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      一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法

      文檔序號(hào):10514660閱讀:268來源:國(guó)知局
      一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,所述方法通過控制芯片利用MOS反饋的電流信息偵測(cè)電流大小,與設(shè)置的slow OCP和fast OCP值進(jìn)行比較,控制MOS的開關(guān)狀態(tài)來達(dá)到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)減少宕機(jī)時(shí)間。本發(fā)明方法可實(shí)現(xiàn)方式簡(jiǎn)單,只需將服務(wù)器供電電源通過控制芯片加MOS形成板卡的供電系統(tǒng),控制芯片根據(jù)MOS電流反饋實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS開關(guān)狀態(tài)的控制,同時(shí)通過PMBUS傳輸給數(shù)據(jù)采集單元進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控;本發(fā)明相比于原有的服務(wù)器保護(hù)模式,在保護(hù)器件和板卡的同時(shí)能夠極大減少服務(wù)器宕機(jī)時(shí)間并避免重要數(shù)據(jù)的丟失,能夠避免因干擾或短時(shí)間內(nèi)超負(fù)荷工作帶來的短暫過流,同時(shí)通過MOS Rdson偵測(cè)的電流更加精準(zhǔn)。
      【專利說明】
      一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明涉及開關(guān)服務(wù)器保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,依據(jù)偵測(cè)到的電流大小進(jìn)行判斷,從而控制服務(wù)器電源供給。
      【背景技術(shù)】
      [0002]傳統(tǒng)的服務(wù)器保護(hù)機(jī)制,是通過偵測(cè)的電流的大小與OCP(過電流保護(hù))進(jìn)行比較,一旦達(dá)到OCP值立即保護(hù)。此種方法無法排除因干擾或短時(shí)間超負(fù)荷工作帶來的短暫過流而造成宕機(jī)損失和數(shù)據(jù)丟失。
      [0003]傳統(tǒng)的服務(wù)器保護(hù)方法,因?yàn)橛|發(fā)到OCP值就會(huì)立即進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)切斷電源,所以在實(shí)際應(yīng)用過程中,會(huì)存在各種問題,首先當(dāng)電流觸發(fā)到OCP值,就會(huì)立即斷電,服務(wù)器宕機(jī),重要數(shù)據(jù)丟失;其次,在服務(wù)器運(yùn)行過程中,不可避免會(huì)有一定的干擾或者極短時(shí)間內(nèi)的超負(fù)荷工作,但都在器件承受范圍內(nèi),傳統(tǒng)保護(hù)方法無法排除因這些原因帶來的短暫過流而造成關(guān)機(jī)。最后,數(shù)據(jù)采集中心可以通過PMBUS來讀取控制芯片接收的電流反饋信息進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:為了解決上述問題,本發(fā)明提出了一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,控制芯片利用MOS反饋的電流信息偵測(cè)電流大小,與設(shè)置的slow OCP和fast OCP值進(jìn)行比較,控制MOS的開關(guān)狀態(tài)來達(dá)到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)減少宕機(jī)時(shí)間,避免重要數(shù)據(jù)的丟失。
      [0005]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
      一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,所述方法通過控制芯片利用MOS反饋的電流信息偵測(cè)電流大小,與設(shè)置的slow OCP(緩過電流保護(hù))和fast 0CP(快速過電流保護(hù))值進(jìn)行比較,控制MOS的開關(guān)狀態(tài)來達(dá)到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)減少宕機(jī)時(shí)間,避免重要數(shù)據(jù)的丟失。
      [0006]所述方法包含內(nèi)容如下:
      1)、優(yōu)化服務(wù)器供電系統(tǒng):服務(wù)器電源經(jīng)過MOS給后級(jí)器件或者板卡進(jìn)行供電,在MOS兩端連接反饋信號(hào)至控制芯片,MOS Rdson(M0S場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻)與經(jīng)過電流產(chǎn)生的電壓差反饋給控制芯片比較器,控制芯片根據(jù)反饋信息來控制MOS工作狀態(tài);
      2)、建立新的服務(wù)器保護(hù)機(jī)制:在服務(wù)器運(yùn)行過程中,不可避免會(huì)有干擾產(chǎn)生或者短時(shí)間的超負(fù)荷工作,例如在熱插拔過程中,會(huì)出現(xiàn)短暫的過流,所以在器件承受范圍內(nèi),設(shè)置slow OCP(緩過電流保護(hù)值)和fast OCP(快速過電流保護(hù)值),在起到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)有一定的抗干擾能力;
      控制芯片偵測(cè)電流達(dá)到slow OCP(緩過電流保護(hù)值)超過一定時(shí)間后,控制MOS關(guān)斷,并且對(duì)重要數(shù)據(jù)進(jìn)行保存,在幾秒之后進(jìn)行重啟;當(dāng)偵測(cè)電流達(dá)到fast OCP(快速過電流保護(hù)值)后,過大的電流很容易會(huì)對(duì)服務(wù)器器件造成損傷,立即關(guān)斷MOS對(duì)服務(wù)器進(jìn)行保護(hù),同時(shí)反饋給數(shù)據(jù)采集中心,方便后續(xù)處理。
      [0007]設(shè)置控制芯片的緩保護(hù)和快速保護(hù)機(jī)制,當(dāng)電流大小超過緩保護(hù)值毫秒級(jí)時(shí)間,控制芯片關(guān)斷M0S,保存重要數(shù)據(jù)并在一段時(shí)間后進(jìn)行重啟;當(dāng)電流大小超過快速保護(hù)值,控制芯片在納秒級(jí)時(shí)間關(guān)斷MOS對(duì)服務(wù)器器件和板卡進(jìn)行保護(hù)。
      [0008]所述方法還包括數(shù)據(jù)采集中心,所述數(shù)據(jù)采集中心通過PMBUS讀取控制芯片接收的電流反饋信息,對(duì)服務(wù)器的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
      [0009]本發(fā)明的有益效果為:
      本發(fā)明方法可實(shí)現(xiàn)方式簡(jiǎn)單,只需將服務(wù)器供電電源通過控制芯片加MOS形成板卡的供電系統(tǒng),控制芯片根據(jù)MOS電流反饋實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS開關(guān)狀態(tài)的控制,同時(shí)通過PMBUS傳輸給數(shù)據(jù)采集單元進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控;應(yīng)用于服務(wù)器重要器件及板卡的保護(hù)機(jī)制。
      [0010]本發(fā)明相比于原有的服務(wù)器保護(hù)模式,在保護(hù)器件和板卡的同時(shí)能夠極大減少服務(wù)器宕機(jī)時(shí)間并避免重要數(shù)據(jù)的丟失,能夠避免因干擾或短時(shí)間內(nèi)超負(fù)荷工作帶來的短暫過流,同時(shí)通過MOS Rdson偵測(cè)的電流更加精準(zhǔn)。
      【附圖說明】
      [0011]圖1為本發(fā)明保護(hù)機(jī)制硬件架構(gòu)示意圖;
      圖2為本發(fā)明的控制邏輯架構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0012]下面結(jié)合說明書附圖,根據(jù)【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明:
      實(shí)施例1:
      一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,所述方法通過控制芯片利用MOS反饋的電流信息偵測(cè)電流大小,與設(shè)置的slow OCP(緩過電流保護(hù))和fast 0CP(快速過電流保護(hù))值進(jìn)行比較,控制MOS的開關(guān)狀態(tài)來達(dá)到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)減少宕機(jī)時(shí)間,避免重要數(shù)據(jù)的丟失。
      [0013]實(shí)施例2
      在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上,本實(shí)施例所述方法包含內(nèi)容如下:
      1)、優(yōu)化服務(wù)器供電系統(tǒng):服務(wù)器電源經(jīng)過MOS給后級(jí)器件或者板卡進(jìn)行供電,在MOS兩端連接反饋信號(hào)至控制芯片,MOS Rdson(M0S場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻)與經(jīng)過電流產(chǎn)生的電壓差反饋給控制芯片比較器,控制芯片根據(jù)反饋信息來控制MOS工作狀態(tài);
      2)、建立新的服務(wù)器保護(hù)機(jī)制:在服務(wù)器運(yùn)行過程中,不可避免會(huì)有干擾產(chǎn)生或者短時(shí)間的超負(fù)荷工作,例如在熱插拔過程中,會(huì)出現(xiàn)短暫的過流,所以在器件承受范圍內(nèi),設(shè)置slow 0CP(緩過電流保護(hù))和fast OCP(快速過電流保護(hù))的值,在起到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)有一定的抗干擾能力;
      控制芯片偵測(cè)電流達(dá)到slow OCP(緩過電流保護(hù)值)超過一定時(shí)間后,控制MOS關(guān)斷,并且對(duì)重要數(shù)據(jù)進(jìn)行保存,在幾秒之后進(jìn)行重啟;當(dāng)偵測(cè)電流達(dá)到fast OCP(快速過電流保護(hù)值)后,過大的電流很容易會(huì)對(duì)服務(wù)器器件造成損傷,立即關(guān)斷MOS對(duì)服務(wù)器進(jìn)行保護(hù),同時(shí)反饋給數(shù)據(jù)采集中心,方便后續(xù)處理。
      [0014]通過設(shè)置控制芯片的緩保護(hù)和快速保護(hù)機(jī)制,當(dāng)電流大小超過緩保護(hù)值毫秒級(jí)時(shí)間,控制芯片關(guān)斷MOS,保存重要數(shù)據(jù)并在一段時(shí)間后進(jìn)行重啟;當(dāng)電流大小超過快速保護(hù)值,控制芯片在納秒級(jí)時(shí)間關(guān)斷MOS對(duì)服務(wù)器器件和板卡進(jìn)行保護(hù)。
      [0015]實(shí)施例3
      在實(shí)施例2基礎(chǔ)上,本實(shí)施例所述方法還包括數(shù)據(jù)采集中心,所述數(shù)據(jù)采集中心通過PMBUS讀取控制芯片接收的電流反饋信息,對(duì)服務(wù)器的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
      [0016]如圖1所示,控制芯片負(fù)責(zé)偵測(cè)電流大小同時(shí)控制MOS開關(guān)狀態(tài),MOS負(fù)責(zé)給后端器件或板卡進(jìn)行供電并反饋電流信息,數(shù)據(jù)采集中心通過PMBUS讀取控制芯片寄存器參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)顯示。
      [0017]如圖2所示,根據(jù)采集到的電流值,通過控制芯片比較器,判定電流值是否觸發(fā)到slow OCP和fast OCP,然后控制MOS開關(guān)狀態(tài),以此循環(huán)。
      [0018]上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明,而并非對(duì)本發(fā)明的限制,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,其特征在于:所述方法通過控制芯片利用MOS管反饋的電流信息偵測(cè)電流大小,與設(shè)置的S1W OCP和fast OCP值進(jìn)行比較,控制MOS管的開關(guān)狀態(tài)來達(dá)到保護(hù)服務(wù)器的同時(shí)減少宕機(jī)時(shí)間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,其特征在于,所述方法包含內(nèi)容如下: 1)、優(yōu)化服務(wù)器供電系統(tǒng):服務(wù)器電源經(jīng)過MOS管給后級(jí)器件或者板卡進(jìn)行供電,在MOS管兩端連接反饋信號(hào)至控制芯片,MOS Rdson與經(jīng)過電流產(chǎn)生的電壓差反饋給控制芯片比較器,控制芯片根據(jù)反饋信息來控制MOS管工作狀態(tài); 2)、建立新的服務(wù)器保護(hù)機(jī)制:在器件承受范圍內(nèi),設(shè)置slowOCP和fast OCP的值;控制芯片偵測(cè)電流達(dá)到slow OCP超過一定時(shí)間后,控制MOS管關(guān)斷,并且對(duì)重要數(shù)據(jù)進(jìn)行保存,在幾秒之后進(jìn)行重啟;當(dāng)偵測(cè)電流達(dá)到fast OCP后,立即關(guān)斷MOS管對(duì)服務(wù)器進(jìn)行保護(hù),同時(shí)反饋給數(shù)據(jù)采集中心,方便后續(xù)處理。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種通過電流偵測(cè)控制服務(wù)器有效保護(hù)的方法,其特征在于,所述方法還包括數(shù)據(jù)采集中心,所述數(shù)據(jù)采集中心通過PMBUS讀取控制芯片接收的電流反饋信息,對(duì)服務(wù)器的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
      【文檔編號(hào)】H02H3/06GK105870875SQ201610291499
      【公開日】2016年8月17日
      【申請(qǐng)日】2016年5月5日
      【發(fā)明人】王杰
      【申請(qǐng)人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
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