專利名稱：一種有效抑制開機噪聲的軟啟動電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種計算機應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種有效抑制開機噪聲的軟啟動電源。
背景技術(shù)：
眾所周知，由于在電路啟動時，電源供應(yīng)器會對輸出端輸出大電流(噪聲)而造成負(fù)載或者其他組件的傷害，為了避免在電路啟動時的傷害，電源供應(yīng)器在啟動之初會控制輸出的能量由小逐漸上升至正常的操作，以避免對電路的傷害。而帶有此種控制功能的電源控制器的成本比較高，不適合大范圍應(yīng)用，為此有些設(shè)計中將不帶軟啟動功能的電源芯片反饋回路上增加接地電容等措施來抑制開機噪聲，但是也不能從根本上徹底消除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種有效抑制開機噪聲的軟啟動電源。本發(fā)明的目的是按以下方式實現(xiàn)的，電路結(jié)構(gòu)包括場效應(yīng)管Ql、Q3、Q4，三級管Q2，電阻R1-R5，電容Cl，場效應(yīng)管Ql的S1、S2極串接電阻Rl接輔助電源VAUX，G極串電阻R2接輔助電源VAUX，場效應(yīng)管Ql的D極接場效應(yīng)管Q4的G極，三極管Q2的集電極串電阻R3接場效應(yīng)管Ql的G極，三極管Q2的發(fā)射極接地，基極接電源外部控制信號端Power_EN，場效應(yīng)管Q3的G極接三極管Q2的集電極，D極串電阻接場效應(yīng)管Ql的D極，S極接地，電容Cl點組R5 二極管Dl并接場效應(yīng)管Q3的D極和S極，場效應(yīng)管Q4的S1-S3極并接電源輸出端VOUT，D1-D4極并接電源輸入端VIN ；
軟啟動步驟如下
在電源外部控制信號Power_EN為低，即電源未開啟時，三極管Q2基極為低，處于截止?fàn)顟B(tài)，集電極為高，場效應(yīng)管Ql的gate端電壓等于S端的電壓，Vgs=O,處于截止?fàn)顟B(tài)；而場效應(yīng)管Q3 Gate端為高，Vgs>0場效應(yīng)管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，D端和S端導(dǎo)通，由于S算接地，所以D端等效為地，從而電源輸出使能信號Vout_EN保持為低。而Vaux由于場效應(yīng)管Ql和三極管Q2都處于截止?fàn)顟B(tài)，無法形成通路，從而實現(xiàn)減少系統(tǒng)漏電的功能；
在電源外部控制信號Power_EN由低變高時，三極管Q2基極于發(fā)射極因壓差產(chǎn)生電流導(dǎo)通，從而使Q2的集電極端電壓為低，導(dǎo)致PMOS場效應(yīng)管Ql gate端電壓變化為Vaux*R3/ (R2+R3)小于S端電壓Vaux，從而使場效應(yīng)管Ql導(dǎo)通，而場效應(yīng)管Q3的VGS=O處于截止?fàn)顟B(tài)，場效應(yīng)管Q4 gate端電壓為VauX*R5/(Rl+I )為高，使場效應(yīng)管Q4導(dǎo)通，電壓輸出；
而電容Cl在此過程中濾掉PMOS場效應(yīng)管Ql在開啟過程中產(chǎn)生的噪聲，并減小場效應(yīng)管Q4 gate端的電壓上升斜率，減緩mos的打開速度，實現(xiàn)軟啟動，而穩(wěn)壓二極管Dl則把gate端的電壓在一定的值之下，從而有效的抑制上沖噪聲，減少對場效應(yīng)管Q4的沖擊，從而更有效的保護線路；
在電源外部控制信號Power_EN由高變低時，場效應(yīng)管Ql和三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，而場效應(yīng)管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，場效應(yīng)管Q4 gate端的電會迅速通過2條通路；
a.經(jīng)由R4和場效應(yīng)管Q3放電到地；
b.經(jīng)由R5放電到地，加快場效應(yīng)管Q4gate端的電壓下降速度，防止在場效應(yīng)管Q4關(guān)閉過程中由于電壓的降低導(dǎo)致電流增大損壞電子元器件，達(dá)到保護電路的目的，通過控制低電平的Power_EN來控制較高電平的電壓開關(guān)，實現(xiàn)小控大。本發(fā)明的有益效果是可以通過控制低電平的Power_EN來控制較高電平的電壓開關(guān)，實現(xiàn)小控大。此軟啟動電源電路采用一些常用的三極管和MOS，穩(wěn)壓二極管，因此成本低廉，可以廣泛應(yīng)用于各種電路系統(tǒng)。


圖1是軟啟動電源的電路原理圖。
具體實施例方式參照說明書附圖對本發(fā)明的軟啟動電源作以下詳細(xì)地說明。電路結(jié)構(gòu)包括場效應(yīng)管Q1、Q3、Q4，三級管Q2，電阻R1-R5，電容Cl，場效應(yīng)管Ql的Si、S2極串接電阻Rl接輔助電源VAUX，G極串電阻R2接輔助電源VAUX，場效應(yīng)管Ql的D極接場效應(yīng)管Q4的G極，三極管Q2的集電極串電阻R3接場效應(yīng)管Ql的G極，三極管Q2的發(fā)射極接地，基極接電源外部控制信號端Power_EN，場效應(yīng)管Q3的G極接三極管Q2的集電極，D極串電阻接場效應(yīng)管Ql的D極，S極接地，電容Cl點組R5 二極管Dl并接場效應(yīng)管Q3的D極和S極，場效應(yīng)管Q4的S1-S3極并接電源輸出端V0UT，D1_D4極并接電源輸入端VIN ；
軟啟動步驟如下
在電源外部控制信號Power_EN為低，即電源未開啟時，三極管Q2基極為低，處于截止?fàn)顟B(tài)，集電極為高，P溝道MOS Ql的gate端電壓等于S端的電壓，Vgs=O,處于截止?fàn)顟B(tài)；而NMOS Q3 Gate端為高，Vgs>0 Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，D端和S端導(dǎo)通，由于S算接地，所以D端等效為地，從而電源輸出使能信號Vout_EN保持為低。而Vaux由于Ql和Q2都處于截止?fàn)顟B(tài)，無法形成通路，從而實現(xiàn)減少系統(tǒng)漏電的功能。在電源外部控制信號Power_EN由低變高時，三極管Q2基極于發(fā)射極因壓差產(chǎn)生電流導(dǎo)通，從而使Q2的集電極端電壓為低，導(dǎo)致Ql gate端電壓變化為Vaux*R3/(R2+R3)小于S端電壓Vaux，從而使Ql導(dǎo)通。而Q3的VGS=O處于截止?fàn)顟B(tài)。Q4 gate端電壓為Vaux*R5/(Rl+R5)為高，使mos Q4導(dǎo)通，電壓輸出。而電容Cl在此過程中濾掉Ql在開啟過程中產(chǎn)生的噪聲，并減小Q4 gate端的電壓上升斜率，減緩mos的打開速度，實現(xiàn)軟啟動，而穩(wěn)壓二極管Dl則可以把gate端的電壓在一定的值之下，從而可以有效的抑制上沖等噪聲，減少對MOS Q4的沖擊，從而更有效的保護線路。在電源外部控制信號Power_EN由高變低時，Ql和Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，而Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，Q4 gate端的電會迅速通過2條通路a.經(jīng)由R4和Q3放電到地。b.經(jīng)由R5放電到地。加快Q4 gate端的電壓下降速度，防止在Q4關(guān)閉過程中由于電壓的降低導(dǎo)致電流增大損壞電子元器件，達(dá)到保護電路的目的。
除說明書所述的技術(shù)特征外，均為本專業(yè)技術(shù)人員的已知技術(shù)。
權(quán)利要求
1. 一種有效抑制開機噪聲的軟啟動電源，其特征在于包括場效應(yīng)管Ql、Q3、Q4，三級管Q2，電阻R1-R5，電容Cl，場效應(yīng)管Ql的Si、S2極串接電阻Rl接輔助電源VAUX，G極串電阻R2接輔助電源VAUX，場效應(yīng)管Ql的D極接場效應(yīng)管Q4的G極，三極管Q2的集電極串電阻R3接場效應(yīng)管Ql的G極，三極管Q2的發(fā)射極接地，基極接電源外部控制信號端Power_ EN,場效應(yīng)管Q3的G極接三極管Q2的集電極，D極串電阻接場效應(yīng)管Ql的D極，S極接地， 電容Cl點組R5 二極管Dl并接場效應(yīng)管Q3的D極和S極，場效應(yīng)管Q4的S1-S3極并接電源輸出端VOUT，D1-D4極并接電源輸入端VIN ；軟啟動步驟如下在電源外部控制信號Power_EN為低，即電源未開啟時，三極管Q2基極為低，處于截止?fàn)顟B(tài)，集電極為高，場效應(yīng)管Ql的gate端電壓等于S端的電壓，Vgs=O,處于截止?fàn)顟B(tài)； 而場效應(yīng)管Q3 Gate端為高，Vgs>0場效應(yīng)管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，D端和S端導(dǎo)通，由于S 算接地，所以D端等效為地，從而電源輸出使能信號Vout_EN保持為低，而Vaux由于場效應(yīng)管Ql和三極管Q2都處于截止?fàn)顟B(tài)，無法形成通路，從而實現(xiàn)減少系統(tǒng)漏電的功能；在電源外部控制信號Power_EN由低變高時，三極管Q2基極于發(fā)射極因壓差產(chǎn)生電流導(dǎo)通，從而使Q2的集電極端電壓為低，導(dǎo)致PMOS場效應(yīng)管Ql gate端電壓變化為 Vaux*R3/ (R2+R3)小于S端電壓Vaux，從而使場效應(yīng)管Ql導(dǎo)通，而場效應(yīng)管Q3的VGS=O 處于截止?fàn)顟B(tài)，場效應(yīng)管Q4 gate端電壓為VauX*R5/(Rl+I )為高，使場效應(yīng)管Q4導(dǎo)通， 電壓輸出；而電容Cl在此過程中濾掉PMOS場效應(yīng)管Ql在開啟過程中產(chǎn)生的噪聲，并減小場效應(yīng)管Q4 gate端的電壓上升斜率，減緩mos的打開速度，實現(xiàn)軟啟動，而穩(wěn)壓二極管Dl則把 gate端的電壓在一定的值之下，從而有效的抑制上沖噪聲，減少對場效應(yīng)管Q4的沖擊，從而更有效的保護線路；在電源外部控制信號Power_EN由高變低時，場效應(yīng)管Ql和三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)， 而場效應(yīng)管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時，場效應(yīng)管Q4 gate端的電會迅速通過2條通路；a.經(jīng)由R4和場效應(yīng)管Q3放電到地；b.經(jīng)由R5放電到地，加快場效應(yīng)管Q4gate端的電壓下降速度，防止在場效應(yīng)管Q4關(guān)閉過程中由于電壓的降低導(dǎo)致電流增大損壞電子元器件，達(dá)到保護電路的目的，通過控制低電平的Power_EN來控制較高電平的電壓開關(guān)，實現(xiàn)小控大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有效抑制開機噪聲的軟啟動電源，包括場效應(yīng)管Q1、Q3、Q4，三級管Q2，電阻R1-R5，電容C1，場效應(yīng)管Q1的S1、S2極串接電阻R1接輔助電源VAUX，G極串電阻R2接輔助電源VAUX，場效應(yīng)管Q1的D極接場效應(yīng)管Q4的G極，三極管Q2的集電極串電阻R3接場效應(yīng)管Q1的G極，三極管Q2的發(fā)射極接地，基極接電源外部控制信號端Power_EN，場效應(yīng)管Q3的G極接三極管Q2的集電極，D極串電阻接場效應(yīng)管Q1的D極，S極接地，電容C1點組R5二極管D1并接場效應(yīng)管Q3的D極和S極，場效應(yīng)管Q4的S1-S3極并接電源輸出端VOUT，D1-D4極并接電源輸入端VIN。該啟動電源可以通過控制低電平的Power_EN來控制較高電平的電壓開關(guān)，實現(xiàn)小控大。
文檔編號H02M1/36GK102570788SQ20121003325
公開日2012年7月11日 申請日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月15日
發(fā)明者張磊 申請人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司