專利名稱：基于絕緣柵雙極晶體管/場(chǎng)效應(yīng)晶體管的節(jié)能設(shè)備、系統(tǒng)和方法
基于絕緣柵雙極晶體管/場(chǎng)效應(yīng)晶體管的節(jié)能設(shè)備、系統(tǒng)和方法本申請(qǐng)是國(guó)際申請(qǐng)日為2008年8月5日，進(jìn)入中國(guó)國(guó)家階段日為2010年4月13日，國(guó)家申請(qǐng)?zhí)枮?00880111387. O,題為“基于絕緣柵雙極晶體管/場(chǎng)效應(yīng)管的節(jié)能設(shè)備、系統(tǒng)和方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及節(jié)能設(shè)備、系統(tǒng)和方法，更具體地涉及基于絕緣柵雙極晶體管/場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(IGBT/FET)的節(jié)能設(shè)備、系統(tǒng)和方法，用于節(jié)約額定線電壓以下和/或額定電器電壓以下的預(yù)定量的電壓，從而節(jié)約了能量。自從工業(yè)革命以來，世界的能量消耗以穩(wěn)定速率增長(zhǎng)。大部分生成的功率和消耗的能量來自于正在快速耗盡的礦物燃料(一種不可更新的自然資源)的燃燒。隨著地球的自然資源繼續(xù)耗盡，對(duì)于國(guó)內(nèi)和國(guó)外的政府來說功率生成和節(jié)能已變成越來越重要的議題。另外，不僅政府關(guān)心功率生成和節(jié)能，而且隨著針對(duì)這些資源的成本在快速增加，商業(yè)和消費(fèi)者也關(guān)心。不僅存在關(guān)于功率生成和節(jié)能的世界范圍的關(guān)注，而且還存在關(guān)于功率分配、特別是在新興經(jīng)濟(jì)體中的功率分配的關(guān)注。盡管功率消耗和節(jié)能非常重要，但功率分配的問題也很重要，因?yàn)槠渖婕暗默F(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施通常不能適當(dāng)?shù)胤峙涔β是也荒苋菀椎剡m于改進(jìn)。這種有問題的情況表現(xiàn)為“燈火變暗”，其中在電網(wǎng)/發(fā)電過載的情況下不能保持額定的交流(AC)電壓。當(dāng)前，政府實(shí)體和電力公司試圖通過在電網(wǎng)上的合適地點(diǎn)提升AC電壓或添加切斷發(fā)電來補(bǔ)償燈火變暗的發(fā)生。該方法通常導(dǎo)致對(duì)于家庭和/或商業(yè)中的消費(fèi)者可用的非常不同的電壓。電壓上升可從百分之十到百分之十五(10%-15%)，且由于通過電壓2/負(fù)載來計(jì)算功率，政府實(shí)體和電力公司“補(bǔ)償”的結(jié)果可以導(dǎo)致對(duì)于消費(fèi)者的收費(fèi)增加多達(dá)百分之二十五(25%)。因此，不是節(jié)約能量，政府實(shí)體和電力公司在消耗能量。而且，盡管商業(yè)和家庭中使用的大部分電器和設(shè)備能夠在低于額定電壓百分之十(10%)的情況下完全符合規(guī)格地運(yùn)行，但是大部分節(jié)能設(shè)備不采用該特征。因此，針對(duì)節(jié)能的進(jìn)一步潛力往往被忽視。因此，需要一種基于IGBT/FET的節(jié)能設(shè)備、系統(tǒng)和方法，其中節(jié)省了額定線電壓以下和/或額定電器電壓以下的預(yù)定量的電壓，從而節(jié)約了能量。相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)包括以下參考文獻(xiàn)專利/序列號(hào)發(fā)明人授權(quán)/公布曰期
(美國(guó)，除非另有明)
6,664,77Scoggins el ii/.12-16-2003
6,486,641Scoggins ei al.I 1-26-2002
2005/00680 ] 3Scoggins03-31-2005
6,489,742Lumsden12-03-2002
7,010,363Donnelly et a!.03-07-2006
5,652,504Bangcrter07-29-1997
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5,543,66 Shavil et al.08-06-1996
5,442,335Cantin et al,08-15*1995
5,134,356El-Sharkawi et at07-28-1992
5,003,192Bcigel03-26^199!
3,959,719Hspelage05-25-1976
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2007/0279053Taylor et al.12-06-2007
6,963,195Berkcan114)8-2005
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5.994.898DiMarzio ei al.11-30-1999
7,358,724Taylor et al,04-15-20087,259,546flaslings et al.08-21 -20077.250,748Hastings et aL07-31-2007
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7.298.133Hastings et al.11-20-2007
7.157.898Hastings ei al.01-02-20076,912,91 IOh ei al.07-05-200權(quán)利要求
1.一種節(jié)能設(shè)備,包括 至少一個(gè)相輸入連接，被配置成輸入具有至少一個(gè)模擬信號(hào)的預(yù)定量的能量 至少一個(gè)過零伏點(diǎn)檢測(cè)器，被配置成確定所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)過零伏占. 至少一個(gè)半周識(shí)別器，被配置成識(shí)別所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)負(fù)半周； 至少一個(gè)邏輯設(shè)備，被配置成將所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周發(fā)送到被配置成處理所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器； 至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制，被配置成通過向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)提供脈沖寬度調(diào)制來減少所述預(yù)定量的能量，以產(chǎn)生減小的能量，其中所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接；以及 至少一個(gè)相輸出連接，被配置成輸出所述減小的能量， 其中所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制包括正半周控制晶體管、負(fù)半周控制晶體管、第一分流控制晶體管和第二分流控制晶體管，所述正半周控制晶體管被配置成向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周提供脈沖寬度調(diào)制，所述負(fù)半周控制晶體管被配置成向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周提供脈沖寬度調(diào)制，所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管被配置成發(fā)送開關(guān)，以箝位反電動(dòng)勢(shì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 至少一個(gè)感測(cè)裝置，用于感測(cè)所述預(yù)定量的能量。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 至少一個(gè)模擬信號(hào)調(diào)節(jié)設(shè)備，被配置成調(diào)節(jié)用于輸入到所述至少一個(gè)半周識(shí)別器的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 至少一個(gè)缺相檢測(cè)設(shè)備，被配置成準(zhǔn)備用于輸入到所述至少一個(gè)半周識(shí)別器的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 至少一個(gè)相位旋轉(zhuǎn)設(shè)備，被配置成準(zhǔn)備用于輸入到所述至少一個(gè)半周識(shí)別器的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述節(jié)能設(shè)備電連接的至少一個(gè)電源單元，被配置成為所述節(jié)能設(shè)備供電。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電連接的至少一個(gè)浮動(dòng)電源。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述節(jié)能設(shè)備電連接的至少一個(gè)計(jì)算設(shè)備。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接的至少一個(gè)通信接口。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接的至少一個(gè)復(fù)位開關(guān)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述至少一個(gè)復(fù)位開關(guān)電連接的至少一個(gè)發(fā)光二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備，還包括 與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接的至少一個(gè)數(shù)字量電計(jì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述正半周控制晶體管和所述負(fù)半周控制晶體管是IGBT設(shè)備。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述正半周控制晶體管和所述負(fù)半周控制晶體管是FET設(shè)備。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管是IGBT設(shè)備。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管是FET設(shè)備。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器包括至少一個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器包括至少一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器與所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備電連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)半周識(shí)別器電連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)過零伏點(diǎn)檢測(cè)器電連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電連接。
23.根據(jù)權(quán)利要求4所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)缺相檢測(cè)設(shè)備電連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求5所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)相位旋轉(zhuǎn)設(shè)備電連接。
25.根據(jù)權(quán)利要求2所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)感測(cè)裝置通過電流隔離來測(cè)量所述預(yù)定量的進(jìn)入能量。
26.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)過零伏點(diǎn)檢測(cè)器包括比較器和施密特緩沖器。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述比較器具有近似為電源電壓一半的參考點(diǎn)。
28.根據(jù)權(quán)利要求3所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)模擬信號(hào)調(diào)節(jié)設(shè)備包括用于消除或減少所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的諧波和瞬態(tài)或干擾信號(hào)的第一濾波器。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的節(jié)能設(shè)備，其中所述至少一個(gè)模擬信號(hào)調(diào)節(jié)設(shè)備包括用于在需要時(shí)允許至少一個(gè)相位變化的第二濾波器。
30.根據(jù)權(quán)利要求9所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)通信接口為至少一個(gè)USB通信接口。
31.根據(jù)權(quán)利要求9所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)通信接口允許用戶能夠監(jiān)測(cè)輸入到所述節(jié)能設(shè)備中的所述預(yù)定量的輸入能量以及從所述節(jié)能設(shè)備輸出的所述減小的能量。
32.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)半周識(shí)別器識(shí)別所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的絕對(duì)過零。
33.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備是可編程的。
34.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備實(shí)時(shí)操作。
35.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是單相輸入系統(tǒng)。
36.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是單相輸出系統(tǒng)。
37.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是雙相輸入系統(tǒng)。
38.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)相輸出連接是雙相輸出系統(tǒng)。
39.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是三相輸入系統(tǒng)。
40.根據(jù)權(quán)利要求I所述的節(jié)能設(shè)備， 其中所述至少一個(gè)相輸出連接是三相輸出系統(tǒng)。
41.一種節(jié)能系統(tǒng)，包括 節(jié)能設(shè)備，所述節(jié)能設(shè)備包括 至少一個(gè)相輸入連接，被配置成輸入具有至少一個(gè)模擬信號(hào)的預(yù)定量的能量 至少一個(gè)過零伏點(diǎn)檢測(cè)器，被配置成確定所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)過零伏占. 至少一個(gè)半周識(shí)別器，被配置成識(shí)別所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)負(fù)半周； 至少一個(gè)邏輯設(shè)備，被配置成將所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周發(fā)送到被配置成處理所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器； 與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接的至少一個(gè)通信接口； 至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制，被配置成通過向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)提供脈沖寬度調(diào)制來減少所述預(yù)定量的能量，以產(chǎn)生減小的能量，其中所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接；以及 至少一個(gè)相輸出連接，被配置成輸出所述減小的能量，其中所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制包括正半周控制晶體管、負(fù)半周控制晶體管、第一分流控制晶體管和第二分流控制晶體管，所述正半周控制晶體管被配置成向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周提供脈沖寬度調(diào)制，所述負(fù)半周控制晶體管被配置成向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周提供脈沖寬度調(diào)制，所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管被配置成發(fā)送開關(guān)，以箝位反電動(dòng)勢(shì)， 與所述節(jié)能設(shè)備電連接的電源單元，被配置成為所述節(jié)能設(shè)備供電；以及 計(jì)算單元，包括窗口接口和與所述節(jié)能設(shè)備的所述至少一個(gè)通信接口電連接的通信接□。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 至少一個(gè)感測(cè)裝置，用于感測(cè)所述預(yù)定量的能量。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 與所述節(jié)能設(shè)備的所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接的至少一個(gè)復(fù)位開關(guān)。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 與所述至少一個(gè)復(fù)位開關(guān)電連接的至少一個(gè)發(fā)光二極管，
45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，所述節(jié)能設(shè)備還包括 至少一個(gè)模擬信號(hào)調(diào)節(jié)設(shè)備，被配置成調(diào)節(jié)用于輸入到所述至少一個(gè)半周識(shí)別器的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
46.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，所述節(jié)能設(shè)備還包括 至少一個(gè)缺相檢測(cè)設(shè)備，被配置成準(zhǔn)備用于輸入到所述至少一個(gè)半周識(shí)別器的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
47.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，所述節(jié)能設(shè)備還包括 至少一個(gè)相位旋轉(zhuǎn)設(shè)備，被配置成準(zhǔn)備用于輸入到所述至少一個(gè)半周識(shí)別器的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
48.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，所述節(jié)能設(shè)備還包括 與所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電連接的至少一個(gè)浮動(dòng)電源。
49.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，所述節(jié)能設(shè)備還包括 與所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器電連接的至少一個(gè)數(shù)字量電計(jì)。
50.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述正半周控制晶體管和所述負(fù)半周控制晶體管是IGBT設(shè)備。
51.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述正半周控制晶體管和所述負(fù)半周控制晶體管是FET設(shè)備。
52.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管是IGBT設(shè)備。
53.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管是FET設(shè)備。
54.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器包括至少一個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
55.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器包括至少一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
56.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器與所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備電連接。
57.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)半周識(shí)別器電連接。
58.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)過零伏點(diǎn)檢測(cè)器電連接。
59.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電連接。
60.根據(jù)權(quán)利要求46所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)缺相檢測(cè)設(shè)備電連接。
61.根據(jù)權(quán)利要求47所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備與所述至少一個(gè)相位旋轉(zhuǎn)設(shè)備電連接。
62.根據(jù)權(quán)利要求42所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)感測(cè)裝置通過電流隔離來測(cè)量所述預(yù)定量的進(jìn)入能量。
63.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)過零伏點(diǎn)檢測(cè)器包括比較器和施密特緩沖器。
64.根據(jù)權(quán)利要求63所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述比較器具有近似為電源電壓一半的參考點(diǎn)。
65.根據(jù)權(quán)利要求45所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)模擬信號(hào)調(diào)節(jié)設(shè)備包括用于消除或減少所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的諧波和瞬態(tài)或干擾信號(hào)的第一濾波器。
66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)模擬信號(hào)調(diào)節(jié)設(shè)備包括用于在需要時(shí)允許至少一個(gè)相位變化的第二濾波器。
67.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，
68.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)通信接口允許用戶能夠監(jiān)測(cè)輸入到所述節(jié)能系統(tǒng)中的所述預(yù)定量的能量以及從所述節(jié)能系統(tǒng)輸出的所述減小的能量。
69.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)半周識(shí)別器識(shí)別所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的絕對(duì)過零。
70.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備是可編程的。
71.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)邏輯設(shè)備實(shí)時(shí)操作。
72.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是單相輸入系統(tǒng)。
73.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)相輸出連接是單相輸出系統(tǒng)。
74.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是雙相電源系統(tǒng)。
75.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)相輸出連接是雙相輸出系統(tǒng)。
76.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)相輸入連接是三相電源系統(tǒng)。
77.根據(jù)權(quán)利要求41所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述至少一個(gè)相輸出連接是三相輸出系統(tǒng)。
78.一種節(jié)能系統(tǒng)，包括 用于輸入具有至少一個(gè)模擬信號(hào)的預(yù)定量的進(jìn)入能量的裝置； 用于確定所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)過零伏點(diǎn)的裝置； 用于識(shí)別所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)負(fù)半周的裝置； 用于將所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周發(fā)送到用于處理所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)處理裝置的裝置；用于減小所述預(yù)定量的能量的所述至少一個(gè)模擬信號(hào)以產(chǎn)生減小的能量的裝置；以及用于輸出所述減小的能量的裝置。
79.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 用于感測(cè)所述預(yù)定量的進(jìn)入能量的裝置。
80.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 用于調(diào)節(jié)所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的裝置。
81.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 用于所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的缺相檢測(cè)的裝置。
82.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 用于所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的相位旋轉(zhuǎn)的裝置。
83.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 用于與至少一個(gè)計(jì)算設(shè)備通信的裝置。
84.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)，還包括 用于復(fù)位所述節(jié)能系統(tǒng)的裝置。
85.根據(jù)權(quán)利要求78所述的節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述用于減小的裝置包括正半周控制晶體管、負(fù)半周控制晶體管、第一分流控制晶體管和第二分流控制晶體管，所述正半周控制晶體管被配置成向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周提供脈沖寬度調(diào)制，所述負(fù)半周控制晶體管被配置成向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周提供脈沖寬度調(diào)制，所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管被配置成發(fā)送開關(guān)，以箝位反電動(dòng)勢(shì)。
86.根據(jù)權(quán)利要求85所述節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述正半周控制晶體管和所述負(fù)半周控制晶體管是IGBT設(shè)備。
87.根據(jù)權(quán)利要求85所述節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述正半周控制晶體管和所述負(fù)半周控制晶體管是FET設(shè)備。
88.根據(jù)權(quán)利要求85所述節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管是IGBT設(shè)備。
89.根據(jù)權(quán)利要求85所述節(jié)能系統(tǒng)， 其中所述第一分流控制晶體管和所述第二分流控制晶體管是FET設(shè)備。
90.一種減小節(jié)能設(shè)備的能量消耗的方法，包括 輸入具有至少一個(gè)模擬信號(hào)的預(yù)定量的能量； 確定所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)過零伏點(diǎn)； 識(shí)別所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的至少一個(gè) 負(fù)半周； 處理所述至少一個(gè)模擬信號(hào)； 通過向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)提供脈沖寬度調(diào)制來減小所述預(yù)定量的能量；以及 輸出減小的能量。
91.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法，還包括 感測(cè)所述預(yù)定量的能量。
92.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法，還包括 調(diào)節(jié)所述至少一個(gè)模擬信號(hào)。
93.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法，還包括 檢測(cè)所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的缺相。
94.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法，還包括 確定所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的相位旋轉(zhuǎn)。
95.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法，還包括 在處理之前將所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周和所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周發(fā)送到處理裝置。
96.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法， 其中，所述減小包括 向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)正半周提供脈沖寬度調(diào)制， 向所述至少一個(gè)模擬信號(hào)的所述至少一個(gè)負(fù)半周提供脈沖寬度調(diào)制，以及 設(shè)置多個(gè)發(fā)送開關(guān)，以箝位反電動(dòng)勢(shì)。
全文摘要
一種節(jié)能設(shè)備，包括相輸入連接，輸入具有模擬信號(hào)的預(yù)定量的能量過零伏點(diǎn)檢測(cè)器，確定模擬信號(hào)的過零伏點(diǎn)；半周識(shí)別器，識(shí)別模擬信號(hào)的正半周和負(fù)半周；邏輯設(shè)備，將模擬信號(hào)的正半周和負(fù)半周發(fā)送到數(shù)字信號(hào)處理器；驅(qū)動(dòng)控制，向模擬信號(hào)提供脈沖寬度調(diào)制來減少預(yù)定量的能量，以產(chǎn)生減小的能量，驅(qū)動(dòng)控制與數(shù)字信號(hào)處理器電連接；相輸出連接，輸出減小的能量，驅(qū)動(dòng)控制包括正半周控制晶體管、負(fù)半周控制晶體管、第一分流控制晶體管和第二分流控制晶體管，正半周控制晶體管向模擬信號(hào)的正半周提供脈沖寬度調(diào)制，負(fù)半周控制晶體向模擬信號(hào)的負(fù)半周提供脈沖寬度調(diào)制，第一和第二分流控制晶體管被配置成發(fā)送開關(guān)，以箝位反電動(dòng)勢(shì)。
文檔編號(hào)H02M5/293GK102832825SQ20121027751
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2008年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月13日
發(fā)明者約翰·L·拉姆斯登 申請(qǐng)人:智能動(dòng)力股份有限公司