專利名稱：磁控管裝置的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及電子爐灶等電器上作為高頻發(fā)生裝置使用的磁控管裝置。
磁控管裝置，是以例如2,450MHz的基本頻率工作的微波振蕩管。微波振蕩管作為利用微波加熱器或微波放電管等的微波的電器上的高頻發(fā)生源使用。這樣的磁控管裝置，一般是陰極和陽(yáng)極配制成同軸圓筒狀的構(gòu)成。


圖11是傳統(tǒng)的磁控管裝置的內(nèi)部構(gòu)成的斷面圖。如圖11所示那樣，傳統(tǒng)的磁控管裝置，由配置在中心部的真空管部分101、設(shè)置在該真空管部分101的外周的多片散熱片102、與真空管部分101同軸設(shè)置的一對(duì)環(huán)狀磁鐵103、與該環(huán)狀磁鐵103磁性連接并形成磁路的一對(duì)框狀磁軛104以及濾波回路部分105構(gòu)成。
真空管部分101是具有圓筒狀的陽(yáng)極筒體106、與陽(yáng)極筒體106同軸配置的陰極107、在陽(yáng)極筒體106的中心軸的周圍放射狀配置的多片板狀的陽(yáng)極葉片108、與這些陽(yáng)極葉片108交替電連接的2個(gè)均壓(耦合)環(huán)109、110以及一端與任何一片陽(yáng)極葉片108連接的微波放射用的天線111的構(gòu)成。
如圖11所示那樣，分別在板狀的陽(yáng)極葉片108的上下兩端面上連接大小均壓環(huán)109、110。這樣，為了在陽(yáng)極葉片108的上下兩端面上連接均壓環(huán)109、110，在一方的端面上形成第1凹部112，在另一方的端面上形成第2凹部113。又，在任何一方的端面上形成用于固定天線111的槽114。上述那樣形成的陽(yáng)極葉片108，其各端面交錯(cuò)配置。因此，在放射狀配置的陽(yáng)極葉片108上，相鄰的形成第1凹部112的第1端面與形成第2凹部113的第2端面配置在相向的位置上。配置成放射狀的陽(yáng)極葉片108上的各外周側(cè)端部被固定在陽(yáng)極筒體106的內(nèi)壁面上。
近年來(lái)，在使用磁控管裝置的電器領(lǐng)域，正處于開(kāi)發(fā)新的應(yīng)用機(jī)器以及開(kāi)拓新的市場(chǎng)的時(shí)期，希望能開(kāi)發(fā)出小型化的磁控管裝置。但是，在傳統(tǒng)的磁控管裝置上，如果為達(dá)到小型化的目的而將陽(yáng)極筒體的內(nèi)徑尺寸設(shè)計(jì)得比傳統(tǒng)的大致35mm小，則存在振蕩頻率高于規(guī)定頻率的問(wèn)題。因此，在傳統(tǒng)的磁控管裝置的構(gòu)成中，不能單純地減小內(nèi)徑尺寸而形成。這樣，在傳統(tǒng)的磁控管裝置上，不能單純減小陽(yáng)極筒體，因而阻礙小型化的進(jìn)程。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決前述的傳統(tǒng)裝置上的各種問(wèn)題，提供小型化的磁控管裝置。
本發(fā)明的磁控管裝置，具有實(shí)質(zhì)上為圓筒狀的陽(yáng)極筒體、固定在前述陽(yáng)極筒體的內(nèi)壁面上并放射狀地配置在前述陽(yáng)極筒體的中心軸周圍且主面與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行配置的板狀的多片陽(yáng)極葉片、以及與放射狀配置的前述陽(yáng)極葉片交替電連接的第1均壓環(huán)以及第2均壓環(huán)，前述陽(yáng)極葉片，具有在與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行的方向上的第1方向側(cè)的第1端面、在與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行的方向上的第2方向側(cè)的第2端面、從前述第1端面實(shí)質(zhì)上與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地切口形成且在前述陽(yáng)極葉片與前述第1均壓環(huán)之間具有既定空間地構(gòu)成的第1切口部、從前述第2端面實(shí)質(zhì)上與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地切口形成且在前述陽(yáng)極葉片與前述第2均壓環(huán)之間具有既定空間地構(gòu)成的第2切口部、以及在前述第2端面上形成并相對(duì)前述第1切口部的形成位置從前述陽(yáng)極筒體的中心軸向外周方向的方向位移的位置上形成且實(shí)質(zhì)上與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地切口形成的第3切口部。這樣構(gòu)成的磁控管裝置，通過(guò)在陽(yáng)極葉片上形成切口部而設(shè)計(jì)成特殊形狀，從而可使用比傳統(tǒng)裝置內(nèi)徑小的陽(yáng)極筒體和小的板狀陽(yáng)極葉片。在本發(fā)明的磁控管裝置上，在由相鄰的陽(yáng)極葉片和陽(yáng)極筒體以及均壓環(huán)構(gòu)成的共振體上，流過(guò)高頻電流的通路彎曲且細(xì)而長(zhǎng)地形成，即使使用比傳統(tǒng)裝置內(nèi)徑小的陽(yáng)極筒體和小的板狀陽(yáng)極葉片也可確保與傳統(tǒng)裝置同樣的電感。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將微波放射用天線固定槽，在前述陽(yáng)極葉片的第1端面上形成，并且在與前述第1切口部的形成位置不同的位置上形成。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第1切口部的深度形成得比從前述第1切口部上的底邊到前述第2端面的距離長(zhǎng)。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第3切口部的深度形成得比從前述第3切口部上的底邊到前述第1端面的距離長(zhǎng)。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第1切口部的深度與前述第3切口部的深度形成不同的尺寸。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第1切口部的深度與前述第3切口部的深度形成實(shí)質(zhì)上同樣的尺寸。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第1切口部與前述第3切口部的各切口形狀形成矩形。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第1切口部與前述第3切口部的各切口形狀設(shè)計(jì)為由曲線構(gòu)成的形狀。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，也可將前述第1切口部與前述第3切口部的各切口形狀設(shè)計(jì)為具有相對(duì)前述陽(yáng)極筒體的中心軸傾斜的邊地構(gòu)成。
在本發(fā)明的磁控管裝置上，前述陽(yáng)極葉片也可利用前述第1切口部與前述第3切口部，使高頻電流的通路彎曲地形成。
發(fā)明的新的特征，雖然不外乎隨附的權(quán)利要求范圍特別記述的內(nèi)容，但關(guān)于構(gòu)成以及內(nèi)容的兩方面，本發(fā)明通過(guò)對(duì)照其它的目的或特征與圖面一同繼續(xù)進(jìn)行以下的詳細(xì)的說(shuō)明，以更好地理解和評(píng)價(jià)。
圖面的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置的內(nèi)部構(gòu)成的局部剖開(kāi)的斷面圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置的內(nèi)部構(gòu)成的局部放大的斷面圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置上的陽(yáng)極筒體和陽(yáng)極葉片等的配置的平面圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置上的另一陽(yáng)極葉片的形狀的斷面圖。
圖5是將本發(fā)明的磁控管裝置上的陽(yáng)極筒體的內(nèi)徑與振蕩頻率之間的關(guān)系與傳統(tǒng)的磁控管裝置比較的坐標(biāo)圖。
圖6是本發(fā)明的另一實(shí)施形式的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片的形狀的斷面圖。
圖7是本發(fā)明的又一實(shí)施形式的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片的形狀的斷面圖。
圖8是本發(fā)明的又一實(shí)施形式的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片的形狀的斷面圖。
圖9是本發(fā)明的又一實(shí)施形式的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片的形狀的斷面圖。
圖10是本發(fā)明的又一實(shí)施形式的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片的形狀的斷面圖。
圖11是傳統(tǒng)的磁控管裝置的內(nèi)部構(gòu)成的局部剖開(kāi)的斷面圖。
圖面的一部分或者全部，是以示意為目的的簡(jiǎn)單表現(xiàn)，不一定忠實(shí)于構(gòu)件之間實(shí)際的相對(duì)大小以及位置。
發(fā)明的實(shí)施形式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的合適的實(shí)施形式的磁控管裝置進(jìn)行說(shuō)明。
《實(shí)施形式1》圖1是本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置的內(nèi)部構(gòu)成的局部剖開(kāi)的斷面圖。圖2是實(shí)施形式1的磁控管裝置上的作為主要構(gòu)件的陽(yáng)極筒體以及陽(yáng)極葉片的放大斷面圖。圖3是在實(shí)施形式1的磁控管裝置上的陽(yáng)極筒體內(nèi)放射狀配置的陽(yáng)極葉片的平面圖。
如圖1所示那樣，實(shí)施形式1的磁控管裝置，由配置在其中心部的真空管部分1、設(shè)置在該真空管部分1的外周的散熱片2、與真空管部分1同軸設(shè)置的上下一對(duì)圓環(huán)狀的永久磁鐵3a、3b、磁性連接在該永久磁鐵3a、3b上并形成磁路的一對(duì)框狀磁軛4、以及濾波回路部分5構(gòu)成。
真空管部分1，具有圓筒狀的陽(yáng)極筒體6、配置在陽(yáng)極筒體6的中心軸上的陰極7、以同樣間隔放射狀地配置在陽(yáng)極筒體6的中心軸周圍的多片板狀的陽(yáng)極葉片15、交替電連接這些陽(yáng)極葉片15的2個(gè)均壓環(huán)(帶環(huán))9、10、以及一端連接在任意一片陽(yáng)極葉片15上的微波放射用的天線11。
在圖1中，在陽(yáng)極筒體6的上側(cè)以及下側(cè)的開(kāi)口端部設(shè)計(jì)分別安裝第1以及第2磁極片21、22的第1以及第2金屬筒體23、24。第1磁極片21的外周端面被設(shè)計(jì)在第1金屬筒體23的一方的端面上的凸緣部覆蓋，該凸緣部的外周緣被固定在陽(yáng)極筒體6的上側(cè)的開(kāi)口端部上。
在第1金屬筒體23的另一端部上，微波輸出端子8被絕緣環(huán)12封住。同樣，第2磁極片22的外周端面被設(shè)計(jì)在第2金屬筒體24的一方的端部上的凸緣部覆蓋，該凸緣部的外周緣被固定在陽(yáng)極筒體6的下側(cè)的開(kāi)口端部上。
如圖1所示那樣，在陽(yáng)極筒體6的外周面上，為了釋放在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)部產(chǎn)生的熱，多段安裝多片散熱片2。在第1磁極片21的外周端面上，圓環(huán)狀的第1永久磁鐵3a同軸地配置在第1金屬筒體23的凸緣部的上面。第1永久磁鐵3a與第1磁極片21磁性結(jié)合。同樣，在第2磁極片22的外周端面上，圓環(huán)狀的第2永久磁鐵3b同軸地配置在第2金屬筒體24的凸緣部的下面。第2永久磁鐵3b與第2磁極片3磁性結(jié)合。又，第1以及第2的永久磁鐵3a、3b在包圍散熱片2的框狀磁軛4的下部，為了防止高頻噪聲的泄漏，安裝內(nèi)裝有LC濾波回路件等的濾波回路部分5的金屬制的屏蔽罩13。
在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)部，設(shè)計(jì)沿其中心軸配置的線圈狀的陰極7以及在該陰極7的周圍同軸放射狀地配置的陽(yáng)極葉片15。陰極7在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)部連接在一對(duì)陰極端子7a、7b上。一對(duì)陰極端子7a、7b，在屏蔽罩13內(nèi)通過(guò)陰極端子導(dǎo)出用的桿(圖中未畫(huà))從陽(yáng)極筒體6的內(nèi)部引出，連接到圖中未畫(huà)的高頻電源上。
在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)部，在放射狀配置的陽(yáng)極葉片15上的各外周側(cè)端部被固定在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)壁面上。陽(yáng)極葉片15的片數(shù)是偶數(shù)，在實(shí)施形式1中，由10片構(gòu)成。陽(yáng)極葉片15，由例如長(zhǎng)9.5mm、寬7.0mm、厚2.0mm的板材形成。在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)部，連接在陽(yáng)極葉片15的1片上的天線11，連接在微波輸出端子8上，具有例如2,450MHz的基本頻率的微波從微波輸出端子8輸出。
在實(shí)施形式1中，陽(yáng)極筒體6、陽(yáng)極葉片15、均壓環(huán)9、10以及天線11由同一金屬材料構(gòu)成，例如無(wú)氧銅，并分別采用由銀和銅的合金構(gòu)成的焊料利用壓接釬焊方法固定。
如圖1所示那樣，在放射狀配置的多片陽(yáng)極葉片15的上下兩端面上，配置大直徑和小直徑的2個(gè)均壓環(huán)9、10。2個(gè)均壓環(huán)9、10各每隔1片地連接在放射狀配置的多片陽(yáng)極葉片15上。這樣，為了在陽(yáng)極葉片15的上下兩端面的所希望的位置上連接均壓環(huán)9或10，在陽(yáng)極葉片15上的一方的端面16(圖2中的陽(yáng)極葉片15的上面)上形成第1切口部17，在另一方的端面18(圖2中的陽(yáng)極葉片15的下面)上形成第2切口部19。第1切口部17以及第2切口部19的形狀，當(dāng)從陽(yáng)極葉片15的厚度方向，即與放射狀配置的陽(yáng)極葉片15的主面垂直的方向看時(shí)，為矩形的凹槽，利用切口形成。
又，如圖2所示那樣，天線11的一端被固定在陽(yáng)極葉片15的上面形成的槽14內(nèi)。這樣，連接天線11的一端的陽(yáng)極葉片15是放射狀配置的陽(yáng)極葉片15中的1片。
圖4是與圖2所示陽(yáng)極葉片15相對(duì)而鄰的陽(yáng)極葉片15的形狀。圖4所示陽(yáng)極葉片15，與圖2所示陽(yáng)極葉片15的形狀相同，但上下相反地固定在陽(yáng)極筒體6上。這樣，在放射狀配置的陽(yáng)極葉片15上，形成第1切口部17的第1端面16與形成第2切口部19的第2端面18上下相錯(cuò)地配置。
下面，說(shuō)明實(shí)施形式1的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片15的具體形狀。
在圖2所示的陽(yáng)極葉片15的第1端面16上，實(shí)質(zhì)上在同一平面上配置環(huán)狀的大小一對(duì)第1均壓環(huán)9以及第2均壓環(huán)10。在第1端面16上形成的第1切口部17使第1均壓環(huán)9與陽(yáng)極葉片15不接觸。第1切口部17的深度是D1，寬是W1。第1切口部17的深度D1在陽(yáng)極葉片15的高度H的一半以上。在此，所謂陽(yáng)極葉片15的高度是第1端面16與第2端面18之間的距離。而且，在圖2所示的陽(yáng)極葉片15的第1端面16上固定第2均壓環(huán)10。
另一方面，在陽(yáng)極葉片15上，在作為第1端面16的相反側(cè)的第2端面18上，同樣實(shí)質(zhì)上在同一平面上配置環(huán)狀的大小一對(duì)第1均壓環(huán)9以及第2均壓環(huán)10。在第2端面18上形成的第2切口部19使第2均壓環(huán)10與陽(yáng)極葉片15不接觸。第2切口部19的深度是D2，寬是W2。第2切口部19距離第1切口部17的最底部有一定距離地形成。而且，在圖2所示的陽(yáng)極葉片15的第2端面18上固定第1均壓環(huán)9。
又，如圖2所示那樣，在第2端面18上，在與第2切口部19形成位置不同的位置上，并且是與在第1端面16上形成的第1切口部17的形成位置完全錯(cuò)開(kāi)的位置上形成第3切口部20。即，第2端面18上的第3切口部20與第1端面16上形成的第1切口部17在與陽(yáng)極筒體6的中心軸平行的方向上錯(cuò)開(kāi)形成。第3切口部20的深度是D3，寬是W3。第3切口部20的深度D3在陽(yáng)極葉片15的高度H的一半以上。
另外，在圖2中，第1切口部17的最底部與第2端面18之間的間隔用符號(hào)L1表示，第1端面16與第3切口部20的最底部之間的間隔用符號(hào)L2表示。
在本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置上，第1切口部17的深度D1形成得比距離L1長(zhǎng)。并且，第3切口部20的深度D3形成得比距離L2長(zhǎng)。因此，在各陽(yáng)極葉片15上，從陰極側(cè)到陽(yáng)極筒體側(cè)的電流的通路不是直線的，而是彎曲地形成的。
下面，作為第1實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形式1的磁控管裝置的具體例進(jìn)行說(shuō)明。
在第1實(shí)施例中，陽(yáng)極葉片15的第2切口部19的深度D2是1.7mm，與傳統(tǒng)的磁控管裝置上的陽(yáng)極葉片的切口部相同。第1切口部17的深度D1是5.8mm，第3切口部20的深度D3是7.5mm。采用這樣構(gòu)成的陽(yáng)極葉片15的磁控管裝置，當(dāng)陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑為22.0mm時(shí)為2,450MHz。這時(shí)的陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑比傳統(tǒng)的磁控管裝置的陽(yáng)極筒體的內(nèi)徑35mm小13mm，可使陽(yáng)極筒體6大幅度減小。
圖5是上述那樣構(gòu)成的本發(fā)明的磁控管裝置與傳統(tǒng)的磁控管裝置進(jìn)行比較的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在圖5中，橫軸表示陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑[mm]，縱軸表示振蕩頻率[MHz]。在圖5上，也表示出了陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑為上述第1實(shí)施例以外的值時(shí)的結(jié)果。并且，在圖5中，也表示出了作為比較例，在傳統(tǒng)的磁控管裝置上改變陽(yáng)極筒體的內(nèi)徑時(shí)的振蕩頻率的變化。
如圖5的坐標(biāo)圖所表明的那樣，在本發(fā)明的磁控管裝置上，即使改變陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑，振蕩頻率也沒(méi)有變化。根據(jù)發(fā)明者的試驗(yàn)，即使將陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑從22mm變化到35mm，振蕩頻率的標(biāo)準(zhǔn)離差也在±10MHz內(nèi)。
另外，在第1實(shí)施例中，雖然是以第1切口部17的深度D1與第3切口部20的深度D3尺寸不同的例子進(jìn)行說(shuō)明的，但發(fā)明者根據(jù)試驗(yàn)可證明即使第1切口部17的深度D1與第3切口部20的深度D3以實(shí)質(zhì)上相同尺寸形成，也可減小陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑。
上述那樣構(gòu)成的本發(fā)明的磁控管裝置，可將陽(yáng)極筒體6的內(nèi)徑設(shè)計(jì)得比傳統(tǒng)磁控管裝置上的陽(yáng)極筒體的內(nèi)徑小。在本發(fā)明的磁控管裝置上，可將流過(guò)由相鄰的2片陽(yáng)極葉片15和陽(yáng)極筒體6以及均壓環(huán)9、10構(gòu)成的共振體的高頻電流的通路形成得細(xì)而長(zhǎng)。因此，本發(fā)明的磁控管裝置，可確保與傳統(tǒng)的磁控管裝置同等的電感。其結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明，可提供以與傳統(tǒng)的磁控管裝置同樣的振蕩頻率工作的小型化的磁控管裝置。
在圖2所示的實(shí)施形式1的磁控管裝置上，在陽(yáng)極葉片15的第1端面16側(cè)，第1切口部17形成深度D1使第1均壓環(huán)9與陽(yáng)極葉片15不接觸，第2均壓環(huán)10固定在陽(yáng)極葉片15上。在作為第1端面16的相反側(cè)的第2端面18側(cè)，第2切口部19形成深度D2使第2均壓環(huán)10與陽(yáng)極葉片15不接觸，第1均壓環(huán)9固定在陽(yáng)極葉片15上。本發(fā)明的磁控管裝置，具有不限于上述那樣的形狀的陽(yáng)極葉片。例如，圖6所示的陽(yáng)極葉片150，雖然具有與圖2所示的陽(yáng)極葉片15不同的形狀，但具有與上述實(shí)施形式1同樣的效果。如圖6所示那樣，該陽(yáng)極葉片150，在第1端面160側(cè)形成第1切口部170使第2均壓環(huán)10與陽(yáng)極葉片150不接觸，第1均壓環(huán)9固定在陽(yáng)極葉片150上。另一方面，在第2端面180側(cè)形成第2切口部190使第1均壓環(huán)9與陽(yáng)極葉片150不接觸，第2均壓環(huán)10固定在陽(yáng)極葉片150上。
圖7以及圖8是又一實(shí)施形式的陽(yáng)極葉片的斷面圖。圖7所示的陽(yáng)極葉片250，固定在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)壁面上的部分形成得較長(zhǎng)。即，在圖7所示的陽(yáng)極葉片250上，在形成第3切口部20的陽(yáng)極筒體6側(cè)形成突出部分23。因此，具有可將相對(duì)陽(yáng)極筒體6的固定面形成得較大的效果。
在圖8所示的陽(yáng)極葉片350上，與前述的圖2所示的陽(yáng)極葉片15相比將第3切口部20的高度方向的長(zhǎng)度(D3)形成得較長(zhǎng)。并且，在圖8所示的陽(yáng)極筒體6上，在相對(duì)第3切口部20的陽(yáng)極筒體6的內(nèi)壁面的一部分上形成凹部24。該凹部24，其高度方向的中心位置與陽(yáng)極葉片350的高度方向的中心位置相同地形成。通過(guò)這樣在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)壁面的一部分上形成凹部24，使流過(guò)陽(yáng)極葉片250的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)不受陽(yáng)極筒體6限制，可進(jìn)一步確保充分的電感成分?？涨恢C振器上的振蕩頻率用fr＝1/2π(LC)表示。在該式中，L是電感成分，C是電容成分。該式表示的是具有由陽(yáng)極葉片和陽(yáng)極筒體以及均壓環(huán)構(gòu)成的共振體的磁控管裝置的一般的振蕩頻率。
在圖8所示的陽(yáng)極葉片350的上下方向的細(xì)長(zhǎng)的部分A上，當(dāng)電流沿箭頭所示方向流動(dòng)的時(shí)候，其周圍產(chǎn)生磁場(chǎng)。當(dāng)作為導(dǎo)體的陽(yáng)極筒體6的內(nèi)壁面接近該細(xì)長(zhǎng)的部分A時(shí)，上述磁場(chǎng)被限制，使上述式中的電感成分(L)變小。其結(jié)果，磁控管裝置的振蕩頻率增大。在此，在圖8所示的磁控管裝置的陽(yáng)極筒體6上，為了確保充分的電感成分，在陽(yáng)極筒體6的內(nèi)壁面的一部分上形成凹部24使陽(yáng)極筒體6的壁面不遮擋上述磁場(chǎng)。其結(jié)果，圖8所示的磁控管裝置，可確保與傳統(tǒng)的磁控管裝置同樣或在其以上的電感，可提供振蕩頻率與傳統(tǒng)的磁控管裝置相同而小型化的磁控管裝置。
另外，在上述的實(shí)施形式中，雖然說(shuō)明的是第1切口部17和第3切口部20的形狀為矩形的情況，但本發(fā)明不局限于這樣的形狀。圖9以及圖10是展示本發(fā)明的陽(yáng)極葉片的其它的具體形狀的圖。圖9所示為第1切口部171和第3切口部201具有圓弧的形狀的陽(yáng)極葉片151。圖10所示為第1切口部172和第2切口部192以及第3切口部202具有相對(duì)陽(yáng)極筒體6的中心軸傾斜的邊的形狀的陽(yáng)極葉片152。
通過(guò)采用上述那樣的形狀的陽(yáng)極葉片151、152，可將流過(guò)高頻電流的通路形成得較長(zhǎng)，可提供與前述的實(shí)施形式1同樣以所希望的振蕩頻率工作的小型的磁控管裝置。
另外，在實(shí)施形式1中，雖然是以陽(yáng)極筒體6的中心軸為垂直方向配置的磁控管裝置的例子進(jìn)行的說(shuō)明，但本發(fā)明的磁控管裝置是不限于在該方向上配置的情況。如果本發(fā)明的磁控管裝置如上述那樣構(gòu)成，則陽(yáng)極筒體6的中心軸的方向無(wú)論配置在哪個(gè)方向都具有與上述以上，根據(jù)本發(fā)明，即使使用內(nèi)徑尺寸比傳統(tǒng)的陽(yáng)極筒體小的陽(yáng)極筒體，通過(guò)在陽(yáng)極葉片上形成切口部，可將流過(guò)由相鄰的2片陽(yáng)極葉片和陽(yáng)極筒體以及均壓環(huán)構(gòu)成的共振體的高頻電流的通路形成得細(xì)而長(zhǎng)。因此，本發(fā)明的磁控管裝置，可確保與傳統(tǒng)的磁控管裝置同樣的電感，其結(jié)果，可提供振蕩頻率與傳統(tǒng)的磁控管裝置同樣的小型化的磁控管裝置。
雖然對(duì)發(fā)明就合適的形式以一定的詳細(xì)程度進(jìn)行了說(shuō)明，但該合適形式在此所展示的內(nèi)容是在構(gòu)成的細(xì)部上適當(dāng)變化的例子，各要點(diǎn)的組合或順序的變化是不超出權(quán)利要求的發(fā)明的范圍以及宗旨而可以實(shí)現(xiàn)的。
權(quán)利要求
1.一種磁控管裝置，其特征在于具有實(shí)質(zhì)上為圓筒狀的陽(yáng)極筒體、固定在前述陽(yáng)極筒體的內(nèi)壁面上并放射狀地配置在前述陽(yáng)極筒體的中心軸周圍且主面與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地配置的板狀的多片陽(yáng)極葉片、以及交替電連接放射狀配置的前述陽(yáng)極葉片的第1均壓環(huán)以及第2均壓環(huán)，前述陽(yáng)極葉片，具有在與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行的方向上的第1方向側(cè)的第1端面、在與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行的方向上的第2方向側(cè)的第2端面、從前述第1端面實(shí)質(zhì)上與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地切口形成且在前述陽(yáng)極葉片與前述第1均壓環(huán)之間具有既定空間地構(gòu)成的第1切口部、從前述第2端面實(shí)質(zhì)上與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地切口形成且在前述陽(yáng)極葉片與前述第2均壓環(huán)之間具有既定空間地構(gòu)成的第2切口部、以及在前述第2端面上形成并相對(duì)前述第1切口部的形成位置從前述陽(yáng)極筒體的中心軸向外周方向的方向位移的位置上形成且實(shí)質(zhì)上與前述陽(yáng)極筒體的中心軸平行地切口形成的第3切口部。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于微波放射用天線固定槽，在前述陽(yáng)極葉片的第1端面上形成，并且在與前述第1切口部的形成位置不同的位置上形成。
3.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于前述第1切口部的深度形成得比從前述第1切口部的底邊到前述第2端面的距離長(zhǎng)。
4.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于前述第3切口部的深度形成得比從前述第3切口部的底邊到前述第1端面的距離長(zhǎng)。
5.如權(quán)利要求4或3所述的磁控管裝置，其特征在于前述第1切口部的深度與前述第3切口部的深度形成不同的尺寸。
6.如權(quán)利要求4或3所述的磁控管裝置，其特征在于前述第1切口部的深度與前述第3切口部的深度實(shí)質(zhì)上形成同樣的尺寸。
7.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于前述第1切口部與前述第3切口部的各切口形狀是矩形。
8.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于前述第1切口部與前述第3切口部的各切口形狀是由曲線構(gòu)成的形狀。
9.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于前述第1切口部與前述第3切口部的各切口形狀設(shè)計(jì)為具有相對(duì)前述陽(yáng)極筒體的中心軸傾斜的邊地構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于前述陽(yáng)極葉片利用前述第1切口部與前述第3切口部，使高頻電流的通路彎曲地形成。
全文摘要
在本發(fā)明的磁控管裝置上，在放射狀配置在陽(yáng)極筒體(6)的內(nèi)側(cè)的陽(yáng)極葉片(15)上形成第1切口部(17)、第2切口部(19)以及第3切口部(20)，并將流過(guò)由相鄰的2片陽(yáng)極葉片(15)和陽(yáng)極筒體(6)以及均壓環(huán)(9)、(10)構(gòu)成的共振體的高頻電流的通路形成得細(xì)而長(zhǎng)。
文檔編號(hào)H03B9/00GK1417834SQ02149930
公開(kāi)日2003年5月14日 申請(qǐng)日期2002年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月9日
發(fā)明者相賀正幸, 桑原渚 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社