專利名稱：一種電池均衡電路及mos管開關(guān)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電池均衡電路，特別是涉及一種對串聯(lián)使用的電池內(nèi)的電量進(jìn)行均衡的電池均衡電路及MOS開關(guān)電路。
背景技術(shù)：
在電池的使用過程中，電池通常被串聯(lián)使用以提供較高的輸出電壓和較大的電能容量來滿足負(fù)載驅(qū)動(dòng)的需求。然而，不管是鋰充電電池、鉛酸充電電池還是鎳氫充電電池，由于其工藝條件的限制，導(dǎo)致電池單體之間可能存在一定的差異。雖然可通過配組的方式來解決電池單體之間的差異問題，但在多次充放電循環(huán)后，電池單體之間仍會(huì)產(chǎn)生較大的電壓差，使得串聯(lián)電池組的有效容量減小，進(jìn)而影響電池組的使用性能和壽命。 因此，需要提供一種電池均衡電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中串聯(lián)使用的電池單體之間的差異問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種電池均衡電路及MOS管開關(guān)電路，以有效地提聞電路穩(wěn)定性。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種電池均衡電路，包括電容，電容的第一端接收電壓控制信號；M0S管，MOS管的第一端連接電容的第二端；電阻，電阻的第一端連接MOS管的第一端，電阻的第二端連接MOS管的第三端；鉗位元件，鉗位元件的第一端連接MOS管的第一端，鉗位元件的第二端連接MOS管的第三端，鉗位元件在MOS管的第三端上電時(shí)導(dǎo)通，且鉗位元件導(dǎo)通時(shí)兩端的電壓差小于MOS管的第一端和第三端之間的耐受電壓。根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，鉗位元件為穩(wěn)壓二極管或單向TVS。根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，MOS管為P型MOS管，MOS管的第一端、第二端以及第三端分別為P型MOS管的柵極、漏極和源極，穩(wěn)壓二極管或單向TVS的正極連接MOS管的第一端，穩(wěn)壓二極管或單向TVS的負(fù)極連接MOS管的第三端。根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，鉗位元件為雙向TVS或者壓敏電阻。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種MOS管開關(guān)電路，包括電容，電容的第一端接收電壓控制信號；M0S管，MOS管的第一端連接電容的第二端；電阻，電阻的第一端連接MOS管的第一端，電阻的第二端連接MOS管的第三端；鉗位元件，鉗位元件的第一端連接MOS管的第一端，鉗位元件的第二端連接MOS管的第三端，鉗位元件在MOS管的第三端上電時(shí)導(dǎo)通，且鉗位元件導(dǎo)通時(shí)兩端的電壓差小于MOS管的第一端和第三端之間的耐受電壓。根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，鉗位元件為穩(wěn)壓二極管或單向TVS。根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，MOS管為P型MOS管，MOS管的第一端、第二端以及第三端分別為P型MOS管的柵極、漏極和源極，穩(wěn)壓二極管或單向TVS的正極連接MOS管的第一端，穩(wěn)壓二極管或單向TVS的負(fù)極連接MOS管的第三端。根據(jù)本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，鉗位元件為雙向TVS或者壓敏電阻。本實(shí)用新型的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型提供的電池均衡電路以及MOS管開關(guān)電路可有效地提高電路可靠性。

圖I是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖；圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖；圖3是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖；圖4是根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖；·圖5是根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖；圖6是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例和第五實(shí)施例的電池均衡電路的波形圖；圖7是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例和第五實(shí)施例的電池均衡電路的另一波形圖。
具體實(shí)施方式
請參見圖1，圖I根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖。在本實(shí)施例中，電池BT1、BT2串聯(lián)連接。具體來說，電池BTl的負(fù)極與電池BT2的正極連接。本實(shí)施例的電池均衡電路包括開關(guān)K1、K2、電感LI以及二極管Dl、D2。在本實(shí)施例中，開關(guān)Kl包括第一端、第二端和第三端。開關(guān)Kl的第一端用于接收第一控制信號CTL1，以使開關(guān)Kl的第二端和第三端在第一控制信號CTLl的作用下選擇性導(dǎo)通。開關(guān)Kl的第三端進(jìn)一步與電池BTl的正極連接。在本實(shí)施例中，開關(guān)K2同樣包括第一端、第二端和第三端。開關(guān)K2的第一端用于接收第二控制信號CTL2，以使開關(guān)K2的第二端和第三端在第二控制信號CTL2的作用下選擇性導(dǎo)通。開關(guān)K2的第二端進(jìn)一步與開關(guān)Kl的第二端連接，開關(guān)K2的第三端進(jìn)一步與電池BT2的負(fù)極連接。在本實(shí)施例中，電感LI的第一端連接于電池BTl的負(fù)極與電池BT2的正極之間，電感LI的第二端連接于開關(guān)Kl的第二端和開關(guān)K2的第二端之間。在本實(shí)施例中，二極管Dl的正極連接電感LI的第二端，二極管Dl的負(fù)極連接電池BTl的正極。二極管D2的負(fù)極連接電感LI的第二端，二極管D2的正極連接電池BT2的負(fù)極。在使用過程中，當(dāng)檢測到電池BTl的電壓高于電池BT2的電壓，需要將電池BTl的電量轉(zhuǎn)移到電池BT2時(shí)，通過控制第一控制信號CTLl使得開關(guān)Kl的第二端和第三端在第一控制信號CTLl的作用下導(dǎo)通，電池BTl對電感LI進(jìn)行充電，進(jìn)而將電池BTl的電量存儲(chǔ)于電感LI內(nèi)。隨后,通過控制第一控制信號CTLl使得開關(guān)Kl的第二端和第三端在第一控制信號CTLl的作用下斷開。此時(shí)，電感LI存儲(chǔ)的電量經(jīng)二極管D2轉(zhuǎn)移到電池BT2。反之，當(dāng)檢測到電池BT2的電壓高于電池BTl的電壓，需要將電池BT2的電量轉(zhuǎn)移到電池BTl時(shí)，通過控制第二控制信號CTL2使得開關(guān)K2的第二端和第三端在第二控制信號CTL2的作用下導(dǎo)通，電池BT2對電感LI進(jìn)行充電，進(jìn)而將電池BT2的電量存儲(chǔ)于電感LI內(nèi)。隨后，通過控制第二控制信號CTL2使得開關(guān)K2的第二端和第三端在第二控制信號CTL2的作用下斷開。此時(shí)，電感LI存儲(chǔ)的電量經(jīng)二極管Dl轉(zhuǎn)移到電池BTl。在本實(shí)施例中，二極管Dl、D2可以是普通二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)抑制二極管(TVS)、穩(wěn)壓二極管或其他單向?qū)ㄔ?。請參見圖2，圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖。在本實(shí)施例中，電池BT1、BT2串聯(lián)連接。具體來說，電池BTl的負(fù)極與電池BT2的正極連接。本實(shí)施例的電池均衡電路包括開關(guān)K1、K2、電感LI、二極管D1、D2以及電容C1、C2。本實(shí)施例與圖I所示的第一實(shí)施例的區(qū)別之處在于本實(shí)施例的電池均衡電路進(jìn)一步包括電容C1、C2，其中電容Cl與電池BTl并聯(lián)，電容C2與電池BT2并聯(lián)。電容C1、C2的作用是在電感LI對電池BT1、BT2進(jìn)行充電時(shí)起到一定的緩沖作用，提高電池BT1、BT2的充電效果。請參見圖3，圖3是根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖。在本實(shí)施例中，電池BT1、BT2串聯(lián)連接。具體來說，電池BTl的負(fù)極與電池BT2的正極連接。本實(shí)施例的電池均衡電路包括電容Cl、C2、M0S管Ql、Q2、電阻Rl、R2、電感LI以及二極管D1、 D2。在本實(shí)施例中，電容Cl的第一端接收第一控制信號CTLl，MOS管Ql的第一端連接電容Cl的第二端。在本實(shí)施例中，第一控制信號CTLl具體為第一電壓控制信號CTLl。MOS管Ql的第三端進(jìn)一步與電池BTl的正極連接。電阻Rl的第一端連接MOS管Ql的第一端，電阻Rl的第二端連接MOS管Ql的第三端。由此，MOS管Ql的第二端和第三端可在第一電壓控制信號CTLl的作用下選擇性導(dǎo)通。在本實(shí)施例中，MOS管Ql為P型MOS管，MOS管Ql的第一端、第二端以及第三端分別為P型MOS管的柵極、漏極和源極。在本實(shí)施例中，電容C2的第一端接收第二控制信號CTL2，M0S管Q2的第一端連接電容C2的第二端。在本實(shí)施例中，第二控制信號CTL2具體為第二電壓控制信號CTL2。MOS管Q2的第二端進(jìn)一步與MOS管Ql的第二端連接，MOS管Q2的第三端進(jìn)一步與電池BT2的負(fù)極連接。電感LI的第二端連接于MOS管Ql的第二端和MOS管Q2的第二端之間。電阻R2的第一端連接MOS管Q2的第一端，電阻R2的第二端連接MOS管Q2的第三端。由此，MOS管Q2的第二端和第三端可在第二電壓控制信號CTL2的作用下選擇性導(dǎo)通。在本實(shí)施例中，MOS管Q2為N型MOS管，MOS管Q2的第一端、第二端以及第三端分別為N型MOS管的柵極、漏極和源極。從圖I和圖3的比較結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，第三實(shí)施例中的電容Cl、MOS管Ql以及電阻Rl起到第一實(shí)施例的開關(guān)Kl的作用，電容C2、M0S管Q2以及電阻R2起到第一實(shí)施例的開關(guān)K2的作用。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以想到利用本領(lǐng)域公知的其他開關(guān)來實(shí)現(xiàn)開關(guān)K1、K2的作用，例如三極管開關(guān)或繼電器開關(guān)。請參見圖4，圖4根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖。在本實(shí)施例中，電池ΒΤ1、ΒΤ2串聯(lián)連接。具體來說，電池BTl的負(fù)極與電池ΒΤ2的正極連接。本實(shí)施例的電池均衡電路包括電容Cl、C2、C3、MOS管Ql、Q2、電阻Rl、R2、電感LI以及二極管Dl、D2。本實(shí)施例與圖3所示的第三實(shí)施例的區(qū)別之處在于本實(shí)施例的電池均衡電路進(jìn)一步設(shè)置電容C3，其中電容C3的第一端連接MOS管Ql的第一端，電容C3的第二端連接MOS管Ql的第二端。下面將結(jié)合圖3和圖4進(jìn)一步描述電容C3的功能。請參見圖3，在圖3所示的第三實(shí)施例中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)MOS管Q2工作時(shí)，第二電壓控制信號CTL2通過電容C2在MOS管Q2的第一端產(chǎn)生一定頻率的脈沖信號，進(jìn)而控制MOS管Q2的導(dǎo)通和斷開。由于MOS管Q2的導(dǎo)通和斷開會(huì)導(dǎo)致在MOS管Q2的第二端產(chǎn)生相同頻率的脈沖信號。同時(shí)，由于MOS管Q2的第二端與MOS管Ql的第二端連接，且MOS管Ql的第一端與第二端以及第一端與第三端之間存在結(jié)電容，因此將會(huì)產(chǎn)生電容分壓的效果，使得MOS管Ql的第一端與第三端之間出現(xiàn)一個(gè)相同頻率的脈沖分壓信號。當(dāng)MOS管Q2第二端電壓變化幅度足夠大時(shí)，MOS管Ql的第一端與第三端之間的脈沖分壓信號的幅度足以將MOS管Ql打開，使得MOS管Ql的第二端與第三端導(dǎo)通。此時(shí)，由于MOS管Q1、Q2同時(shí)打開，造成短路，因此會(huì)燒壞MOS管Q1、Q2。在本實(shí)施例中，電容C3的第一端連接MOS管Ql的第一端，電容C3的第二端連接MOS管Ql的第三端，相當(dāng)于將MOS管Ql的第一端與第三端之間的結(jié)電容與電容C3并聯(lián)，導(dǎo)致并聯(lián)后的電容值增大。根據(jù)電容分壓原理，電容分壓與電容值成反比，因此使得MOS管Ql的第一端與第三端之間的脈沖分壓信號的幅度變小，進(jìn)而保證無法打開MOS管Q1，提高了電池均衡電路的可靠性。同理，在圖4所示的第四實(shí)施例中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)MOS管Ql工作時(shí)，在MOS管Q2的第一端與第三端之間也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)相同頻率的脈沖分壓信號。因此，可以在MOS管Q2的第一端 與第三端之間同樣并聯(lián)一電容,來降低MOS管Q2的第一端與第三端之間的電容分壓,進(jìn)而提高電池均衡電路的可靠性。請參見圖5，圖5是根據(jù)本實(shí)用新型第五實(shí)施例的電池均衡電路的電路圖。在本實(shí)施例中，電池BT1、BT2串聯(lián)連接。具體來說，電池BTl的負(fù)極與電池BT2的正極連接。本實(shí)施例的電池均衡電路包括電容Cl、C2、M0S管Ql、Q2、電阻Rl、R2、電感LI以及二極管D1、D2、D3、D4。本實(shí)施例與圖3所示的第三實(shí)施例的區(qū)別之處在于本實(shí)施例的電池均衡電路進(jìn)一步設(shè)置二極管D3、D4，其中二極管D3的正極連接MOS管Ql的柵極，二極管D3的負(fù)極連接MOS管Ql的源極，二極管D4的負(fù)極連接MOS管Q2的柵極，二極管D4的正極連接MOS管Q2的源極。下面將結(jié)合圖3、5_7進(jìn)一步描述二極管D3、D4的功能。請參見圖6_7，如圖6的波形I和圖7的波形4所示，在圖3所示的電池均衡電路中，電容C1、C2接收的第一電壓控制信號CTLl和第二電壓控制信號CTL2分別為包括高電平信號(5V)和低電平信號(OV)的脈沖信號。其中，當(dāng)?shù)谝浑妷嚎刂菩盘朇TLl為低電平信號時(shí)，MOS管Ql的第二端和第三端導(dǎo)通，當(dāng)?shù)谝浑妷嚎刂菩盘朇TLl為高電平信號時(shí)，MOS管Ql的第二端和第三端斷開。當(dāng)?shù)诙妷嚎刂菩盘朇TL2為高電平信號時(shí)，MOS管Q2的第二端和第三端導(dǎo)通，當(dāng)?shù)诙妷嚎刂菩盘朇TL2為低電平信號時(shí)，MOS管Q2的第二端和第三端斷開。具體來說，如圖6的波形I和波形2所示，當(dāng)MOS管Ql不工作時(shí)，電容Cl所接收的第一電壓控制信號CTLl為持續(xù)的高電平信號。此時(shí)，MOS管Ql的柵極電壓等于MOS管Ql的源極電壓Vsl，M0S管Ql截止。當(dāng)需要打開MOS管Ql時(shí)，電容Cl所接收的第一電壓控制信號CTLl從持續(xù)的高電平信號跳變到低電平信號，MOS管Ql的柵極電壓從Vsl瞬間跳變到Vsl-5V。此時(shí)，MOS管Ql的源極電壓Vsl高于MOS管Ql的柵極電壓，使得MOS管Ql打開，進(jìn)而MOS管Ql的源極與MOS管Ql的漏極導(dǎo)通。與此同時(shí)，由于電容Cl通過電阻Rl進(jìn)行充電，使得MOS管Ql的柵極電壓從Vsl-5V緩慢升高。當(dāng)需要關(guān)閉MOS管Ql時(shí)，電容Cl所接收的第一電壓控制信號CTLl從低電平信號跳變到高電平信號，MOS管Ql的柵極電壓向上跳變5V。此時(shí)，MOS管Ql的源極電壓與MOS管Ql的柵極電壓之間的電壓差不足以打開MOS管Ql，使得MOS管Ql截止，進(jìn)而MOS管Ql的源極與MOS管Ql的漏極斷開。與此同時(shí)，由于電容Cl通過電阻Rl進(jìn)行放電，使得MOS管Ql的柵極電壓緩慢下降。然而，由如圖6的波形2所示，當(dāng)?shù)谝浑妷嚎刂菩盘朇TLl的有效占空比不斷增加(超過50% )時(shí)，由于電容Cl的充電時(shí)間大于電容Cl的放電時(shí)間，導(dǎo)致MOS管Ql的柵極電壓持續(xù)升高，以至于在第一電壓控制信號CTLl為低電平信號時(shí),MOS管Ql的柵極電壓與MOS管Ql的源極電壓之間的電壓差也無法正常打開MOS管Q1，導(dǎo)致MOS管Ql無法正常工作。同理，如圖7的波形4和波形5所示，當(dāng)MOS管Q2不工作時(shí)，電容C2所接收的第二電壓控制信號CTL2為持續(xù)的低電平信號。此時(shí)，MOS管Q2的柵極電壓等于MOS管Q2的源極電壓Vs2，M0S管Q2截止。當(dāng)需要打開MOS管Q2時(shí)，電容C2所接收的第二電壓控制信號CTL2從持續(xù)的低電平信號跳變到高電平信號，MOS管Q2的柵極電壓從Vs2跳變到Vs2+5V。此時(shí)，MOS管Q2的源極電壓低于MOS管Q2的柵極電壓，使得MOS管Q2打開，進(jìn)而MOS管Q2 的源極與MOS管Q2的漏極導(dǎo)通。以此同時(shí)，由于電容C2通過電阻R2進(jìn)行充電，使得MOS管Q2的柵極電壓從Vs2+5V緩慢降低。當(dāng)需要關(guān)閉MOS管Q2時(shí)，電容C2所接收的第二電壓控制信號CTL2從高電平信號跳變到低電平信號時(shí)，MOS管Q2的柵極電壓向下跳變5V。此時(shí)，MOS管Q2的柵極電壓與MOS管Q2的源極電壓之間電壓差不足以打開MOS管Q2，MOS管Q2截止，進(jìn)而MOS管Q2的源極與MOS管Q2的漏極斷開。與此同時(shí)，由于電容C2通過電阻R2進(jìn)行放電，使得MOS管Q2的柵極電壓緩慢升高。然而，由如圖7的波形5所示，當(dāng)?shù)诙妷嚎刂菩盘朇TL2的有效占空比不斷增加(超過50% )時(shí)，由于電容C2的充電時(shí)間大于電容C2的放電時(shí)間，導(dǎo)致MOS管Q2的柵極電壓持續(xù)降低，以至于在第二電壓控制信號CTL2為高電平信號時(shí)，MOS管Q2的柵極電壓與MOS管Q2的源極電壓之間的電壓差也無法打開MOS管Q2，導(dǎo)致MOS管Q2無法正常工作。如圖5所示，在本實(shí)施例中，二極管D3的正極連接MOS管Ql的柵極，而二極管D3的負(fù)極連接MOS管Ql的源極。此時(shí)，如圖6的波形3所示，當(dāng)?shù)谝浑妷嚎刂菩盘朇TLl從高電平信號跳變到低電平信號時(shí)，由于MOS管Ql的柵極電壓低于MOS管Ql的源極電壓，使得二極管D3截止斷開，電容Cl通過電阻Rl緩慢充電。當(dāng)?shù)谝浑妷嚎刂菩盘朇TLl從低電平信號跳變到高電平信號時(shí)，由于MOS管Ql的柵極電壓大于MOS管Ql的源極電壓，使得二極管D3導(dǎo)通。此時(shí)，電容Cl通過二極管D3迅速放電，將MOS管Ql的柵極電壓快速鉗位到MOS管Ql的源極電壓。具體來說，當(dāng)MOS管Ql的柵極電壓與MOS管Ql的源極電壓之間電壓差大于二極管D3的導(dǎo)通電壓時(shí)，二極管D3導(dǎo)通，電容Cl通過二極管D3迅速放電。當(dāng)MOS管Ql的柵極電壓與MOS管Ql的源極電壓之間電壓差等于及小于二極管D3的導(dǎo)通電壓時(shí)，二極管D3截止斷開，電容Cl通過電阻Rl緩慢放電。同理，如圖5所示，在本實(shí)施例中，二極管D4的負(fù)極連接MOS管Q2的柵極，而二極管D4的正極連接MOS管Q2的源極。此時(shí)，如圖7的波形6所示，當(dāng)?shù)诙妷嚎刂菩盘朇TL2從低電平信號跳變到高電平信號時(shí)，由于MOS管Q2的柵極電壓高于MOS管Q2的源極電壓，使得二極管D4截止斷開，電容C4通過電阻R2緩慢充電。當(dāng)?shù)诙妷嚎刂菩盘朇TL2從高電平信號跳變到低電平信號時(shí)，由于MOS管Q2的源極電壓大于MOS管Q2的柵極電壓，使得二極管D4導(dǎo)通。此時(shí)，電容C2通過二極管D4迅速放電，將MOS管Q2的柵極電壓快速鉗位到MOS管Q2的源極電壓。具體來說，當(dāng)MOS管Q2的源極電壓與MOS管Q2的柵極電壓之間電壓差大于二極管D4的導(dǎo)通電壓時(shí)，二極管D4導(dǎo)通，電容C2通過二極管D4迅速放電。當(dāng)MOS管Q2的柵極電壓與MOS管Q2的源極電壓之間電壓差等于及小于二極管D3的導(dǎo)通電壓時(shí)，二極管D3截止斷開，電容C2通過電阻R2緩慢放電。通過上述方式，利用二極管D3、D4的鉗位作用，避免了由于有效占空比增加產(chǎn)生的電容Cl、C2放電不充分而引起的MOS管Ql、Q2無法正常工作。在本實(shí)施例中，二極管D3、D4可以是普通二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)抑制二極管(TVS)、穩(wěn)壓二極管或其他單向?qū)ㄔ?。在?yōu)選實(shí)施例，二極管D3采用穩(wěn)壓二極管。該穩(wěn)壓二極管的進(jìn)一步作用是在MOS管Ql的源極瞬間上電時(shí)，穩(wěn)壓二極管反向?qū)?，將MOS管Ql的柵極電壓鉗位到MOS管Ql的源極電壓。此時(shí)，由于穩(wěn)壓二極管兩端的電壓差小于MOS管Ql的源極與柵極之間的耐受電壓，因此避免了在瞬間上電時(shí)由于MOS管Ql的源極與柵極之間電壓差大于耐受電壓而導(dǎo)致的MOS管Ql的源極和柵極被擊穿。在其他實(shí)施例中，穩(wěn)壓二極管也可以由其他鉗位元件實(shí)現(xiàn)，例如單向TVS、雙向 TVS或者壓敏電阻，只需確保在MOS管Ql的源極瞬間上電時(shí)鉗位元件能夠?qū)ㄇ覍?dǎo)通時(shí)鉗位元件兩端的電壓差小于MOS管Ql的源極與柵極之間的耐受電壓即可。需要注意的是，在單獨(dú)采用壓敏電阻的情況下，將無法實(shí)現(xiàn)上文所描述的對電容Cl的快速放電，因此可以將壓敏電阻與普通二極管并聯(lián)來同時(shí)實(shí)現(xiàn)上述兩個(gè)效果。在閱讀上述內(nèi)容后，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以想到將上述實(shí)施例進(jìn)行結(jié)合，或轉(zhuǎn)用到其他類似的MOS管開關(guān)電路上。通過以上方式，本實(shí)用新型的電池均衡電路有效地均衡電池電量，從而提高電池組的壽命。此外，該電池均衡電路及MOS管開關(guān)電路提高電路的工作穩(wěn)定性及可靠性。以上僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電源均衡電路，其特征在于，包括 電容，所述電容的第一端接收電壓控制信號； MOS管，所述MOS管的第一端連接所述電容的第二端； 電阻，所述電阻的第一端連接所述MOS管的第一端，所述電阻的第二端連接所述MOS管的第三端； 鉗位元件，所述鉗位元件的第一端連接所述MOS管的第一端，所述鉗位元件的第二端連接所述MOS管的第三端，所述鉗位元件在所述MOS管的第三端上電時(shí)導(dǎo)通，且所述鉗位元件導(dǎo)通時(shí)兩端的電壓差小于所述MOS管的第一端和第三端之間的耐受電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電源均衡電路，其特征在于，所述鉗位元件為穩(wěn)壓二極管或單向TVS。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電源均衡電路，其特征在于，所述MOS管為P型MOS管，所述MOS管的第一端、第二端以及第三端分別為所述P型MOS管的柵極、漏極和源極，所述穩(wěn)壓二極管或單向TVS的正極連接所述MOS管的第一端，所述穩(wěn)壓二極管或單向TVS的負(fù)極連接所述MOS管的第三端。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電源均衡電路，其特征在于，所述鉗位元件為雙向TVS或者壓敏電阻。
5.一種MOS管開關(guān)電路，其特征在于，包括 電容，所述電容的第一端接收電壓控制信號； MOS管，所述MOS管的第一端連接所述電容的第二端； 電阻，所述電阻的第一端連接所述MOS管的第一端，所述電阻的第二端連接所述MOS管的第三端； 鉗位元件，所述鉗位元件的第一端連接所述MOS管的第一端，所述鉗位元件的第二端連接所述MOS管的第三端，所述鉗位元件在所述MOS管的第三端上電時(shí)導(dǎo)通，且所述鉗位元件導(dǎo)通時(shí)兩端的電壓差小于所述MOS管的第一端和第三端之間的耐受電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOS管開關(guān)電路，其特征在于，所述鉗位元件為穩(wěn)壓二極管或單向TVS。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOS管開關(guān)電路，其特征在于，所述MOS管為P型MOS管，所述MOS管的第一端、第二端以及第三端分別為所述P型MOS管的柵極、漏極和源極，所述穩(wěn)壓二極管或單向TVS的正極連接所述MOS管的第一端，所述穩(wěn)壓二極管或單向TVS的負(fù)極連接所述MOS管的第三端。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOS管開關(guān)電路，其特征在于，所述鉗位元件為雙向TVS或者壓敏電阻。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種電池均衡電路，包括電容，電容的第一端接收電壓控制信號；MOS管，MOS管的第一端連接電容的第二端；電阻，電阻的第一端連接MOS管的第一端，電阻的第二端連接MOS管的第三端；鉗位元件，鉗位元件的第一端連接MOS管的第一端，鉗位元件的第二端連接MOS管的第三端，鉗位元件在MOS管的第三端上電時(shí)導(dǎo)通，且鉗位元件導(dǎo)通時(shí)兩端的電壓差小于MOS管的第一端和第三端之間的耐受電壓。本實(shí)用新型進(jìn)一步提供一種MOS管開關(guān)電路。通過以上方式，本實(shí)用新型提供的電池均衡電路以及MOS管開關(guān)電路可有效地提高電路可靠性。
文檔編號H02J7/00GK202564975SQ20122005411
公開日2012年11月28日 申請日期2012年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月17日
發(fā)明者葛偉國 申請人:東莞鉅威新能源有限公司