專利名稱:用于高功率放大器的靜態(tài)電流控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。更具體地,本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電路和放大器領(lǐng)域。
背景技術(shù):
基于雙極工藝的放大器廣泛用于各種應(yīng)用,例如包括諸如射頻(“RF”)通信的無線電通信。通過向雙極性晶極管提供基極偏置電流用于控制放大器中雙極性晶極管的工作模式,偏置電路執(zhí)行著重要的功能。
數(shù)字型控制電路用來降低高功率放大器中低功率模式工作的電流和功率消耗。但是,數(shù)字型控制電路在從低功率模式到高功率模式有單一的突變點(diǎn),這直接限制了對(duì)電流消耗的節(jié)省,特別是在非常低的功率模式工作期間。
為了更好地降低電流消耗,高功率放大器使用附加CMOS模片中的CMOS電路。采用該裝置,CMOS電路能將改進(jìn)的模擬控制電壓提供給放大器中雙極性晶體管的基極偏置,導(dǎo)致大致連續(xù)的靜態(tài)電流從非常低的功耗電平轉(zhuǎn)變。這樣,即使在低功率模式下,電流消耗也會(huì)大大降低。然而,給放大器增加單獨(dú)的CMOS模片,會(huì)導(dǎo)致設(shè)備體積增大和成本增加,這兩者都是不期望出現(xiàn)的。
因此,本領(lǐng)域?qū)Ω吖β史糯笃黛o態(tài)電流控制電路有著強(qiáng)大需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供高功率放大器的靜態(tài)電流控制電路。在一個(gè)示例性實(shí)施例中,控制電路控制連接到諸如高功率CDMA放大器的放大器上的偏置電路。所述偏置電路包括第一偏置晶體管、第二偏置晶體管以及第三偏置晶體管。其中,放大晶體管的基極連接到第二偏置晶體管的發(fā)射極,第二偏置晶體管的基極連接到第一偏置晶體管的基極以及第三偏置晶體管的集電極,并且第三偏置晶體管的基極在第一節(jié)點(diǎn)上連接到第一偏置晶體管的發(fā)射極以及偏置控制電路。
在一個(gè)實(shí)施例中,偏置控制電路包括接收控制電壓的裝置和響應(yīng)于控制電壓有效調(diào)整偏置控制電路的等效電阻的裝置,其中,等效電阻是在第一節(jié)點(diǎn)和諸如接地的參考電壓之間形成的。例如,在一個(gè)實(shí)施例中,當(dāng)控制電壓增大時(shí),等效電阻就逐漸減小,并且由偏置控制電路引起的電流逐漸增大,導(dǎo)致放大晶體管的靜態(tài)電流逐漸增大。這樣,就實(shí)現(xiàn)了放大晶體管的連續(xù)的靜態(tài)電流控制,從而顯著地節(jié)省了電流和功率消耗。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,偏置控制電路、偏置電路和放大晶體管都基于雙極工藝。因此,偏置控制電路、偏置電路和放大晶體管能集成為單一模片,使設(shè)備大小和設(shè)備成本顯著降低。
在考察以下的詳細(xì)說明及附圖后,本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說會(huì)更加明顯。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的高功率放大器的示例性偏置電路的電路圖;圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示例性控制電路的電路圖;圖3示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的示例性控制電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明旨在提供高功率放大器的靜態(tài)電流控制電路。下面的說明包含與本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)有關(guān)的特定信息。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到,本發(fā)明可以用不同于本申請(qǐng)中專門討論的方法來實(shí)現(xiàn)。此外,為了不至于使本發(fā)明不明確,本發(fā)明的一些具體的細(xì)節(jié)在此不作討論。本申請(qǐng)中不討論的所述具體細(xì)節(jié)都在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解的范圍內(nèi)。
本申請(qǐng)中的附圖及其伴隨的詳細(xì)說明僅僅旨在描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。為了保持簡明扼要,使用本發(fā)明原理的本發(fā)明的其它實(shí)施例在本申請(qǐng)中不作專門描述并且不由本附圖作專門示意。
參照?qǐng)D1,該圖示出示例性偏置電路102的電路圖,所述偏置電路102包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的控制電路106。在圖1中,偏置電路102連接到放大器104的放大晶體管110,并為其提供基極偏置電流108(“Ib108”)。例如,放大器104可以是諸如高功率CDMA手機(jī)放大器的高功率放大器,放大晶體管110可以是例如大型異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(“HBT”)。如下所述,控制電路106基于雙極工藝并且被集成到與偏置電路102和放大器104同一個(gè)模片中。而且如下所述,控制電路106獲得放大晶體管110的靜態(tài)電流112(“Icq112”)的動(dòng)態(tài)連續(xù)控制,結(jié)果顯著降低了電流和功率消耗。
如圖1所示,偏置電路102包括偏置晶體管114、116和118以及電阻120和122。偏置晶體管114、116和118包含雙極性晶體管,其中,偏置晶體管114的基極在節(jié)點(diǎn)128上連接到偏置晶體管116的基極和偏置晶體管118的集電極。偏置晶體管114還具有在節(jié)點(diǎn)126上與控制電路106和偏置晶體管118的基極相連的發(fā)射極。偏置晶體管118的發(fā)射極連接到諸如接地132的參考電壓。偏置晶體管116還具有在節(jié)點(diǎn)130上連接到放大晶體管110的基極的發(fā)射極。放大晶體管110的發(fā)射極連接到諸如接地132的參考電壓。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,電阻120大約為1至2千歐姆(kΩ),其連接在參考電壓(“Vrer”)124和節(jié)點(diǎn)128之間,而電阻122大約為0.5至1kΩ,其連接在節(jié)點(diǎn)130和諸如接地132的參考電壓之間。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,電阻122可以被省略,其中,偏置晶體管116的發(fā)射極只連接到放大晶體管110的基極。如本領(lǐng)域中所公知的,節(jié)點(diǎn)134、136和138可以連接到偏置電壓或者直接連接到電源電壓(“VCC”)。
控制電路106連接在節(jié)點(diǎn)126和諸如接地132的參考電壓之間。如圖1所示,控制電路106包括偏置控制晶體管140以及電阻142、144、146和148。電阻142連接在節(jié)點(diǎn)126和節(jié)點(diǎn)158之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為2kΩ,電阻144連接在節(jié)點(diǎn)158和諸如接地132的參考電壓之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為100kΩ。電阻146連接在偏置控制晶體管140的發(fā)射極和諸如接地132的參考電壓之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為100kΩ。偏置控制晶體管140包含雙極性晶體管并且具有連接到節(jié)點(diǎn)158的集電極以及連接到節(jié)點(diǎn)160的基極。電阻148連接在節(jié)點(diǎn)160和控制電壓(“Vcont”)156之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為10kΩ。
在工作時(shí),控制電路106接收Vcont 156,并提供對(duì)應(yīng)于連接在節(jié)點(diǎn)126和接地132之間的等效電阻(“Req”)的“參考”電阻。Req決定了偏置電路102的狀態(tài),反過來,偏置電路102也決定了放大器104的Icq112的狀態(tài)。在控制電路106中,偏置控制晶體管140作為由Vcont156控制的有源電阻來工作,這樣,當(dāng)Vcont156從低電平向高電平增加時(shí),Req逐漸減小。例如,Vcont156可以具有大約為0至1.1伏特(“V”)的低電平和大約為2至3伏特V的高電平。電阻142確定了高電平模式工作時(shí)Req的初始電阻,并在高Vcont156時(shí)起作用來限制Icq112,電阻144確定了低電平模式工作時(shí)Req的初始電阻,并且對(duì)極低Vcont156時(shí)的初始(baseline)Icq112起作用。
采用這種配置,當(dāng)Vcont156從低電平逐漸增大時(shí),偏置控制晶體管140逐漸導(dǎo)通,使得偏置控制晶體管140的集電極電流(“Ic”)162逐漸增大。當(dāng)Ic162逐漸增大時(shí),控制電路106的Req動(dòng)態(tài)地減小,這樣,控制電路106引起增大的電流164,導(dǎo)致偏置晶體管118的基極電流(“Ib”)166和Ic168減小。減小的Ic168引起偏置晶體管116的Ib170和Ic172增大,在節(jié)點(diǎn)130上,進(jìn)一步導(dǎo)致放大晶體管110的Vb增大,放大晶體管110的Ib108和Icq112也增大。
由于控制電路106和偏置電路102的特殊配置,通過控制電路106獲得了對(duì)放大晶體管110的Vb顯著改善的模擬控制,這樣能夠提供從極低功率電平起的連續(xù)的Icq112轉(zhuǎn)變,這顯著地節(jié)約了電流消耗。由于控制電路106基于雙極工藝,控制電路106可被集成到和偏置電路102和放大器104同一個(gè)模片中,使得成本大大節(jié)約以及設(shè)備尺寸顯著減小。
如圖1所示,控制電路106還包括由電阻152和二極管154組成的溫度補(bǔ)償電路150。電阻152連接在節(jié)點(diǎn)160和二極管154的正極之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為2至5kΩ。二極管154可以是例如HTB二極管,并且還具有連接到諸如接地132的參考電壓的負(fù)極。在沒有溫度補(bǔ)償電路的情況下,在高溫時(shí),偏置控制晶體管140所必需的正向偏置電壓(對(duì)應(yīng)于基極至發(fā)射極電壓(“Vbe”))會(huì)下降,導(dǎo)致偏置控制晶體管140的Ic162增大,而控制電路106的Req相應(yīng)減小。然而,在節(jié)點(diǎn)160上采用連接到偏置控制晶體管140基極的電阻152和二極管154,通過將相應(yīng)的增加的電流174從節(jié)點(diǎn)160引導(dǎo)到接地132,二極管154抵消了Ic162的任何增量,因?yàn)樵诟邷厍闆r下,二極管154所必需的正向偏置電壓減小與偏置控制晶體管140所必需的正向偏置電壓下降的原因相同。因此,即使在高溫情況下,也可以獲得對(duì)控制電路106的Req的更好的控制和更高的精確度,這正如上面所討論的,提供了對(duì)放大晶體管110的Vb顯著改善的模擬控制,以及對(duì)放大晶體管110的Icq112的改善的連續(xù)控制,結(jié)果顯著降低電流和功率消耗。
參照?qǐng)D2,該圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的示例性控制電路206。如上所述,控制電路206可以用于控制圖1中的偏置電路102,并提供如上所述的對(duì)放大晶體管110的Icq112的連續(xù)控制,其中控制電路206替代了圖1中的控制電路106,并且其中節(jié)點(diǎn)226、Vcont256和接地232分別對(duì)應(yīng)于圖1中的節(jié)點(diǎn)126、Vcont156和接地132。
如圖2所示,控制電路206包含偏置控制晶體管240,電阻242、248、276、278和280以及二極管282。電阻242連接在節(jié)點(diǎn)226和258之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為2kΩ。電阻276連接在節(jié)點(diǎn)258和節(jié)點(diǎn)284之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為100kΩ。電阻278連接在節(jié)點(diǎn)284和二極管282的正極之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為10至20Ω。例如,二極管282可以是具有約為0.5V的導(dǎo)通正向偏置電壓的肖特基二極管,其負(fù)極連接到諸如接地232的參考電壓。電阻280連接在節(jié)點(diǎn)284和諸如接地232的參考電壓之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為100Ω。偏置控制晶體管240包含雙極性晶體管并具有連接到節(jié)點(diǎn)258的集電極和連接到節(jié)點(diǎn)284的發(fā)射極。電阻248連接在偏置控制晶體管240的基極和Vcont256之間,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,其阻值約為10kΩ。
在工作時(shí),控制電路206的工作模式與圖1中結(jié)合控制電路106所描述的工作方式實(shí)質(zhì)上相同。因此,當(dāng)Vcont256從低電平增大時(shí),偏置控制晶體管240逐漸接通,引起偏置控制晶體管240的集電極電流(“Ic”)262逐漸增大。當(dāng)Ic262逐漸增大時(shí),控制電路206的Req動(dòng)態(tài)地減小,這樣,控制電路206引起增大的電流264,并且如上結(jié)合圖1所討論的,在節(jié)點(diǎn)130上,進(jìn)一步導(dǎo)致放大晶體管110的Vb增大,以及放大晶體管110的Ib108和Icq112增大。由于控制電路206的特殊配置,通過控制電路106獲得對(duì)放大晶體管110的Vb顯著改善的模擬控制,這樣能夠提供從極低的功率電平開始的連續(xù)的Icq112轉(zhuǎn)變,這顯著節(jié)約了電流消耗。
圖2中的控制電路206還包括連接在節(jié)點(diǎn)284和接地232之間的電阻278和二極管282。在這種特殊配置中,對(duì)高電平模式,電阻278和二極管282的作用是降低對(duì)于具有極高Vcont252的需求。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,圖1中的溫度補(bǔ)償電路150可以連接到圖2的電阻248和偏置控制晶體管240的基極之間,以提供溫度補(bǔ)償,并且如上所述,改善對(duì)放大晶體管110的靜態(tài)電流112的連續(xù)控制。
參照?qǐng)D3,該圖顯示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的示例性控制電路306??刂齐娐?06可用于控制圖1中的偏置電路102,并提供如上所述的對(duì)放大晶體管110的靜態(tài)電流112的連續(xù)控制,其中,控制電路306替代了圖1的控制電路106。
在圖3中,Vcont356、節(jié)點(diǎn)326、接地332、偏置控制晶體管340和電阻342、344、336和348分別對(duì)應(yīng)于圖1中的Vcont156、節(jié)點(diǎn)126、接地132、偏置控制晶體管140和電阻142、144、146和148。再如圖3所示,溫度補(bǔ)償電路350在節(jié)點(diǎn)360上連接到偏置控制晶體管340的基極。溫度補(bǔ)償電路350包含電阻352和二極管353及355。電阻352連接在節(jié)點(diǎn)360和二極管353的正極之間。二極管353的負(fù)極連接到二極管355的正極,而二極管355的負(fù)極連接到諸如接地332的參考電壓。例如,二極管353和355可以是肖特基二極管,每個(gè)二極管353和355都具有約為0.5V的導(dǎo)通正向偏置電壓。這樣,二極管353和355具有大約1至1.2V的功能上等效的導(dǎo)通正向偏置電壓(即二極管353的正極和二極管355的負(fù)極之間測(cè)量的電壓)。因此,控制電路306的工作方式與以上結(jié)合圖1的控制電路106所描述的實(shí)質(zhì)上相同。
總的來說,根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例獲得了高功率放大器的靜態(tài)電流控制電路,由此實(shí)現(xiàn)了對(duì)放大器的靜態(tài)電流的有效的模擬連續(xù)控制,結(jié)果顯著地降低了電流和功率消耗,特別是對(duì)于低電平模式工作。此外,通過本發(fā)明的控制電路獲得了改善的溫度補(bǔ)償電路,結(jié)果對(duì)放大器的靜態(tài)電流的控制得到改善。另外,本發(fā)明的控制電路基于雙極工藝,允許將控制電路集成到和偏置電路和放大器同一個(gè)模片中,結(jié)果有效節(jié)約了成本并減小了設(shè)備尺寸。
根據(jù)以上對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的說明,很顯然,在不脫離本發(fā)明范圍的情況下,可以運(yùn)用各種技術(shù)來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的思想。而且,盡管專門參考特定實(shí)施例來描述,本領(lǐng)域的普通的技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到,在不違反本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以對(duì)其形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行改變。例如,在不違反本發(fā)明的精神和范圍的情況下,能夠修改以上所討論的偏置電路102和控制電路106、206、306的特殊限定值。無論從哪一點(diǎn)來看,所描述的示例性實(shí)施例都應(yīng)當(dāng)看作說明性的而不是限制性的。還應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明不受這里描述的特定示例性實(shí)施例的限制,而是在不脫離本發(fā)明范圍的情況下,能夠?qū)ζ溥M(jìn)行重新配置、修改和置換。
以上是對(duì)高功率放大器靜態(tài)電流控制電路的描述。
權(quán)利要求
1.一種用于偏置電路的偏置控制電路,所述偏置電路連接到放大晶體管,并且該偏置電路還包括第一偏置晶體管、第二偏置晶體管和第三偏置晶體管,所述放大晶體管的基極連接到所述第二偏置晶體管的發(fā)射極,所述第二偏置晶體管的基極連接到所述第一偏置晶體管的基極和所述第三偏置晶體管的集電極,所述第三偏置晶體管的基極在第一節(jié)點(diǎn)上連接到所述第一偏置晶體管的發(fā)射極并連接到所述偏置控制電路,所述偏置控制電路包括用于接收控制電壓的裝置;響應(yīng)于所述控制電壓動(dòng)態(tài)調(diào)整所述偏置控制電路的等效電阻的裝置,所述等效電阻是在所述第一節(jié)點(diǎn)和參考電壓之間形成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的偏置控制電路,其中當(dāng)所述控制電壓增大時(shí),所述等效電阻逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的偏置控制電路,其中當(dāng)所述控制電壓增大時(shí),由所述偏置控制電路引起的電流逐漸增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的偏置控制電路,其中當(dāng)所述控制電壓增大時(shí),所述放大晶體管的靜態(tài)電流逐漸增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的偏置控制電路,其中,所述偏置控制電路、所述偏置電路和所述放大晶體管被集成到單個(gè)模片中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的偏置控制電路,其中,所述放大晶體管是高功率CDMA晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的偏置控制電路,其中,所述參考電壓是接地。
8.一種用于偏置電路的偏置控制電路,所述偏置電路連接到放大晶體管,并且該偏置電路還包括第一偏置晶體管、第二偏置晶體管和第三偏置晶體管,所述放大晶體管的基極連接到所述第二偏置晶體管的發(fā)射極,所述第二偏置晶體管的基極連接到所述第一偏置晶體管的基極和所述第三偏置晶體管的集電極,所述第三偏置晶體管的基極在第一節(jié)點(diǎn)上連接到所述第一偏置晶體管的發(fā)射極和所述偏置控制電路,所述偏置控制電路包括具有基極、集電極、發(fā)射極的偏置控制晶體管;連接在所述偏置控制晶體管的所述集電極和所述第一節(jié)點(diǎn)之間的第一電阻;連接在所述偏置控制晶體管的所述集電極和第一參考電壓之間的第二電阻;連接在所述偏置控制晶體管的所述發(fā)射極和所述第一參考電壓之間的第三電阻;連接在控制電壓和所述偏置控制晶體管的所述基極之間的第四電阻,其中,所述偏置控制晶體管響應(yīng)于所述控制電壓動(dòng)態(tài)調(diào)整所述偏置控制電路的等效電阻,所述等效電阻是在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第一參考電壓之間形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的偏置控制電路,其中,所述放大晶體管、所述第一偏置晶體管、所述第二偏置晶體管、所述第三偏置晶體管和所述偏置控制晶體管中的每一個(gè)都包含雙極性晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的偏置控制電路,其中,所述放大晶體管、所述第一偏置晶體管、所述第二偏置晶體管、所述第三偏置晶體管和所述偏置控制晶體管被集成到單個(gè)模片中。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的偏置控制電路,還包括連接在所述第一偏置晶體管的所述基極和第二參考電壓之間的第五電阻,以及連接在所述第二偏置晶體管的所述發(fā)射極和所述第一參考電壓之間的第六電阻。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的偏置控制電路,還包括溫度補(bǔ)償電路,所述溫度補(bǔ)償電路包含第五電阻和至少一個(gè)二極管,其中,所述第五電阻的第一端連接到所述偏置控制晶體管的所述基極,所述第五電阻的第二端連接到所述至少一個(gè)二極管的正極,所述至少一個(gè)二極管的負(fù)極連接到所述第一參考電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的偏置控制電路,其中,所述至少一個(gè)二極管包含異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管類型的二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的偏置控制電路,還包括由第五電阻和第一及第二肖特基二極管組成的溫度補(bǔ)償電路,其中,所述第五電阻的第一端連接到所述偏置控制晶體管的所述基極,所述第五電阻的第二端連接到所述第一肖特基二極管的正極,所述第一肖特基二極管的負(fù)極連接到所述第二肖特基二極管的正極,所述第二肖特基二極管的負(fù)極連接到所述第一參考電壓。
15.一種用于偏置電路的偏置控制電路,所述偏置電路連接到放大晶體管,并且該偏置電路還包括第一偏置晶體管、第二偏置晶體管和第三偏置晶體管,所述放大晶體管的基極連接到所述第二偏置晶體管的發(fā)射極,所述第二偏置晶體管的基極連接到所述第一偏置晶體管的基極和所述第三偏置晶體管的集電極,所述第三偏置晶體管的基極在第一節(jié)點(diǎn)上連接到所述第一偏置晶體管的發(fā)射極和所述偏置控制電路,所述偏置控制電路包括具有基極、集電極和發(fā)射極的偏置控制晶體管;連接在所述偏置控制晶體管的所述集電極和所述第一節(jié)點(diǎn)之間的第一電阻;連接在所述偏置控制晶體管的所述集電極和所述偏置控制晶體管的所述發(fā)射極之間的第二電阻;連接在所述偏置控制晶體管的所述發(fā)射極和所述第一參考電壓之間的所述第三電阻;連接在所述偏置控制晶體管的所述發(fā)射極和第一二極管的正極之間的第四電阻,所述第一二極管具有連接到所述第一參考電壓的負(fù)極;連接在控制電壓和所述偏置控制晶體管的所述基極之間的第五電阻,其中,所述偏置控制晶體管響應(yīng)于所述控制電壓動(dòng)態(tài)調(diào)整所述偏置控制電路的等效電阻,所述等效電阻是在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第一參考電壓之間形成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的偏置控制電路,所述放大晶體管、所述第一偏置晶體管、所述第二偏置晶體管、所述第三偏置晶體管和所述偏置控制晶體管中的每一個(gè)都包含雙極性晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的偏置控制電路,其中,所述放大晶體管、所述第一偏置晶體管、所述第二偏置晶體管、所述第三偏置晶體管和所述偏置控制晶體管被集成到單個(gè)模片中。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的偏置控制電路,還包含連接在所述第一偏置晶體管的所述基極和第二參考電壓之間的第六電阻,以及連接在所述第二偏置晶體管的所述發(fā)射極和所述第一參考電壓之間的第七電阻。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的偏置控制電路,還包含由第六電阻和至少一個(gè)附加二極管組成的溫度補(bǔ)償電路,其中,所述第六電阻的第一端連接到所述偏置控制晶體管的所述基極,所述第六電阻的第二端連接到所述至少一個(gè)附加二極管的正極,所述至少一個(gè)附加二極管的負(fù)極連接到所述第一參考電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的偏置控制電路,其中,所述第一參考電壓是接地。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于控制連接到放大器的偏置電路的控制電路。示例性的偏置控制電路包含接收控制電壓的裝置以及響應(yīng)于控制電壓動(dòng)態(tài)調(diào)整偏置晶體管的等效電阻的裝置,其中,等效電阻是在第一節(jié)點(diǎn)和參考電壓之間形成的。在一個(gè)實(shí)施例中,當(dāng)控制電壓增大時(shí),等效電阻逐漸減小,由偏置控制電路引起的電流逐漸增大,結(jié)果,放大晶體管的靜態(tài)電流逐漸增大。
文檔編號(hào)H03F1/30GK1846185SQ200480025652
公開日2006年10月11日 申請(qǐng)日期2004年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月8日
發(fā)明者Y·楊, K·舒, B-S·帕克 申請(qǐng)人:斯蓋沃克斯瑟路申斯公司