，輸出一第二驅(qū)動訊號至N信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極，其中第二輸出端于一第三時
間，輸出第二驅(qū)動訊號的前緣；且第二輸出端于一第四時間，輸出第二驅(qū)動訊號的后緣。其
中第一時間與第三時間相差一第一時間差第二時間與第四時間相差一第二時間差。 由于P通道金屬氧化物半導(dǎo)體與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體非同時切換導(dǎo)通/截止
狀態(tài)，使得P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極的間的漏電
流相當微小，而不會造能源的浪費。 依照本發(fā)明另一實施例，一種高壓側(cè)驅(qū)動電路，包含靴帶電容器、P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體、N通道金屬氧化物半導(dǎo)體以及非重迭電路。靴帶電容器具有正端與負端，其中正 端耦接一電壓源，負端耦接高壓側(cè)晶體管的源極及低壓側(cè)晶體管的漏極。P通道金屬氧化物 半導(dǎo)體的源極耦接靴帶電容器，P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接高壓側(cè)晶體管的柵極。 N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接高壓側(cè)晶體管的一源極。非重迭電路，包含輸入端、重設(shè)端、第一輸出端以 及第二輸出端。輸入端可接收第一脈沖訊號。重設(shè)端可接收第二脈沖訊號。第一輸出端可 根據(jù)第一脈沖訊號與第二脈沖訊號，輸出一第一驅(qū)動訊號至P信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵 極，其中第一輸出端根據(jù)第一脈沖訊號于一第一時間，輸出第一驅(qū)動訊號的前緣；且第一輸 出端根據(jù)第二脈沖訊號于一第二時間，輸出第一驅(qū)動訊號的后緣。第二輸出端可根據(jù)第一 脈沖訊號與第二脈沖訊號，輸出一第二驅(qū)動訊號至N信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極，其中
第二輸出端根據(jù)第一脈沖訊號于一第三時間，輸出第二驅(qū)動訊號的前緣；且第二輸出端根 據(jù)第二脈沖訊號于一第四時間，輸出第二驅(qū)動訊號的后緣。其中第一時間與第三時間相差 一第一時間差第二時間與第四時間相差一第二時間差。 由于P通道金屬氧化物半導(dǎo)體與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體非同時切換導(dǎo)通/截止 狀態(tài)，使得P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極的間的漏電 流相當微小，而不會造能源的浪費。 本發(fā)明的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。本發(fā)明的技術(shù)方
案可達到相當?shù)膭?chuàng)造性及實用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價值，其具有省電的優(yōu)點。 綜上所述，本發(fā)明的高壓側(cè)驅(qū)動電路，具有省電的特點，并且可將所述高壓側(cè)驅(qū)動
電路運用在適合的技術(shù)環(huán)節(jié)。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，在技術(shù)上有顯著的進
步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果。 以下將以實施例對上述的說明以及接下來的實施方式做詳細的描述，并對本發(fā)明 提供更進一步的解釋。
圖1是一種現(xiàn)有的高壓側(cè)驅(qū)動器的等效電路圖2A是依照本發(fā)明一實施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的等效電路圖2B是圖2A高壓側(cè)驅(qū)動器的時序圖3是依照本發(fā)明一實施例的一種非重迭電路的等效電路圖4A是依照本發(fā)明另一實施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的等效電路圖
圖4B是圖4A的高壓側(cè)驅(qū)動電路400的時序圖。
10 :高壓側(cè)晶體管
30 :電容 210 :二極管
230 :P通道金屬氧化物半導(dǎo)體 250 :非重迭電路
252 :第二輸出端 280 :低壓側(cè)晶體管 VB :電壓源 SIN :輸入端
20 :低壓側(cè)晶體管 200 :高壓側(cè)驅(qū)動電路 220 :靴帶電容器
240 :N通道金屬氧化物半導(dǎo)體
251 :第一輸出端 270 :高壓側(cè)晶體管 400 :高壓側(cè)驅(qū)動電路 RIN :重設(shè)端
具體實施例方式
為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，可參照下列的圖示及各種實施例，圖式中相同的號碼代表相同或相似的組件。另一方面，眾所周知的組件并未描述于實施例中，以避 免造成本發(fā)明不必要的限制。 請參照圖2A，是依照本發(fā)明一實施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動電路的等效電路圖。圖2A 中，高壓側(cè)驅(qū)動電路(high side driver) 200可包含靴帶電容器220、 P通道金屬氧化物半 導(dǎo)體230、 N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240以及非重迭電路(non-overl即circuit) 250。靴 帶電容器220的兩端可分為正端與負端，其中靴帶電容器220的正端耦接P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230的源極，靴帶電容器220的負端耦接高壓側(cè)晶體管270的源極及低壓側(cè)晶體 管280的漏極。P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230具有源極、漏極與柵極，其中P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230的源極耦接二極管210的陰極，且P信道金屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極耦接 高壓側(cè)晶體管270的柵極。N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240具有源極、漏極與柵極，其中N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極，且N通道金屬 氧化物半導(dǎo)體240的源極耦接高壓側(cè)晶體管270的源極。非重迭電路250包含輸入端SIN、 第一輸出端251與第二輸出端252，其中第一輸出端251耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230 的柵極，第二輸出端252耦接N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極。 另外，高壓側(cè)驅(qū)動電路200還可選擇性地配置二極管210，其中二極管210具有陽 極與陰極，其中二極管210的陽極耦接電壓源VB。于其它實施例中，高壓側(cè)驅(qū)動電路200可 移除二極管210，亦即電壓源VB不透過二極管210耦接至靴帶電容器220。
請同時參照第2A-2B圖，其中圖2B是圖2A的高壓側(cè)驅(qū)動電路200的時序圖。以 下將以實施例來具體說明高壓側(cè)驅(qū)動電路200于使用上的實施方式。 于本實施例中，輸入端SIN可接收一訊號。第一輸出端251可根據(jù)訊號，輸出第一 驅(qū)動訊號至P信道金屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極，其中第一輸出端251于第一時間Tl輸出 第一驅(qū)動訊號的前緣；且第一輸出端251于第二時間T4輸出第一驅(qū)動訊號的后緣。第二輸 出端252可根據(jù)訊號，輸出第二驅(qū)動訊號至N信道金屬氧化物半導(dǎo)體230的柵極，其中第二 輸出端252于第三時間T2輸出第二驅(qū)動訊號的前緣；且第二輸出端252于第四時間T3，輸 出第二驅(qū)動訊號的后緣。 值得注意的是，第一時間Tl與第三時間T4相差第一時間差A(yù)T1，第二時間T2與 第四時間T3相差第二時間差A(yù)T2。 圖2B中，上述的第一時間差A(yù)TI例如可為約5ns。在約第一時間Tl時，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至截止狀態(tài)。在約第三時間T2時，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至導(dǎo)通狀態(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于截止狀態(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240異步切換截止/導(dǎo)通狀態(tài)，使得P通道金屬 氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流II相當微 小，而不會造能源的浪費。 圖2B中，上述的第二時間差A(yù)T2例如可為約5ns。在約第四時間T3時，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至導(dǎo)通狀態(tài)；在約第二時間T4時，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至截止狀態(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于導(dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240非同時切換導(dǎo)通/截止狀態(tài)，使得P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流12相當 微小，而不會造能源的浪費。
另外，若高壓側(cè)晶體管270截止且低壓側(cè)晶體管280導(dǎo)通時，則電壓源VB對靴帶 電容器220進行充電。 為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請參照圖3，是依照本發(fā)明一實施例的一種 非重迭電路250的等效電路圖。圖3中，非重迭電路250包含與非門(NAND gate)310、或非 門(麗gate) 320、以及多個反相器330， 340， 350， 360， 370， 380。值得注意的是，非重迭電路 250是采用「先切后接」(break-before-make)的方式，可產(chǎn)生兩個時序不同的方波訊號，其 中反相器330，340，350，360是用以產(chǎn)生延遲時間。舉例來說，像是上述的第一時間差A(yù)TI 與第二時間差A(yù)T2，藉所述防止P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體 240同時進行切換。 請參照圖4A，是依照本發(fā)明另一實施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動電路的等效電路圖。圖 4A中，高壓側(cè)驅(qū)動電路400可包含靴帶電容器220、P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230、N通道金 屬氧化物半導(dǎo)體240以及非重迭電路250。靴帶電容器220的兩端可分為正端與負端，其中 靴帶電容器220的正端耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的源極，靴帶電容器220的負端 耦接高壓側(cè)晶體管270的源極及低壓側(cè)晶體管280的漏極。P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230 具有源極、漏極與柵極，其中P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的源極耦接二極管210的陰極， 且P信道金屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極耦接高壓側(cè)晶體管270的柵極。N通道金屬氧化物 半導(dǎo)體240具有源極、漏極與柵極，其中N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極耦接P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極，且N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的源極耦接高壓側(cè)晶體管270 的源極。非重迭電路250包含輸入端SIN、重設(shè)端RIN、第一輸出端251與第二輸出端252， 其中第一輸出端251耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的柵極，第二輸出端252耦接N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極。 另外，高壓側(cè)驅(qū)動電路200還可選擇性地配置二極管210，其中二極管210具有陽 極與陰極，其中二極管210的陽極耦接電壓源VB。于其它實施例中，高壓側(cè)驅(qū)動電路200可 移除二極管210，亦即電壓源VB不透過二極管210耦接至靴帶電容器220。
請同時參照第4A-4B圖，其中圖4B是高壓側(cè)驅(qū)動電路400的時序圖。以下將以實 施例來具體說明高壓側(cè)驅(qū)動電路400于使用上的實施方式。 于本實施例中，輸入端SIN可接收第一脈沖訊號。重設(shè)端RIN可接收第二脈沖訊 號。第一輸出端251可根據(jù)第一脈沖訊號與第二脈沖訊號，輸出第一驅(qū)動訊號至P信道金 屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極，其中第一輸出端251根據(jù)第一脈沖訊號于第一時間Tl輸出第 一驅(qū)動訊號的前緣；且第一輸出端251根據(jù)第二脈沖訊號于第二時間T4輸出第一驅(qū)動訊號 的后緣。第二輸出端252可根據(jù)第一脈沖訊號與第二脈沖訊號，輸出第二驅(qū)動訊號至N信 道金屬氧化物半導(dǎo)體230的柵極，其中第二輸出端252根據(jù)第一脈沖訊號，于第三時間T2 輸出第二驅(qū)動訊號的前緣；且第二輸出端252根據(jù)第二脈沖訊號，于第四時間T3，輸出第二 驅(qū)動訊號的后緣。 值得注意的是，第一時間Tl與第三時間T4相差第一時間差A(yù)T1，第二時間T2與 第四時間T3相差第二時間差A(yù)T2。 圖4B中，上述的第一時間差A(yù)TI例如可為約5ns。在約第一時間Tl時，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至截止狀態(tài)。在約第三時間T2時，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至導(dǎo)通狀態(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于截止狀態(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化
7物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240異步切換截止/導(dǎo)通狀態(tài)，使得P通道金屬 氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流II相當微 小，而不會造能源的浪費。 圖4B中，上述的第二時間差A(yù)T2例如可為約5ns。在約第四時間T3時，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至導(dǎo)通狀態(tài)；在約第二時間T4時，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至截止狀態(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于導(dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240非同時切換導(dǎo)通/截止狀態(tài)，使得P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流12相當 微小，而不會造能源的浪費。 雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，其并非用以限定本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi)的技術(shù)方案均涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種高壓側(cè)驅(qū)動器，包含靴帶電容器，具有正端與負端，其中該正端耦接電壓源，該負端耦接高壓側(cè)晶體管的源極及低壓側(cè)晶體管的漏極；P通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該源極耦接該靴帶電容器，該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極耦接該高壓側(cè)晶體管的柵極；N通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極耦接該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極，該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該源極耦接該高壓側(cè)晶體管的源極；以及非重迭電路，包含輸入端，用以接收訊號；第一輸出端，用以根據(jù)該訊號，輸出第一驅(qū)動訊號至該P信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第一輸出端于第一時間，輸出該第一驅(qū)動訊號的前緣；且該第一輸出端于第二時間，輸出該第一驅(qū)動訊號的后緣；以及第二輸出端，用以根據(jù)該訊號，輸出第二驅(qū)動訊號至該N信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第二輸出端于第三時間，輸出該第二驅(qū)動訊號的前緣；且該第二輸出端于第四時間，輸出該第二驅(qū)動訊號的后緣，其中該第一時間與該第三時間相差一第一時間差，該第二時間與該第四時間相差一第二時間差。
2. 如權(quán)利要求1所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，其中該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體截止且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通，使該高壓側(cè)晶體管截止。
3. 如權(quán)利要求2所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，其中當該低壓側(cè)晶體管導(dǎo)通時，該電壓源對該 靴帶電容器進行充電。
4. 如權(quán)利要求1所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，其中該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體截止，使該高壓側(cè)晶體管導(dǎo)通。
5. 如權(quán)利要求l所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，包含二極管，配置于該電壓源與該靴帶電容器的間，其中該二極管具有陽極與陰極，其中該 陽極耦接該電壓源且該陰極耦接該靴帶電容器。
6. —種高壓側(cè)驅(qū)動器，包含靴帶電容器，具有正端與負端，其中該正端耦接電壓源，該負端耦接高壓側(cè)晶體管的源 極及低壓側(cè)晶體管的漏極；P通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的 該源極耦接該靴帶電容器，該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極耦接該高壓側(cè)晶體管的柵 極；N通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的 該漏極耦接該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極，該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該源極耦 接該高壓側(cè)晶體管的源極；以及非重迭電路，包含輸入端，用以接收第一脈沖訊號；重設(shè)端，用以接收第二脈沖訊號；第一輸出端，用以根據(jù)該第一脈沖訊號與該第二脈沖訊號，輸出第一驅(qū)動訊號至該P 信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第一輸出端根據(jù)該第一脈沖訊號于第一時間，輸 出該第一驅(qū)動訊號的前緣；且該第一輸出端根據(jù)該第二脈沖訊號于第二時間，輸出該第一 驅(qū)動訊號的后緣；以及第二輸出端，用以根據(jù)該第一脈沖訊號與該第二脈沖訊號，輸出第二驅(qū)動訊號至該N 信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第二輸出端根據(jù)該第一脈沖訊號于第三時間，輸 出該第二驅(qū)動訊號的前緣；且該第二輸出端根據(jù)該第二脈沖訊號于第四時間，輸出該第二 驅(qū)動訊號的后緣，其中該第一時間與該第三時間相差一第一時間差，該第二時間與該第四時間相差一第 二時間差。
7. 如權(quán)利要求6所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，其中該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體截止且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通，使該高壓側(cè)晶體管截止。
8. 如權(quán)利要求7所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，其中當該低壓側(cè)晶體管導(dǎo)通時，該電壓源對該 靴帶電容器進行充電。
9. 如權(quán)利要求6所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，其中該P通道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體截止，使該高壓側(cè)晶體管導(dǎo)通。
10. 如權(quán)利要求6所述的高壓側(cè)驅(qū)動器，包含二極管，配置于該電壓源與該靴帶電容器的間，其中該二極管具有陽極與陰極，其中該 陽極耦接該電壓源且該陰極耦接該靴帶電容器。
全文摘要
一種高壓側(cè)驅(qū)動電路，包含靴帶電容器、P通道金屬氧化物半導(dǎo)體、N通道金屬氧化物半導(dǎo)體以及非重迭電路。所述靴帶電容器耦接高壓側(cè)晶體管的源極。所述P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接所述高壓側(cè)晶體管的柵極。所述N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接所述P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極，所述N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接所述高壓側(cè)晶體管的源極。所述非重迭電路的第一輸出端耦接所述P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的所述柵極，而第二輸出端耦接所述N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的所述柵極。
文檔編號H02M3/04GK101728948SQ200810166589
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日
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