一種適用于高電平mmc的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法，包括，根據(jù)電容電壓的最大值和最小值確定電壓分層容器，將所有子模塊的電容電壓放入等電壓間隔的電壓分層容器內(nèi)；根據(jù)電容電壓大小將子模塊放入對應(yīng)的電壓分層容器，根據(jù)橋臂電流方向和橋臂需投子模塊總個數(shù)進(jìn)行優(yōu)化排序；同時引入了是否進(jìn)行電壓分層容器重新分層的判據(jù)。本方法既可提高高電平MMC子模塊電容電壓排序的速率，降低排序算法的復(fù)雜度，又能保證一定的均壓控制效果，降低子模塊IGBT的開斷頻率。
【專利說明】—種適用于高電平圖C的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電力系統(tǒng)運(yùn)行和控制【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002]模塊化多電平換流器(modular multilevel converter, MMC)作為高壓直流輸電技術(shù)向高壓大功率方向發(fā)展的最新成果，其自從被提出后就受到了很大的關(guān)注。模塊化多電平換流器采用模塊化的子模塊進(jìn)行疊加，達(dá)到輸出電壓和功率等級的靈活變化，具有可擴(kuò)展性強(qiáng)，輸出電壓諧波小，開關(guān)頻率較低等優(yōu)點(diǎn)。隨著模塊化多電平換流器電平數(shù)的增加和傳輸功率的提升，其橋臂上串聯(lián)的子模塊個數(shù)越來越多，這對高電平MMC系統(tǒng)的均壓控制帶來了一定的挑戰(zhàn)。
[0003]高電平MMC系統(tǒng)通常采用基于最近電平逼近的調(diào)制策略?；谧罱娖奖平{(diào)制策略的MMC系統(tǒng)，其對應(yīng)的均壓控制方法通常是對所有子模塊電容電壓進(jìn)行排序，然后根據(jù)最近電平逼近調(diào)制計算出來的橋臂需投的子模塊總個數(shù)和橋臂電流的大小，選擇對應(yīng)個數(shù)的子模塊進(jìn)行投入。當(dāng)橋臂電流大于O時，選擇電容電壓較小的子模塊進(jìn)行投入；當(dāng)橋臂電流小于O時，選擇電容電壓較大的子模塊進(jìn)行投入。
[0004]但是，隨著電平數(shù)的上升，子模塊均壓控制復(fù)雜度大為增加，特別是在實(shí)際工程中，高電平數(shù)的MMC系統(tǒng)需要對分散串聯(lián)布置的子模塊電容電壓排序，其均壓控制更成為不可回避的問題。而且，對所有子模塊進(jìn)行排序，頻繁地對所有子模塊進(jìn)行運(yùn)行狀態(tài)的改變，容易造成子模塊IGBT的開斷頻率過大，使得子模塊開關(guān)損耗大大增加。因此，對于高電平MMC系統(tǒng)的均壓控制，需要在保證子模塊具備較好的均壓效果基礎(chǔ)上，提高子模塊電容電壓排序的速率，優(yōu)化子模塊的投切，降低IGBT的開斷頻率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明目的是針對最近電平逼近調(diào)制下的高電平MMC均壓控制排序問題，提出一種適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法。通過遍歷所有子模塊的電容電壓得到最大值和最小值，由此建立電壓分層容器，用來存放所有子模塊的電容電壓，該電壓分層容器內(nèi)部分為若干層，每一層有對應(yīng)的電壓范圍。將不同電壓范圍的子模塊放入不同層的電壓分層容器內(nèi)，根據(jù)橋臂需投子模塊總個數(shù)和橋臂電流的方向來選擇對應(yīng)的子模塊投入。同時，引入電壓分層容器是否重新分層的判據(jù)，當(dāng)任一投入子模塊的電容電壓變化值小于電壓容器的電壓間隔，則無需重新進(jìn)行分層，這不僅能夠降低算法的時間復(fù)雜度，而且能夠在選擇子模塊的過程中優(yōu)化子模塊的投切，降低IGBT的開斷頻率。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案是，一種適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法，包括下列步驟:
[0007]步驟1:遍歷橋臂所有子模塊的電容電壓，得到電容電壓的最大值和最小值，根據(jù)電容電壓的最大值和最小值確定電壓分層容器，所述電壓分層容器的層數(shù)由排序的計算復(fù)雜度和均壓控制效果決定，電壓分層容器層與層之間的電壓間隔相等，將所有子模塊的電容電壓放入等電壓間隔的電壓容器內(nèi)；
[0008]步驟2:為了降低算法的復(fù)雜度，引入電壓容器重新劃分的判據(jù)。當(dāng)任一個投入子模塊的電容電壓變化值小于容器的電壓間隔時，不重新分層；當(dāng)任一投入子模塊的電容電壓變化值大于容器的電壓間隔時，重新分層；
[0009]步驟3:根據(jù)電容電壓大小將子模塊放入所述分層容器的對應(yīng)層，根據(jù)橋臂電流方向和橋臂需投子模塊總個數(shù)進(jìn)行優(yōu)化排序，確定需要投入的子模塊。將需要投入子模塊的上IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)觸發(fā)脈沖設(shè)置為1，下IGBT觸發(fā)脈沖設(shè)置為O。
[0010]進(jìn)一步地:
[0011]步驟I通過遍歷所有子模塊的電容電壓，得到電容電壓的最大值和最小值，確定電壓分層容器，然后根據(jù)排序的計算復(fù)雜度和均壓控制效果討論電壓分層容器的分層個數(shù)。
[0012]步驟1.1:電壓分層容器的確定
[0013]遍歷所有子模塊的電容電壓，取得子模塊電容電壓的最大值Umax和最小值Umin，將所有子模塊電容電壓分成M層，每層高度為Λν:
[0014]Δν = --—(I)
M
[0015]每個分層區(qū)間作為一個容器，對于第i個容器，其電壓上下限記做Umax，JPUmiiu，那么:
ΓUmin' / = Umin + {I — I)傘 Al7,、
[0016][Um,-,,., =Umin+ i^ Av
[0017]如果當(dāng)前橋臂需要投入子模塊的個數(shù)為η_，基于最近電平逼近調(diào)制的MMC系統(tǒng)的橋臂投入子模塊個數(shù)na?可以用下式計算獲得，
[0018]
——round(——),上橋臂
_ 2'tW
Ylarm — 15/

—+ round (―^-),下橋臂
、2Ucref
[0019]其中，以Umj表示a、b、c三相的調(diào)制波(j = a，b，c)，N為每個橋臂子模塊的總個數(shù)，round(x)為向下取整函數(shù)，Ucref為子模塊電容電壓額定值。
[0020]第i個容器用來放置電容電壓介于Umaju和Umitu之間的子模塊，設(shè)每個容器內(nèi)子模塊的個數(shù)為nlay

erl、 ^■layer2 Λ 、^-1ayerM0 ^arm 和 n；|_ayer1、niayer2、 、?--^ayerJy 間存在如下式的關(guān)系:
k ^:+1
[0021]Σ Tllayeri < Harm ^〉: JVayeri
i=l /=1
[0022]則將容器I到容器k中的子模塊全部投入，并將第k+Ι個容器所有子模塊視為具有同等優(yōu)先級別，任意取n_t個子模塊投入即可，其中n_t的取值為:
[0023]Ylrest — Harm _〉:1llaveri(5)
[0024]通過這種分層處理，只需將所有子模塊根據(jù)各個容器的電壓上下限，放入對應(yīng)電壓范圍的容器內(nèi)即可。避免了排序所產(chǎn)生的大量計算，又能保證一定的均壓效果。
[0025]步驟1.2:子模塊電壓容器分層數(shù)M的確定
[0026]子模塊電壓容器的分層數(shù)M依排序算法的時間復(fù)雜度和均壓控制效果決定。
[0027]步驟1.2.1時間復(fù)雜度的確定
[0028]對于N+1電平的MMC系統(tǒng)，用T1 (N)表示采用冒泡排序法對每個橋臂子模塊電容電壓進(jìn)行排序的時間復(fù)雜度，則有:
[0029](b)
[0030]采用本申請?zhí)岢龅淖幽K電容電壓分層處理時，首先需要獲得所有子模塊電容電壓的最大值和最小值，然后根據(jù)各子模塊容器電壓上下限將各子模塊放入對應(yīng)容器，對應(yīng)的時間復(fù)雜度T2(N)可以表示為:
[0031]T2 (N) = 2N+M*N = (M+2) N(7)
[0032]因此，為了減少算法的時間復(fù)雜度，分層個數(shù)M的選擇至少應(yīng)滿足T2 (N)〈1\ (N)，即M應(yīng)滿足:
[0033]M <(8)
[0034]步驟1.2.2均壓控制效果的確定
[0035]MMC系統(tǒng)穩(wěn)定時，子模塊的電容電壓總是運(yùn)行在額定值U_f附近充放電。因此，采用子模塊電容電壓偏離額定值Ucref最大值作為衡量均壓效果的指標(biāo)。
[0036]盡管冒泡排序法時間復(fù)雜度很高，但冒泡排序法均壓效果最好。假設(shè)采用冒泡排序法時，子模塊電容電壓允許偏差量為k%,則有:
[0037]丨隊 Uue> 丨 < k%(9)

Ucrej
[0038]其中，Uei為第i個子模塊的電容電壓。
[0039]采用步驟I提出的電容電壓分層的方法，在減小時間復(fù)雜度的同時，可能影響電容電壓波動范圍。如果為了減小計算量而能夠接受的電壓波動量不能超過(k+Ak) % ,則在最惡劣的情況下，M的取值應(yīng)滿足:
Umax — Umin ^ ? n ,/irv、
[0040]———<Ak%(10)
ls4- XJcmf
[0041]考慮Umax與Umin的最極端情況，即:
[0042]彳,(11)
{Unin =Ucref* (1-k%)
[0043]將式(11)帶入式(10)，可以得到:
6(,.,:,(1+/W) — LW(卜々％) 2*1<% …，/,
[0044]-------- =-< Α/<%(12)
M* UcrefM
[0045]因此，綜合時間復(fù)雜度和電容電壓均壓效果，滿足時間復(fù)雜度不高于冒泡法且均壓效果不差于(k+Λ k) %，那么子模塊電容電壓分層均壓控制的容器數(shù)M應(yīng)滿足:
「 ? 24% …Ν-5/,οχ
[0046]-< M <--(、I Λ)
Μ%2
[0047]步驟2中，引入是否重新進(jìn)行電壓分層的判據(jù)，當(dāng)任一個投入子模塊的電容電壓變化值小于電壓容器的電壓間隔時，無需重新進(jìn)行電壓分層；當(dāng)任一個投入子模塊的電容電壓變化值大于電壓間隔時，重新進(jìn)行電壓分層。
[0048]子模塊的電容充放電時，t時刻其電容電壓Ue(t)與經(jīng)過的電流ie(t)的關(guān)系如下:
[0049]C 況;(,)=^(0(14)

dt
[0050]將式(14)差分處理可以得到:

八,
[0051 ] LjAl + Al) — = 2(、+ A,) + ,:‘(,)](1 j
[0052]其中，At為控制周期，C為子模塊的電容值。
[0053]橋臂中子模塊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了流經(jīng)子模塊的電流均相等，且一個橋臂上的子模塊的電容值C 一般情況下可認(rèn)為均相等，因此在同一個電平持續(xù)的時間內(nèi)，可以認(rèn)為所有投入子模塊的電容電壓變化是相等的，其對應(yīng)的變化值A(chǔ)U。如式(16)所示:
[0054]AU ==(?)?(I 6)
[0055]由式(I)和式(16)可以得到Λν和AU。的值，因此將Λ UcX Λ ν作為電壓分層容器是否重新分層的判據(jù)。當(dāng)AUcXAv成立時，則無需對電壓容器進(jìn)行重新分層，當(dāng)AUcXAv不成立時，則重新對電壓容器進(jìn)行分層。
[0056]如果AUcXAv,說明投入的子模塊的電容電壓變化值小于電壓分區(qū)間隔Λν，為了減少排序計算量，這種情況下保持現(xiàn)有容器及其對應(yīng)的子模塊不變。這樣做的好處是減少了開關(guān)次數(shù)，進(jìn)而降低開關(guān)損耗。
[0057]步驟3根據(jù)橋臂電流的方向和步驟I得到的橋臂需投子模塊總個數(shù)，從子模塊電壓分層容器中選擇對應(yīng)的子模塊投入。
[0058]以充電為例，橋臂電流大于零，投入的子模塊處于充電狀態(tài)。假如前一個電平開始時，第I層容器到第1-Ι層容器中所有子模塊都投入，并且第i層容器中投入了 n_t個子模塊；下一個電平開始時，投入子模塊的電容電壓變化值A(chǔ)UcXAv,表明，如果根據(jù)子模塊電容電壓將所有子模塊重新放入當(dāng)前容器中，則第i層容器內(nèi)投入的子模塊可能被放至第i+Ι層容器中或者仍在第i層容器中。那么，采用不重新分層就相當(dāng)于:a)如果第i層容器需投子模塊個數(shù)小于第i層容器的子模塊個數(shù)，則在第i層容器中取對應(yīng)個子模塊投入山)如果第i層容器需投子模塊個數(shù)大于第i層容器內(nèi)子模塊個數(shù)時，則從第i+Ι層容器中優(yōu)先選擇剛從第i層容器充電至第i+Ι層容器的子模塊投入。
[0059]根據(jù)橋臂電流方向和橋臂需投子模塊總個數(shù)，選擇對應(yīng)的子模塊進(jìn)行投入，被選中的子模塊將其上IGBT狀態(tài)設(shè)置為1，下IGBT狀態(tài)設(shè)置為O。這樣既能減少不必要的重新分層，也能減少子模塊的開斷次數(shù)。
[0060]本發(fā)明的效果在于，提出一種適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法。傳統(tǒng)的基于最近電平逼近調(diào)制的均壓控制方法需要對所有子模塊的電容電壓進(jìn)行排序，本發(fā)明通過對排序的均壓控制方法進(jìn)行改進(jìn)，將所有子模塊電容電壓進(jìn)行分層，通過橋臂需投子模塊總個數(shù)和橋臂電流方向，從分層容器中選擇對應(yīng)的子模塊投入，同時引入了是否進(jìn)行電壓容器重新分層的判據(jù)，既能夠提高高電平MMC子模塊電容電壓排序的速率，降低排序算法的復(fù)雜度，又能夠保證一定的均壓控制效果，降低子模塊IGBT的開斷頻率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0061]圖1最近電平逼近調(diào)制原理圖
[0062]圖2改進(jìn)的均壓控制方法總體流程圖
[0063]圖3改進(jìn)的均壓控制方法的分層示意圖
[0064]圖4MMC系統(tǒng)模型
[0065]圖5子模塊結(jié)構(gòu)圖
[0066]圖6對所有子模塊排序的傳統(tǒng)均壓控制法的電容電壓波形
[0067]圖7改進(jìn)均壓控制方法的電容電壓波形(分2層)
[0068]圖8改進(jìn)均壓控制方法的電容電壓波形(分3層)
[0069]圖9改進(jìn)均壓控制方法的電容電壓波形(分4層)

【具體實(shí)施方式】
[0070]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本發(fā)明的范圍及其應(yīng)用。
[0071]基于最近電平逼近調(diào)制的傳統(tǒng)均壓控制方法，通過步驟I計算橋臂需投子模塊的總個數(shù)nOT，然后對所有子模塊進(jìn)行排序。基于最近電平逼近調(diào)制的具體逼近過程如圖1所示，通過將正弦的調(diào)制波采用階梯波進(jìn)行逼近，可以得到各個橋臂需投子模塊的總個數(shù)。子模塊的電容電壓在階梯波的電平變化時進(jìn)行重新的排序，當(dāng)階梯波的電平與上一時刻相同時，則不進(jìn)行重新排序。
[0072]本發(fā)明適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法，其總體流程圖如圖2所示。
[0073]I)首先監(jiān)測任一個投入子模塊的電容電壓變化值Λ U。，在階梯波電平變化時，如Δ U。滿足子模塊的電容電壓分層判據(jù)△ UcX Δ V,則無需對子模塊電壓容器重新進(jìn)行分層，直接產(chǎn)生子模塊的觸發(fā)脈沖；如AU。不滿足子模塊的分層判據(jù)△&〈△ V，則子模塊電壓容器進(jìn)行重新分層，直接產(chǎn)生子模塊的觸發(fā)脈沖。
[0074]2)子模塊電壓分層的電壓容器如圖3所示，將所有子模塊分為M層，每層子模塊電壓容器有電壓的上下限，每層容器的電壓間隔均為相等，根據(jù)子模塊電容電壓的值將所有子模塊的電容電壓放入M層的子模塊電壓容器內(nèi)。然后從M層子模塊電壓容器內(nèi)部選擇需投入的子模塊進(jìn)行投入。被選擇投入的子模塊，只需要將其上IGBT設(shè)置為1，下IGBT設(shè)置為0，即圖5中IGBTl = 1，IGBT2 = O ;未被選擇的子模塊將其旁路，即圖5中IGBTl = 0，IGBT2 = I。
[0075]在PSCAD/EMTDC中搭建如圖4的21個電平單端MMC直流輸電系統(tǒng)仿真模型，每個橋臂有20個SM子模塊串聯(lián)，MMC系統(tǒng)為21個電平(電平數(shù)M和子模塊個數(shù)N的關(guān)系為M=N+1)。在系統(tǒng)仿真參數(shù)一致的情況下，對比對所有子模塊進(jìn)行排序的傳統(tǒng)均壓控制方法和改進(jìn)的均壓控制方法。系統(tǒng)仿真參數(shù)為表1:
[0076]表1仿真參數(shù)表
[0077]

【權(quán)利要求】
1.一種適用于高電平MMC的子模塊電容電壓分層的均壓控制方法，所述方法包括下列步驟: 步驟1:遍歷橋臂所有子模塊的電容電壓，得到電容電壓的最大值和最小值，根據(jù)電容電壓的最大值和最小值確定電壓分層容器，所述電壓分層容器層與層之間的電壓間隔相等，將所有子模塊放入等電壓間隔的電壓分層容器內(nèi)； 步驟2:當(dāng)任一個投入子模塊的電容電壓變化值小于所述容器的電壓間隔，則不重新分層；當(dāng)任一個投入子模塊的電容電壓變化值大于所述容器的電壓間隔，則重新分層； 步驟3:根據(jù)電容電壓大小將子模塊放入分層容器的對應(yīng)層，根據(jù)橋臂電流方向和橋臂需投子模塊總個數(shù)進(jìn)行優(yōu)化排序，確定需要投入的子模塊，將需要投入子模塊的上IGBT觸發(fā)脈沖設(shè)置為1，下IGBT觸發(fā)脈沖設(shè)置為O。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均壓控制方法，其中步驟I中，包括 步驟1.1:電壓分層容器的確定 遍歷所有子模塊的電容電壓，取得子模塊電容電壓的最大值Umax和最小值Umin，將所有子模塊電容電壓分成M層，每層高度為Λν:.XJfiax ~ Ufiin/ -.\Δν =--⑴
M 每個分層區(qū)間作為一個容器，對于第i個容器，其電壓上下限記做Umaju和Umiiu, IUmm, / = Umin + (/ — I) * Δν泛)
i — XJmin + Z* * Δν 如果當(dāng)前橋臂需要投入子模塊的個數(shù)為η_，基于最近電平逼近調(diào)制的MMC系統(tǒng)的橋臂投入子模塊個數(shù)η_用下式計算獲得，
—-round{——),上橋臂
2Ucref/q\11 um = <{?)
—+ round (―^),下橋臂
、IUcref 其中，Umj表示a、b、c三相的調(diào)制波，j = a, b，c，N為每個橋臂子模塊的總個數(shù)，round(x)為向下取整函數(shù)，Ucref為子模塊電容電壓額定值； 第i個容器用來放置電容電壓介于Umaju和Umiiu之間的子模塊，設(shè)每個容器內(nèi)子模塊的個數(shù)為nlay
erl、^-1ayer2 Λ 、^-1ayerM ?^arm 矛口 ^-1ayerl Λ ^layer2 Λ...、niayerM 間存在如下式的關(guān)系:k k+\, 〉:fIlayeri < fIarm ^〉: fIhtyeri\4/ /=1 i=l 將容器I到容器k中的子模塊全部投入，并將第k+Ι個容器所有子模塊視為具有同等優(yōu)先級別，任意取n_t個子模塊投入即可，其中n_t的取值為: k ,.Hrest — Ihtrm —.〉:1Vtiyen\5 /

/=1 步驟1.2:子模塊電壓容器分層數(shù)M的確定 子模塊電壓容器的分層數(shù)M依排序算法的時間復(fù)雜度和均壓控制效果決定， 步驟1.2.1時間復(fù)雜度的確定 對于N+1電平的MMC系統(tǒng)，用T1(N)表示采用冒泡排序法對每個橋臂子模塊電容電壓進(jìn)行排序的時間復(fù)雜度， T'(N)= N、'-'、(6) 對應(yīng)的時間復(fù)雜度T2(N)為:
T2 (N) =2N+M*N= (M+2) N (7) 分層數(shù)M的選擇應(yīng)滿足T2 (N)〈1\ (N)，即M應(yīng)滿足:M<^(8)
2 步驟1.2.2均壓控制效果的確定 采用子模塊電容電壓偏離額定值Urarf的最大值作為衡量均壓效果的指標(biāo)，所述額定值Ucref為MMC系統(tǒng)穩(wěn)定時，子模塊電容電壓充放電運(yùn)行的額定值； 采用冒泡排序法，子模塊電容電壓允許偏差量為k%，

(9)
Ucrei 其中，Uci為第i個子模塊的電容電壓，電壓波動量不能超過(k+Ak) %，子模塊電壓容器分層數(shù)M的取值滿足 υ",、Μ%(10)
M* Ucref 考慮Umax與Umin的最極端情況,即: ?U,?ar = Ucref *(\ + k%)(⑴
[Umin = Ucref* (1-k%) 將式(11)帶入式(10)，得到: ^?/(l+/c%)-^?/(l-A-%) _ 2*/<% <M%/1 2)
M* UcefM ~ ?/0V 子模塊電壓容器分層數(shù)M滿足: 2 4% N-5Z1 -<M <----(13) ο Ak%2
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的均壓控制方法，其中步驟2中，子模塊的電容充放電時，t時亥ij其電容電壓υεα)與經(jīng)過的電流込⑴的關(guān)系如下: cdim = j{i)(11)
di 將式(14)差分處理得到:
lji {l + Al ) — Ui (I ) = 2c [,、(, + Δ?) + ic{t)](15) 其中，At為控制周期，C為子模塊的電容值； 在同一個電平持續(xù)的時間內(nèi)，所有投入子模塊的電容電壓變化是相等的，其對應(yīng)的變化值Λ U。如式(16)所示: AU,- = U,(J 2) - f/, (/1)=去 J,;: /,(/)di(16) 由式(I)和式(16)得到Λν和AU。的值，當(dāng)AUcXAv時，不對電壓容器進(jìn)行重新分層，當(dāng)AUcXAv不成立時，重新對電壓容器進(jìn)行分層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均壓控制方法，其中步驟3中，所述需要投入的子模塊按如下方法進(jìn)行選擇: 橋臂電流大于零，使投入的子模塊處于充電狀態(tài)，當(dāng)前一個電平開始時，第I層容器到第i_l層容器中所有子模塊都投入，并且第i層容器中投入n_t個子模塊；下一個電平開始時，如果投入子模塊的電容電壓變化值△ UcX Δ V,根據(jù)子模塊電容電壓將所有子模塊重新放入當(dāng)前容器中，則第i層容器內(nèi)投入的子模塊被放至第i+Ι層容器中或者仍在第i層容器中；此時采用不重新分層就相當(dāng)于: a)如果第i層容器需投子模塊個數(shù)小于第i層容器的子模塊個數(shù)，則在第i層容器中取對應(yīng)個子模塊投入； b)如果第i層容器需投子模塊個數(shù)大于第i層容器內(nèi)子模塊個數(shù)，則從第i+Ι層容器中優(yōu)先選擇剛從第i層容器充電至第i+Ι層容器的子模塊投入。
【文檔編號】H02M7/5387GK104135177SQ201410355801
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】劉崇茹, 林周宏, 田鵬飛, 李海峰, 洪國巍, 郭龍 申請人:華北電力大學(xué)