過壓保護電路的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種過壓保護電路。
【背景技術】
[0002] 當下對微型服務器的穩(wěn)定性要求越來越高，移動工作站也越來越多，移動工作站 大多使用蓄電池作為移動電源，這就需要對點啊進行轉換，電源轉換模塊發(fā)生故障后的大 電壓會損壞電路的元器件，甚至造成不可修復的后果。當前市場上常用的過壓保護電路大 多采用繼電器作為開關，以使關斷電源的速度慢。

【發(fā)明內容】

[0003] 鑒于以上內容，有必要提供一種快速關斷電源的過壓保護電路。
[0004] 一種過壓保護電路，包括一開關元件，所述過壓保護電路還包括一過壓感應電路， 所述過電壓感應電路包括一穩(wěn)壓二極管及一連接所述穩(wěn)壓二極管的開關電路，所述開關元 件包括一控制端、一第一連接端及一第二連接端，所述控制端連接所述開關電路，所述第一 連接端連接一供電電源，所述第二連接端連接一電壓輸出端，所述穩(wěn)壓二極管連接于所述 開關電路及所述供電電源之間，所述穩(wěn)壓二級管在所述供電電源處于過壓狀態(tài)時被擊穿從 而使所述開關電路關閉所述開關元件，以阻止所述供電電源對所述電壓輸出端供電。
[0005] 優(yōu)選地，所述過電壓感應電路還包括一延時電路，所述供電電源通過所述延時電 路連接所述開關電路，所述供電電源處于正常狀態(tài)時通過所述延時電路而控制所述開關電 路使所述開關元件導通，從而使所述供電電源對所述電壓輸出端供電。
[0006] 優(yōu)選地，所述開關電路包括一第一晶體管，所述第一晶體管包括基極、集電極及發(fā) 射極，所述穩(wěn)壓二極管連接于所述供電電源與所述基極之間，所述延時電路連接于所述控 制極與所述供電電源之間，所述延時電路在所述供電電源處于正常狀態(tài)時輸出低電平給所 述基極，所述供電電源在處于過壓狀態(tài)時擊穿所述穩(wěn)壓二極管而輸出高電平給所述基極。
[0007] 優(yōu)選地，所述開關電路還包括一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、一第 五晶體管，所述第二晶體管，所述第二晶體管的基極連接所述第一晶體管的集電極，所述第 二晶體管的集電極連接所述第三晶體管的基極，所述第二晶體管的發(fā)射極接地，所述第三 晶體管的發(fā)射極通過一電阻連接所述供電電源，所述第三晶體管的集電極連接所述第四晶 體管的基極，所述第四晶體管的發(fā)射極接地，所述第四晶體管的集電極通過一電阻連接所 述供電電源，所述第四晶體管的集電極還連接所述第五晶體管的基極，所述第五晶體管的 發(fā)射極接地，所述第五晶體管的集電極通過一電阻連接所述供電電源，所述第五晶體管的 集電極還連接所述控制端，所述第一、第二、第四、第五晶體管為NPN型三極管，所述第三晶 體管為PNP型三極管。
[0008] 優(yōu)選地，所述延時電路包括一比較器，所述比較器的輸出端連接所述第一晶體管 的基極，所述比較器的負向輸入端通過分別通過一電容及一電阻接地，并通過另一電阻連 接所述供電電源，所述比較器的正向輸入端通過一電壓轉換器連接所述供電電源，所述負 向輸入端的電壓大于所述正向輸入端的電壓時所述比較器的輸出端輸出一低電平給所述 第一晶體管的基極。
[0009] 優(yōu)選地，所述比較器的輸出端通過一二極管接地。
[0010] 優(yōu)選地，所述比較器的正向輸入端通過一電阻連接所述電壓轉換器，并通過另一 電阻接地。
[0011] 優(yōu)選地，所述電壓轉換器的輸入端及輸出端分別通過一電容接地。
[0012] 優(yōu)選地，所述電壓輸出端通過一電容接地。
[0013] 優(yōu)選地，所述開關元件為一 N溝道M0S管，所述控制端為所述N溝道M0S管的柵極， 所述第一連接端為所述N溝道M0S管的漏極，所述第二連接端為所述N溝道M0S管的源極。
[0014] 與現(xiàn)有技術相比，在上述過壓保護電路中，當供電電源處于過壓狀態(tài)時擊穿所述 穩(wěn)壓二極管，從而使開關元件截止，以阻止供電電源對所述電壓輸出端供電，從而有效地保 護了連接電壓輸出端的電子元件。
【附圖說明】
[0015] 圖1是本發(fā)明的一較佳實施方式中的過壓保護電路的一方框圖。
[0016] 圖2是本發(fā)明的一較佳實施方式中的過壓保護電路的一電路圖。
[0017] 主要元件符號說明
【主權項】
1. 一種過壓保護電路，包括一開關元件，其特征在于：所述過壓保護電路還包括一過 壓感應電路，所述過電壓感應電路包括一穩(wěn)壓二極管及一連接所述穩(wěn)壓二極管的開關電 路，所述開關元件包括一控制端、一第一連接端及一第二連接端，所述控制端連接所述開關 電路，所述第一連接端連接一供電電源，所述第二連接端連接一電壓輸出端，所述穩(wěn)壓二極 管連接于所述開關電路及所述供電電源之間，所述穩(wěn)壓二級管在所述供電電源處于過壓狀 態(tài)時被擊穿從而使所述開關電路關閉所述開關元件，W阻止所述供電電源對所述電壓輸出 端供電。
2. 如權利要求1所述的過壓保護電路，其特征在于：所述過電壓感應電路還包括一延 時電路，所述供電電源通過所述延時電路連接所述開關電路，所述供電電源處于正常狀態(tài) 時通過所述延時電路而控制所述開關電路使所述開關元件導通，從而使所述供電電源對所 述電壓輸出端供電。
3. 如權利要求2所述的過壓保護電路，其特征在于；所述開關電路包括一第一晶體管， 所述第一晶體管包括基極、集電極及發(fā)射極，所述穩(wěn)壓二極管連接于所述供電電源與所述 基極之間，所述延時電路連接于所述控制極與所述供電電源之間，所述延時電路在所述供 電電源處于正常狀態(tài)時輸出低電平給所述基極，所述供電電源在處于過壓狀態(tài)時擊穿所述 穩(wěn)壓二極管而輸出高電平給所述基極。
4. 如權利要求3所述的過壓保護電路，其特征在于：所述開關電路還包括一第二晶體 管、一第H晶體管、一第四晶體管、一第五晶體管，所述第二晶體管，所述第二晶體管的基極 連接所述第一晶體管的集電極，所述第二晶體管的集電極連接所述第H晶體管的基極，所 述第二晶體管的發(fā)射極接地，所述第H晶體管的發(fā)射極通過一電阻連接所述供電電源，所 述第H晶體管的集電極連接所述第四晶體管的基極，所述第四晶體管的發(fā)射極接地，所述 第四晶體管的集電極通過一電阻連接所述供電電源，所述第四晶體管的集電極還連接所述 第五晶體管的基極，所述第五晶體管的發(fā)射極接地，所述第五晶體管的集電極通過一電阻 連接所述供電電源，所述第五晶體管的集電極還連接所述控制端，所述第一、第二、第四、第 五晶體管為NPN型H極管，所述第H晶體管為PNP型H極管。
5. 如權利要求3所述的過壓保護電路，其特征在于；所述延時電路包括一比較器，所述 比較器的輸出端連接所述第一晶體管的基極，所述比較器的負向輸入端通過分別通過一電 容及一電阻接地，并通過另一電阻連接所述供電電源，所述比較器的正向輸入端通過一電 壓轉換器連接所述供電電源，所述負向輸入端的電壓大于所述正向輸入端的電壓時所述比 較器的輸出端輸出一低電平給所述第一晶體管的基極。
6. 如權利要求5所述的過壓保護電路，其特征在于：所述比較器的輸出端通過一二極 管接地。
7. 如權利要求5所述的過壓保護電路，其特征在于：所述比較器的正向輸入端通過一 電阻連接所述電壓轉換器，并通過另一電阻接地。
8. 如權利要求5所述的過壓保護電路，其特征在于：所述電壓轉換器的輸入端及輸出 端分別通過一電容接地。
9. 如權利要求1所述的過壓保護電路，其特征在于；所述電壓輸出端通過一電容接地。
10. 如權利要求1所述的過壓保護電路，其特征在于：所述開關元件為一N溝道MOS管， 所述控制端為所述N溝道MOS管的柵極，所述第一連接端為所述N溝道MOS管的漏極，所述 第二連接端為所述N溝道MOS管的源極。
【專利摘要】一種過壓保護電路，包括一開關元件，所述過壓保護電路還包括一過壓感應電路，所述過電壓感應電路包括一穩(wěn)壓二極管及一連接所述穩(wěn)壓二極管的開關電路，所述開關元件包括一控制端、一第一連接端及一第二連接端，所述控制端連接所述開關電路，所述第一連接端連接一供電電源，所述第二連接端連接一電壓輸出端，所述穩(wěn)壓二極管連接于所述開關電路及所述供電電源之間，所述穩(wěn)壓二級管在所述供電電源處于過壓狀態(tài)時被擊穿從而使所述開關電路關閉所述開關元件，以阻止所述供電電源對所述電壓輸出端供電。
【IPC分類】H02H3-20
【公開號】CN104682339
【申請?zhí)枴緾N201310622390
【發(fā)明人】王治大, 李孟冬
【申請人】鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月30日