低壓tsc無功補償觸發(fā)裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，解決了傳統(tǒng)的過零特性的光電耦合在現(xiàn)場環(huán)境比較惡劣的場合容易造成誤導通，給電容器及電網(wǎng)造成較大的沖擊，造成設(shè)備損壞的缺陷，包括內(nèi)部安裝有雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦FOD4118芯片的盒體，盒體上固定有兩個伸出到盒體外用于固定到晶閘管模塊的板材上的固定螺栓，盒體側(cè)面引出連接晶閘管模塊的控制端的四根引線；所述的芯片連接電壓鉗位電路，電壓鉗位電路包括并聯(lián)在芯片DETCTOR端的電阻，和并聯(lián)在該電阻兩端的TVS管。芯片判斷連接在DETCTOR端電阻兩端的電壓，電阻的兩端并聯(lián)了TVS管，使晶閘管真正在其兩端電壓過零時觸發(fā)，使電容器或濾波器投入時無沖擊。
【專利說明】低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及無功補償裝置的觸發(fā)控制領(lǐng)域，尤其是一種過零觸發(fā)電壓低，耐熱性好，方便固定的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，公知的無功補償設(shè)備作為凈化電網(wǎng)的主要設(shè)備，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)。隨著制造工藝和應(yīng)用技術(shù)的成熟，晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用在國民經(jīng)濟各領(lǐng)域，為工業(yè)發(fā)展、技術(shù)進步和節(jié)約能源發(fā)揮了重大作用。尤其是由兩支反并聯(lián)晶閘管結(jié)構(gòu)的模塊組成的電子交流開關(guān)，在工業(yè)系統(tǒng)中大量使用。特別是將電子交流開關(guān)用在電網(wǎng)的無功功率補償裝置中替代機械式接觸器后，不但可以實現(xiàn)免維護，省去大量維修及更換工作量，避免了接觸電弧的產(chǎn)生，而且在電容器端電壓過零時投入補償電容，避免了沖擊電流的產(chǎn)生和瞬間電網(wǎng)電壓的波動，實現(xiàn)電容器的平穩(wěn)投入電網(wǎng)，延長了電容器的使用壽命，大大地降低了故障發(fā)生率。
[0003]隨著晶閘管模塊的廣泛應(yīng)用，其觸發(fā)控制裝置電路的設(shè)計問題也隨之體現(xiàn)出來，傳統(tǒng)的脈沖變壓器觸發(fā)線路設(shè)計復雜、成本高、分立元件多、故障率高。所以在現(xiàn)場使用中急需可靠性高、設(shè)計簡單、成本低的模塊化觸發(fā)電路，這樣的觸發(fā)電路必須具備產(chǎn)生一定的瞬時脈沖電流并具有電壓過零觸發(fā)的特點。
[0004]傳統(tǒng)的過零特性的光電耦合的斷態(tài)電壓臨界上升率參數(shù)dv/dt比較低，因而不可避免的在現(xiàn)場環(huán)境比較惡劣的場合容易造成誤導通，給電容器及電網(wǎng)造成較大的沖擊，造成設(shè)備損壞。同時傳統(tǒng)的觸發(fā)裝置固定困難，無正常運行指示功能，因此影響了運行安全和維護。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型解決了傳統(tǒng)的過零特性的光電耦合在現(xiàn)場環(huán)境比較惡劣的場合容易造成誤導通，給電容器及電網(wǎng)造成較大的沖擊，造成設(shè)備損壞的缺陷，提供一種低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，通過雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦芯片，利用其高性能的斷態(tài)電壓上升率可以有效防止誤觸發(fā)的特性，同時利用電壓鉗位電路能有效判斷系統(tǒng)電壓過零點，使晶閘管真正在其兩端電壓過零時觸發(fā)，使電容器或濾波器投入時無沖擊。
[0006]本實用新型還解決了傳統(tǒng)的觸發(fā)裝置固定困難，無正常運行指示功能，影響運行安全和維護的缺陷，提供一種低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦芯片通過灌膠處理固定于盒體內(nèi)，再通過盒體上固定的固定螺栓進行固定，同時通過盒體上引出的引線連接晶閘管模塊的控制端，減少可控硅發(fā)熱對觸發(fā)裝置的影響。
[0007]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，包括內(nèi)部安裝有雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦F0D4118芯片的盒體，盒體上固定有兩個伸出到盒體外用于固定到晶閘管模塊的板材上的固定螺栓，盒體側(cè)面引出連接晶閘管模塊的控制端的四根引線；所述的芯片連接電壓鉗位電路，電壓鉗位電路包括并聯(lián)在芯片DETCTOR端的電阻，和并聯(lián)在該電阻兩端的TVS管。芯片判斷連接在DETCT0R端電阻兩端的電壓，電阻的兩端并聯(lián)了 TVS管，當電阻兩端電壓高于12V，TVS管反向?qū)ǎ瑒t晶閘管觸發(fā)電壓低，不導通；當電阻兩端電壓低于12V，TVS管反不導通，則晶閘管門極與陰極形成電壓差，促使晶閘管導通，從而使晶閘管真正在其兩端電壓過零時觸發(fā)，使電容器或濾波器投入時無沖擊；盒體通過固定螺栓固定于晶閘管的板材上，而非直接固定于晶閘管上，盡量遠離主回路晶閘管的發(fā)熱區(qū)域，走線整潔，減少晶閘管的干擾影響；電壓鉗位電路增加了過零觸發(fā)電壓的穩(wěn)定性。
[0008]作為優(yōu)選，電壓鉗位電路并聯(lián)有阻容吸收電路，阻容吸收電路包括串聯(lián)的薄膜電容和金屬膜電阻。阻容吸收電路有利于吸收通常情況下的主回路諧波干擾，提高過零觸發(fā)的穩(wěn)定性，同時也保護了觸發(fā)的穩(wěn)定運行。
[0009]作為優(yōu)選，薄膜電容采用0.33UF/630V的薄膜電容，金屬膜電阻采用33 Ω /3W的金屬膜電阻。
[0010]作為優(yōu)選，芯片前接限流電阻和二級管串聯(lián)而成的極性保護電路。
[0011]作為優(yōu)選，本觸發(fā)裝置的盒體內(nèi)安裝有兩塊所述的芯片，兩芯片并聯(lián)連接，第一芯片的I腳接電源，第一芯片的2腳接第二芯片的I腳，第一芯片的4腳與第二芯片的6腳之間連接有電阻。
[0012]作為優(yōu)選，TVS管兩端并聯(lián)有一個二極管，二極管兩端并聯(lián)有一個電阻。
[0013]作為優(yōu)選，整個盒體內(nèi)部填充環(huán)氧樹脂密封芯片與電壓鉗位電路。填充環(huán)氧樹脂后，增加了觸發(fā)裝置的爬電距離和電氣特征，提高了觸發(fā)裝置的環(huán)境適應(yīng)性，減少了使用環(huán)境對觸發(fā)裝置的影響。
[0014]本實用新型的有益效果是:芯片判斷連接在DETCTOR端電阻兩端的電壓，電阻的兩端并聯(lián)了 TVS管，使晶閘管真正在其兩端電壓過零時觸發(fā)，使電容器或濾波器投入時無沖擊；盒體通過固定螺栓固定于晶閘管的板材上，而非直接固定于晶閘管上，盡量遠離主回路晶閘管的發(fā)熱區(qū)域，減少晶閘管的干擾影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是本實用新型一種內(nèi)部原理圖；
[0017]圖3是本實用新型一種電路圖；
[0018]圖中:1、盒體，2、固定螺栓，3、環(huán)氧樹脂，4、引線，5、芯片，6、電壓鉗位電路，7、阻容吸收電路，8、晶閘管。

【具體實施方式】
[0019]下面通過具體實施例，并結(jié)合附圖，對本實用新型的技術(shù)方案作進一步具體的說明。
[0020]實施例:一種低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置(參見附圖1附圖2圖3)，包括內(nèi)部安裝有雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦F0D4118芯片5的盒體I，盒體上固定有兩個伸出到盒體外用于固定到晶閘管8模塊的板材上的固定螺栓2，盒體側(cè)面引出連接晶閘管模塊的控制端的四根引線4，芯片連接電壓鉗位電路6，電壓鉗位電路連接阻容吸收電路7，阻容吸收電路連接晶閘管8主回路。整個盒體內(nèi)部填充環(huán)氧樹脂3密封芯片與電壓鉗位電路。
[0021]雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦F0D4118芯片為兩塊，兩塊芯片并聯(lián)連接，第一芯片的I腳接電源，第一芯片的2腳接第二芯片的I腳，第一芯片的4腳與第二芯片的6腳之間連接有電阻。
[0022]芯片前接Rl限流電阻和LEDl 二級管串聯(lián)而成的極性保護電路。電壓鉗位電路包括并聯(lián)在芯片4腳與6腳之間的1MR2電阻，和并聯(lián)在該電阻兩端的TVS管，該電阻兩端并聯(lián)有1N4007 二極管。
[0023]阻容吸收電路包括串聯(lián)的Cl薄膜電容和R7金屬膜電阻，薄膜電容采用0.33uF/630V的薄膜電容，金屬膜電阻采用33 Ω/3W的金屬膜電阻。
[0024]以上所述的實施例只是本實用新型的一種較佳方案，并非對本實用新型作任何形式上的限制，在不超出權(quán)利要求所記載的技術(shù)方案的前提下還有其它的變體及改型。
【權(quán)利要求】
1.一種低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于包括內(nèi)部安裝有雙向可控硅過零觸發(fā)隔離光耦F0D4118芯片的盒體，盒體上固定有兩個伸出到盒體外用于固定到晶閘管模塊的板材上的固定螺栓，盒體側(cè)面引出連接晶閘管模塊的控制端的四根引線；所述的芯片連接電壓鉗位電路，電壓鉗位電路包括并聯(lián)在芯片DETCTOR端的電阻，和并聯(lián)在該電阻兩端的TVS 管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于電壓鉗位電路并聯(lián)有阻容吸收電路，阻容吸收電路包括串聯(lián)的薄膜電容和金屬膜電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于薄膜電容采用0.33uF/630V的薄膜電容，金屬膜電阻采用33 Ω/3W的金屬膜電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于芯片前接限流電阻和二級管串聯(lián)而成的極性保護電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于本觸發(fā)裝置的盒體內(nèi)安裝有兩塊所述的芯片，兩芯片并聯(lián)連接，第一芯片的I腳接電源，第一芯片的2腳接第二芯片的I腳，第一芯片的4腳與第二芯片的6腳之間連接有電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于TVS管兩端并聯(lián)有一個二極管，二極管兩端并聯(lián)有一個電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的低壓TSC無功補償觸發(fā)裝置，其特征在于整個盒體內(nèi)部填充環(huán)氧樹脂密封芯片與電壓鉗位電路。
【文檔編號】H02J3/18GK204179669SQ201420633745
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】劉新根, 楊芝, 趙強先 申請人:劉新根