專利名稱：橋式整流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電路領(lǐng)域，具體地，涉及一種橋式整流電路，該橋式整流電路中所含開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓受到限制。
背景技術(shù)：
橋式整流電路廣泛用于各種應(yīng)用中，特別是用來將交流(AC)電流整流為直流 (DC)電流。附圖1中示出了一種常規(guī)的橋式整流電路。如圖1所示，該橋式整流電路包括 4個(gè)二極管101、102、103、104，這四個(gè)二極管成電橋連接。在第一輸入1附和第二輸入IN2 處輸入的AC電流，通過該橋式整流電路，可以在第一輸出OUTl和0UT2處變換為DC電流。 通常，例如可以在輸出OUTl和0UT2之間連接電容器Cl以便提供穩(wěn)定的DC輸出電壓。輸出OUTl和0UT2之間的輸出電壓Vout可以如下計(jì)算Vout = MAX (ABS (Vini-Vin2) ) _2*Vdiode，其中，MAX(x)表示取“X”的最大值，ABS(X)表示取“X”的絕對(duì)值，Vini和Vin2分別表示輸入INl和IN2處的電壓，以及Vdiode表示二極管(101，102，103，104)導(dǎo)通時(shí)的壓降。如果輸入電壓足夠高(即，Vini和Vin2相差足夠大)，則輸出電壓也足夠大，二極管上的壓降Vdiode可以忽略不計(jì)。此時(shí)，電路的轉(zhuǎn)換效率較高。然而，當(dāng)前的電路應(yīng)用，特別是集成電路應(yīng)用，趨向于使用小的DC電壓。因此，在這種低輸出電壓應(yīng)用中，二極管上的壓降相對(duì)較大，從而導(dǎo)致電路的轉(zhuǎn)換效率降低。為了提高電路的轉(zhuǎn)換效率，可以使用導(dǎo)通時(shí)壓降較小的肖特基二極管。圖2中示出了這樣一種橋式整流電路，與圖1所示的電路相比，其中的整流二極管均替換為肖特基二極管 201、202、203、204。為進(jìn)一步提高電路的效率，還可以使用開關(guān)器件如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)來代替橋式整流電路中的二極管元件。圖3中示出了這樣一種橋式整流電路， 與圖2所示的電路相比，以兩個(gè)NM0SFET (N型M0SFET) 303和304代替了兩個(gè)下側(cè)肖特基二極管203和204，在電橋上側(cè)則仍然采用了兩個(gè)肖特基二極管301和302。在圖3所示的橋式整流電路中，當(dāng)輸入mi與IN2之間的電壓差大于輸出電壓時(shí)， 二極管301將被正向偏置并因此導(dǎo)通。因此，電流從第一輸入mi通過二極管301而對(duì)電容器Cl充電，并通過NM0SFET 304而返回到第二輸入IN2。同樣，當(dāng)輸入IN2與1附之間的電壓差大于輸出電壓時(shí)，二極管302將導(dǎo)通。此時(shí)，電流從第二輸入IN2通過二極管302而對(duì)電容器Cl充電，并通過NM0SFET 303而返回到第一輸入INl。如果將NM0SFET 303和304的導(dǎo)通電阻做得極低(這是可以通過當(dāng)前的半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)的)，那么整個(gè)整流電路上的壓降可以僅為一個(gè)二極管(301或30 上的電壓，從而可以進(jìn)一步提升電路的轉(zhuǎn)換效率。圖3所示的電路當(dāng)以分立器件來實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以很好地工作。但是，如果需要將這種電路集成到芯片中，則可能存在問題。具體來說，在當(dāng)前的集成電路工藝中，晶體管的柵介質(zhì)層做得越來越薄，以實(shí)現(xiàn)更好的源漏導(dǎo)通電阻性能。這使得MOSFET的柵源電壓(Vgs)存在上限，否則柵介質(zhì)層將可能擊穿。因此，當(dāng)圖3的電路實(shí)現(xiàn)為集成電路時(shí)，如果輸入mi和 IN2之間的電壓差相對(duì)于Vgs的上限過大時(shí)，將不能如圖3所示那樣來直接驅(qū)動(dòng)M0SFET。為了避免MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓過高而導(dǎo)致其柵介質(zhì)擊穿，已經(jīng)提出了使用單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)電路來為MOSFET提供較低驅(qū)動(dòng)電壓。這種驅(qū)動(dòng)電路需要單獨(dú)的電源來為其供電。而且由于通常需要MOSFET進(jìn)行快速開關(guān)，因此這種電源應(yīng)當(dāng)是強(qiáng)電源。此外，驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序需嚴(yán)格控制，以避免2個(gè)MOSFET 303和304同時(shí)導(dǎo)通。因此，這種驅(qū)動(dòng)電路及相應(yīng)電源的實(shí)現(xiàn)成本較高。有鑒于此，有必要提供一種新穎的橋式整流電路，該電路使用開關(guān)器件以增加轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)又以簡(jiǎn)單的配置實(shí)現(xiàn)開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種橋式整流電路，該電路可以以簡(jiǎn)單的配置實(shí)現(xiàn)， 且其中所含的開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓可以受到限制。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種橋式整流電路，包括成電橋連接的整流部分，包括位于電橋下側(cè)的整流開關(guān)器件；以及驅(qū)動(dòng)部分，接收各整流開關(guān)器件的相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電壓，并將上限值受限的驅(qū)動(dòng)電壓輸出至相應(yīng)整流開關(guān)器件的控制端子。優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)部分還接收參考電壓，并根據(jù)接收到的參考電壓來限制驅(qū)動(dòng)電壓的上限值。例如，該橋式整流電路可以包括參考電壓生成部分，用于生成參考電壓。這種參考電壓生成部分可以包括串聯(lián)連接的電流源和齊納二極管，其中所述電流源的電流流過所述齊納二極管而生成所述參考電壓。優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)部分可以包括開關(guān)器件。驅(qū)動(dòng)部分根據(jù)參考電壓，并利用開關(guān)器件的閾值電壓，來將驅(qū)動(dòng)電壓的上限值限制為等于參考電壓減去閾值電壓的值。這種開關(guān)器件可以包括第一開關(guān)器件，連接在相應(yīng)的整流開關(guān)器件的控制端子及針對(duì)該整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓之間，且該第一開關(guān)器件的控制端子接收參考電壓；以及第二開關(guān)器件，連接在相應(yīng)的另一整流開關(guān)器件的控制端子以及針對(duì)該另一整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓之間，且該第二開關(guān)器件的控制端子接收參考電壓。優(yōu)選地，第一開關(guān)器件可以包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)， 該第一 MOSFET的柵極接收參考電壓，源極連接至相應(yīng)的整流開關(guān)器件的控制端子，以及漏極連接至針對(duì)該整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓；以及第二開關(guān)器件可以包括第二 M0SFET，該第二 MOSFET的柵極接收參考電壓，源極連接至相應(yīng)的另一整流開關(guān)器件的控制端子，以及漏極連接至針對(duì)該另一整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓。進(jìn)一步優(yōu)選地，該橋式整流電路還可以包括與第一 MOSFET并聯(lián)的第一二極管； 以及與第二 MOSFET并聯(lián)的第二二極管。優(yōu)選地，整流部分可以包括第一二極管，連接在第一輸入與第一輸出之間；第二二極管，連接在第二輸入與第一輸出之間；第一整流開關(guān)器件，連接在第一輸入與第二輸出之間，其控制端子連接至驅(qū)動(dòng)部分以接收相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓；以及第二整流開關(guān)器件，連接在第二輸入與第二輸出之間，其控制端子連接至驅(qū)動(dòng)部分以接收相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓，其中，第一二極管、第二二極管、第一開關(guān)器件和第二開關(guān)器件的電流傳導(dǎo)路徑構(gòu)成電橋連接。第一整流開關(guān)器件可以包括第一 NM0SFET，其漏極連接至第一輸入，源極連接至第二輸出。第二整流開關(guān)器件可以包括第二 NM0SFET，其漏極連接至第二輸入，源極連接至第二輸出。優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)部分接收第二輸入處的電壓作為第一整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓；以及驅(qū)動(dòng)部分接收第一輸入處的電壓作為第二整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓。根據(jù)本實(shí)用新型，以一種簡(jiǎn)單的配置，實(shí)現(xiàn)了對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓具有限壓作用的驅(qū)動(dòng)部分，從而可以容易地驅(qū)動(dòng)橋式整流電路下側(cè)所包含的開關(guān)器件，而不會(huì)由于過高的驅(qū)動(dòng)電壓而造成開關(guān)器件損壞。

通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的上述以及其他目的、特征和有點(diǎn)將更為清楚，在附圖中圖1 3出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的橋式整流電路的示意圖；圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的橋式整流電路的示意圖；以及圖5示出了根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的橋式整流電路的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下，通過附圖中示出的具體實(shí)施例來描述本實(shí)用新型。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本實(shí)用新型的范圍。此外，在以下說明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本實(shí)用新型的概念。圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的橋式整流電路的示意圖。如圖4所示，該橋式整流電路包括按電橋形式連接的二極管401、402以及開關(guān)器件403、404所構(gòu)成的整流部分。該整流部分在第一輸入mi和第二輸入IN2之間例如接收 AC電流，并在第一輸出OUTl和第二輸出0UT2之間例如輸出DC電流。該DC電流例如可以通過電容器Cl而轉(zhuǎn)換為DC電壓。在此，開關(guān)器件403和404可以包括NM0SFET。在此需要指出的是，這種電橋連接形式的整流部分本身在本領(lǐng)域中是公知的，例如參見圖3所示。具體地，例如二極管401連接在第一輸入mi與第一輸出OUTl之間，二極管402連接在第二輸入IN2與第一輸出OUTl之間，開關(guān)器件403連接在第一輸入1附與第二輸出0UT2之間，開關(guān)器件404連接在第二輸入IN2與第二輸出0UT2之間。在此，與第一輸出OUTl相連的元件(二極管401、40幻稱作“上側(cè)”元件，與第二輸出0UT2相連的元件(開關(guān)器件403、404)稱作“下側(cè)”元件。這里，整流部分中各元件的電流傳導(dǎo)路徑應(yīng)被適配為實(shí)現(xiàn)整流電橋。例如，在圖4 所示的實(shí)施例中，二極管401的陽極連接至第一輸入IN1，陰極連接至第一輸出OUTl ；二極管402的陽極連接至第二輸入IN2，陰極連接至第一輸出OUTl ；NM0SFET 403的漏極連接至第一輸入INl，源極連接至第二輸出0UT2 ；NM0SFET 404的漏極連接至第二輸入IN2，源極連接至第二輸出0UT2。參照?qǐng)D3所示的現(xiàn)有技術(shù)電路圖，為了實(shí)現(xiàn)開關(guān)器件403和404的正確驅(qū)動(dòng)時(shí)序以實(shí)現(xiàn)整流目的，可以以第一輸入mi處的電壓作為開關(guān)器件404的驅(qū)動(dòng)電壓，以第二輸入 IN2處的電壓作為開關(guān)器件403的驅(qū)動(dòng)電壓。為避免現(xiàn)有技術(shù)中的問題(輸入mi與IN2 之間的電壓差過大可能導(dǎo)致?lián)p壞開關(guān)器件403、404)，根據(jù)本實(shí)用新型該實(shí)施例的橋式整流電路還包括驅(qū)動(dòng)部分405。該驅(qū)動(dòng)部分接收針對(duì)開關(guān)器件403、404的驅(qū)動(dòng)電壓，即輸入IN2、 INl處的電壓，并且將上限值受限的驅(qū)動(dòng)電壓送至開關(guān)器件403、404的控制端子。具體來說，驅(qū)動(dòng)部分405將第一輸入mi處的電壓傳輸至開關(guān)器件404的控制端子處，但將該驅(qū)動(dòng)電壓的上限值限制在預(yù)定值；將第二輸入IN2處的電壓傳輸至開關(guān)器件403的控制端子處， 但將該驅(qū)動(dòng)電壓的上限值限制在預(yù)定值。從而，可以正常地驅(qū)動(dòng)開關(guān)器件403、404。所述預(yù)定值可以根據(jù)開關(guān)器件403、404的特性來確定。例如，當(dāng)開關(guān)器件403、404為NM0SFET時(shí)， 可以根據(jù)其柵介質(zhì)擊穿的條件來確定所述上限值。根據(jù)本實(shí)用新型的有利實(shí)施例，這種驅(qū)動(dòng)電路例如可以由開關(guān)器件(例如MOSFET 或者具體地NM0SFET)來構(gòu)成。利用開關(guān)器件的閾值電壓，可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的上述“限壓” 動(dòng)作。具體地，例如開關(guān)器件的控制端子可以接收一參考電壓，而其電流傳導(dǎo)路徑連接在相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓(mi/IN2處的電壓)與相應(yīng)整流開關(guān)器件003/404)的控制端子之間。這樣，在開關(guān)器件導(dǎo)通的情況下，其將驅(qū)動(dòng)電壓(mi/IN2處的電壓)幾乎原樣不變地送至相應(yīng)整流開關(guān)器件G03/404)的控制端子，從而有效地驅(qū)動(dòng)整流開關(guān)器件。而開關(guān)器件在導(dǎo)通狀態(tài)下控制端子與另一端子之間的壓降應(yīng)該大于閾值電壓(例如，對(duì)于NM0SFET而言，柵源電壓大于閾值電壓)，由于開關(guān)器件在控制端子處接收固定的參考電壓，因此在導(dǎo)通狀態(tài)下該開關(guān)器件所述另一端子處的電壓不會(huì)超出參考電壓減去閾值電壓的值。利用開關(guān)器件的這一固有特性，可以實(shí)現(xiàn)上述“限壓”。圖5示出了根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的橋式整流電路的示意圖。在該實(shí)施例中，特別示出了上述驅(qū)動(dòng)部分的具體示例并示出了用于生成上述參考電壓的參考電壓生成部分的示例。如圖5所示，根據(jù)該實(shí)施例的橋式整流電路包括按電橋形式連接的二極管501、 502以及開關(guān)器件503、504所構(gòu)成的整流部分。該整流部分在第一輸入1附和第二輸入 IN2之間例如接收AC電流，并在第一輸出OUTl和第二輸出0UT2之間例如輸出DC電流。 該DC電流例如可以通過電容器Cl而轉(zhuǎn)換為DC電壓。在此，開關(guān)器件503和504可以包括 NMOSFETo關(guān)于該整流部分的具體連接關(guān)系，可以參照以上針對(duì)圖4所示實(shí)施例的描述。在該實(shí)施例中，該橋式整流電路包括驅(qū)動(dòng)部分50 和參考電壓生成部分50 。參考電壓生成部分50 可以生成恒定的參考電壓Vbias。例如，該參考電壓生成部分50 可以包括串聯(lián)連接的電流源5055和齊納二極管5056。電流源5055的電流Il流過齊納二極管5056，從而相對(duì)于第二輸出0UT2生成恒定的參考電壓Vbias?？蛇x地，該參考電壓生成部分50 還可以包括與齊納二極管5056并聯(lián)連接的電容器5057，用以穩(wěn)定輸出的參考電壓Vbias。該電流源5055例如可以是其他電路中所生成的電流，或者可以由電荷泵或升壓電路(尤其在低輸入電壓的應(yīng)用中)來實(shí)現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)想多種方式來實(shí)現(xiàn)這種參考電壓生成部分。驅(qū)動(dòng)部分50 在正常情況下(即，開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓較小時(shí))可以將驅(qū)動(dòng)電壓直接傳送至相應(yīng)開關(guān)器件503、504的控制端子。而當(dāng)開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓較大時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分50 可以根據(jù)參考電壓來來限制驅(qū)動(dòng)電壓的上限值，并將上限值受限的驅(qū)動(dòng)電壓輸出至相應(yīng)開關(guān)器件503、504的控制端子。進(jìn)一步，這種驅(qū)動(dòng)部分50 可以通過開關(guān)器件來實(shí)現(xiàn)。具體地，如圖5所示，驅(qū)動(dòng)部分50 可以包括兩個(gè)開關(guān)器件5051、5052，例如NM0SFET。開關(guān)器件5051連接在相應(yīng)的開關(guān)器件503的控制端子與針對(duì)開關(guān)器件503的驅(qū)動(dòng)電壓節(jié)點(diǎn)IN2之間，以便能夠?qū)N2處的驅(qū)動(dòng)電壓傳送至開關(guān)器件503。開關(guān)器件5051的控制端子連接至參考電壓生成部分50 接收參考電壓Vbias。因此，開關(guān)器件5051的控制端子處的電壓被限制在參考電壓Vbias。同樣地，開關(guān)器件5052連接在相應(yīng)的開關(guān)器件504的控制端子與針對(duì)開關(guān)器件504的驅(qū)動(dòng)電壓節(jié)點(diǎn)mi之間，以便能夠?qū)i處的驅(qū)動(dòng)電壓傳送至開關(guān)器件504。開關(guān)器件5052的控制端子連接至參考電壓生成部分50 接收參考電壓Vbias。因此，開關(guān)器件5052的控制端子處的電壓被限制在參考電壓Vbias。在開關(guān)器件5051、5052為NM0SFET的情況下，如圖5所示，NM0SFET 5051的漏極連接至第二輸入IN2，源極連接至開關(guān)器件503的控制端子且可以通過下拉電阻器5053連接至第二輸出0UT2 ；NM0SFET 5052的漏極連接至第一輸入IN1，源極連接至開關(guān)器件504的控制端子且可以通過下拉電阻器50M連接至第二輸出0UT2。這樣，對(duì)于NM0SFET 5051和5052而言，當(dāng)其漏極處的電壓(從輸入mi/IN2處接收到的驅(qū)動(dòng)電壓)較小時(shí)，具體地，小于等于(Vbias-Vth)(其中，Vth為NM0SFET 5051,5052 的閾值電壓)時(shí)，NM0SFET 5051和5052處于正常的導(dǎo)通狀態(tài)，從而其源極電壓近似等于其漏極電壓。也就是說，NM0SFET 5051和5052直接將漏極處的電壓(驅(qū)動(dòng)電壓)傳送至源極并進(jìn)一步傳送至相應(yīng)開關(guān)器件504和503的控制端子處，以正常驅(qū)動(dòng)開關(guān)器件504和503。而當(dāng)NM0SFET 5051和5052漏極處的電壓(從輸入IN1/IN2處接收到的驅(qū)動(dòng)電壓) 較大時(shí)，在此具體地大于(Vbias-Vth)時(shí)，NM0SFET5051和5052的源極電壓將不再跟隨漏極電壓。這是因?yàn)?，NM0SFET5051和5052處于導(dǎo)通時(shí)，其源極電壓等于柵極電壓(為"Vbias”) 減去閾值電壓(Vth)。也就是說，NM0SFET 5051和5052的源極電壓被限制在(Vbias-Vth)。 也就是說，(Vbias-Vth)對(duì)應(yīng)于受限驅(qū)動(dòng)電壓的上限值，該上限值可以通過選擇Vbias(具體地， 例如通過選擇齊納二極管5056的規(guī)格)來設(shè)置。可以看出，開關(guān)器件503和504實(shí)際接收到的驅(qū)動(dòng)電壓的上限值被限制在 (Vbias-Vth)，從而可以有效地避免損壞開關(guān)器件503和504。在此，可選地可以設(shè)置分別與開關(guān)器件5051和5052并聯(lián)的二極管5058和5059， 來幫助傳輸電流。具體地，二極管5058的陽極和陰極分別連接至開關(guān)器件5051的源極和漏極，二極管5059的陽極和陰極分別連接至開關(guān)器件5052的源極和漏極。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，無需花費(fèi)額外的精力來控制開關(guān)器件503和504的驅(qū)動(dòng)時(shí)序。具體來說，當(dāng)輸入mi與IN2之間的電壓差大于開關(guān)器件504的閾值電壓時(shí)，開關(guān)器件504導(dǎo)通而開關(guān)器件503將截止。同樣，當(dāng)輸入IN2與mi之間的電壓差大于開關(guān)器件503的閾值時(shí)，開關(guān)器件503導(dǎo)通而開關(guān)器件504截止。因此，開關(guān)器件503和504不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。以上參照本實(shí)用新型的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型予以了說明。但是，這些實(shí)施例僅僅是為了說明的目的，而并非為了限制本實(shí)用新型的范圍。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物限定。不脫離本實(shí)用新型的范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出多種替代和修改， 這些替代和修改都應(yīng)落在本實(shí)用新型的范圍之內(nèi)。
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權(quán)利要求1.一種橋式整流電路，包括成電橋連接的整流部分(501，502，503，504)，包括位于電橋下側(cè)的整流開關(guān)器件(503，504)；其特征在于，該橋式整流電路還包括驅(qū)動(dòng)部分(50 ),接收各整流開關(guān)器件(503，504)的相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電壓，并將上限值受限的驅(qū)動(dòng)電壓輸出至相應(yīng)整流開關(guān)器件(503，504)的控制端子。
2.如權(quán)利要求1所述的橋式整流電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)部分還接收參考電壓，并根據(jù)接收到的參考電壓來限制驅(qū)動(dòng)電壓的上限值。
3.如權(quán)利要求2所述的橋式整流電路，其特征在于，還包括參考電壓生成部分(50恥)， 用于生成所述參考電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的橋式整流電路，其特征在于，所述參考電壓生成部分(505b)包括串聯(lián)連接的電流源(505 和齊納二極管(5056)，其中所述電流源(505 的電流(Il) 流過所述齊納二極管(5056)而生成所述參考電壓(Vbias)。
5.如權(quán)利要求2所述的橋式整流電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)部分(505a)包括開關(guān)器件(5051，5052)，以及所述驅(qū)動(dòng)部分(505a)根據(jù)所述參考電壓(Vbias)，并利用開關(guān)器件 (5051,5052)的閾值電壓，來將驅(qū)動(dòng)電壓的上限值限制為等于所述參考電壓減去所述閾值電壓的值。
6.如權(quán)利要求5所述的橋式整流電路，其特征在于，所述開關(guān)器件(5051,5052)包括 第一開關(guān)器件(5051)，連接在相應(yīng)的整流開關(guān)器件(503)的控制端子及針對(duì)該整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓(1擬)之間，且該第一開關(guān)器件(5051)的控制端子接收所述參考電壓 (Vbias)；以及第二開關(guān)器件(5052)，連接在相應(yīng)的另一整流開關(guān)器件(504)的控制端子以及針對(duì)該另一整流開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電壓(INl)之間，且該第二開關(guān)器件(505 的控制端子接收所述參考電壓(Vbias)。
7.如權(quán)利要求6所述的橋式整流電路，其特征在于，所述第一開關(guān)器件(5051)包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管M0SFET，該第一 MOSFET的柵極接收所述參考電壓(Vbias),源極連接至相應(yīng)的整流開關(guān)器件(503)的控制端子，以及漏極連接至針對(duì)該整流開關(guān)器件(50 的驅(qū)動(dòng)電壓(IN2)；以及所述第二開關(guān)器件 (5052)包括第二 M0SFET，該第二 MOSFET的柵極接收所述參考電壓(Vbias)，源極連接至相應(yīng)的另一整流開關(guān)器件(504)的控制端子，以及漏極連接至針對(duì)該另一整流開關(guān)器件(504) 的驅(qū)動(dòng)電壓(mi)。
8.如權(quán)利要求7所述的橋式整流電路，其特征在于，還包括 與第一 MOSFET并聯(lián)的第一二極管(5058)；以及與第二 MOSFET并聯(lián)的第二二極管(5059)。
9.如權(quán)利要求1所述的橋式整流電路，其特征在于，所述整流部分包括 第一二極管(501)，連接在第一輸入(mi)與第一輸出(ο τι)之間； 第二二極管(502)，連接在第二輸入(1擬)與第一輸出(OUTl)之間；第一整流開關(guān)器件(503)，連接在第一輸入(INl)與第二輸出(0UT2)之間，其控制端子連接至所述驅(qū)動(dòng)部分以接收相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓；以及第二整流開關(guān)器件(504)，連接在第二輸入(1擬)與第二輸出(0UT2)之間，其控制端子連接至所述驅(qū)動(dòng)部分以接收相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓，其中，所述第一二極管(501)、第二二極管(502)、第一開關(guān)器件(50 和第二開關(guān)器件 (504)的電流傳導(dǎo)路徑構(gòu)成電橋連接。
10.如權(quán)利要求9所述的橋式整流電路，其特征在于，所述第一整流開關(guān)器件(50 包括第一 NM0SFET，其漏極連接至第一輸入(IW)，源極連接至第二輸出(0UT2)，所述第二整流開關(guān)器件(504)包括第二匪0SFET，其漏極連接至第二輸入(IN2)，源極連接至第二輸出(0UT2)。
11.如權(quán)利要求9所述的橋式整流電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)部分接收所述第二輸入(1擬)處的電壓作為所述第一整流開關(guān)器件(503)的驅(qū)動(dòng)電壓；以及所述驅(qū)動(dòng)部分接收所述第一輸入(mi)處的電壓作為所述第二整流開關(guān)器件(504)的驅(qū)動(dòng)電壓。
專利摘要本申請(qǐng)公開了一種橋式整流電路。該橋式整流電路包括成電橋連接的整流部分(501，502，503，504)，包括位于電橋下側(cè)的整流開關(guān)器件(503，504)；以及驅(qū)動(dòng)部分(505a)，接收各整流開關(guān)器件(503，504)的相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電壓，并將上限值受限的驅(qū)動(dòng)電壓輸出至相應(yīng)整流開關(guān)器件(503，504)的控制端子。
文檔編號(hào)H02M7/219GK201966822SQ20112005255
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者李伊珂, 王銳, 陳長(zhǎng)江 申請(qǐng)人:成都芯源系統(tǒng)有限公司