專利名稱：過壓保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種過壓保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
便攜式電子產(chǎn)品所需要的電壓一般比較低，一般情況下為1.5V、2. 5V、3. 3V或5V電壓。在電路中，由于電路信號(hào)受到干擾、短路或供電電壓不穩(wěn)定等因素，可能會(huì)造成電壓突然升高的情況，過高的電壓會(huì)影響電路的性能，還有燒壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。過壓保護(hù)電路是解決過壓的問題的必要電路，現(xiàn)有技術(shù)的電路的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，所需器件和節(jié)點(diǎn)較多，器件多造成成本和功耗較高，節(jié)點(diǎn)較多造成壞點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)大?！?br/>實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于針對(duì)上述存在的問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、節(jié)點(diǎn)少的過壓保護(hù)電路。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是這樣的一種過壓保護(hù)電路，包括電壓輸入端和電壓輸出端，在電壓輸入端和電壓輸出端之間串接一第一電阻，還包括與所述第一電阻并聯(lián)一調(diào)壓電路，所述調(diào)壓電路包括第一 NPN雙極型三極管、第二 NPN雙極型晶體管、第三NPN雙極型晶體管、第一 PNP雙極型晶體管、第二 PNP雙極型晶體管、第三PNP雙極型晶體管、第二電阻、第三電阻、第一雪崩二極管或第一齊納二極管、第二雪崩二極管或第二齊納二極管。所述第二電阻串接于第一 NPN雙極型晶體管的源極和基極之間；所述第三電阻串接于第一 PNP雙極型晶體管的源極和基極之間；所述電壓輸入端連接至第三NPN雙極型晶體管的源極、第二 PNP雙極型晶體管的集電極、第一雪崩二極管或第一齊納二極管的正極端、第一 NPN雙極型三極管的基極、第三PNP雙極型晶體管的集電極、第二 NPN雙極型晶體管的集電極、第二雪崩二極管或第二齊納二極管的負(fù)極端和第一 PNP雙極型晶體管的基極；電壓輸出端連接至第三NPN雙極型晶體管的基極、第三PNP雙極型晶體管的基極、第一NPN雙極型晶體管的源極和第一 PNP雙極型晶體管的源極；第一雪崩二極管或第一齊納二極管的負(fù)極端連接至第一 NPN雙極型晶體管的集電極和第二 PNP雙極型晶體管的基極；第二雪崩二極管或第二齊納二極管的正極端連接至第一 PNP雙極型晶體管的集電極和第二NPN雙極型晶體管的基極；第三PNP雙極型晶體管的集電極、第三NPN雙極型晶體管的集電極、第二 NPN雙極型晶體管的源極和第二 PNP雙極型晶體管的源極均接地。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所需器件和節(jié)點(diǎn)較少，減小成本和功耗，以及減少壞點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

圖I是本實(shí)用新型過壓保護(hù)電路的電路原理圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖I所示，是本實(shí)用新型過壓保護(hù)電路的電路原理圖。本實(shí)用新型的一種過壓保護(hù)電路，包括電壓輸入端VIN和電壓輸出端V0UT，在電·壓輸入端VIN和電壓輸出端VOUT之間串接一第一電阻R1，還包括與所述第一電阻Rl并聯(lián)一調(diào)壓電路，所述調(diào)壓電路包括第一 NPN雙極型三極管NI、第二 NPN雙極型晶體管N2、第三NPN雙極型晶體管N3、第一 PNP雙極型晶體管P1、第二 PNP雙極型晶體管P2、第三PNP雙極型晶體管P1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一雪崩二極管或第一齊納二極管D1、第二雪崩二極管或第二齊納二極管D2。
以下結(jié)合附圖I對(duì)本實(shí)用新型上述電子元器件間的連接關(guān)系做詳細(xì)的說明所述第二電阻R2串接于第一 NPN雙極型晶體管NI的源極和基極之間；所述第三電阻R3串接于第一 PNP雙極型晶體管Pl的源極和基極之間；所述電壓輸入端VIN連接至第三NPN雙極型晶體管N3的源極、第二 PNP雙極型晶體管P2的集電極、第一雪崩二極管或第一齊納二極管Dl的正極端、第一 NPN雙極型三極管NI的基極、第三PNP雙極型晶體管P3的集電極、第二NPN雙極型晶體管N2的集電極、第二雪崩二極管或第二齊納二極管D2的負(fù)極端和第一 PNP雙極型晶體管Pl的基極；電壓輸出端VOUT連接至第三NPN雙極型晶體管N3的基極、第三PNP雙極型晶體管P3的基極、第一 NPN雙極型晶體管NI的源極和第一 PNP雙極型晶體管Pl的源極；第一雪崩二極管或第一齊納二極管Dl的負(fù)極端連接至第一 NPN雙極型晶體管NI的集電極和第二 PNP雙極型晶體管P2的基極；第二雪崩二極管或第二齊納二極管D2的正極端連接至第一 PNP雙極型晶體管Pl的集電極和第二 NPN雙極型晶體管N2的基極；第
三PNP雙極型晶體管P3的集電極、第三NPN雙極型晶體管N3的集電極、第二 NPN雙極型晶體管N2的源極和第二 PNP雙極型晶體管P2的源極均接地。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種過壓保護(hù)電路，包括電壓輸入端(VIN)和電壓輸出端(VOUT)，在電壓輸入端(VIN)和電壓輸出端(VOUT)之間串接一第一電阻(Rl )，其特征在于，還包括與所述第一電阻(Rl)并聯(lián)一調(diào)壓電路，所述調(diào)壓電路包括第一 NPN雙極型三極管(NI )、第二 NPN雙極型晶體管(Ν2 )、第三NPN雙極型晶體管(Ν3 )、第一 PNP雙極型晶體管(PI)、第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)、第三PNP雙極型晶體管(Ρ1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第一雪崩二極管或第一齊納二極管(D1)、第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2); 所述第二電阻(R2)串接于第一 NPN雙極型晶體管(NI)的源極和基極之間；所述第三電阻(R3)串接于第一 PNP雙極型晶體管(Pl)的源極和基極之間；所述電壓輸入端(VIN)連接至第三NPN雙極型晶體管(Ν3)的源極、第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)的集電極、第一雪崩二極管或第一齊納二極管(Dl)的正極端、第一 NPN雙極型三極管(NI)的基極、第三PNP雙極型晶體管(Ρ3)的集電極、第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)的集電極、第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2)的負(fù)極端和第一 PNP雙極型晶體管(Pl)的基極；電壓輸出端(VOUT)連接至第三NPN雙極型晶體管(Ν3)的基極、第三PNP雙極型晶體管(Ρ3)的基極、第一 NPN雙極型晶體管(NI)的源極和第一 PNP雙極型晶體管(Pl)的源極；第一雪崩二極管或第一齊納二極管(Dl)的負(fù)極端連接至第一 NPN雙極型晶體管(NI)的集電極和第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)的基極；第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2)的正極端連接至第一 PNP雙極型晶體管(Pl)的集電極和第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)的基極；第三PNP雙極型晶體管(Ρ3)的集電極、第三NPN雙極型晶體管(Ν3)的集電極、第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)的源極和第二PNP雙極型晶體管(Ρ2)的源極均接地。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種過壓保護(hù)電路。該電路包括電壓輸入端和電壓輸出端，在電壓輸入端和電壓輸出端之間串接一第一電阻(R1)，還包括與所述第一電阻(R1)并聯(lián)一調(diào)壓電路，所述調(diào)壓電路包括第一NPN雙極型三極管(N1)、第二NPN雙極型晶體管(N2)、第三NPN雙極型晶體管(N3)、第一PNP雙極型晶體管(P1)、第二PNP雙極型晶體管(P2)、第三PNP雙極型晶體管(P1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第一雪崩二極管或第一齊納二極管(D1)、第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2)。本實(shí)用新型的有益效果是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所需器件和節(jié)點(diǎn)較少，減小成本和功耗，減少壞點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)H02H9/04GK202797956SQ20122050004
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者周曉東, 桑園, 余力 申請(qǐng)人:鄭州單點(diǎn)科技軟件有限公司