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      Igbt變流器及其構(gòu)成的靜止無功發(fā)生器的制造方法

      文檔序號(hào):7357947閱讀:161來源:國(guó)知局
      Igbt變流器及其構(gòu)成的靜止無功發(fā)生器的制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種IGBT變流器,包括:串聯(lián)的第一電容和第二電容;由四個(gè)IGBT和兩個(gè)二極管組成的第一~第三橋臂電路;第一橋臂電路其一端作為第一電流輸出端,其另一端接第一電容和第二電容的均壓點(diǎn);第二橋臂電路其一端作為第二電流輸出端,其另一端接所述均壓點(diǎn);第三橋臂電路,其一端作為第三電流輸出端另一端接所述均壓點(diǎn)。本發(fā)明還公開了一種具有所述IGBT變流器靜止無功發(fā)生器。本發(fā)明的IGBT變流器采用三電平結(jié)構(gòu),控制方式靈活,輸出電流諧波含量低,效率高。本發(fā)明靜止無功發(fā)生器采用全數(shù)字控制技術(shù)不易產(chǎn)生諧振并且電感量遠(yuǎn)小于現(xiàn)有靜止無功補(bǔ)償器。
      【專利說明】IGBT變流器及其構(gòu)成的靜止無功發(fā)生器
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及電力設(shè)備制造領(lǐng)域,特別是涉及一種PWM (脈沖寬度調(diào)試)變流器;本發(fā)明還涉及一種具有所述IGBT變流器靜止無功發(fā)生器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]伴隨交流電力系統(tǒng)容量的擴(kuò)大,電壓等級(jí)的提高和輸電距離的增加,我國(guó)無功補(bǔ)償技術(shù)和配套設(shè)備也得到了快速的發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)上應(yīng)用最多是并聯(lián)型無功補(bǔ)償設(shè)備,約占市場(chǎng)份額的90%以上。無功補(bǔ)償裝置主要可分為為傳統(tǒng)無功補(bǔ)償(調(diào)相機(jī)、機(jī)械投切電容器MSC等)、靜止無功補(bǔ)償器(SVC)和靜止無功發(fā)生器(SVG)。
      [0003]機(jī)械開關(guān)投切電容器組(MSC)和調(diào)相機(jī)等是第一代無功補(bǔ)償產(chǎn)品,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低廉等特點(diǎn),但由于運(yùn)行噪音大,響應(yīng)時(shí)間極慢,靈活性太差,目前基本已經(jīng)淘汰。
      [0004]靜止無功補(bǔ)償器(SVC)主要分為晶閘管控制電抗器TCR型、磁控電抗器MCR型和晶閘管投切電容器TSC型,具有響應(yīng)較快速,控制較靈活,價(jià)格適中等特點(diǎn),是目前應(yīng)用最廣泛的無功補(bǔ)償裝置。但SVC也存在不少缺點(diǎn):當(dāng)電壓水平過于低下,急需無功補(bǔ)償時(shí),補(bǔ)償器的輸出反而會(huì)減少,致使補(bǔ)償效果產(chǎn)生較大的影響。其次工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的諧波,對(duì)電力系統(tǒng)造成污染。另外,由于開關(guān)器件的不可控,其調(diào)節(jié)質(zhì)量相對(duì)減弱,動(dòng)態(tài)性能難以提聞。
      [0005]靜止無功發(fā)生器(SVG)在其直流側(cè)只需較小容量的電容器維持其電壓即可,通過不同控制可使其發(fā)出無功功率也可吸收無功功率,在構(gòu)成原理、響應(yīng)速度、補(bǔ)償特性、雙向調(diào)節(jié)以及占地面積上均比SVC優(yōu)越。
      [0006]在科技、經(jīng)濟(jì)飛速發(fā)展的今天,社會(huì)各方對(duì)供電質(zhì)量提出了越來越高的要求,除了要求供電可靠連續(xù)外,還希望供電電壓、頻率穩(wěn)定,波形良好。特別是伴隨電信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,如電子計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、自動(dòng)生產(chǎn)線等復(fù)雜精密設(shè)備對(duì)供電質(zhì)量的要求就更為嚴(yán)格,對(duì)電源波動(dòng)和各種干擾比以往的機(jī)電設(shè)備也更加敏感,任何供電質(zhì)量的惡化都可能造成產(chǎn)品的質(zhì)量下降甚至損毀,嚴(yán)重影響人們正常的生產(chǎn)、生活。
      [0007]然而,在現(xiàn)代電網(wǎng)中,電動(dòng)機(jī)、工頻爐、熒光燈等感性負(fù)載占據(jù)相當(dāng)大比重,它們?cè)谙挠泄β实耐瑫r(shí),還需要吸收大量的無功功率。此外,近年來電力系統(tǒng)中非線性用電設(shè)備,特別是電力電子裝置(如:相控整流器、變頻調(diào)速裝置)的迅速增多和應(yīng)用日益廣泛,這一方面使得電能得到更加充分的利用,另一方面又使大量的無功電流注入電網(wǎng)。公用電網(wǎng)中出現(xiàn)的這些無功功率,將導(dǎo)致設(shè)備及線路損耗增加,引起電壓閃變、頻率變化和三相不平衡,致使電網(wǎng)的電能質(zhì)量嚴(yán)重惡化,影響輸電效率和設(shè)備壽命,同時(shí)也會(huì)影響供電企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益,嚴(yán)重時(shí)甚至危及到電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行。因此,為了有效改善電能質(zhì)量,保證電網(wǎng)的安全、穩(wěn)定以及經(jīng)濟(jì)運(yùn)行,必須對(duì)無功功率進(jìn)行控制與補(bǔ)償。這樣一來,研究和發(fā)展無功補(bǔ)償技術(shù),如何更好、更有效、更優(yōu)化的對(duì)無功功率進(jìn)行動(dòng)態(tài)補(bǔ)償,就成為當(dāng)今電力系統(tǒng)、電力電子技術(shù)和控制研究領(lǐng)域中急需解決的重要課題,正受到國(guó)內(nèi)外多方的關(guān)注。而且我國(guó)與發(fā)達(dá)國(guó)家相比,無論從電網(wǎng)功率因數(shù)還是補(bǔ)償深度來看,都有較大差距,因此在我國(guó)大力推廣無功補(bǔ)償技術(shù)尤為迫切,意義也十分重大。
      [0008]靜止無功發(fā)生器(SVG)通過注入與實(shí)際無功電流大小相等、方向相反的補(bǔ)償電流來工作,其原理和控制方法與SVC完全不同。它不采用常規(guī)的電容器和電抗器,而是將自換相橋式電路通過電抗器或者直接并聯(lián)到電網(wǎng)上,即將ASVG視為連接在三相傳輸線路上的一個(gè)三相電壓源逆變器,通過適當(dāng)控制三相電壓源逆變器輸出電壓,使其與系統(tǒng)交換滿足要求的無功(感性或容性),以最終實(shí)現(xiàn)無功補(bǔ)償。
      [0009]靜止無功發(fā)生器(SVG)在柔性交流輸電系統(tǒng)中占有相當(dāng)重要的地位,是電力系統(tǒng)主要的可控設(shè)備之一。它不僅可以調(diào)節(jié)無功,還可用來改善電力系統(tǒng)穩(wěn)定性。它可以在電網(wǎng)連接點(diǎn)提供快速的電壓和無功控制,保護(hù)電網(wǎng)不受諧波、電壓閃爍、電壓不對(duì)稱之類的電網(wǎng)污染,以改善電網(wǎng)供電質(zhì)量;也可提高線路的功率因數(shù),減少線損。
      [0010]靜止無功發(fā)生器(SVG)在其直流側(cè)只需較小容量的電容器維持其電壓即可,通過不同控制可使其發(fā)出無功功率也可吸收無功功率,在構(gòu)成原理、響應(yīng)速度、補(bǔ)償特性、雙向調(diào)節(jié)以及占地面積上均比SVC優(yōu)越。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0011]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種體積減少損耗降低的IGBT變流器。
      [0012]本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種具有所述IGBT變流器,采用全數(shù)字控制技術(shù),調(diào)節(jié)精度更高,響應(yīng)速度更快,不易產(chǎn)生諧振并且電感量遠(yuǎn)小于現(xiàn)有SVC的靜止無功發(fā)生器。
      [0013]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的IGBT變流器,包括:
      [0014]串聯(lián)的第一電容Cl和第二電容C2 ;
      [0015]第一橋臂電路,包括:串聯(lián)的第一 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)Tl至第四IGBT T4,第一 IGBT Tl的集電極接第一電容Cl的正極,第四IGBT T4的發(fā)射極接第二電容C2的負(fù)極,第二 IGBT T2發(fā)射極作為第一電流輸出端ica ;
      [0016]串聯(lián)的第一二極管Dl和第一二極管D2,第一二極管Dl負(fù)極接第一 IGBT Tl發(fā)射極,第一二極管Dl正極接第一電容Cl和第二電容C2的均壓點(diǎn)N ;
      [0017]第二橋臂電路,包括:串聯(lián)的第五IGBT T5至第八IGBT T8,第五IGBT T5的集電極接第一電容Cl的正極,第八IGBT T8的發(fā)射極接第二電容C2的負(fù)極,第六IGBT T6發(fā)射極作為第二電流輸出端icb ;
      [0018]串聯(lián)的第三二極管D3和第四二極管D4,第三二極管D3負(fù)極接第五IGBT T5發(fā)射極,第三二極管D3正極接所述均壓點(diǎn)N ;
      [0019]第三橋臂電路,包括:串聯(lián)的第九IGBT T9至第十二 IGBT T12,第九IGBT T9的集電極接第一電容Cl的正極,第十二 IGBT T12的發(fā)射極接第二電容C2的負(fù)極,第十IGBTT10發(fā)射極作為第三電流輸出端icc ;
      [0020]串聯(lián)的第五二極管D5和第六二極管D6,第五二極管D5負(fù)極接第九IGBT T9發(fā)射極,第五二極管D5正極接所述均壓點(diǎn)N。
      [0021]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器,包括:
      [0022]DSP控制電路,采用浮點(diǎn)微處理器作為主控芯片,控制系統(tǒng)輔以CPLD芯片進(jìn)行數(shù)字信號(hào)的邏輯處理,CPLD芯片完成采樣信號(hào)處理、控制計(jì)算、電路保護(hù)以及PWM信號(hào)輸出。[0023]AD信號(hào)檢測(cè)及調(diào)理單元,AD信號(hào)檢測(cè)能實(shí)現(xiàn)三相電網(wǎng)電壓信號(hào)檢測(cè),三相負(fù)載電流信號(hào)檢測(cè),三相靜止無功發(fā)生器輸出電流檢測(cè),兩路直流側(cè)電容電壓檢測(cè);
      [0024]經(jīng)互感器檢測(cè),運(yùn)放電路調(diào)理后,由外部AD采樣芯片采樣轉(zhuǎn)換,輸出數(shù)字信號(hào)至DSP控制電路進(jìn)行處理;
      [0025]保護(hù)電路,保護(hù)靜止無功發(fā)生器無故障運(yùn)行,當(dāng)靜止無功發(fā)生器直流電容電壓過高,或上下電容電壓差過大,電網(wǎng)電壓異常,功率器件溫度過高時(shí),保護(hù)電路變產(chǎn)生保護(hù)信號(hào),切斷PWM輸出信號(hào),關(guān)閉靜止無功發(fā)生器;
      [0026]PWM驅(qū)動(dòng)單元,DSP控制電路經(jīng)運(yùn)算處理后,產(chǎn)生PWM信號(hào),由外部放大電路放大信號(hào),再經(jīng)過隔離驅(qū)動(dòng)電路形成具有驅(qū)動(dòng)能力的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)來驅(qū)動(dòng)主功率電路的IGBT ;
      [0027]IGBT變流器,接收PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),輸出無功電流至電網(wǎng),IGBT發(fā)出溫度信號(hào)輸送至IGBT溫度檢測(cè)單元;所述IGBT模塊即所述橋臂電路,能發(fā)出溫度信號(hào);
      [0028]IGBT溫度檢測(cè)單元,由一個(gè)單獨(dú)的AD芯片完成,通過兩線式串行總線通訊接口輸出至DSP控制電路;
      [0029]通訊單元,具有串行通信接口和串行外圍設(shè)備接口。
      [0030]本發(fā)明的IGBT變流器采用三電平結(jié)構(gòu),控制方式靈活,輸出電流諧波含量低,效率高。
      [0031]本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器采用直流側(cè)電容器用來穩(wěn)定直流電壓,因此容量要求不高,這樣可以省去常規(guī)補(bǔ)償裝置中的大電感和大容量及龐大的切換機(jī)構(gòu),使SVG裝置的體積減少、損耗降低,且較小的電容量在系統(tǒng)中普遍使用也不易產(chǎn)生諧振。
      [0032]本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器既能響應(yīng)網(wǎng)絡(luò)中的穩(wěn)態(tài)也能響應(yīng)暫態(tài)變化,因此在提高系統(tǒng)的暫態(tài)穩(wěn)定性、阻尼系統(tǒng)振蕩等方面大大優(yōu)于傳統(tǒng)的無功補(bǔ)償設(shè)備。
      [0033]本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器采用全數(shù)字控制技術(shù),系統(tǒng)可靠性高。
      [0034]本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器控制靈活、響應(yīng)速度快,調(diào)節(jié)范圍廣,在感性和容性運(yùn)行工況下均可連續(xù)快速調(diào)節(jié),從而提高供電電壓質(zhì)量。運(yùn)行噪音小,安全穩(wěn)定。由于沒有傳統(tǒng)無功補(bǔ)償設(shè)備如調(diào)相機(jī)那樣的大型轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)備,無磨損,無機(jī)械噪聲,這將大大提高裝置壽命,改善對(duì)環(huán)境的影響。本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器連接電抗小,系統(tǒng)體積小。SVG接入電網(wǎng)的連接電抗用于濾除電流中的較高次諧波,另外起到將逆變器和電網(wǎng)這兩個(gè)交流電壓源連接起來的作用,因此所需的電感量并不大,該值也遠(yuǎn)小于同容量SVC所需的電感量。
      [0035]本發(fā)明的靜止無功發(fā)生器采用高頻率可關(guān)斷器件,再與橋式交流電路的多重化技術(shù)、多電平技術(shù)或PWM(本文為正弦脈沖寬度調(diào)試SPWM)技術(shù)相結(jié)合,可得到較理想的正弦電壓、電流波形,使輸出波形諧波含量得以減少。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0036]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
      [0037]圖1是本發(fā)明靜止無功發(fā)生器工作原理示意圖。
      [0038]圖2是本發(fā)明IGBT變流器一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0039]圖3是本發(fā)明靜止無功發(fā)生器一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0040]附圖標(biāo)記說明
      [0041]Cl是第一電容[0042]C2是第二電容
      [0043]Dl?D6是第一?第六二極管
      [0044]Tl?T12是第一?第十二 IGBT
      [0045]ica是第一電流輸出端
      [0046]i cb第二電流輸出端
      [0047]icc是第三電流輸出端
      [0048]N是第一電容Cl和第二電容C2的均壓點(diǎn)
      [0049]Usa、Usb、Usc是三相電網(wǎng)電壓
      [0050]isa、isb、isc是三相電網(wǎng)電流
      [0051]ila、ilb、ilc是三相負(fù)載電流
      [0052]Ua、Ub、Uc是電網(wǎng)電壓
      [0053]ADC是AD f目號(hào)檢測(cè)及調(diào)理單兀
      [0054]DSP+CPLD 是 DSP 控制電路
      【具體實(shí)施方式】
      [0055]如圖2所示,本發(fā)明IGBT變流器一實(shí)施例,包括:串聯(lián)的第一電容Cl和第二電容C2 ;
      [0056]第一橋臂電路,包括:串聯(lián)的第一 IGBT Tl至第四IGBT T4,第一 IGBT Tl的集電極接第一電容Cl的正極,第四IGBT T4的發(fā)射極接第二電容C2的負(fù)極,第二 IGBT T2發(fā)射極作為第一電流輸出端ica ;
      [0057]串聯(lián)的第一二極管Dl和第一二極管D2,第一二極管Dl負(fù)極接第一 IGBT Tl發(fā)射極,第一二極管Dl正極接第一電容Cl和第二電容C2的均壓點(diǎn)N ;
      [0058]第二橋臂電路,包括:串聯(lián)的第五IGBT T5至第八IGBT T8,第五IGBT T5的集電極接第一電容Cl的正極,第八IGBT T8的發(fā)射極接第二電容C2的負(fù)極,第六IGBT T6發(fā)射極作為第二電流輸出端icb ;
      [0059]串聯(lián)的第三二極管D3和第四二極管D4,第三二極管D3負(fù)極接第五IGBT T5發(fā)射極,第三二極管D3正極接所述均壓點(diǎn)N ;
      [0060]第三橋臂電路,包括:串聯(lián)的第九IGBT T9至第十二 IGBT T12,第九IGBT T9的集電極接第一電容Cl的正極,第十二 IGBT T12的發(fā)射極接第二電容C2的負(fù)極,第十IGBTT10發(fā)射極作為第三電流輸出端icc ;
      [0061]串聯(lián)的第五二極管D5和第六二極管D6,第五二極管D5負(fù)極接第九IGBT T9發(fā)射極,第五二極管D5正極接所述均壓點(diǎn)N。
      [0062]如圖3所示,本發(fā)明靜止無功發(fā)生器一實(shí)施例,包括:
      [0063]DSP控制電路,采用浮點(diǎn)微處理器作為主控芯片,控制系統(tǒng)輔以CPLD芯片進(jìn)行數(shù)字信號(hào)的邏輯處理,CPLD芯片完成采樣信號(hào)處理、控制計(jì)算、電路保護(hù)以及PWM信號(hào)輸出。
      [0064]本實(shí)施例中,整個(gè)控制電路以TI公司的32位浮點(diǎn)微處理器TMS320C28346為主控芯片,TMS320C28346隸屬于Delfino MCU系列產(chǎn)品成員,運(yùn)行頻率可高達(dá)300MHZ,是針對(duì)要求嚴(yán)格控制應(yīng)用的高度集成、高性能解決方案??刂葡到y(tǒng)輔以Altera公司的EPM570T100CPLD 芯片。[0065]AD信號(hào)檢測(cè)及調(diào)理單元,AD信號(hào)檢測(cè)能實(shí)現(xiàn)三相電網(wǎng)電壓信號(hào)檢測(cè),三相負(fù)載電流信號(hào)檢測(cè),三相靜止無功發(fā)生器輸出電流檢測(cè),兩路直流側(cè)電容電壓檢測(cè);
      [0066]經(jīng)互感器檢測(cè),運(yùn)放電路調(diào)理后,由外部AD采樣芯片采樣轉(zhuǎn)換,輸出數(shù)字信號(hào)至DSP控制電路進(jìn)行處理;本實(shí)施例中,外部AD采樣芯片為AD7657 ;
      [0067]保護(hù)電路,保護(hù)靜止無功發(fā)生器無故障運(yùn)行,當(dāng)靜止無功發(fā)生器直流電容電壓過高,或上下電容電壓差過大,電網(wǎng)電壓異常,功率器件溫度過高時(shí),保護(hù)電路變產(chǎn)生保護(hù)信號(hào),切斷PWM輸出信號(hào),關(guān)閉靜止無功發(fā)生器;
      [0068]PWM驅(qū)動(dòng)單元,DSP控制電路經(jīng)運(yùn)算處理后,產(chǎn)生PWM信號(hào),由外部放大電路放大信號(hào),再經(jīng)過隔離驅(qū)動(dòng)電路形成具有驅(qū)動(dòng)能力的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)來驅(qū)動(dòng)主功率電路的IGBT ;
      [0069]IGBT變流器,接收PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),輸出無功電流至電網(wǎng),IGBT模塊發(fā)出溫度信號(hào)輸送至IGBT溫度檢測(cè)單元;所述IGBT模塊即所述橋臂電路,能發(fā)出溫度信號(hào);
      [0070]IGBT溫度檢測(cè)單元,由一個(gè)單獨(dú)的AD芯片完成,通過兩線式串行總線通訊接口輸出至DSP控制電路;本實(shí)施例,IGBT溫度檢測(cè)由一個(gè)單獨(dú)的AD芯片AD7995完成,通過兩線式串行總線I2C通訊接口輸出至DSP。
      [0071]通訊單元,具有串行通信接口和串行外圍設(shè)備接口。
      [0072]以上通過【具體實(shí)施方式】和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下,本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn),這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種IGBT變流器,其特征是,包括: 串聯(lián)的第一電容(Cl)和第二電容(C2); 第一橋臂電路,包括:串聯(lián)的第一 IGBT (Tl)至第四IGBT (T4),第一 IGBT (Tl)的集電極接第一電容(Cl)的正極,第四IGBT (T4)的發(fā)射極接第二電容(C2)的負(fù)極,第二 IGBT(T2)發(fā)射極作為第一電流輸出端(ica); 串聯(lián)的第一二極管(Dl)和第一二極管(D2),第一二極管(Dl)負(fù)極接第一 IGBT (Tl)發(fā)射極,第一二極管(Dl)正極接第一電容(Cl)和第二電容(C2)的均壓點(diǎn)(N); 第二橋臂電路,包括:串聯(lián)的第五IGBT (T5)至第八IGBT (T8),第五IGBT (T5)的集電極接第一電容(Cl)的正極,第八IGBT (T8)的發(fā)射極接第二電容(C2)的負(fù)極,第六IGBT(T6)發(fā)射極作為第二電流輸出端(icb); 串聯(lián)的第三二極管(D3)和第四二極管(D4),第三二極管(D3)負(fù)極接第五IGBT (T5)發(fā)射極,第三二極管(D3)正極接所述均壓點(diǎn)(N); 第三橋臂電路,包括:串聯(lián)的第九IGBT (T9)至第十二 IGBT (T12),第九IGBT (T9)的集電極接第一電容(Cl)的正極,第十二 IGBT (T12)的發(fā)射極接第二電容(C2)的負(fù)極,第十IGBT (TlO)發(fā)射極作為第三電流輸出端(icc); 串聯(lián)的第五二極管(D5)和第六二極管(D6),第五二極管(D5)負(fù)極接第九IGBT (T9)發(fā)射極,第五二極管(D5)正極接所述均壓點(diǎn)(N)。
      2.一種靜止無功發(fā)生器,其特征是,包括: DSP控制電路,采用浮點(diǎn)微處理器作為主控芯片,控制系統(tǒng)輔以CPLD芯片進(jìn)行數(shù)字信號(hào)的邏輯處理,CPLD芯片完成采樣信號(hào)處理、控制計(jì)算、電路保護(hù)以及PWM信號(hào)輸出功能;AD信號(hào)檢測(cè)及調(diào)理單元,AD信號(hào)檢測(cè)能實(shí)現(xiàn)三相電網(wǎng)電壓信號(hào)檢測(cè),三相負(fù)載電流信號(hào)檢測(cè),三相靜止無功發(fā)生器輸出電流檢測(cè),兩路直流側(cè)電容電壓檢測(cè); 經(jīng)互感器檢測(cè),運(yùn)放電路調(diào)理后,由外部AD采樣芯片采樣轉(zhuǎn)換,輸出數(shù)字信號(hào)至DSP控制電路進(jìn)行處理; 保護(hù)電路,保護(hù)靜止無功發(fā)生器無故障運(yùn)行,當(dāng)靜止無功發(fā)生器直流電容電壓過高,或上下電容電壓差過大,電網(wǎng)電壓異常,功率器件溫度過高時(shí),保護(hù)電路變產(chǎn)生保護(hù)信號(hào),切斷PWM輸出信號(hào),關(guān)閉靜止無功發(fā)生器; PWM驅(qū)動(dòng)單元,DSP控制電路經(jīng)運(yùn)算處理后,產(chǎn)生PWM信號(hào),由外部放大電路放大信號(hào),再經(jīng)過隔離驅(qū)動(dòng)電路形成具有驅(qū)動(dòng)能力的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)來驅(qū)動(dòng)主功率電路的IGBT ; IGBT變流器,接收PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),輸出無功電流至電網(wǎng),IGBT模塊發(fā)出溫度信號(hào)輸送至IGBT溫度檢測(cè)單元; 所述IGBT模塊即所述橋臂電路,能發(fā)出溫度信號(hào); IGBT溫度檢測(cè)單元,由一個(gè)單獨(dú)的AD芯片完成,通過兩線式串行總線通訊接口輸出至DSP控制電路; 通訊單元,具有串行通信接口和串行外圍設(shè)備接口。
      【文檔編號(hào)】H02M5/293GK103546043SQ201310525985
      【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
      【發(fā)明者】張軍, 周鳳學(xué), 唐偉, 賈允瞳 申請(qǐng)人:科大智能科技股份有限公司
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