一種vi·chip模塊并聯(lián)應(yīng)用電路及提高功率方法
【專利摘要】本涉發(fā)明及直流電源并聯(lián)輸出領(lǐng)域技術(shù)，公開一種新型VI?CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路及連接方法，本電路包括：第一PRM轉(zhuǎn)換器、第二PRM轉(zhuǎn)換器、第一VTM轉(zhuǎn)換器、第二VTM轉(zhuǎn)換器、第一電感、第二電感，所述第一PRM轉(zhuǎn)換器和第二PRM轉(zhuǎn)換器的+IN、-IN分別短接后接直流輸入+端口和直流輸入-端口；第一PRM轉(zhuǎn)換器和第二PRM轉(zhuǎn)換器的PC、PR端分別相連，第一PRMDC-DC轉(zhuǎn)換器的OS端與SG端加一電阻；第一PRMDC-DC轉(zhuǎn)換器的CD端與SG端加一電阻；本發(fā)明能夠使VI·Chip模塊的應(yīng)用范圍大大的增加。提升輸出功率的要求，提高輸出功率一倍至多倍；具有電路簡單，應(yīng)用前景廣闊。
【專利說明】—種Vl CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路及提高功率方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及直流電源并聯(lián)輸出領(lǐng)域技術(shù)，特別是涉及兩組PRM和VTM做出更大功率而且均流并聯(lián)技術(shù)的一種VI*CHIP并聯(lián)應(yīng)用電路及提高功率方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著電源技術(shù)的發(fā)展，VICOR公司提出了一種分比式功率架構(gòu)的電源架構(gòu)方案，此種電源架構(gòu)方案有很多的優(yōu)勢:
1、體積小，VI.Chip是目前大功率密度器件中體積最小的，尺寸約為1/16磚；
2、靈活性好，VI.Chip使電源設(shè)計更加靈活，可選擇的方案更多；
3、效率聞，VI.Chip最聞效率可達97% ；
4、快速動態(tài)響應(yīng)快，VI.Chip開關(guān)頻率最高達3.5MHz，使用很少的低ESR/ESL陶瓷電容濾波，從而減小動態(tài)負載引起的過沖電壓值。
[0003]雖然VI.Chip有如此多的優(yōu)勢，但也有其缺點。單只模塊的輸出功率最大只有240W就是V1-Chip的一個缺點。單只模塊功率小的缺點大大限制了 V1- Chip的進一步開發(fā)應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種VI*CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路及提高功率方法，使VI*CHIP模塊的輸出功率大大的提升，為以后的電源設(shè)計提供了更多、更好的解決方案。提升VI*CHIP模塊的輸出功率要求
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種VI*CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路，包括第一電阻(I)、第二電阻(2)、第三電阻(3)、第四電阻(4)、第五電阻(5)、第六電阻(6)、第七電阻(7)、第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)、第二PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)、第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)、第二VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)、第一電感(12)、第二電感(13)、直流輸入+端口、直流輸入-端口、直流輸出+端口、直流輸出-端口。
[0005]第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的+IN、-1N分別短接后接直流輸入+端口和直流輸入-端口 ；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器
(9)的PC、PR端分別相連，且DC-DC轉(zhuǎn)換器(8、9)的PR端分別其SG端加一 20K Ω的電阻；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的OS端與SG端加一電阻；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的CD端與SG端加一電阻；第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的OS端與SG端加一電阻；第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的SC端與SG端相連。
[0006]第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的+Out分別通過第五電阻(5)、第七電阻(7)、與第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+IN相連，且第五電阻(5)、第七電阻(7)分別并聯(lián)第一電感(12)和第二電感(13);第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的-Out分別與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的-1N;第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+ IN、-1N分別短接；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的VC端分別與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的VC端相連；第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+Outl、+0ut2相連后與直流輸出+端口相連；第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的-0utl、_0ut2相連后與直流輸出-端口相連。
[0007]由于采用如上所述的技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下優(yōu)越性:
一種VI*CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路及提高功率方法，剛好彌補了 V1-Chip模塊單只功率小的缺陷，使VI.Chip模塊的應(yīng)用范圍大大的增加。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是VI*CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路示意圖。
[0009]圖1中I是第一電阻、2是第二電阻、3是第三電阻、4是第四電阻、5是第五電阻、6是第六電阻、7是第七電阻、8是第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器、9是第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器、10是第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器、11是第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器、12是第一電感、13是第二電感。

【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本專利進一步解釋說明。但本專利的保護范圍不限于具體的實施方式。
[0011]如圖1所示，一種VI*CHIP模塊并聯(lián)應(yīng)用電路，包括第一電阻(I)、第二電阻(2)、第三電阻(3)、第四電阻(4)、第五電阻(5)、第六電阻(6)、第七電阻(7)、第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)、第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)、第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)、第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器
[11]、第一電感(12)、第二電感(13)、直流輸入+端口、直流輸入-端口、直流輸出+端口、直流輸出-端口。
[0012]第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的+IN、-1N分別短接后接直流輸入+端口和直流輸入-端口 ；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器
(9)的PC、PR端分別相連，且DC-DC轉(zhuǎn)換器(8、9)的PR端分別其SG端加一 20K Ω的電阻；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的OS端與SG端加一電阻；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的CD端與SG端加一電阻；第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的OS端與SG端加一電阻；第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的SC端與SG端相連。
[0013]第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的+Out分別通過第五電阻(5)、第七電阻(7)、與第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+IN相連，且第五電阻(5)、第七電阻(7)分別并聯(lián)第一電感(12)和第二電感(13);第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的-Out分別與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的-1N;第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+ IN、-1N分別短接；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的VC端分別與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的VC端相連；第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+Outl、+0ut2相連后與直流輸出+端口相連；第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的-0utl、_0ut2相連后與直流輸出-端口相連。
[0014]V1-CHIP的并聯(lián)主要是通過以下七個步驟來實現(xiàn)的:
1、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的正輸入連接一起；
2、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的負輸入連接一起；
3、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PR端連接一起；4、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PC端連接一起；5、第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的正輸入連接一起；
6、第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的負輸入連接一起；
7、把第二PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的SC端接到它的SG端，使第二PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)作為從模塊。
[0015]另外，第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PR端分別其SG端加一 20ΚΩ的電阻也是關(guān)鍵。
[0016]以上這種連接方法即可實現(xiàn)提升VI*CHIP模塊的輸出功率要求，此方法是把V1-CHIP模塊的輸出功率提高一倍的方法，當然也有把VI*CHIP模塊的輸出功率提高多倍的方法。具體的方法是:在并聯(lián)情況下應(yīng)當保證每個PR端對SG保持1K Ω的等效阻抗，SP一個時PR端連接1K Ω電阻，兩個PRM時每個PR端連接一只20ΚΩ電阻，三個PRM時每個PR端連接一只30ΚΩ電阻，依次類推。
【權(quán)利要求】
1.一種VI*CHIP并聯(lián)應(yīng)用電路，其特征是:包括:第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)、第二PRM DC-DC 轉(zhuǎn)換器(9)、第一 VTM DC-DC 轉(zhuǎn)換器(10)、第二 VTM DC-DC 轉(zhuǎn)換器(11)、第一電感(12)、第二電感(13)，所述第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的+IN、-1N分別短接后接直流輸入+端口和直流輸入-端口 ；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PC、PR端分別相連，且DC-DC轉(zhuǎn)換器(8、9)的PR端分別其SG端加一 20ΚΩ的電阻；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的OS端與SG端加一電阻；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的⑶端與SG端加一電阻；第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的OS端與SG端加一電阻；第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)的SC端與SG端相連； 第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的+Out分別通過第五電阻(5)、第七電阻(7)、與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+IN相連，且第五電阻(5)、第七電阻(7)分別并聯(lián)第一電感(12)和第二電感(13);第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的-Out分別與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的-1N;第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+ IN、-1N分別短接；第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的VC端分別與第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的VC端相連；第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的+Outl、+0ut2相連后與直流輸出+端口相連；第一 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的-0utl、_0ut2相連后與直流輸出-端口相連。
2.—種VI*CHIP并聯(lián)應(yīng)用電路提高功率方法，其特征是:包括提高輸出功率一倍的電路連接方法及多倍的電路連接方法， 一、提高輸出功率一倍的電路連接方法，其具體步驟如下: 1)、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的正輸入連接一起； 2)、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的負輸入連接一起； 3)、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PR端連接一起； 4)、第一PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PC端連接一起； 5)、第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的正輸入連接一起； 6)、第一VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(10)和第二 VTM DC-DC轉(zhuǎn)換器(11)的負輸入連接一起； 7)、把第二PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的SC端接到它的SG端，使第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)作為從模塊； 另外，第一 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(8)和第二 PRM DC-DC轉(zhuǎn)換器(9)的PR端分別其SG端加一 20ΚΩ的電阻也是關(guān)鍵； 實現(xiàn)提升VI*CHIP模塊的輸出功率要求，完成把VI*CHIP模塊的輸出功率提高一倍的方法； 二、提高輸出功率多倍的電路連接方法，其具體步驟如下: 在并聯(lián)情況下應(yīng)當保證每個PR端對SG保持1K Ω的等效阻抗，即一個時PR端連接1K Ω電阻，兩個PRM時每個PR端連接一只20ΚΩ電阻，三個PRM時每個PR端連接一只30ΚΩ電阻，依次類推。
【文檔編號】H02M3/10GK104319994SQ201410517288
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】宋志剛, 趙改周, 張錦鵬, 牛永超 申請人:洛陽隆盛科技有限責任公司