專利名稱：一種可控硅復(fù)合開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種可控硅復(fù)合開關(guān)，它是用于控制電容器投切的器件，是電網(wǎng)無功補(bǔ)償裝置的重要組成部分，而投切開關(guān)元件性能的好壞對無功補(bǔ)償裝置的可靠性起著非常重要的作用。
背景技術(shù)：
在電網(wǎng)改造的實(shí)施過程中，往往需要增加并聯(lián)電容器無功補(bǔ)償裝置，對提高供電電壓質(zhì)量，挖掘供電設(shè)備的潛力，降低線損及節(jié)能均起到積極的作用。早期無功補(bǔ)償裝置大都采用交流接觸器、可控硅電子開關(guān)等投切方式，交流接觸器在電容器投入和切除時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的涌流和過壓，暫態(tài)的高壓和投切沖擊電流會(huì)導(dǎo)致電容器絕緣擊穿、接觸器觸頭燒損；而可控硅電子開關(guān)雖然解決了電容器投切過程中的涌流、過壓、分?jǐn)嚯娀〉葐栴}，但其散熱難，需外加輔助散熱器件多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高，占用空間大，兩種方式補(bǔ)償效果和使用壽命上都不夠理想。近年來，電力電子技術(shù)和可控硅技術(shù)的不斷發(fā)展，在無功補(bǔ)償裝置中衍生出一種新型裝置——復(fù)合開關(guān)?，F(xiàn)有的復(fù)合開關(guān)結(jié)構(gòu)是將可控硅與繼電器并接，如圖5所示。目前普遍認(rèn)為的實(shí)現(xiàn)方法是:投入時(shí)，在電壓過零瞬間過零觸發(fā)與繼電器或接觸器并聯(lián)的可控硅，穩(wěn)定后再將繼電器或接觸器吸合導(dǎo)通；而切出時(shí)，先將可控硅導(dǎo)通，然后在將繼電器或接觸器觸點(diǎn)斷開，避免繼電器或接觸器斷開時(shí)產(chǎn)生電弧，最后在電流過零點(diǎn)處可控硅關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)電流過零切斷。本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員可知，要使可控硅導(dǎo)通(以單向可控硅為例)，需要兩個(gè)必要條件:一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓(俗稱有個(gè)觸發(fā)控制信號(hào))。換句話說，不論是單向可控硅導(dǎo)通，還是雙向可控硅導(dǎo)通，必須要滿足可控硅兩端有滿足導(dǎo)通的壓降和觸發(fā)極有觸發(fā)信號(hào)兩個(gè)條件，才能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通的目的。現(xiàn)有復(fù)合開關(guān)的切斷過程，是繼電器或接觸器K分?jǐn)鄷r(shí)，認(rèn)為此時(shí)可控硅已是導(dǎo)通狀態(tài)，所以繼電器或接觸器在K分?jǐn)鄷r(shí)不產(chǎn)生電弧。而事實(shí)是，在繼電器K觸點(diǎn)分?jǐn)嗲暗拈]合狀態(tài)，觸點(diǎn)兩端不形成電壓，也就是，可控硅的陽極A與陰極K之間并沒有形成正向電壓，雖然有觸發(fā)信號(hào)，但是可控硅并不能導(dǎo)通。這樣繼電器K的觸點(diǎn)在分?jǐn)鄷r(shí)要切斷工作電流，這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生大量的電弧，特別是在復(fù)合開關(guān)中對繼電器的容量選擇，一般是以滿足正常工作電流為準(zhǔn)，并未完全考慮到投入和切斷主電路工作電流所需的容量，所以，切斷時(shí)繼電器觸點(diǎn)產(chǎn)生的大量電弧容易使現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的復(fù)合開關(guān)的繼電器觸頭損壞，造成復(fù)合開關(guān)工作的可靠性差，嚴(yán)重影響供電的質(zhì)量和可靠性?，F(xiàn)有大部分專利僅僅描述了復(fù)合開關(guān)切除階段的工作過程，通過以下專利加以說明。如專利號(hào)“ZL200620098117.9”，名稱為“動(dòng)態(tài)無功功率補(bǔ)償裝置”的實(shí)用新型專利，該補(bǔ)償裝置的補(bǔ)償電路中采用了其延時(shí)時(shí)間〈5秒的快速復(fù)合繼電器，當(dāng)可控硅導(dǎo)通時(shí)，其繼電器常開觸點(diǎn)也閉合，閉合時(shí)的觸點(diǎn)電阻很小，可通過大部分電流，在通過可控硅的電流幾乎等于零。這樣，在導(dǎo)電過程中，可控硅上無壓降和無發(fā)熱，而且消除了諧波，從而使補(bǔ)償裝置在動(dòng)態(tài)狀態(tài)下能可靠地運(yùn)行。該專利具體描述了在導(dǎo)電過程中，可控硅只有觸發(fā)信號(hào)，但是并無壓降，沒有滿足可控硅的導(dǎo)通條件，即可控硅的陽極A與陰極K之間沒有壓降，因此，該種結(jié)構(gòu)的補(bǔ)償裝置在動(dòng)態(tài)狀態(tài)下并不能可靠地運(yùn)行。如專利號(hào)是“201220121016.4”，名稱為“一種過零投切的接觸器復(fù)合開關(guān)”:切除時(shí)檢測電路檢測到控制信號(hào)撤除，儲(chǔ)能電容延時(shí)電路仍能繼續(xù)提供必要的供電，邏輯控制欲隔離驅(qū)動(dòng)電路使能可控硅，然后使繼電器斷開接觸器線圈，接觸器機(jī)械觸點(diǎn)分?jǐn)嗖⑶袚Q為可控硅導(dǎo)通一段時(shí)間后，可控硅電流為零關(guān)斷。專利號(hào)“201220016674.7”，名稱為“分補(bǔ)復(fù)合開關(guān)”:切除時(shí)，可控硅先導(dǎo)通，然后繼電器的觸頭分開，電流流過可控硅，經(jīng)過50毫秒后，可控硅關(guān)斷，電流截止，完成切除動(dòng)作。如專利號(hào)“200810050960.3”，名稱為“智能編組復(fù)合開關(guān)”:切除單相電容器時(shí)，單片機(jī)根據(jù)接收到的命令，先發(fā)出交流電子開關(guān)的觸發(fā)導(dǎo)通命令，交流電子開關(guān)便在電壓過零時(shí)自動(dòng)導(dǎo)通。專利號(hào)“200820216223.1”，名稱為“一種動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償?shù)闹悄軓?fù)合開關(guān)”認(rèn)為:切出操作時(shí)，只需先給出可控硅程序發(fā)出觸發(fā)信號(hào)，再發(fā)出繼電器斷開的信號(hào)，延遲數(shù)十毫秒后撤掉可控硅觸發(fā)信號(hào)，利用可控硅自身特性在電流過零時(shí)自行切斷。專利號(hào)“201110032781.9”，名稱為“一種智能復(fù)合型集成開關(guān)”:當(dāng)控制器單元3接收到某一相要切斷補(bǔ)償電容器的指令時(shí)，啟動(dòng)雙向可控硅驅(qū)動(dòng)觸發(fā)電路，使雙向可控硅導(dǎo)通并入磁保持開關(guān)上，然后再指示開關(guān)驅(qū)動(dòng)觸發(fā)電路輸出脈沖負(fù)電壓，使開關(guān)觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換為常開狀態(tài)，最后，控制器單元指示雙向可控硅驅(qū)動(dòng)觸發(fā)電路自動(dòng)尋找過零點(diǎn)關(guān)閉雙向可控硅，切斷補(bǔ)充電容器。專利號(hào)“201020652595.6”，名稱為“動(dòng)態(tài)復(fù)合開關(guān)”:當(dāng)自動(dòng)無功補(bǔ)償控制器要撤出某一電路電容器時(shí)，給復(fù)合開關(guān)發(fā)出撤出信號(hào)，主控制芯片接收撤除信號(hào)，即命令可控硅元件導(dǎo)通，延時(shí)少于I秒后使磁保持繼電器失電，磁保持繼電器主觸點(diǎn)與補(bǔ)償電容器斷開后，補(bǔ)償電容器還通過可控硅元件繼續(xù)工作。延時(shí)少于I秒后，主控制芯片輸出為0，光耦觸發(fā)器截止，可控硅元件將在電流過零處于電容器斷開，補(bǔ)償電容器無涌流退出運(yùn)行。專利號(hào)“201120498683.X”，名稱為“一種復(fù)合開關(guān)”:當(dāng)開關(guān)電路接到主控電路發(fā)出的分閘信號(hào)時(shí)，先有大電流使雙向可控娃導(dǎo)通，然后繼電器斷開，雙向可控娃從滿負(fù)載電流到零截止，事實(shí)上，在繼電器斷開前，雙向可控硅并未導(dǎo)通。又如專利號(hào)“ZL201220121016”，名稱為一種過零投切的接觸器復(fù)合開關(guān)的實(shí)用新型專利中，認(rèn)識(shí)到目前接觸器類復(fù)合開關(guān)不能在電流過零時(shí)分?jǐn)嗟娜毕?，因此，在現(xiàn)有復(fù)合開關(guān)具備零電壓投入功能的基礎(chǔ)上，對控制信號(hào)進(jìn)行監(jiān)測，當(dāng)檢測到控制信號(hào)撤除時(shí)仍保證控制電路的供電，并再次接通并聯(lián)的可控硅，等接觸器觸點(diǎn)完全分?jǐn)嗪?，再使可控硅零電流關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)了電壓過零接通和電流過零分?jǐn)嚯娏﹄娙萜鞯墓δ?，事?shí)是:在這種工作狀態(tài)下，接觸器觸點(diǎn)斷開時(shí)，可控硅并未導(dǎo)通。所以接觸器觸點(diǎn)在這種狀態(tài)下形成電弧是必然，也就必然會(huì)影響復(fù)合開關(guān)的可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是:提供一種在電流過零可控硅導(dǎo)通，使復(fù)合開關(guān)切出過程更可靠的可控硅復(fù)合開關(guān)，可以提高復(fù)合開關(guān)工作效率和使用壽命，供電質(zhì)量高，可運(yùn)用于頻繁投切，要求響應(yīng)速度和投切精度很大的場合，克服已有技術(shù)的不足。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的第一種技術(shù)方案是:一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，且雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端相并聯(lián)，而其:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端。在上述第一個(gè)技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。在上述第一個(gè)技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的第二種技術(shù)方案是:一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，而其:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路與雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2相并聯(lián)；d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。在上述第二個(gè)技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。在上述第二個(gè)技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的第三種技術(shù)方案是:一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端相并聯(lián)，而其:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ；b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端。在上述第三個(gè)技術(shù)方案中，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當(dāng)然，本實(shí)用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的第四種技術(shù)方案是:一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，其特征在于:a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ；[0031]b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)Κ2-1與電阻R串聯(lián)；C、由第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端與由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端Α2相并聯(lián)；d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。在上述第四個(gè)技術(shù)方案，所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當(dāng)然，本實(shí)用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。本實(shí)用新型所具有的積極效果是:采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型在投入時(shí)由雙向可控娃SCR先導(dǎo)通(電壓過零導(dǎo)通),后閉合第一、第二電磁開關(guān)K1、K2 ;在切出時(shí),先分?jǐn)嗟谝浑姶砰_關(guān)Κ1，電流通過第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即雙向可控硅的兩個(gè)主端子之間有壓降，觸發(fā)雙向可控硅SCR (過零時(shí)觸發(fā))，雙向可控硅SCR導(dǎo)通，此時(shí)工作電流分別通過雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，但流經(jīng)雙向可控硅SCR的電流遠(yuǎn)大于流經(jīng)第一電磁開關(guān)Kl的電流，將第一電磁開關(guān)Kl分?jǐn)?，雙向可控硅SCR延時(shí)過零關(guān)斷。整個(gè)切出過程中，第一電磁開關(guān)Kl分?jǐn)鄷r(shí)不承受電流，第二電磁開關(guān)Κ2分?jǐn)鄷r(shí)只承擔(dān)很小的電流，也就是說通過對第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)Κ2的控制，實(shí)現(xiàn)電磁開關(guān)在分?jǐn)嘀麟娐冯娏髑按_?？煽毓柘葘?dǎo)通，然后分?jǐn)嘀麟娐返碾姶砰_關(guān)觸點(diǎn)，使主電路觸點(diǎn)在微小電流分?jǐn)?，最后控制可控硅在電流過零點(diǎn)關(guān)斷。當(dāng)然，雙向可控硅SCR也可以替換成由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路，所產(chǎn)生的積極效果與雙向可控硅相同。本實(shí)用新型使得主電路在切出前能使可控硅真正實(shí)現(xiàn)過零導(dǎo)通，并在可控硅導(dǎo)通的狀態(tài)下，分?jǐn)嘀麟娐返碾姶砰_關(guān)觸點(diǎn)，從而徹底克服了現(xiàn)有技術(shù)在電磁開關(guān)分?jǐn)鄷r(shí)其觸點(diǎn)產(chǎn)生大量電弧的缺陷，解決了行業(yè)現(xiàn)有技術(shù)中電磁開關(guān)切斷主電路電流時(shí)，電磁開關(guān)觸點(diǎn)產(chǎn)生大量電弧而導(dǎo)致復(fù)合開關(guān)工作不可靠的問題，解決了行業(yè)中目前普遍存在的認(rèn)識(shí)誤區(qū)，大大提高了復(fù)合開關(guān)工作的可靠性和實(shí)用性、延長了復(fù)合開關(guān)的壽命，為電容器無功補(bǔ)償?shù)耐肚泻椭悄茈娋W(wǎng)的建設(shè)起積極作用。

圖1為本實(shí)用新型第一種具體實(shí)施的電路原理示意圖；圖2為本實(shí)用新型第二種具體實(shí)施的電路原理示意圖；圖3為本實(shí)用新型第三種具體實(shí)施的電路原理示意圖；圖4為本實(shí)用新型第四種具體實(shí)施的電路原理示意圖；圖5為現(xiàn)有的復(fù)合開關(guān)的電路原理示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。實(shí)施例1如圖1所示，一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Κ1，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子Τ2，且雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子Τ2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端相并聯(lián)，還包括第二電磁開關(guān)Κ2和電阻R ;第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)K1-1的兩端。本實(shí)用新型的所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當(dāng)然，本實(shí)用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實(shí)施例1使用時(shí)，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2均選用磁保持繼電器為例。雙向可控娃SCR的控制端G與可控娃驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)信號(hào)控制端電連接,第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器K2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接，雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2分別與無功補(bǔ)償電路或者電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接。實(shí)施例1的工作過程:在投入時(shí)由雙向可控硅SCR先導(dǎo)通(電壓過零導(dǎo)通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器K1、K2 (當(dāng)然，也可以僅僅閉合第一磁保持繼電器Kl);在切出時(shí)，分?jǐn)嗟谝淮疟３掷^電器Kl,(若投入時(shí)僅僅閉合第一磁保持繼電器Kl,則切出時(shí)先閉合第二磁保持繼電器K2，再分?jǐn)嗟谝淮疟３掷^電器K1，)電流通過第二磁保持繼電器K2的常開觸點(diǎn)K2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2之間有壓降，此時(shí)，觸發(fā)雙向可控硅SCR導(dǎo)通(過零時(shí)觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)雙向可控硅，再分?jǐn)嗟诙疟３掷^電器K2，最后雙向可控硅SCR斷開。實(shí)施例2如圖2所示，一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)K1，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路與雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2相并聯(lián)；第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。本實(shí)用新型的所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。 當(dāng)然，本實(shí)用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實(shí)施例2使用時(shí)，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2均選用磁保持繼電器為例。雙向可控娃SCR的控制端G與可控娃驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)信號(hào)控制端電連接,第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器K2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接，雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2分別與無功補(bǔ)償電路或者電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接。實(shí)施例2的工作過程:在投入時(shí)由雙向可控硅SCR先導(dǎo)通(電壓過零導(dǎo)通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器K1、K2 ;在切出時(shí)，分?jǐn)嗟谝淮疟３掷^電器K1，電流通過第二磁保持繼電器K2的常開觸點(diǎn)K2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2之間有壓降，此時(shí)，觸發(fā)雙向可控硅SCR導(dǎo)通(過零時(shí)觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)雙向可控硅，再分?jǐn)嗟诙疟３掷^電器K2，最后雙向可控硅SCR斷開。本實(shí)用新型的實(shí)施例1和實(shí)施例2若是要用于高壓場合，可以將本實(shí)用新型的單個(gè)雙向可控硅替換成多個(gè)雙向可控硅串聯(lián)構(gòu)成的電路。實(shí)施例3如圖3所示，一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端相并聯(lián)，還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R ;第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端。本實(shí)用新型的所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。當(dāng)然，本實(shí)用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實(shí)施例3使用時(shí)，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2均選用磁保持繼電器為例。兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2分別具有的控制端Gl和控制端G2分別與可控硅驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的觸發(fā)信號(hào)控制端電連接，兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2的陰極和陽極分別與可控硅驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的輸入端電連接，第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器K2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接，兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2分別與無功補(bǔ)償電路或者電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接。實(shí)施例3的工作過程:在投入時(shí)由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路先導(dǎo)通(電壓過零導(dǎo)通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器K1、K2;在切出時(shí)，分?jǐn)嗟谝淮疟３掷^電器Κ1，電流通過第二磁保持繼電器Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路的第一接線端Al和第二接線端Α2之間有壓降，此時(shí)，觸發(fā)可控硅電路導(dǎo)通(過零時(shí)觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)可控硅電路，再分?jǐn)嗟诙疟３掷^電器Κ2，最后可控硅電路斷開。實(shí)施例4如圖4所示，一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端Α2，還包括第二電磁開關(guān)Κ2和電阻R ;第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)Κ2的常開觸點(diǎn)Κ2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端與由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端Α2相并聯(lián)；第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。本實(shí)用新型所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)Κ2為繼電器或接觸器。當(dāng)然，本實(shí)用新型優(yōu)先選用磁保持繼電器。實(shí)施例4使用時(shí)，以下以第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)Κ2均選用磁保持繼電器為例。兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2分別具有的控制端Gl和控制端G2分別與可控硅驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的觸發(fā)信號(hào)控制端電連接，兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2的陰極和陽極分別與可控硅驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的輸入端電連接，第一磁保持繼電器Kl的線圈和第二磁保持繼電器Κ2的線圈分別與磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接，兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端Α2分別與無功補(bǔ)償電路或者電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路相應(yīng)的連接端電連接。實(shí)施例4的工作過程:在投入時(shí)由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路先導(dǎo)通(電壓過零導(dǎo)通)，后閉合第一、第二磁保持繼電器Κ1、Κ2;在切出時(shí)，分?jǐn)嗟谝淮疟３掷^電器K1，電流通過第二磁保持繼電器K2的常開觸點(diǎn)K2-1和電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路形成電壓降，即由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路的第一接線端Al和第二接線端A2之間有壓降，此時(shí)，觸發(fā)可控硅電路導(dǎo)通(過零時(shí)觸發(fā))，工作電流絕大部分流經(jīng)可控硅電路，再分?jǐn)嗟诙疟３掷^電器K2，最后可控硅電路斷開。本實(shí)用新型的實(shí)施例3和實(shí)施例4若是要用于高壓場合，可以將本實(shí)用新型的兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路替換成多組兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)構(gòu)成的可控硅電路的串聯(lián)電路。本實(shí)用新型可應(yīng)用于電容補(bǔ)償領(lǐng)域，以及需要控制電路通斷的場合。由此可知，本實(shí)用新型在切出時(shí)，可控硅SCR導(dǎo)通時(shí)滿足了兩端有壓降和觸發(fā)信號(hào)兩個(gè)必要條件，電磁開關(guān)觸頭也不易損壞，大大提高了復(fù)合開關(guān)工作的可靠性和工作效率、延長了工作壽命，供電質(zhì)量高，可運(yùn)用于頻繁投切，要求響應(yīng)速度和投切精度很大的場
口 ο以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是并不局限于此，應(yīng)當(dāng)指出:對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，且雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端相并聯(lián)，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R； b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)； C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅復(fù)合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可控硅復(fù)合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。
4.一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)Kl，所述雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子Tl和第二主端子T2，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R； b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)； c、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路與雙向可控硅SCR的第一主端子Tl和第二主端子T2相并聯(lián)； d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可控硅復(fù)合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的可控硅復(fù)合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為磁保持繼電器。
7.—種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2與第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端相并聯(lián)，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R; b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)； C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可控硅復(fù)合開關(guān)，其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
9.一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2，以及第一電磁開關(guān)Kl，所述兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2分別具有控制端Gl和控制端G2，且兩個(gè)單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)并形成第一接線端Al和第二接線端A2，其特征在于: a、還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R; b、第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)； C、由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端與由兩個(gè)單向可控硅SCR1、SCR2反向并聯(lián)并形成的第一接線端Al和第二接線端A2相并聯(lián)； d、第一電磁開關(guān)Kl的常開觸點(diǎn)Kl-1的兩端并聯(lián)在電阻R的兩端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可控硅復(fù)合開關(guān)， 其特征在于:所述第一電磁開關(guān)Kl和第二電磁開關(guān)K2為繼電器或接觸器。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種可控硅復(fù)合開關(guān)，包括雙向可控硅SCR和第一電磁開關(guān)K1，雙向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且雙向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2與第一電磁開關(guān)K1的常開觸點(diǎn)K1-1的兩端相并聯(lián)，而其還包括第二電磁開關(guān)K2和電阻R；第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R串聯(lián)；由第二電磁開關(guān)K2的常開觸點(diǎn)K2-1與電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路的兩端并聯(lián)在第一電磁開關(guān)K1的常開觸點(diǎn)K1-1的兩端。本實(shí)用新型具有在電流過零可控硅導(dǎo)通，且切出過程更可靠等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02J3/18GK202949230SQ201220631629
公開日2013年5月22日 申請日期2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月27日
發(fā)明者顧金華 申請人:常州市宏大電氣有限公司