專利名稱：一種充電電路及終端設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電源保護(hù)電路，尤其涉及ー種充電電路及終端設(shè)備。
背景技術(shù)：
如圖I所示，防反插電路是ー種當(dāng)輸入電源的正極和負(fù)極接反吋，S卩“防反插電路”的電源輸入正極為負(fù)電壓吋，電源輸出為OV或接近OV的電路，以保護(hù)“防反插電路”的 電源輸出所接的負(fù)載電路不被損壞。如圖2(A)所示，防倒灌電路是ー種在輸入端并聯(lián)電壓表，防倒灌電路的輸出加一穩(wěn)壓電源(例如穩(wěn)壓電源的輸出為4. 0V)時，電壓表讀數(shù)為OV或接近OV的電路；如圖2(B)所示，在防倒灌電路的輸出端串聯(lián)ー電流表，防倒灌電路的輸出加一穩(wěn)壓電源(例如穩(wěn)壓電源的輸出為4. 0V)吋，電流表的讀數(shù)小于100uA。目前，大部分手機(jī)都有旅行充電器充電接ロ(簡稱旅充接ロ)和座式充電器充電接ロ(簡稱座充接ロ)；旅充接ロ連接電腦USB或旅行充電器，座充接ロ連接座式充電器。通常情況下，旅行充電器、座式充電器、電腦USB的輸出電壓的最小值為4. 75V。手機(jī)的座充接ロ通常為兩個管腳(兩個簧片)座充接ロ的正極和座充接ロ的負(fù)極；手機(jī)的旅充接ロ通常為Mini-USB或Micro-USB接ロ。通常情況下，手機(jī)的旅充接口和座充接ロ共用ー個充電電路，如附圖3所示；附圖3中，充電管理模塊通過比較“充電電壓輸入(VCHG) ”和“電池電壓輸入(VBAT) ”來實(shí)現(xiàn)對充電MOSFET的導(dǎo)通關(guān)斷。當(dāng)VCHG-VBAT < = Removal Detection,充電 MOSFET 關(guān)斷；Detection，充電MOSFET導(dǎo)通，充電電流從充電設(shè)備通過充電MOSFET流向電池，實(shí)現(xiàn)對電池的充電。Removal Detection為充電器拔出檢測電壓,該電壓值一般在幾十毫伏；高通手機(jī)平臺上面，Removal Detection最大值為90mV ;圖3中的充電MOSFET Ql可以在充電管理芯片內(nèi)部，也可以在充電管理芯片外部。圖3中，旅充接ロ的正極和座充接ロ的正極相連，旅充接ロ的負(fù)極、座充接ロ的負(fù)極和手機(jī)地相連；由于大部分手機(jī)的座充接ロ的正極和座充接ロ的負(fù)極都是裸露在手機(jī)外面的，座充接ロ的正機(jī)和負(fù)極容易接反(即座充接ロ的正極上出現(xiàn)負(fù)電壓)，當(dāng)接反吋，充電管理芯片的VCHG管腳容易損壞；此外，圖3中，當(dāng)電腦USB通過旅充接ロ給手機(jī)充電吋，如果用戶不小心把座充接ロ的正極和座充接ロ的負(fù)極短路，電腦USB接ロ的正極和負(fù)極就會短路，就會造成電腦USB損壞，且影響手機(jī)正常充電短路時，VCHG電壓為0V，充電停止。因此，手機(jī)的座充接口上面需要加一個防反插防倒灌電路，如附圖4所示；附圖4中，在座充接ロ的正極和充電管理芯片的VCHG上加了ー個肖特基ニ極管(Dl)，該肖特基ニ極管能實(shí)現(xiàn)座充充電接口上防反插防倒灌功能。為說明問題，附圖4中定義符號如下Udesk chg :座式充電器的輸出電壓；由于座充充電器輸出電壓的最小值為4. 75V，此處假定Udesk chg電壓為4. 75V。Ichg :手機(jī)充電電流，指通過充電MOSFET Ql的電流；Uqi :充電MOSFET Ql充電時兩端的壓降；Rqi :充電MOSFET完全飽和導(dǎo)通時對應(yīng)的阻抗，此處假定Rqi為0. 4ohm ；Rpcb :座充與手機(jī)接觸阻抗及充電PCB線路阻抗之和，此處假定Rpra為0. 2ohm ；Um :附圖4中，肖特基ニ極管Dl的壓降，此處 假定Udi為0. 4V。VBAT :電池電壓。附圖4中，當(dāng)座充接ロ連接座式充電器進(jìn)行充電時，肖特基ニ極管Dl的存在會帶來兩個問題問題I :肖特基ニ極管Dl的存在會減小手機(jī)的充電電流，延長手機(jī)的充電時間。當(dāng)電池電壓一定時，如果充電MOSFET Ql完全飽和導(dǎo)通時(對應(yīng)Ql的導(dǎo)通阻抗為0. 4ohm),充電電流達(dá)最大。當(dāng)座充接ロ電路不串聯(lián)肖特基ニ極管Dl時(如附圖3所示)，不同電池電壓下最大充電電流計算如下Ichg — (UDESK—chg_VBAT) / (Rqi+Rpcb)= (4. 75-VBAT) / (0. 4+0. 2) = (4. 75-VBAT) /0. 6(I)當(dāng)座充接ロ電路里面有ニ極管時(如附圖4所示)，不同電池電壓下最大充電電流計算如下Ichg — (UdeskJ3hg-VBAT-Ud 1) / (Rqi+Rpcb)= (4. 75-VBAT-0. 4) / (0. 4+0. 2) = (4. 35-VBAT) /0. 6 (2)根據(jù)公式⑴和公式⑵可計算出不同電池電壓下的最大充電電流，如表I所示為兩種座充電路的最大充電電流的計算表I
VBAT座充充電時最大充電電流計算
座充接ロ電路如附圖3，沒有肖|_座充接ロ電路如附圖4，有肖特 特基ニ極管基ニ極舍
VBAT 為 3.5V2.083A1.417A
VBAT 為 4.0V _ 1.250A _ 0.683A _
VBAT 為 4.2V_ 0.917A_ 0.250A_由表I可知，附圖4中，座充接ロ電路里面肖特基ニ極管Dl的存在，會減小充電電流，井延長充電時間。問題2 :肖特基ニ極管Dl的存在會使充電過程中充電MOSFET發(fā)生關(guān)斷，進(jìn)而使電池手機(jī)充不滿電。根據(jù)公式(2)，當(dāng)座充接ロ電路存在ニ極管時，在電池電壓接近4. 2V吋，假定充電MOSFET Ql完全飽和導(dǎo)通，充電MOSFET兩端的靜態(tài)壓降計算如下Uqi = Ichg^Rqi = 0. 25*0. 4 = 0. IV = IOOmV充電MOSFET兩端的靜態(tài)壓降和Removal Detection (最大為90mV)比較接近，當(dāng)手機(jī)開機(jī)充電過程中，由于手機(jī)經(jīng)常搜網(wǎng)，在充電回路電路對應(yīng)的電感上會產(chǎn)生較大壓降，這樣會使充電MOSFET Ql兩端壓降容易小于Removal Detection，造成充電MOSFET關(guān)斷，導(dǎo)致手機(jī)充不滿電。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種充電電路及終端設(shè)備，能夠在實(shí)現(xiàn)防反插防倒灌的情況下，避免充電不滿的情況，并且不會延長充電時間。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的ー種充電電路，包括充電管理電路、旅行充電器充電接ロ電路、座式充電器充電接ロ電路，所述座式充電器充電接ロ電路的正極連接第一場效應(yīng)管的漏極，第一場效應(yīng)管的源極與旅行充電器充電接ロ電路的正極連 接，并連接到充電管理電路的充電電壓輸入端，所述充電管理電路的電池電壓輸入端與電池的正極連接，所述第一場效應(yīng)管的柵極、旅行充電器充電接ロ電路的負(fù)極、座式充電器充電接ロ電路的負(fù)極相連，并連接到電池的負(fù)極。進(jìn)ー步地，在所述第一場效應(yīng)管的漏極和柵極之間還連接有串聯(lián)的ニ極管和第一電阻。進(jìn)ー步地，在所述第一場效應(yīng)管的漏極與電池負(fù)極之間還連接有串聯(lián)的第二電阻和第二電阻。進(jìn)ー步地，在所述第一場效應(yīng)管的柵極與電池的負(fù)極之間還連接有第二場效應(yīng)管，所述第一場效應(yīng)管的柵極連接所述第二場效應(yīng)管的漏極，第二場效應(yīng)管的源極與電池的負(fù)極連接，第二場效應(yīng)管的柵極與第二電阻和第三電阻的連接點(diǎn)相連接。進(jìn)ー步地，在所述第二場效應(yīng)管的柵極與第二電阻和第三電阻的連接點(diǎn)之間還連接有第四電阻。進(jìn)ー步地，在所述第四電阻與第二場效應(yīng)管的柵極的連接點(diǎn)與電池的負(fù)極之間還連接有電容。進(jìn)ー步地，所述第一場效應(yīng)管為P溝道場效應(yīng)管，所述第二場效應(yīng)管為N溝道場效應(yīng)管。進(jìn)ー步地，所述第一電阻的阻值大于80千歐小于400千歐。進(jìn)ー步地，所述第二電阻和第三電阻的和小于等于100千歐，第三電阻比第二電阻的值大于等于0.61。進(jìn)ー步地，ー種終端設(shè)備，包括充電電路，所述充電電路包括充電管理電路、旅行充電器充電接ロ電路、座式充電器充電接ロ電路，所述座式充電器充電接ロ電路的正極連接第一場效應(yīng)管的漏極，第一場效應(yīng)管的源極與旅行充電器充電接ロ電路的正極連接，并連接到充電管理電路的充電電壓輸入端，所述充電管理電路的電池電壓輸入端與電池的正極連接，所述第一場效應(yīng)管的柵極、旅行充電器充電接ロ電路的負(fù)極、座式充電器充電接ロ電路的負(fù)極相連，并連接到電池的負(fù)極。綜上所述，本實(shí)用新型的充電電路，相對于采用ニ極管而言，導(dǎo)通壓降小，充電速度快，且充電過程中不易發(fā)生充電MOSFET關(guān)斷，能夠保證在不同電池電壓下充電電路的充電電流最大。

[0049]圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的防反插電路的電路圖；圖2(A)為現(xiàn)有技術(shù)中的一種防倒灌電路的電路圖；圖2(B)為現(xiàn)有技術(shù)中的另ー種防倒灌電路的電路圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的手機(jī)旅充接口和座充接ロ的充電電路的電路圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)中的座充接口上利用ニ極管實(shí)現(xiàn)防反插防倒灌的充電電路的電路圖；圖5為本實(shí)施方式的座充接ロ利上采用MOSFET實(shí)現(xiàn)防反插防倒灌功能的充電電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型針對現(xiàn)有用肖特基ニ極管實(shí)現(xiàn)防反插防倒灌電路由于ニ極管的壓降引起的充電速度慢及電池充不滿的問題，提出一種用場效應(yīng)管(MOSFET)替代肖特基ニ極管實(shí)現(xiàn)防反插防倒灌功能的方案。對手機(jī)而言，主要應(yīng)用在手機(jī)的充電保護(hù)電路中。如圖5所示，本實(shí)施方式的充電電路，包括充電管理電路、旅行充電器充電接ロ電路、座式充電器充電接ロ電路，座式充電器充電接ロ電路的正極連接第一場效應(yīng)管的漏極D，第一場效應(yīng)管的源極S與旅行充電器充電接ロ電路的正極連接，并連接到充電管理電路的充電電壓輸入端，充電管理電路的電池電壓輸入端與電池的正極連接，第一場效應(yīng)管的柵極G、旅行充電器充電接ロ電路的負(fù)極、座式充電器充電接ロ電路的負(fù)極相連，并連接到電池的負(fù)極。充電管理電路包括充電管理芯片和充電MOSFET。在第一場效應(yīng)管的漏極D和柵極G之間還連接有串聯(lián)的ニ極管和第一電阻R1。在第一場效應(yīng)管的漏極D與電池負(fù)極之間還連接有串聯(lián)的第二電阻R2和第三電阻R3，串聯(lián)的第二電阻R2和第三電阻R3與座式充電器充電接ロ電路之間形成并聯(lián)關(guān)系。在第一場效應(yīng)管的柵極G與電池的負(fù)極之間還連接有第二場效應(yīng)管，第一場效應(yīng)管的柵極G連接第二場效應(yīng)管的漏極D，第二場效應(yīng)管的源極S與電池的負(fù)極連接，第二場效應(yīng)管的柵極G與第二電阻R2和第三電阻R3的連接點(diǎn)相連接。在第二場效應(yīng)管的柵極G與第二電阻R2和第三電阻R3的連接點(diǎn)之間還連接有第四電阻R4。在第四電阻R4與第二場效應(yīng)管的柵極G的連接點(diǎn)與電池的負(fù)極之間還連接有電容Cl。第一場效應(yīng)管為P溝道場效應(yīng)管,第二場效應(yīng)管為N溝道場效應(yīng)管。為說明問題方便，定義符號如下Uq2 ds :手機(jī)座充接ロ電路連接座式充電器充電吋，P溝道MOSFET Q2的漏極和源極兩端的壓降。Uq2 sg P溝道MOSFET Q2的源極相對于柵極的電壓；UQ2 SG(TH) P溝道MOSFET Q2的開啟電壓，該參數(shù)通常在ー個范圍區(qū)間內(nèi)；通常情況下，該范圍圍區(qū)的最小值不低于0. 4V，最大值不超過I. 8V。Iq2 dss 當(dāng)P溝道MOSFET Q2處于關(guān)斷狀態(tài)時，從源極到漏極的漏電流；通常情況下，所選取MOSFET的漏電流最大為luA。Rq2 ds(0N) P溝道MOSFET Q2的導(dǎo)通阻抗，該方案中，通常所選擇的P溝道MOSFET Q2的導(dǎo)通阻抗為0. lohm。Uq3 gs N溝道MOSFET Q3的柵極相對于源極的電壓；Uq3 gs (TH) N溝道MOSFET Q3的開啟電壓，該參數(shù)通常在ー個范圍區(qū)間內(nèi)；通常情況下，該范圍圍區(qū)的最小值不低于0. 4V，最大值不超過I. 8V。Iq3 dss :當(dāng)N溝道MOSFET Q3處于關(guān)斷狀態(tài)時，從漏極到源極的的漏電流；通常情況下，所選取MOSFET的漏電流最大為luA。Rq3 DS(_ N溝道MOSFET Q3的導(dǎo)通阻抗；通常情況下，所選取的N溝道MOSFET的導(dǎo)通阻抗通常不超過lOOohm。對于P溝道MOSFET Q2，當(dāng)Uq2 sg < UQ2 SG(TH)，Q2處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)·Uq2—SG > 一 Uq2—SG(TH)，
P溝道MOSFET Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)；對于N溝道MOSFET Q3，當(dāng)UQ3 es < Uqs gs(TH)，N溝道MOSFET Q3處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)Uq3 gs > = Uq3 gs(TH)，N 溝道 MOSFET Q3 處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)N溝道MOSFET Q3處于關(guān)斷狀態(tài)時，P溝道MOSFET Q2也處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)N溝道MOSFET Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)時，P溝道MOSFET Q3也處于導(dǎo)通狀態(tài)；R4為N溝道MOSFET Q3的限流電阻，起保護(hù)作用，且R4和Cl構(gòu)成濾波電路，消除充電信號帶來的紋波；根據(jù)實(shí)際調(diào)試，Cl可以不貼，R4可以為Oohm。下面分四種情況說明本實(shí)施方式充電電路的防反插防倒灌的工作原理(I)手機(jī)旅充接ロ電路不連接旅行充電器或者電腦USB，手機(jī)座充接ロ電路不連接座式充電器。Uq3_GS — OV く UQ3—GS(TH)(I)Q3處于關(guān)斷狀態(tài)，此時Uq2 sg計算如下Uq2sg — Iq3—dss*R1(2)Rl的電阻要滿足以下公式(3)，能確保當(dāng)Q3處于關(guān)斷狀態(tài)時，Q2也處于關(guān)斷狀態(tài)；Uq2 sg = IQ3 dss*R1 < Uq2 sg(TH)(3)(2)手機(jī)旅充接ロ電路連接旅行充電器或者電腦USB時，手機(jī)座充接ロ電路不連接座式充電器。當(dāng)手機(jī)旅充接ロ電路連接旅行充電器或者電腦USB時，由于P溝道M0SFETQ2默認(rèn)狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，此時從Q2的源極到漏極之間有一漏電流IQ2 DSS，該電流要流經(jīng)R2和R3，此時Q3上柵極和源極的電壓計算如下Uq3 _GS — Iq2—dss*R3(4)R3的取值要滿足以下公式(5)，就能確保N溝道MOSFET Q3處于關(guān)斷狀態(tài)Ug3_GS — Iq2—DSS*R3 く Uq3JB(TH)(5)Q3處于關(guān)斷狀態(tài)，Q2也就處于關(guān)斷狀態(tài)。此時，座充接ロ電路的正極和負(fù)極的電壓計算如下Udeskchg — (R2+R3) *IQ2—DSS(6)只要R2、R3取值合適，座充接ロ電路處電壓就會接近0V。此時，如果把座充接ロ電路的正極和負(fù)極短接，Uq3 gs電壓為0V, Q2和Q3處于關(guān)斷狀態(tài)，手機(jī)充電接ロ處電源正極向座充接ロ電路的正極的電流為IQ2—DSS(IQ2—DSS通常小于uA);這說明，圖5所示的電路，能實(shí)現(xiàn)防倒灌功能。(3)手機(jī)旅充接ロ電路不連接充電器或者電腦USB，手機(jī)座充接ロ電路連接座式充電器，且座式充電器插反；此時，座充接ロ電路的正極對座充接ロ電路的負(fù)極的電壓為負(fù)值，對應(yīng)N溝道M0SFETQ3的Uq3 gs也為負(fù)值，Q3不導(dǎo)通，Q2也不導(dǎo)通，此時Q2的寄生ニ極管也處于反偏狀態(tài)，座充接ロ電路的負(fù)電壓不會加到充電管理芯片的VCHG上，VCHG的電壓仍為OV ;因此，能實(shí)現(xiàn)防反插功能。(4)手機(jī)旅充接ロ電路不連接充電器或者電腦USB，手機(jī)座充接ロ電路連接座式充電器，且座充接ロ電路的正極和負(fù)極的極性未插反；當(dāng)滿足以下公式(7)時，N溝道MOSFET Q3導(dǎo)通Uqs gs = Udesk chg*R3/ (R2+R3)
〉Uq3—GS(TH)
(7)當(dāng)Q3導(dǎo)通后，Uq2 sg電壓計算如下Uq2 sg — (UDESK—CHG_0. 7)*R1/(R1+RQ3—DS_) (8)在公式(8)中，0. 7為P溝道MOSFET Q2的寄生ニ極管的壓降。當(dāng)UQ2 se滿足公式(9)，P溝道MOSFET Q2就會導(dǎo)通，此時Q2相當(dāng)于ー個阻抗很小的電阻。Uq2 sg — (UDESK—CHG_0. 7)*R1/(R1+RQ3—DS_)〉UQ3—GS(TH)(9)當(dāng)P溝道MOSFET導(dǎo)通時，P溝道MOSFET Q2兩端的壓降計算如下Uq2sg — (UdeskchQ-Ichg^Rq2Ds (on)
)*R1/(RI+Rq3—DS(ON))たUDESK—chg*R1/(RI+Rq3—DS(ON))(10)當(dāng)P溝道MOSFET導(dǎo)通時，用座充充電器的充電電流計算如下Ichg — (UDESK—chg_VBAT) / (RQ2+RQ1+RPCB)= (4. 75-VBAT) / (0. 1+0. 4+0. 2) = (4. 75-VBAT) /0. 7(11)P溝道MOSFET Q2兩端壓降計算如下UQ2—DS — ICHG* Rq2—DS(ON)(12)當(dāng)充電電流為500mA，Q2導(dǎo)通阻抗為0. Iohm時，Q2兩端壓降UQ2 DS只有50mV。假設(shè)要在座充接ロ電路里面采用本實(shí)施方式所提供的方案實(shí)現(xiàn)防反插防倒灌，旅行充電器、電腦USB、座式充電器輸出的最小電壓為4. 75V，按下列步驟將本實(shí)施方式所描述的實(shí)際方案轉(zhuǎn)化為電路。Step I :選擇ー P溝道MOSFET和N溝道MOSFET，P溝道MOSFET的導(dǎo)通阻抗(UQ2 se=4. 5V)的典型值在0. Iohm左右，最大值不超過0. 2ohm ；N溝道MOSFET的導(dǎo)通阻抗(UQ3 es=I. 8V)的最大值不超過IOOohm ；N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的漏電流最大值均小于IuA ；所選取的N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的開啟電壓范圍為0. 4 I. 8V。Step 2 :選擇P溝道MOSFET的偏置電阻Rl，如前所述，P溝道MOSFET的開啟電壓最小值為0. 4V，最大值為I. 8V ；當(dāng)N溝道MOSFET Q2處于關(guān)斷狀態(tài)時，應(yīng)保證P溝道MOSFET也處于關(guān)斷狀態(tài)，需滿足如下條件R1*IQ2 dss < = Rl*luA < 0. 4V(13)[0118]由公式(12)可得，Rl < 400k(14)當(dāng)N溝道MOSFET Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)時，應(yīng)保證P溝道MOSFET Q2也處于導(dǎo)通狀態(tài)，Rl的取值需滿足如下條件Rl* (4. 75-0. 7)/(Rl+RQ2 ds(on)) >= Rl* (4. 75-0. 7)/(Rl+100) > I. 8 (15)有公式(15)，可計算出Rl > 80k(16)因此，Rl的取值范圍為80 < Rl < 400k(17) Step 3 :計算R2和R3的電阻值；當(dāng)手機(jī)充電接ロ連接旅行充電器或者電腦USB時，要保證座充接ロ正極相對座充接ロ負(fù)極小于0. IV，且N溝道MOSFET Q3處于關(guān)斷狀態(tài)，需滿足公式(18)和公式(19)(R2+R3)*IQ2 dss く= (R2+R3)*luA < 0. IV(18)R3*IQ2 DSS < 0. 4V(19)由公式(18)和公式(19)可知R2+R3 <= IOOk(20)當(dāng)手機(jī)座充接ロ連接座式充電器后，手機(jī)座充接ロ電路的正極相對于座充接ロ電路的負(fù)極的電壓為4. 75V，R2和R3滿足下列條件能保證N溝道MOSFET Q2飽和導(dǎo)通R3*4. 75バR2+R3) >= I. 8 (21)由公式(19)可得R3/R2 >=0. 610(22)根據(jù)公式(20)和公式(22)可以選擇R2和R3的阻值?，F(xiàn)有的防反插防倒灌電路主要在充電電路里面加ー肖特基ニ極管，但充電過程中，充電電流在該肖特基ニ極管上會引起比較大的電壓，一般肖特基ニ極管在通過500mA電流時，其壓降在0. 4V左右。本實(shí)施方式的充電保護(hù)電路利用一 N溝道MOSFET和P溝道MOSFET來防止座充電路反插，在充電過程中，P溝道MOSFET Q2的導(dǎo)通壓降比較小。當(dāng)P溝道MOSFET Q2的導(dǎo)通阻抗為0. Iohm時，當(dāng)充電電流為500mA時，P溝道MOSFET Q2上的導(dǎo)通阻抗只有50mV。本實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)防反插電路防倒灌電路，相對于ニ極管而言，導(dǎo)通壓降小，充電速度快，且充電過程中不易發(fā)生充電MOSFET關(guān)斷；根據(jù)公式(I)、公式(2)、公式(11)，可計算出不同電池電壓下三種充電電路的最大充電電流，如表2中三種座充充電電路的最大充電電流計算表權(quán)利要求1.ー種充電電路，其特征在于，包括充電管理電路、旅行充電器充電接ロ電路、座式充電器充電接ロ電路，所述座式充電器充電接ロ電路的正極連接第一場效應(yīng)管的漏極，第一場效應(yīng)管的源極與旅行充電器充電接ロ電路的正極連接，并連接到充電管理電路的充電電壓輸入端，所述充電管理電路的電池電壓輸入端與電池的正極連接，所述第一場效應(yīng)管的柵極、旅行充電器充電接ロ電路的負(fù)極、座式充電器充電接ロ電路的負(fù)極相連，并連接到電池的負(fù)極。
2.如權(quán)利要求I所述的充電電路，其特征在于，在所述第一場效應(yīng)管的漏極和柵極之間還連接有串聯(lián)的ニ極管和第一電阻。
3.如權(quán)利要求2所述的充電電路，其特征在于，在所述第一場效應(yīng)管的漏極與電池負(fù)極之間還連接有串聯(lián)的第二電阻和第三電阻。
4.如權(quán)利要求3所述的充電電路，其特征在于，在所述第一場效應(yīng)管的柵極與電池的負(fù)極之間還連接有第二場效應(yīng)管，所述第一場效應(yīng)管的柵極連接所述第二場效應(yīng)管的漏極，第二場效應(yīng)管的源極與電池的負(fù)極連接，第二場效應(yīng)管的柵極與第二電阻和第三電阻的連接點(diǎn)相連接。
5.如權(quán)利要求4所述的充電電路，其特征在于，在所述第二場效應(yīng)管的柵極與第二電阻和第三電阻的連接點(diǎn)之間還連接有第四電阻。
6.如權(quán)利要求5所述的充電電路，其特征在于，在所述第四電阻與第二場效應(yīng)管的柵極的連接點(diǎn)與電池的負(fù)極之間還連接有電容。
7.如權(quán)利要求4所述的充電電路，其特征在于，所述第一場效應(yīng)管為P溝道場效應(yīng)管，所述第二場效應(yīng)管為N溝道場效應(yīng)管。
8.如權(quán)利要求2所述的充電電路，其特征在于，所述第一電阻的阻值大于80千歐小于400千歐。
9.如權(quán)利要求3所述的充電電路，其特征在于，所述第二電阻和第三電阻的和小于等于100千歐，第三電阻比第二電阻的值大于等于0. 61。
10.ー種終端設(shè)備，其特征在于，包括充電電路，所述充電電路包括充電管理電路、旅行充電器充電接ロ電路、座式充電器充電接ロ電路，所述座式充電器充電接ロ電路的正極連接第一場效應(yīng)管的漏極，第一場效應(yīng)管的源極與旅行充電器充電接ロ電路的正極連接，并連接到充電管理電路的充電電壓輸入端，所述充電管理電路的電池電壓輸入端與電池的正極連接，所述第一場效應(yīng)管的柵極、旅行充電器充電接ロ電路的負(fù)極、座式充電器充電接ロ電路的負(fù)極相連，并連接到電池的負(fù)極。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種充電電路及終端設(shè)備，包括充電管理電路、旅行充電器充電接口電路、座式充電器充電接口電路，座式充電器充電接口電路的正極連接第一場效應(yīng)管的漏極，第一場效應(yīng)管的源極與旅行充電器充電接口電路的正極連接，并連接到充電管理電路的充電電壓輸入端，充電管理電路的電池電壓輸入端與電池的正極連接，第一場效應(yīng)管的柵極、旅行充電器充電接口電路的負(fù)極、座式充電器充電接口電路的負(fù)極相連，并連接到電池的負(fù)極。本實(shí)用新型的充電電路，相對于采用二極管而言，導(dǎo)通壓降小，充電速度快，且充電過程中不易發(fā)生充電MOSFET關(guān)斷，能夠保證在不同電池電壓下充電電路的充電電流最大。
文檔編號H02J7/00GK202759260SQ201220318378
公開日2013年2月27日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者趙戰(zhàn)克, 劉世偉, 曲廷, 喻俊峰, 張紅, 寧金星 申請人:中興通訊股份有限公司