本發(fā)明涉及電子,具體涉及一種電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法及存儲介質(zhì)。
背景技術(shù):
1、電機因機械原因、負(fù)荷過大等轉(zhuǎn)子被卡死或低速運轉(zhuǎn)而進(jìn)入堵轉(zhuǎn)狀態(tài)時,會造成過熱而燒壞。堵轉(zhuǎn)電流一般可以達(dá)到電機額定電流的2倍左右,這么高的堵轉(zhuǎn)電流極易把電機燒損。因此要精確快速地檢出堵轉(zhuǎn)狀態(tài),及時保護(hù)動作,保證電機不因堵轉(zhuǎn)而燒壞。作為電機控制器的核心部件-mosfet(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要功能是將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,驅(qū)動永磁同步電機行駛。但某些工況下,極低轉(zhuǎn)速大扭矩會導(dǎo)致mosfet處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài),若不實施及時有效的保護(hù)策略,會導(dǎo)致mosfet某相電流過大,進(jìn)而造成熱失控?fù)p壞控制器。
2、在申請?zhí)?02210994195.0專利中,一種車輛電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),該方法包括步驟:采集車輛堵轉(zhuǎn)數(shù)據(jù),所述車輛堵轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)包括轉(zhuǎn)速、扭矩、電流積分量;根據(jù)所述車輛堵轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)判斷電機是否發(fā)生堵轉(zhuǎn);當(dāng)確定電機發(fā)生堵轉(zhuǎn)時,對電機堵轉(zhuǎn)時間進(jìn)行計時,并根據(jù)電機堵轉(zhuǎn)時間設(shè)定多種堵轉(zhuǎn)保護(hù)策略。該技術(shù)方案所提供一種車輛電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,要通過車輛的轉(zhuǎn)速傳感器、扭矩傳感器、電流傳感器,采集車輛的轉(zhuǎn)速、扭矩、電流積分量數(shù)據(jù)對電機是否堵轉(zhuǎn)進(jìn)行判斷,增加了硬件設(shè)計的成本,并且在電機發(fā)生抖動或者換相緩慢時,轉(zhuǎn)速也是極低情況,這種情況下就會作出錯誤的判斷,導(dǎo)致動力受限影響整車加速體驗。電機扭矩與三相mosfet瞬時輸出電流并不呈線性關(guān)系,而真正影響mosfet熱損耗的是電流不是扭矩,所以現(xiàn)有技術(shù)中存在有些情況裕量過大,而有些情況卻保護(hù)不及時的狀況。并且電流積分量運算量大且復(fù)雜,無法及時進(jìn)行堵轉(zhuǎn)情況判斷。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了克服上述技術(shù)缺陷,本發(fā)明提供一種電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法及存儲介質(zhì),其能有效的在電機異常狀況下對硬件進(jìn)行保護(hù)。
2、為了解決上述問題,本發(fā)明按以下技術(shù)方案予以實現(xiàn):
3、第一方面,本發(fā)明提供一種一種電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,包括步驟:
4、獲取電機三相橋電路中的a相電流和c相電流;
5、根據(jù)所述a相電流和所述c相電流計算b相電流;
6、根據(jù)所述a相電流、所述b相電流及所述c相電流分別計算a、b、c三相的電流峰值;
7、根據(jù)a、b、c三相的電流峰值和預(yù)設(shè)電流閾值峰值判斷三相電流變換區(qū)域的情況,并根據(jù)三相電流變換區(qū)域的情況判斷電機是否處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài);
8、若電機處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài),則執(zhí)行堵轉(zhuǎn)保護(hù)策略。
9、作為上述方案的改進(jìn),所述根據(jù)a、b、c三相的電流峰值和預(yù)設(shè)電流閾值峰值判斷三相電流變換區(qū)域的情況,并根據(jù)三相電流變換區(qū)域的情況判斷電機是否處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài)包括步驟:
10、判斷a、b、c三相的電流峰值是否大于預(yù)設(shè)電流峰值,若是,則判斷三相電流變換區(qū)域的數(shù)量是否變換時間相匹配,若不匹配,則判定電機處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài)。
11、作為上述方案的改進(jìn),所述若電機處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài),則執(zhí)行堵轉(zhuǎn)保護(hù)策略包括:
12、將電機控制器的輸出電流減小至零。
13、作為上述方案的改進(jìn),所述b相電流采用基爾霍夫定律計算獲得,表示為:
14、ia+ic+ib=0
15、其中,ia為a相電流,ib為b相電流,ic為c相電流。
16、作為上述方案的改進(jìn),所述三相電流變換區(qū)域包括:
17、第一區(qū)域:a相電流為負(fù),b相電流為正,c相電流為正,且a相電流值最大;
18、第二區(qū)域:a相電流為負(fù),b相電流為負(fù),c相電流為正,且c相電流值最大;
19、第三區(qū)域:a相電流為負(fù),b相電流為正,c相電流為負(fù),且b相電流值最大;
20、第四區(qū)域:a相電流為正,b相電流為負(fù),c相電流為正,且a相電流值最大;
21、第五區(qū)域:a相電流為正,b相電流為正,c相電流為正,且c相電流值最大;
22、第六區(qū)域:a相電流為負(fù),b相電流為正,c相電流為負(fù),且b相電流值最大。
23、作為上述方案的改進(jìn),所述三相橋電路中的包含p溝道m(xù)osfet和n溝道m(xù)osfet中的一種。
24、第二方面,本發(fā)明提供一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有至少一條指令、至少一段程序、代碼集或指令集,所述至少一條指令、至少一段程序、代碼集或指令集由處理器加載并執(zhí)行以實現(xiàn)如本發(fā)明第一方面所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法。
25、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:
26、本申請采用了采集相電流,將三相電流分區(qū)域,判斷三相電流是否換區(qū)域,來取代轉(zhuǎn)速、扭矩、電流積分量判斷是否堵轉(zhuǎn),能更加準(zhǔn)確快速識別并進(jìn)入堵轉(zhuǎn)工況,防止誤判的產(chǎn)生。
1.一種電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,其特征在于,包括步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,其特征在于,所述根據(jù)a、b、c三相的電流峰值和預(yù)設(shè)電流閾值峰值判斷三相電流變換區(qū)域的情況,并根據(jù)三相電流變換區(qū)域的情況判斷電機是否處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài)包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,其特征在于,所述若電機處于堵轉(zhuǎn)狀態(tài),則執(zhí)行堵轉(zhuǎn)保護(hù)策略包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,其特征在于,所述b相電流采用基爾霍夫定律計算獲得,表示為:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,其特征在于,所述三相電流變換區(qū)域包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法,其特征在于,所述三相橋電路中包含p溝道m(xù)osfet和n溝道m(xù)osfet中的一種。
7.一種計算機可讀存儲介質(zhì),其特征在于,所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有至少一條指令、至少一段程序、代碼集或指令集,所述至少一條指令、至少一段程序、代碼集或指令集由處理器加載并執(zhí)行以實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6任一所述的電機堵轉(zhuǎn)保護(hù)方法。