專利名稱:電力變換器設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種電力變換器i殳備。
背景技術(shù):
在具有將交流電流變換成直流電流的半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體裝置(功率 半導(dǎo)體模塊)中,或者在具有電容器模塊的電力變換器設(shè)備(逆變器設(shè)備)
中(其中該電容器模塊構(gòu)成該功率半導(dǎo)體模塊中的直流平滑電路),需要 減小它的互連電感。
日本特開(kāi)2006-318953號(hào)公報(bào)公開(kāi)了 一種減小了與外部該:備的一對(duì)電 極端子連接的一對(duì)互連構(gòu)件的電感的半導(dǎo)體設(shè)備的端子的連接結(jié)構(gòu)。上述 公報(bào)的互連構(gòu)件的形狀呈板狀,并被布置成相鄰以彼此面對(duì)。互連構(gòu)件中 的電流流向彼jM目反。半導(dǎo)體設(shè)備的電極端子接合至互連構(gòu)件,以通過(guò)超 聲鍵合(ultrasonic bonding)、電阻焊或釬焊而連接至互連構(gòu)件。外部設(shè) 備的一對(duì)電極端子例如是電容器的正端子和負(fù)端子。
日本特開(kāi)2005-347561號(hào)>^4艮>^開(kāi)了一種結(jié)構(gòu)和一種配置,該結(jié)構(gòu)和 配置減小了功率半導(dǎo)體模塊的內(nèi)部線路中的電感、電容器模塊的內(nèi)部線路 中的電感、以及從該電容器模塊到該半導(dǎo)體模塊的外部線路中的電感。日 本特開(kāi)2005-347561號(hào)公lli/^開(kāi)了設(shè)置在基仗71上的多個(gè)絕,底72, 如圖11A和11B所示。在每個(gè)絕,底72上i更置開(kāi)關(guān)芯片73和二極管 芯片74。正導(dǎo)體75和負(fù)導(dǎo)體76層疊(同時(shí)彼此絕緣)在開(kāi)關(guān)芯片73和 二極管芯片74二者的頂表面上。在基敗71的上方布置絕緣箱(未示出) 以蓋住絕,底72、開(kāi)關(guān)芯片73、 二極管芯片74、正導(dǎo)體75和負(fù)導(dǎo)體 76。正導(dǎo)體75和負(fù)導(dǎo)體76分別包括平板狀主導(dǎo)體75a、 76a和形成于主 導(dǎo)體75a、 76a的端的帶狀副導(dǎo)體75b、 76b。正導(dǎo)體75的副導(dǎo)體75b與 負(fù)導(dǎo)體76的副導(dǎo)體76b彼此相鄰?fù)瑫r(shí)彼此絕緣,并且分別構(gòu)成外部端子 P2、 N2。日本特開(kāi)2005-347561號(hào)公報(bào)還公開(kāi)了一種逆變器設(shè)備,其中電 容器模塊位于該功率半導(dǎo)體模塊的絕緣箱上。電容器模塊包括連接到電容 器元件的正導(dǎo)體和負(fù)導(dǎo)體。正導(dǎo)體和負(fù)導(dǎo)體都由板狀主導(dǎo)體和帶狀副導(dǎo)體構(gòu)成。兩個(gè)板狀主導(dǎo)體層疊在一起,同時(shí)彼此絕緣。帶狀副導(dǎo)體設(shè)置于主 導(dǎo)體的端并且層疊在一起,同時(shí)彼此絕緣。副導(dǎo)體的端構(gòu)成外部連接端子。
日本特開(kāi)2005-347561號(hào)公報(bào)還公開(kāi)了一種逆變器設(shè)備,該逆變器設(shè)備具 有以直立狀態(tài)分別設(shè)置在正導(dǎo)體75和負(fù)導(dǎo)體76的主導(dǎo)體75a和76a之一 上的多個(gè)分支導(dǎo)體。每個(gè)分支導(dǎo)體具有連接至電容器元件的分支導(dǎo)體。
雖然日本特開(kāi)2006-318953號(hào)乂>才艮公開(kāi)了 一種減小了半導(dǎo),塊的外 部端子的#^部分與電容器之間的線路的互連電感的半導(dǎo)體設(shè)備,但該公 報(bào)并未公開(kāi)用于減小半導(dǎo)體模塊內(nèi)部的電感的配置。此外,日本特開(kāi) 2006-318953號(hào)公報(bào)并未公開(kāi)其中電容器容納于箱中的半導(dǎo)體設(shè)備的結(jié) 構(gòu)。
日本特開(kāi)2005-347561號(hào)公報(bào)公開(kāi)了 一種減小了功率半導(dǎo),塊的內(nèi) 部線路中的電感和電容器模塊的內(nèi)部線路中的電感的配置、以及一種減小 了外部連接端子的電感的配置。日本特開(kāi)2005-347561號(hào)公報(bào)還公開(kāi)了一 種其中電容器模塊容納于功率半導(dǎo)員塊的絕緣箱中的配置。
在其中電容器模塊容納于功率半導(dǎo)體模塊的絕緣箱中的、日本特開(kāi) 2005-347561號(hào)公才艮的逆變器設(shè)備的制造過(guò)程中,互連構(gòu)件的端子需要在 電容器安裝在互連構(gòu)件上的情況下接合至絕,底的線路圖案。如果通過(guò) 釬焊實(shí)現(xiàn)了該接合,則電容器附近的溫度顯著升高。因而,需要使用具有 增強(qiáng)的熱阻的特殊電容器。然而,日本特開(kāi)2005-347561號(hào)公:報(bào)并未/〉開(kāi) 需要這樣的特殊電容器。而且,日本特開(kāi)2005-347561號(hào)^^艮并未^Hf是 否通過(guò)釬焊將絕g底72 ^至將正導(dǎo)體75和負(fù)導(dǎo)體76連接至絕, 底72的連接導(dǎo)體。然而,由于根據(jù)所圖示的連接導(dǎo)體的形狀而假定使用 了釬焊,所以需JH吏用具有增強(qiáng)的熱阻的特殊電容器。
發(fā)明內(nèi)容
因而,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種電力變換器設(shè)備,該電力變換器 設(shè)備減小了互連電感并且使得不需要具有增強(qiáng)的熱阻的特殊電容器。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的并才艮據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種電力變換器設(shè) 備,該電力變換器設(shè)備包括襯底、板狀正互連構(gòu)件、板狀負(fù)互連構(gòu)件、電 容器和蓋子。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件安^fr襯底上。正互連構(gòu)件與負(fù)互連構(gòu)件布置 成彼此靠近且平行并且布置成與所述襯底平行,同時(shí)彼此電絕緣。電容器 具有電連接至正互連構(gòu)件的正端子和電連接至負(fù)互連構(gòu)件的負(fù)端子。正和負(fù)端子與電容器位于同一側(cè)。蓋子布置在襯底上方,以包圍開(kāi)關(guān)元件、正
互連端子、負(fù)互連端子和電容器。正互連構(gòu)件和負(fù)互連構(gòu)件都具有通it^ 聲鍵合與襯底上的電路圖案接合的一個(gè)或多個(gè)端子部分。電容器布置在正 和負(fù)互連構(gòu)件二者中不直接面對(duì)襯底的一個(gè)上。
從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的、通過(guò)例子^兌明本發(fā)明諸原理的描述中,本發(fā) 明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。
參照下面對(duì)目前優(yōu)選的實(shí)施例的說(shuō)明以及附圖,可最好地理解本發(fā)明 及其目的和優(yōu)點(diǎn),在附圖中
圖1A是示出了作為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電力變換器設(shè)備的逆 變器設(shè)備的電路圖1B是示出了圖1A所示的逆變器設(shè)備的臂的一種修改的電路圖2是示出了省略了蓋子的圖1A的逆變器設(shè)備的示意性透視圖3是示出了圖2的逆變器設(shè)備的平面圖4A是沿著圖3中的線4A-4A所取的橫截面圖4B是省略了一部分的圖4A的部分放大圖5是示出了圖1A的逆變器設(shè)備的襯底上的連接狀態(tài)的部分平面
圖6A是沿著圖3中的線6A-6A所取的橫截面圖; 圖6B是圖6A的部分放大圖7A是示出了上面安裝有圖1A的逆變器i殳備中的芯片部分的陶瓷 襯底的示意性透視圖7B是示出了上面安裝有圖7A的陶瓷襯底的金屬基&的示意性透 視圖8A是示出了支撐框架附著到圖7B的金屬基板這一狀態(tài)的示意性 透視圖8B是示出了輸出電極構(gòu)件附著到圖8A的金屬^41這一狀態(tài)的示 意性透視圖;圖9是示出了圖2的逆變器設(shè)備中的電容器組件、金屬基板、支撐框 架和輸出電極構(gòu)件之間的關(guān)系的示意性透視圖10是示出了作為根據(jù)一種修改的電力變換器設(shè)備的逆變器設(shè)備的 橫截面圖IIA是示出了現(xiàn)有技術(shù)的電力變換器設(shè)備的透視圖;以及 圖11B是示出了圖11A的電力變換器設(shè)備的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照?qǐng)D1~9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的三相逆變器設(shè)備11。
首先,說(shuō)明逆變器設(shè)備ll的電路配置。如圖1A所示,逆變器設(shè)備 11具有包括6個(gè)開(kāi)關(guān)元件Ql ~ Q6的逆變器電路12。使用MOSFET (金 屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為開(kāi)關(guān)元件Q1 Q6。在第一和第二開(kāi) 關(guān)元件Q1、 Q2組成的對(duì)、第三和第四開(kāi)關(guān)元件Q3、 Q4組成的對(duì)以及第 五和第六開(kāi)關(guān)元件Q5、 Q6組成的對(duì)中的每一對(duì)中,開(kāi)關(guān)元件串聯(lián)連接。 二極管Dl ~ D6分別與開(kāi)關(guān)元件Ql ~ Q6的漏極與源極之間的部分反向并 聯(lián)連接。第一、第三和第五開(kāi)關(guān)元件Ql、 Q3、 Q5中的每個(gè)開(kāi)關(guān)元件和 與其連接的二極管Dl、 D3、 D5中對(duì)應(yīng)的一個(gè)二極管構(gòu)成被稱作上臂的結(jié) 構(gòu)。而且,第二、第四和第六開(kāi)關(guān)元件Q2、 Q4、 Q6中的每個(gè)開(kāi)關(guān)元件 和與其連接的二極管D2、 D4、 D6中對(duì)應(yīng)的一個(gè)二極管構(gòu)成被稱作下臂的 結(jié)構(gòu)。
開(kāi)關(guān)元件Ql、 Q3、 Q5的漏極連接至用于通過(guò)線13輸電的正輸入端 子14,而開(kāi)關(guān)元件Q2、 Q4、 Q6的源極連接至用于通過(guò)線15輸電的負(fù)輸 入端子16。多個(gè)電容器17并聯(lián)連接在線13與線15之間。在本實(shí)施例中, 使用電解電容器作為電容器17。電容器17的正端子和負(fù)端子分別連接至 線13和線15。
開(kāi)關(guān)元件Q1、 Q2之間的節(jié)點(diǎn)連接至U相端子U,開(kāi)關(guān)元件Q3、 Q4 之間的節(jié)點(diǎn)連接至V相端子V,開(kāi)關(guān)元件Q5、 Q6之間的節(jié)點(diǎn)連接至W 相端子W。開(kāi)關(guān)元件Ql ~ Q6的柵極分別連接至驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端子Gl ~ G6。開(kāi)關(guān)元件Ql ~ Q6的源極分別連接至信號(hào)端子SI ~ S6。
在圖1A中,每個(gè)上臂和下臂都包括一個(gè)開(kāi)關(guān)元件和一個(gè)二極管。然而,在通過(guò)每個(gè)臂的電流的量大的情況下,每個(gè)臂可配置有多個(gè)并聯(lián)連接
的由開(kāi)關(guān)元件Q和二極管D組成的對(duì),如圖1B中所示。在本實(shí)施例中, 每個(gè)臂由4個(gè)由開(kāi)關(guān)元件Q和二極管D組成的對(duì)構(gòu)成。
下面i兌明逆變器i殳備ll的結(jié)構(gòu)。
如圖2和3所示,逆變器設(shè)備ll包括由銅制金屬基仗20和作為絕緣 襯底的陶瓷襯底21構(gòu)成的襯底22。半導(dǎo)體芯片23安M襯底22上。每 個(gè)半導(dǎo)體芯片23合并了構(gòu)成單個(gè)器件的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件(MOSFET)和一 個(gè)二極管。即,每個(gè)半導(dǎo)體芯片23對(duì)應(yīng)于設(shè)有圖1B所示的單個(gè)開(kāi)關(guān)元件 Q和單個(gè)二極管D的器件之一。在襯底22上,由于信號(hào)端子S1 S6和 與其連接的控制板(未示出)位于與U相端子U、 V相端子V和W相端 子W相對(duì)的那一側(cè),所以控制板幾乎不受通過(guò)U相端子U、 V相端子V 和W相端子W的主電流的影響。
每個(gè)陶瓷襯底21具有由例如氮化鋁、氧化鋁或氮化珪形成的陶瓷板 26。如圖5所示,在陶瓷板26的上表面上形成電路圖案24a、 24b、 24c、 24d。如圖4B所示,金屬板25設(shè)置在陶資板26的下表面上。電路圖案 24a、 24b、 24c、 24d和金屬板25由例如鋁或銅制成。金屬板25擔(dān)當(dāng)將 陶瓷襯底21與金屬基^ 20彼此^的接合層。陶瓷襯底21與金屬1^SL 20利用其間的金屬板25、使用釬料(未示出)相掩h在本說(shuō)明中,在 下文中,金屬基板20是指逆變器設(shè)備11的底部(下部)。
如圖5所示,電路圖案24a、 24b、 24c、 24d分別是柵極信號(hào)、漏極、 源極和源極信號(hào)的電路圖案。電路圖案24a 24d中的每個(gè)電路圖案以帶 狀形成。漏極電路圖案24b與源極電路圖案24c彼此相鄰且平行。柵極信 號(hào)電路圖案24a和源極信號(hào)電路圖案24d位于與電路圖案24c相對(duì)并且與 電路圖案24b平行的位置。用,將半導(dǎo)體芯片23#^至漏極電路圖案 24b。柵極信號(hào)電路圖案24a與半導(dǎo)體芯片23的柵極通過(guò)線鍵合而彼此電 連接。半導(dǎo)體芯片23的源極通過(guò)線鍵合而電連接至源極電路圖案24c和 源極信號(hào)電路圖案24d。
如圖7B所示,金屬基板20和陶瓷襯底21都基本上是矩形的。12個(gè) 陶瓷襯底21設(shè)置在金屬基feL20上,并且布置成6行x2列,以使得陶瓷 襯底21的長(zhǎng)度方向垂直于金屬基板20的長(zhǎng)度方向。每行中的2個(gè)陶瓷襯 底21上的半導(dǎo)體芯片23構(gòu)成逆變器電路12的一個(gè)臂。在本實(shí)施例中, 每個(gè)陶瓷襯底21上安裝有2個(gè)半導(dǎo)體芯片23,每行中的2個(gè)陶瓷襯底21 上的4個(gè)半導(dǎo)體芯片23構(gòu)成一個(gè)臂。如圖5所示,每個(gè)陶瓷襯底21上的2個(gè)半導(dǎo)體芯片23布置于電路圖案24b的長(zhǎng)度方向上的端,以使得半導(dǎo) 體芯片23之間存在空間。
板狀正互連構(gòu)件27和板狀負(fù)互連構(gòu)件28位于襯底22上,同時(shí)堆疊 并彼此靠近。具體而言,正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28與襯底22平行 并彼此絕緣。在本實(shí)施例中,負(fù)互連構(gòu)件28位于正互連構(gòu)件27的上方。 正互連構(gòu)件27構(gòu)成線13,而負(fù)互連構(gòu)件28構(gòu)成線15。正互連構(gòu)件27具 有多個(gè)(在本實(shí)施例中是3對(duì),即6個(gè))端子部分27a,端子部分27a從 正互連構(gòu)件27的端向襯底22延伸。在遠(yuǎn)端,每個(gè)端子部分27a通it^聲 鍵合而掩^至具有構(gòu)成上臂的半導(dǎo)體芯片23的陶瓷襯底21上的漏極電路 圖案24b的中央。負(fù)互連構(gòu)件28具有多個(gè)(在本實(shí)施例中是3對(duì),即6 個(gè))端子部分28a,端子部分28a從負(fù)互連構(gòu)件28的端向襯底22延伸。 每個(gè)端子部分28a通過(guò)超聲鍵合而接合至具有構(gòu)成下臂的半導(dǎo)體芯片23 的陶瓷襯底21上的源極電路圖案24c的中央。
更具體而言,例如圖4B中所示,端子部分27a、 28a位于正互連構(gòu)件 27和負(fù)互連構(gòu)件28在寬度方向上的兩端,以便關(guān)于沿著寬度方向上的中 央延伸的線對(duì)稱。端子部分27a、 28a從正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28 的寬度方向上的端向襯底22彎曲,并且進(jìn)一步彎曲以與襯底22平行地延 伸。與襯底22平行地延伸的端子部分27a、 28a的遠(yuǎn)部分構(gòu)成^部分 27b、 28b以接合至襯底22, JU^部分27b、 28b通過(guò)超聲^t合與襯底 22^于^M5分27b、 28b。處于互連構(gòu)件27、 28在寬度方向上的同一 側(cè)的M部分(即,通過(guò)超聲鍵合而掩^的端子部分27a、 28a與電路圖 案24b、 24c之間的M部分)位于單個(gè)直線上。
如圖6A和6B所示,正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28分別具有向下 5l伸部27c、 28c。向下延伸部27c、 28c位于正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件 28的寬度端,并且與端子部分27a、 28a的M部分27b、 28b連續(xù)地形 成。向下延伸部27c、 28c布置成彼此交疊。向下延伸部27c、 28c分別具 有沿著正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28的整個(gè)長(zhǎng)度的多個(gè)凹口 27d、 28d。 絕緣構(gòu)件29位于正互連構(gòu)件27與負(fù)互連構(gòu)件28之間。絕緣構(gòu)件29使正 互連構(gòu)件27與負(fù)互連構(gòu)件28彼此電絕緣。正互連構(gòu)件27、負(fù)互連構(gòu)件 28和絕緣構(gòu)件29具有可插入電容器17的正端子17a和負(fù)端子17b的細(xì) 長(zhǎng)的孔。
由電絕緣材料制成的支撐框架30固定至金屬基板20,以沿著金屬基 板20的邊緣延伸。所有陶瓷襯底21都容納于支撐框架30中。用于接收外部電力的正輸入端子14形成于正互連構(gòu)件27的長(zhǎng)度端。正輸入端子 14延伸至支撐框架30之外。負(fù)輸入端子16形成于負(fù)互連構(gòu)件28的長(zhǎng)度 端,具體而言,與正輸入端子14相對(duì)的端。負(fù)輸入端子16延伸至支撐框 架30之外。
電容器17布置在正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28 二者中不直接面對(duì) 村底22的一個(gè)上,即,布置在負(fù)互連構(gòu)件28上。在本實(shí)施例中,4個(gè)電 容器17布置在負(fù)互連構(gòu)件28上(其間有電絕緣構(gòu)件(未示出)),以4吏得 正端子17a和負(fù)端子17b面對(duì)襯底22。每個(gè)電容器17的正端子17a和負(fù) 端子17b位于電容器主體的一側(cè)。正端子17a連接至正互連構(gòu)件27,而 負(fù)端子17b連接至負(fù)互連構(gòu)件28。
如圖2和3所示,逆變器設(shè)備11的3個(gè)輸出電極構(gòu)件32U、32V、32W 都具有向上延伸的部分和橫向延伸的部分,以致于從側(cè)面看時(shí)形狀呈L 形。向上延伸部分位于靠近支撐框架30的位置,而橫向延伸部分在正互 連構(gòu)件27的下方、垂直于正互連構(gòu)件27的長(zhǎng)度方向而延伸。硅^ 36 (在圖4A中示出)確保了正互連構(gòu)件27與輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W 之間的絕緣。輸出電極構(gòu)件32U通it^聲鍵合而掩^至由第一開(kāi)關(guān)元件 Ql和二極管Dl構(gòu)成的上臂的源極電路圖案24c,并且接合至由第二開(kāi)關(guān) 元件Q2和二極管D2構(gòu)成的下臂的漏極電路圖案24b。輸出電極構(gòu)件32V 通it^聲鍵合而掩^至由第三開(kāi)關(guān)元件Q3和二極管D3構(gòu)成的上臂的源 極電路圖案24c,并且接合至由第四開(kāi)關(guān)元件Q4和二極管D4構(gòu)成的下臂 的漏極電路圖案24b。輸出電極構(gòu)件32W通it^l聲鍵合而備^至由第五 開(kāi)關(guān)元件Q5和二極管D5構(gòu)成的上臂的源極電路圖案24c,并且掩^至由 第六開(kāi)關(guān)元件Q6和二極管D6構(gòu)成的下臂的漏極電路圖案24b。
輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W都是通it^銅^fe壓而形成的,銅板 的寬;1^本上等于陶瓷襯底21的寬度。例如圖8B中所示,輸出電極構(gòu)件 32U、 32V、 32W都具有4個(gè)*部分35。 2個(gè)^部分35接合至具有構(gòu) 成上臂的半導(dǎo)體芯片23的2個(gè)陶資襯底21的電路圖案24b的大致中央。 另2個(gè)^部分35接合至具有構(gòu)成下臂的半導(dǎo)體芯片23的2個(gè)陶資襯底 21的電路圖案24c的大致中央。
基本上呈L形的輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W都具有水平部分,該 水平部分在近端(較靠近彎曲部分的一部分)具有一對(duì)^部分35,并 在遠(yuǎn)端具有另一對(duì)^部分35。 *部分35從該水平部分向襯底22延 伸。在處于近側(cè)的M部分35之間和在處于遠(yuǎn)側(cè)的M部分35之間限定了能夠容納負(fù)互連構(gòu)件28的端子部分28a和#^部分28b的空間。如圖 3所示,正和負(fù)互連構(gòu)件27、 28的每個(gè)寬度側(cè)的成對(duì)#^部分35和M 部分27b、 28b布置在單條線上。
在每個(gè)臂所對(duì)應(yīng)的2個(gè)陶瓷襯底21中,位于輸出電極構(gòu)件32U、32V、 32W的水平部分的遠(yuǎn)端的陶瓷襯底21的柵極信號(hào)電路圖案24a和源極信 號(hào)電路圖案24d分別連接至驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端子Gl ~ G6和信號(hào)端子SI ~ S6。由于信號(hào)端子Sl S6通it^聲鍵合而掩^至陶瓷襯底21,因此,與 信號(hào)端子SI ~ S6通過(guò)線鍵合而#^至陶瓷襯底21的情形相比,可使得信 號(hào)端子SI ~ S6更緊湊。端子Gl ~ G6和SI ~ S6與支撐框架30整合, 制,以便貫穿支撐框架30,從而使第二端從支撐框架30突出。在每個(gè)臂 的2個(gè)陶瓷襯底21上形成的電路圖案24a通過(guò)線^^而彼此電連接。而 且,在每個(gè)臂的2個(gè)陶瓷襯底21上形成的電路圖案24d通過(guò)線^^而彼 此電連接。
支撐框架30填充有珪凝膠36,珪凝膠36然后固化以絕緣和保護(hù)半 導(dǎo)體芯片23??蓪⑸w子37用螺栓固定至金屬基板20,以蓋住正互連構(gòu)件 27、負(fù)互連構(gòu)件28、電容器17、輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W、支撐框 架30、上面安裝有半導(dǎo)體芯片23或開(kāi)關(guān)元件Ql ~ Q6的襯底22的表面。
下面說(shuō)明制造上面構(gòu)造的逆變器設(shè)備ll的方法。
首先,說(shuō)明在陶瓷襯底21上安裝半導(dǎo)體芯片23的步驟。在該步驟中, 如圖7A所示,2個(gè)半導(dǎo)體芯片23通過(guò)釬焊而掩^至陶瓷襯底21上的漏 極電路圖案24b,以使得長(zhǎng)度方向上的中央存在空間。每個(gè)半導(dǎo)體芯片23 的柵極與柵極信號(hào)電路圖案24a通過(guò)線鍵合而彼此連接,每個(gè)半導(dǎo)體芯片 23的源極與源極電路圖案24c通過(guò)線鍵合而彼此連接,每個(gè)半導(dǎo)體芯片 23的源極與源極信號(hào)電路圖案24d通過(guò)線鍵合而彼此連接。
接下來(lái),說(shuō)明將陶瓷襯底21 ^至金屬基板20的步驟。在該步驟中, 如圖7B所示,上面安裝有半導(dǎo)體芯片23的陶瓷襯底21以6行x2列通過(guò) 釬焊而癡^至金屬基仗20。具有臂的每個(gè)陶瓷襯底21的電路圖案24a和 電路圖案24d通過(guò)線鍵合而分別電連接至具有臂的另一陶瓷襯底21的電 路圖案24a和電路圖案24d。
接下來(lái),說(shuō)明將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W接合至陶資襯底21 的步驟。在該步驟中,如圖8A所示,具有驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端子Gl ~ G6和 信號(hào)端子SI ~ S6的支撐框架30固定至金屬基^L 20以包圍陶瓷襯底21。借助粘合劑或螺絲來(lái)固定支撐框架30。然后,如圖8B所示,輸出電極構(gòu) 件32U、 32V、 32W布置成使得每個(gè)^^部分35與漏極電路圖案24b和 源極電路圖案24c二者之一的大致中央相接觸。隨后,^^部分35依 次通過(guò)超聲鍵合而接合至電路圖案24b和電路圖案24c。而且,驅(qū)動(dòng)信號(hào) 輸入端子Gl G6的第一端通it^聲鍵合而掩^至電路圖案24a,而信號(hào) 端子SI ~ S6的第一端通it^聲鍵合而^^至電路圖案24d。
然后,進(jìn)行組裝電容器組件38的步驟。在該步驟中,使用夾具沿著 單條線以預(yù)定間隔固定4個(gè)電容器17,以使得正端子17a和負(fù)端子17b 面朝上。然后,將負(fù)互連構(gòu)件28與電容器17的負(fù)端子17b在其間有絕緣 材料的情況下相固定。隨后,將正互連構(gòu)件27固定至電容器17的正端子 17a,同時(shí)在正互連構(gòu)件27與負(fù)互連構(gòu)件28之間放置絕,件29。這樣, 電容器組件38被組裝成使得正互連構(gòu)件27與負(fù)互連構(gòu)件28彼此絕緣, 并且4吏得正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28分別電連接至電容器17的正端 子17a和負(fù)端子17b。
接下來(lái),說(shuō)明通過(guò)超聲鍵合將電容器組件38掩^至陶瓷襯底21的步 驟。在該步驟中,首先將電容器組件38放置在陶瓷襯底21上。如圖9所 示,電容器組件38布置于從陶瓷襯底21的上方看去支撐框架30中的預(yù) 定位置。此時(shí),如圖3所示,處于互連構(gòu)件27、 28在寬度方向上的同一 側(cè)的^部分27b、 28b位于單條線上。
此后,通it^聲鍵合農(nóng)次將端子部分27a、 28a與電路圖案24b、 24c 接合于"^部分27b、 28b。 ^部分27b、 28b靠近電容器17。因此, 如果使用未特別考慮熱阻的普通電容器作為電容器17,并使用釬焊來(lái)接 合端子部分27a、 28a,則伴隨釬焊的熱可能負(fù)面影響電容器17。然而, 由于端子部分27a、 28a與電路圖案24b、 24c通it^聲鍵合而掩^,所以 施加于電容器17的熱量小于進(jìn)行釬焊的情形。因此,不需要具有增強(qiáng)的 熱阻的特殊電容器。
為了電絕緣和保護(hù)應(yīng)遠(yuǎn)離濕氣和氧化的部分(例如半導(dǎo)體芯片23和 接合部分),支撐框架30填充有硅凝膠36,珪:^ 36然后固化。正互連 構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28的向下延伸部27c、 28c分別具有凹口 27d、 28d。 與未設(shè)置凹口 27d、 28d的情形相比,桂皿36容易流入正互連構(gòu)件27 與負(fù)互連構(gòu)件28之間的空間。而后,用螺栓將蓋子37固定至金屬^41 20,從而完成了逆變器設(shè)備ll。
現(xiàn)在說(shuō)明具有上述構(gòu)造的逆變器設(shè)備ll的功能。逆變器設(shè)備ll例如是車輛的供電單元的一部分。在逆變器設(shè)備11中,
正輸入端子14和負(fù)輸入端子16連接至直流電源(未示出),而U相端子 U、 V相端子V和W相端子W連接至電動(dòng)機(jī)(未示出)。驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入 端子Gl ~ G6和信號(hào)端子SI ~ S6連接至控制單元(未示出)。
上臂的開(kāi)關(guān)元件Q1、 Q3、 Q5和下臂的開(kāi)關(guān)元件Q2、 Q4、 Q6都以 預(yù)定間隔受到通-斷控制,從而使電動(dòng)M交流地驅(qū)動(dòng)。
在開(kāi)關(guān)元件Ql ~ Q6進(jìn)行開(kāi)關(guān)時(shí),突然上升的電流或突然下降的電流 流itjt互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28。正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28中 的電流的流向彼此相反。由于正互連構(gòu)件27與負(fù)互連構(gòu)件28彼此平行且 靠近,所以線路的電感由于互感效應(yīng)而減小。而且,向下延伸部27c、 28c 布置成彼此平行且靠近。這進(jìn)一步減小了互連電感。
以上說(shuō)明的實(shí)施例具有下列優(yōu)點(diǎn)。
(1) 逆變器設(shè)備11包括上面安裝有多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的襯底22、板狀 正和負(fù)互連構(gòu)件27、 28、布置在負(fù)互連構(gòu)件28上的電容器17和蓋子37。 正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28布置成堆疊狀態(tài)以平行于襯底,同時(shí)彼此 絕緣。負(fù)互連構(gòu)件28布置在其不直接面對(duì)襯底22的那一側(cè)。每個(gè)電容器 17的正端子17a和負(fù)端子17b位于電容器主體的面對(duì)負(fù)互連構(gòu)件28的一 側(cè)。正端子17a電連接至正互連構(gòu)件27,而負(fù)端子17b電連接至負(fù)互連 構(gòu)件28。正和負(fù)互連構(gòu)件27、 28的端子部分27a、 28a通過(guò)超聲^合而 掩^至襯底22的電路圖案24b、 24c。蓋子37布置在襯底22的上方以包 圍開(kāi)關(guān)元件、正互連構(gòu)件27、負(fù)互連構(gòu)件28和電容器17。每個(gè)電容器 17與半導(dǎo)體芯片23之間的電流路徑的長(zhǎng)度小于在電容器17位于蓋子37 之外的情形下的電容器17與半導(dǎo)體芯片23之間的電流路徑的長(zhǎng)度。這減 小了啟動(dòng)逆變器i殳備ll時(shí)的互連電感。
(2) 正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28*至電容器17,此后,正互 連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28的端子部分27a、 28a的^部分27b、 28b通 it^聲鍵合而^至電路圖案24b、 24c。因此,與^^分27b、 28b通 過(guò)釬焊而掩^至襯底22的電路圖案24b、 24c的情形不同,無(wú)需具有增強(qiáng) 的熱阻的特殊電容器。
(3 )電容器17布置在正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28 二者中不直接 面對(duì)襯底22的一個(gè)上,即,布置在負(fù)互連構(gòu)件28上。正端子17a連接至 正互連構(gòu)件27,而負(fù)互連構(gòu)件28連接至負(fù)端子17b。因此,正端子17a和負(fù)端子17b比電容器主體更靠近襯底22。因此,與正端子17a和負(fù)端子17b布置在電容器主體的不直接面對(duì)襯底22的那一部分(不面對(duì)負(fù)互連構(gòu)件28的那一部分)中的情形相比,安**襯底22上的開(kāi)關(guān)元件(半導(dǎo)體芯片23)與每個(gè)電容器17的正和負(fù)端子17a、 17b之間的距離變小。由此,互連電感得以進(jìn)一步減小。
(4) 正和負(fù)互連構(gòu)件27、 28的端子部分27a、 28a^JE和負(fù)互連構(gòu)件27、 28在寬度方向上的兩側(cè)向襯底22彎曲。此外,在遠(yuǎn)端形成的#^部分27b、 28b被彎曲以平行于互連構(gòu)件27、 28。 ^^部分27b、 28b通it^聲鍵合而掩^至襯底22?;ミB構(gòu)件27、 28在寬度方向上的同一側(cè)的M部分27b、28b位于單條線上。因此,當(dāng)通it^聲鍵合將^^P分27b、28b掩^至襯底22時(shí),在沿著互連構(gòu)件27、 28的單條直線上移動(dòng)用于超聲鍵合的工具(號(hào)筒),以4吏得該工具的施壓部分面對(duì)端子部分27a、 28a的M部分27b、 28b。因此,超聲鍵合得以高效地進(jìn)行。
(5) 各輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W的四個(gè)^^部分35位于假想矩形的四個(gè)角。因此,當(dāng)通it^聲鍵合將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W掩^至陶瓷襯底21時(shí),輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W以直立狀態(tài)穩(wěn)定地設(shè)置在陶瓷襯底21上。因此,可以不使用夾具保持輸出電極構(gòu)件32U、32V、 32W而進(jìn)行超聲鍵合。
本發(fā)明不限于上述各實(shí)施例,而是也可以例如如下所述那樣實(shí)施。
制造逆變器設(shè)備11的步驟無(wú)需按在上述實(shí)施例中說(shuō)明的順序來(lái)進(jìn)行。例如,可獨(dú)立地執(zhí)行在陶瓷襯底21上安裝半導(dǎo)體芯片23的步驟和組裝電容器組件38的步驟,從而制造出上面安裝有半導(dǎo)體芯片23的一些陶瓷襯底21以及一些電容器組件38。此后,組合這些部件,制造出逆變器設(shè)備ll。
可以將通過(guò)超聲鍵合將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W接合至陶瓷襯底21的步驟和通it^聲鍵合將電容器組件38掩^至陶瓷襯底21的步驟相整合。例如,支撐框架30具有在輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W的位置已被確定的狀態(tài)下保持輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W的保持部分。在確定輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W相對(duì)于陶瓷襯底21的位置、同時(shí)使用保持部分來(lái)保持輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W之后,無(wú)需立即通it^聲鍵合將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32WM至陶瓷襯底21。代替在用保持部分保持輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W使之抵著支撐框架30的狀態(tài)下將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W固定至陶乾襯底21之后立即通it^聲鍵合將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W接合至陶瓷襯底21,可以在通過(guò)超聲鍵合將電容器組件38M至陶瓷襯底21的同時(shí)通it^聲鍵合將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W^^至陶資襯底21。由于輸出電極構(gòu)件32U、32V、 32W的M部分35與正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28的^部分27b、 28b位于同一條線上,因此,通過(guò)沿著互連構(gòu)件27、 28移動(dòng)用于超聲鍵合的工具(號(hào)筒),使該工具依次面對(duì)^^^部分27b、 28b、 35。由此,超聲鍵合得以高效地進(jìn)行。
在將電容器組件38超聲鍵合至陶瓷襯底21之前先將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W超聲鍵合至陶資襯底21的情形下,輸出電極構(gòu)件32U、32V、 32W的a部分35與正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28的^部分27b、 28b無(wú)需布置在單條線上。
超聲鍵合無(wú)需一次在一點(diǎn)(掩^點(diǎn))進(jìn)行,而是可以一次在兩個(gè)或更多點(diǎn)進(jìn)行。在這種情形下,與一次在一點(diǎn)進(jìn)行超聲鍵合相比,縮短了完成所有待掩^點(diǎn)的超聲鍵合所需的時(shí)間。特別而言,在一次掩^兩個(gè)點(diǎn)的情形下,可不顯著增;U^聲鍵合工具的尺寸而進(jìn)行超聲^^。而且,由于待接合點(diǎn)的數(shù)量是偶數(shù),因此超聲鍵合得以高效地進(jìn)行。
只要正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28布置成堆疊狀態(tài)以平行于襯底22同時(shí)彼此絕緣,負(fù)互連構(gòu)件28就可位于正互連構(gòu)件27的上方。即,負(fù)互連構(gòu)件28無(wú)需位于直接面對(duì)襯底22的互連構(gòu)件上。正互連構(gòu)件27可布置在負(fù)互連構(gòu)件28的上方,或者布置在不直接面對(duì)襯底22的一側(cè)。然而,當(dāng)使用電解電容器作為電容器17時(shí),優(yōu)選地將負(fù)互連構(gòu)件28布置在正互連構(gòu)件27的上方,因?yàn)殡娊怆娙萜鞯牡匚挥陔娊怆娙萜髦狻?br>
正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28無(wú)需位于電容器17與襯底22之間。例如,可采用圖10所示的配置,其中,將絕泉&40布置在輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W上,同時(shí)使絕^L 40垂直于輸出電極構(gòu)件32U、 32V、32W的長(zhǎng)度方向,并且將電容器17組裝在絕乘t!40上,其中正端子17a和負(fù)端子17b安裝于電容器主體的不直接面對(duì)襯底22的部分。用螺絲將正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28固定至正端子17a和負(fù)端子17b。在這種情形下,如圖10所示,與正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28位于電容器17與襯底22之間的情形相比,正互連構(gòu)件27和負(fù)互連構(gòu)件28的端子部分27a、 28a的向下延伸部27c、 28c的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。然而,與電容器17位于蓋子之外的配置相比,互連電感得以減小。圖10所示的逆變器設(shè)備11的橫截面的位置不同于圖4A所示的位置。代替由兩個(gè)陶瓷襯底21構(gòu)成每個(gè)臂,可由一個(gè)陶瓷襯底21構(gòu)成每個(gè)臂。這種結(jié)構(gòu)使得不需要線鍵合來(lái)將柵極信號(hào)電路圖案24a彼此電連接和將源極信號(hào)電路圖案24d彼此電連接。而且,每個(gè)漏極電路圖案24b與正互連構(gòu)件27的對(duì)應(yīng)掩^部分27b之間的掩^點(diǎn)的數(shù)量、以;^每個(gè)源極電路圖案24c與負(fù)互連構(gòu)件28的對(duì)應(yīng)#部分28b之間的接合點(diǎn)的數(shù)量都可從兩個(gè)減少到一個(gè)。此夕卜,每個(gè)漏極電路圖案24b與輸出電極構(gòu)件32U、32V、 32W的對(duì)應(yīng)《^部分35之間的掩^點(diǎn)的數(shù)量、以及每個(gè)源極電路圖案24c與輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W的對(duì)應(yīng)^^P分35之間的接合點(diǎn)的數(shù)量都可從兩個(gè)減少到一個(gè)。然而,如果每種掩^點(diǎn)的數(shù)量是一個(gè),則當(dāng)進(jìn)行超聲鍵合時(shí),需要用于保持電容器組件38的夾具和用于保持輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W的夾具。
為了維持于直立狀態(tài),輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W都需要至少三個(gè)#部分35。
不必須形成薄的且彼此平行的電路圖案24a、 24b、 24c、 24d。然而,在電路圖案24b、 24c的形狀呈塊狀的情形下,有可能需要放大每個(gè)陶瓷襯底21的面積來(lái)確保用于在電路圖案24b、 24c上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片23、以及用于^^正和負(fù)互連構(gòu)件27、 28的^^P分27b、 28b以及輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W的齢部分35的足夠空間。如果電路圖案24b、24c之間的空間狹小,則難以在將輸出電極構(gòu)件32U、 32V、 32W維持于直立狀態(tài)的同時(shí)通it^聲鍵合來(lái)^^^部分35。
代替在每個(gè)陶瓷襯底21上形成一個(gè)臂,可在每個(gè)陶瓷襯底21上形成兩個(gè)或更多臂。
金屬基仗20可由鋁基金屬形成,而陶瓷襯底21可以是在每一側(cè)都有鋁層的DBA (直掩fr焊鋁)襯底。在這種情形下,可在DBA襯底的正面上形成電路圖案24a、 24b、 24c、 24d,并且可利用鋁基釬焊填充金屬將DBA襯底的背面釬焊至金屬^L 20。
代替陶瓷襯底21,可使用表面上有絕緣層的金屬襯底作為絕,底。在這種情形下,可在絕緣層上形成電路圖案24a、 24b、 24c、 24d。
代替通過(guò)釬焊將絕,底#^至金屬^120,可在金屬^L 20上形成絕緣層,并可在絕緣層上形成電路圖案24a、 24b、 24c、 24d。在這種情形下,減少了部件的數(shù)量,并且不需要將絕M底^^至金屬基tl 20的步驟。電容器17的數(shù)量不限于四個(gè),而是可依據(jù)逆變器設(shè)備ll的相關(guān)電流值和電容器的電容而改為少于或多于四個(gè)。
電容器17不限于電解電容器,而是可以是例如雙電層電容器。
開(kāi)關(guān)元件Q、 Q1~Q6不限于MOSFET,而是可以是其它類型的功率晶體管,如IGBT (絕,雙極型晶體管)或晶閘管。
每個(gè)臂中由開(kāi)關(guān)元件Q和二極管D組成的對(duì)的數(shù)量不限于四個(gè),而是依據(jù)通過(guò)臂的電流的量可少于或多于4個(gè)。可替選地,每個(gè)臂可由單個(gè)開(kāi)關(guān)元件Q和單個(gè)二極管D構(gòu)成。
由開(kāi)關(guān)元件和二極管組成的單個(gè)對(duì)無(wú)需封裝為一個(gè)半導(dǎo)體芯片23,而是可以獨(dú)立地安裝在電路上。
代替三相交流電,逆變器設(shè)備ll可輸出單相交流電。在這種情形下,設(shè)置兩對(duì)上臂和下臂。
電力變換器設(shè)備不必是逆變器設(shè)備11,而是也可以是直流-直流變換器。
驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端子Gl ~ G6的第一端掩^至電路圖案24a以及信號(hào)端子S1 S6的第一端掩^至電路圖案24d的時(shí)間不限于在電容器組件38通it^聲鍵合而掩^至陶瓷襯底21之前的時(shí)間,而是可以進(jìn)行更改,只要其在支撐框架30固定至金屬基板20之后并且在支撐框架30填充以硅^J&之前即可。
電容器17的正端子17a與正互連構(gòu)件27之間的"^以及負(fù)端子17b與負(fù)互連構(gòu)件28之間的掩^不限于用螺絲緊固,而是也可通過(guò)其中電容器17比在釬焊中較少受到熱的影響的接合方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如,可采用精密電阻焊或激光束焊。
1權(quán)利要求
1.一種電力變換器設(shè)備,包括襯底,所述襯底上安裝有多個(gè)開(kāi)關(guān)元件;板狀正互連構(gòu)件和板狀負(fù)互連構(gòu)件,所述板狀正互連構(gòu)件和板狀負(fù)互連構(gòu)件布置成彼此靠近且平行并且布置成與所述襯底平行,同時(shí)彼此電絕緣;電容器,所述電容器具有電連接至所述正互連構(gòu)件的正端子和電連接至所述負(fù)互連構(gòu)件的負(fù)端子,其中所述正和負(fù)端子與所述電容器位于同一側(cè),以及蓋子,所述蓋子布置在所述襯底上方以包圍所述開(kāi)關(guān)元件、所述正互連構(gòu)件、所述負(fù)互連構(gòu)件和所述電容器,其中所述正互連構(gòu)件和所述負(fù)互連構(gòu)件都具有通過(guò)超聲鍵合與所述襯底上的電路圖案接合的一個(gè)或多個(gè)端子部分,其中所述電容器布置在所述正和負(fù)互連構(gòu)件二者中不直接面對(duì)所述襯底的一個(gè)上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電力變換器設(shè)備,其中所述襯底包括金屬 ^L和接合至所述金屬基板上的多個(gè)絕,底,并且其中每個(gè)絕,底包 括面對(duì)所述金屬基板的絕緣層和在所述絕緣層上形成的所述電路圖案。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電力變換器設(shè)備,其中所述正和負(fù)端子設(shè) 置在所述電容器上以便面對(duì)上面布置有所述電容器的所述互連構(gòu)件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的電力變換器設(shè)備,其中所i^JE 互連構(gòu)件和所述負(fù)互連構(gòu)件都具有兩個(gè)或更多從所述互連構(gòu)件在寬度方 向上的至少一端延伸的所述端子部分,并且所述端子部分的遠(yuǎn)端被彎曲以 平行于所述襯底而延伸,從而形成^郎分,所述^^P分通過(guò)超聲鍵合 而接合至所述電路圖案,并且其中被布置在所述正和負(fù)互連構(gòu)件在寬度方向上的同一側(cè)的所述正 互連構(gòu)件的所述端子部分的所述接合部分與所述負(fù)互連構(gòu)件的所述端子 部分的所述^部分位于單條直線上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電力變換器設(shè)備,其中所述電力變換器設(shè) 備是多相逆變器設(shè)備,所述逆變器設(shè)備具有多個(gè)相的輸出電極構(gòu)件,并且其中每個(gè)輸出電極構(gòu)件在所述互連構(gòu)件與所述襯底之間延伸以便與 所述互連構(gòu)件相交,每個(gè)輸出電極構(gòu)件具有通過(guò)超聲鍵合與所述襯底^ 的M部分,并且其中所述輸出電極構(gòu)件的所述^^部分位于所述端子部 分的所述M部分所位于的所述單條直線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電力變換器設(shè)備,其中所述正互連構(gòu)件和 所述負(fù)互連構(gòu)件都具有兩個(gè)或更多處于所述正互連構(gòu)件和所述負(fù)互連構(gòu) 件在寬度方向上的兩端的所述端子部分,并且其中所述端子部分布置成關(guān)于沿著所述正和負(fù)互連構(gòu)件的寬度方向 上的中央延伸的線對(duì)稱。
全文摘要
公開(kāi)了一種電力變換器設(shè)備,該電力變換器設(shè)備包括襯底、板狀正和負(fù)互連構(gòu)件、電容器和蓋子。成對(duì)的多組開(kāi)關(guān)元件安裝在襯底上。蓋子布置在襯底上方以包圍開(kāi)關(guān)元件、正互連構(gòu)件、負(fù)互連構(gòu)件和電容器。正互連構(gòu)件和負(fù)互連構(gòu)件都具有通過(guò)超聲鍵合與襯底上的電路圖案接合的端子部分。
文檔編號(hào)H02M1/00GK101527302SQ20091000769
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2009年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月4日
發(fā)明者大西宏幸, 深津利成, 石川純, 紺谷一善, 長(zhǎng)瀨俊昭 申請(qǐng)人:株式會(huì)社豐田自動(dòng)織機(jī)