一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，包括：共模電感L5、分布電感L5C、同步整流MOSFET及同步電路；其中所述同步整流MOSFET與所述共模電感電性連接，工模電感與分布電感電性連接，分布電感與同步電路電性連接。本實(shí)用新型分布電感補(bǔ)償電路在開(kāi)關(guān)電源中可抗干擾。
【專利說(shuō)明】一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域，特別是指一種應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源中的可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路。
【背景技術(shù)】
[0002]MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是一種廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管，其技術(shù)大幅度提升，MOSFET的導(dǎo)通電阻已經(jīng)達(dá)到低于2πιΩ，開(kāi)關(guān)速度小于20ns。開(kāi)關(guān)電源技術(shù)中的同步整流技術(shù)在這種形勢(shì)下應(yīng)運(yùn)而生。利用低導(dǎo)通電阻MOSEFT設(shè)計(jì)的同步整流主拓?fù)潆娐?，可以使開(kāi)關(guān)電源效率的提升了 3%—8%百分點(diǎn)
[0003]同步整流技術(shù)是現(xiàn)代開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的標(biāo)志，凡是高水平開(kāi)關(guān)電源均存在同步整流技術(shù)，且在使用面上不再局限于5V、3.3V、2.5V等低壓輸出電壓領(lǐng)域，在12V、15V、19V至24V以下的輸出，幾乎都在使用同步整流技術(shù)。但是MOSFTE有體二極管又稱為寄生二極管，凡事二極管就會(huì)存在反向恢復(fù)時(shí)間，該過(guò)程使得二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用，如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比反向恢復(fù)時(shí)間短，則二極管在正、反向都可導(dǎo)通，起不到開(kāi)關(guān)作用，因此給電路帶來(lái)了干擾。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型提出一種在開(kāi)關(guān)電源中的可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，包括:共模電感L5、分布電感L5C、同步整流MOSFET及同步電路；其中所述同步整流MOSFET與所述共模電感電性連接，工模電感與分布電感電性連接,分布電感與同步電路電性連接。
[0007]進(jìn)一步的，所述分布電感L5C為5?10uH。
[0008]進(jìn)一步的，所述共模電感L5采用鎳鋅材質(zhì)的磁環(huán)繞制而成。
[0009]進(jìn)一步的，還包括電容Cll ;所述電容Cll靠近所述同步整流MOSFET的S極，所述共模電感L5靠近電容CU。
[0010]進(jìn)一步的，所述電容Cll的負(fù)極以及二極管D5、共模電感L5的2腳分別連接至MOSFET 的 S 極。
[0011]本實(shí)用新型可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，通過(guò)共模電感的電感量，分布電感消除同步整流MOSFET體二極管給電路造成的干擾，使電源的效率游了大幅度的提升。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為本實(shí)用新型一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路的電子線路框圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路的電子線路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0016]一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，包括:共模電感L5、分布電感L5C、同步整流MOSFET及同步電路；其中所述同步整流MOSFET與所述共模電感電性連接，工模電感與分布電感電性連接，分布電感與同步電路電性連接。進(jìn)一步的，所述分布電感L5C為5?10uH。
[0017]進(jìn)一步的，所述共模電感L5采用鎳鋅材質(zhì)的磁環(huán)繞制而成，其可對(duì)輻射干擾起到很好的抑制作用。
[0018]進(jìn)一步的，還包括電容Cll ;所述電容Cll靠近所述同步整流MOSFET的S極，所述共模電感L5靠近電容C11，時(shí)期產(chǎn)生的漏感一直和消除MOSFET 二極管給電路造成的干擾。
[0019]進(jìn)一步的，所述電容Cll的負(fù)極以及二極管D5、共模電感L5的2腳分別連接至MOSFET 的 S 極。
[0020]本實(shí)用新型在LED開(kāi)關(guān)電源輸出中設(shè)這一個(gè)共模電感，既可以抑制共模干擾和輻射干擾功能，解決EMI (Electro Magnetic Interference電磁干擾)的傳導(dǎo)和福射干擾,另外通過(guò)控制共模電感的電感量，控制樓干在5?10uH，消除同步電流中MOSFET 二極管給電路造成的干擾，使電源的效率大幅度提升。
[0021]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，其特征在于，包括:共模電感L5、分布電感L5C、同步整流MOSFET及同步電路；其中所述同步整流MOSFET與所述共模電感電性連接，工模電感與分布電感電性連接，分布電感與同步電路電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，其特征在于，所述分布電感L5C為5?10uH。
3.如權(quán)利要求1所述的一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，其特征在于，所述共模電感L5采用鎳鋅材質(zhì)的磁環(huán)繞制而成。
4.如權(quán)利要求1所述的一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括電容Cll ;所述電容Cll靠近所述同步整流MOSFET的S極，所述共模電感L5靠近電容C11。
5.如權(quán)利要求4所述的一種可抗干擾的分布電感補(bǔ)償電路，其特征在于，所述電容ClI的負(fù)極以及二極管D5、共模電感L5的2腳分別連接至MOSFET的S極。
【文檔編號(hào)】H02M1/44GK203632567SQ201320799347
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月5日
【發(fā)明者】李錦紅, 孫立濤 申請(qǐng)人:廣東科谷電源有限公司