專利名稱：一種節(jié)電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及的是一種節(jié)電裝置，尤其是一種節(jié)電電路。
技術(shù)背景
在現(xiàn)有技術(shù)中，公知的技術(shù)是很多家用電器內(nèi)部使用的是直流電，大多 這樣的用電器都沒有節(jié)電裝置，都是電源通過整流濾波后直接加到用電器上， 這是現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的，就是針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提供一種節(jié)電 電路的技術(shù)方案，該方案的節(jié)電電路能使使用直流電的用電器用電減少，達(dá) 到節(jié)電的效果。
本方案是通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)的 一種節(jié)電電路，包括有負(fù)載，本 方案的特點是還有第一單相橋式整流電路Zl，所述的第一單相橋式整流電 路Zl的正極接第二單相橋式整流電路Z2的一輸入端，第一單相橋式整流電路
Zl的負(fù)極通過負(fù)載Rl接第二單相橋式整流電路Z2的另一輸入端，第二單相橋 式整流電路Z2的輸出端并聯(lián)一電容Cl，第二單相橋式整流電路Z2的正極通過 變壓器T的初級線圈N與一絕緣柵雙極晶體管V的集電極連接，所述的絕緣 柵雙極晶體管V的發(fā)射極與第二單相橋式整流電路Z2的負(fù)極連接，所述的絕 緣柵雙極晶體管V的柵極與芯片IC1的源極連接，所述的芯片IC1的漏極通過 一電阻R2與第二單相橋式整流電路Z2的正極連接，變壓器T的一個次級線圈 Nl與第一單相半波整流電路Z3并聯(lián)， 一電容C2與所述的第一單相半波整流電 路Z3并聯(lián)，所述的第一單相半波整流電路的正極通過一電阻R3與一光電耦合 器OC的l號引腳連接，第一單相半波整流電路Z3的正極還與負(fù)載Rl的正極連
4接，第一單相半波整流電路Z3的負(fù)極接光電耦合器0C的2號引腳，第一單相 半波整流電路Z3的負(fù)極還與第一單相橋式整流電路Zl的負(fù)極連接，變壓器T 的另一次級線圈N2與第二單相半波整流電路Z4并聯(lián)，所述的第二單相半波整 流電路Z4與一電容C3并聯(lián)，第二單相半波整流電路Z4的正極接光電耦合器 OC的4號引腳，第二單相半波整流電路Z4的負(fù)極通過一電容C4與光電耦合器 OC的3號引腳連接，第二單相半波整流電路Z4的負(fù)極還與絕緣柵雙極晶體管V 的發(fā)射極連接，第一單相半波整流電路Z3是由一個二極管VD1組成，二極管VD1 串接在次級線圈Nl的正極,第二單相半波整流電路Z4是由一個二極管VD2組 成，二極管VD2串接在次級線圈N2的正極。芯片IC1是TOPSWITCH,光電耦合 器0C為PC817。
本方案的有益效果可根據(jù)對上述方案的敘述得知，由于在該方案中電源 經(jīng)單相橋式整流電路Zl整流后加到負(fù)載和單相橋式整流電路Z2上，另外，負(fù) 載上還加有變壓器的次級線圈Nl的經(jīng)整流濾波后的電壓；工作時，次級線圈 N2的電壓經(jīng)整流濾波后給TOPSWITCH提供所需偏壓，光電耦合器PC817根據(jù)次 級線圈N1的電壓變化，調(diào)整TOPSWITCH的偏壓，進(jìn)而控制絕緣柵雙極晶體管， 調(diào)整次級線圈N1的輸出電壓，使負(fù)載工作的電壓穩(wěn)定，達(dá)到節(jié)電的目的。由此 可見，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有實質(zhì)性特點和進(jìn)步，其實施的有益 效果也是顯而易見的。


圖l為本實用新型具體實施方式
的電路圖。
圖中，Z1為第一單相橋式整流電路Z1， Z2為第二單相橋式整流電路Z2， Rl為負(fù)載，Cl為電容，IC1為TOPSWITCH芯片，R2為電阻，V為絕緣柵雙極晶 體管，T為變壓器，Nl為變壓器次級線圈，N2為變壓器次級線圈，VD1為二極 管，VD2為二極管，C2為電容，C3為電容，0C為光電耦合器PC817， C4為電容， R3為電阻。
具體實施方式
為能清楚說明本方案的技術(shù)特點，下面通過一個具體實施方式
，并結(jié)合 其附圖，對本方案進(jìn)行闡述。
通過附圖可以看出，本方案的節(jié)電電路，包括有負(fù)載，本方案的特點是 還有第一單相橋式整流電路Zl，第一單相橋式整流電路Zl的正極接第二單相
橋式整流電路Z2的一輸入端，第一單相橋式整流電路Zl的負(fù)極通過負(fù)載Rl 接第二單相橋式整流電路Z2的另一輸入端，第二單相橋式整流電路Z2的輸出 端并聯(lián)一電容Cl，第二單相橋式整流電路Z2的正極通過變壓器T的初級線圈 N與一絕緣柵雙極晶體管V的集電極連接，所述的絕緣柵雙極晶體管V的發(fā)射 極與第二單相橋式整流電路Z2的負(fù)極連接，所述的絕緣柵雙極晶體管V的柵 極與芯片IC1的源極連接，所述的芯片IC1的漏極通過一電阻R2與第二單相橋 式整流電路Z2的正極連接，變壓器T的一個次級線圈Nl與第一單相半波整流 電路Z3并聯(lián)， 一電容C2與所述的第一單相半波整流電路Z3并聯(lián)，所述的第一 單相半波整流電路Z3的正極通過一電阻R3與一光電耦合器0C的l號引腳連 接，第一單相半波整流電路Z3的正極還與負(fù)載R1的正極連接，第一單相半波 整流電路Z3的負(fù)極接光電耦合器0C的2號引腳，第一單相半波整流電路Z3的 負(fù)極還與第一單相橋式整流電路Z1的負(fù)極連接，變壓器T的另一次級線圈N2 與第二單相半波整流電路Z4并聯(lián)，所述的第二單相半波整流電路Z4與一電容 C3并聯(lián)，第二單相半波整流電路Z4的正極接光電耦合器0C的4號引腳，第二 單相半波整流電路Z4的負(fù)極通過一電容C4與光電耦合器0C的3號引腳連接， 第二單相半波整流電路Z4的負(fù)極還與絕緣柵雙極晶體管V的發(fā)射極連接。第 一單相半波整流電路Z3是由一個二極管VD1組成，二極管VD1串接在次級線圈 Nl的正極,第二單相半波整流電路Z4是由一個二極管VD2組成，二極管VD2串 接在次級線圈N2的正極。芯片IC1是T0PSWITCH。光電耦合器0C為PC817。
權(quán)利要求1. 一種節(jié)電電路，包括有負(fù)載R1，其特征是還有第一單相橋式整流電路Z1，所述的第一單相橋式整流電路Z1的正極接第二單相橋式整流電路Z2的一輸入端，第一單相橋式整流電路Z1的負(fù)極通過負(fù)載R1接第二單相橋式整流電路Z2的另一輸入端，第二單相橋式整流電路Z2的輸出端并聯(lián)一電容C1，第二單相橋式整流電路Z2的正極通過變壓器T的初級線圈N與一絕緣柵雙極晶體管V的集電極連接，所述的絕緣柵雙極晶體管V的發(fā)射極與第二單相橋式整流電路Z2的負(fù)極連接，所述的絕緣柵雙極晶體管V的柵極與芯片IC1的源極連接，所述的芯片IC1的漏極通過一電阻R2與第二單相橋式整流電路Z2的正極連接，變壓器T的一個次級線圈N1與第一單相半波整流電路Z3并聯(lián)，一電容C2與所述的第一單相半波整流電路Z3并聯(lián)，所述的第一單相半波整流電路Z3的正極通過一電阻R3與一光電耦合器OC的1號引腳連接，第一單相半波整流電路Z3的正極還與負(fù)載R1的正極連接，第一單相半波整流電路Z3的負(fù)極接光電耦合器OC的2號引腳，第一單相半波整流電路Z3的負(fù)極還與第一單相橋式整流電路Z1的負(fù)極連接，變壓器T的另一次級線圈N2與第二單相半波整流電路Z4并聯(lián)，所述的第二單相半波整流電路Z4與一電容C3并聯(lián)，第二單相半波整流電路Z4的正極接光電耦合器OC的4號引腳，第二單相半波整流電路Z4的負(fù)極通過一電容C4與光電耦合器OC的3號引腳連接，第二單相半波整流電路Z4的負(fù)極還與絕緣柵雙極晶體管V的發(fā)射極連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的節(jié)電電路，其特征是所述的第一單相半波整流 電路Z3是由一個二極管VD1組成，二極管VD1串接在次級線圈Nl的正極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的節(jié)電電路，其特征是所述的第二單相半波整流 電路Z4是由一個二極管VD2組成，二極管VD2串接在次級線圈N2的正極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的節(jié)電電路，其特征是所述的芯片IC1是 TOPSWITCH。
5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的節(jié)電電路，其特征是所述的光電耦合器OC為PC817。
專利摘要本實用新型提供了一種節(jié)電電路技術(shù)方案，該方案包括負(fù)載R1，特點是有整流電路Z1，Z1的正極接整流電路Z2的一輸入端，Z1的負(fù)極通過R1接Z2的另一輸入端，Z2與電容C1并聯(lián)，Z2正極通過變壓器T的初級線圈N與晶體管V的集電極連接，V的發(fā)射極與Z2負(fù)極連接，V的柵極與芯片IC1的源極連接，IC1的漏極通過電阻R2與Z2的正極連接，變壓器T的次級線圈N1與整流電路Z3并聯(lián)，電容C2與Z3并聯(lián)，Z3正極通過電阻R3與光電耦合器OC的1號引腳連接，Z3的正極還與R1的正極連接；Z3的負(fù)極接OC的2號引腳，還與Z1的負(fù)極連接；變壓器T的次級線圈N2與整流電路Z4并聯(lián)，Z4與電容C3并聯(lián)，Z4正極接OC的4號引腳；Z4負(fù)極通過電容C4與OC的3號引腳連接，還與V的發(fā)射極連接。
文檔編號H02M3/24GK201252486SQ20082018771
公開日2009年6月3日 申請日期2008年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月15日
發(fā)明者楊光偉 申請人:楊光偉