專利名稱：電動機驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠以低消耗功率來高速驅(qū)動作為電動機的驅(qū)動器來使用的晶體管的電動機驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
圖4表示現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路。來自設(shè)置在本電動機驅(qū)動電路的最終輸出級的晶體管NMOS101和NMOS102的輸出與作為負載的線圈接線，對在該線圈上流出的電流進行控制以使進行對電動機(未圖示)的控制。對于同圖所示的電動機驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)進行說明。NMOS101和NMOS102是設(shè)置在最終輸出級的驅(qū)動器，NMOS101的源極和NMOS102的漏極之間的公共連接點成為最終輸出。NMOS101的漏極與電源電壓107連接，NMOS101的柵極與來自PMOS103和NMOS104的漏極之間的公共連接點的輸出連接。還有，NMOS102的柵極與邏輯電路112連接，PMOS103的柵極與邏輯電路110連接。在此，作為鉗位電路(clamp circuit)的齊納二極管108、109，在從各個齊納二極管流出逆方向飽和電流之前，也用于分別確保NMOS101的柵極和源極之間的電位差(Vgs)和NMOS104的柵極和源極之間的電位差。與此同時，各齊納二極管還具有用于防止對于NMOS101和NMOS104的各個Vgs的過電壓的功能。最后，PMOS105的柵極與邏輯電路111連接，NMOS106的柵極電壓與邏輯電路113連接，由來自邏輯電路110、111、112、113的輸入電壓的狀態(tài)來確定最終輸出。
接著，與圖5所示的現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路的電壓波形圖一起說明圖4所示的現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路的工作。還有，圖5的波形圖從上開始表示最終輸出的低電平/高電平以及NMOS101、NMOS102、PMOS103、NMOS104、PMOS105、NMOS106的柵極電壓(即，NMOS的柵極電壓較高時NMOS成為導通狀態(tài))。圖5所示的(A)區(qū)間的最終輸出為高電平。即，作為構(gòu)成最終輸出級的驅(qū)動器的NMOS101處于導通狀態(tài)，而NMOS 102處于截止狀態(tài)。由于NMOS101處于導通狀態(tài)因而來自PMOS103和NMOS104的漏極的公共連接點的輸出成為高電平。因此，PMOS103處于導通狀態(tài)、NMOS104處于截止狀態(tài)，即，PMOS103和NMOS104的柵極電壓成為低電平。另外，由于NMOS104處于截止狀態(tài)因此PMOS105處于導通狀態(tài)、NMOS106處于截止狀態(tài)。另外，圖5所示的(B)區(qū)間的最終輸出成為低電平，但與最終輸出成為高電平的(A)區(qū)間相比，NMOS101、NMOS102、PMOS103、NMOS104、PMOS105、NMOS106的每個晶體管的導通/截止狀態(tài)和每個晶體管的柵極的輸入電壓的狀態(tài)，成為在(A)區(qū)間情況下的反轉(zhuǎn)狀態(tài)。
最終輸出經(jīng)由齊納二極管108向NMOS101的柵極輸出反饋，另外經(jīng)由NMOS104的源極和齊納二極管109向NMOS104的柵極輸出反饋，這是為了將NMOS101、NMOS104的源極作為基準對NMOS101的柵極電壓進行控制。由此，由使用于電動機驅(qū)動電路上的晶體管能夠檢測出最終輸出為異常狀態(tài)，或者和鉗位電路一起使用以使不需要將使用于電動機驅(qū)動電路上的元件以高耐壓的方式設(shè)計。
在上述的電路工作中，來自NMOS101和NMOS102的公共連接點的最終輸出從高電平向低電平切換時需要NMOS104從截止狀態(tài)向?qū)顟B(tài)切換，最終輸出從低電平向高電平切換時需要NMOS104從導通狀態(tài)向截止狀態(tài)切換。從而為了在最終輸出上能快速反映輸入，從而NMOS4的導通、截止狀態(tài)的切換，也就是使NMOS104的柵極電容以及寄生電容高速充電、或者放電是一個條件。
在此，由Q＝IT(Q電荷量、I電流、T時間)，通過增加向MOS晶體管的柵極的電流量來在短時間內(nèi)可完成MOS晶體管的柵極電容/寄生電容的電荷的充電。因此若增加來自與NMOS104的柵極連接的PMOS105的漏極的電流量則提高對NMOS104的柵極電容以寄生電容的充電速度，增加與NMOS104的柵極連接的NMOS106的漏極的漏極電流，以使提高NMOS104的柵極電容以及寄生電容的放電速度。因此由在飽和狀態(tài)下的MOS晶體管的電流方程式Ids＝K(Vgs-Vth)2(K常數(shù)、VthPMOS的閾值電壓)，為了增大PMOS105的漏極電流而優(yōu)選增大Vgs，但對于期望以低消耗功率來進行驅(qū)動的現(xiàn)狀而言增大與源極連接的電源電壓115并不是優(yōu)選方式。還有，由于在上式中K是與構(gòu)成晶體管的柵極寬度成正比的常數(shù)，因此通過增加柵極寬度也可以增大電流量。并且根據(jù)歐姆定律I＝R/V減小與PMOS105的源極連接的電阻114的電阻值，也可以增大來自PMOS105的漏極的電流。
在此，在輸出為低電平的情況下，需要由PMOS105的漏極電流來充電NMOS104的柵極電容和寄生電容而保證NMOS104處于導通狀態(tài)，但為了高速驅(qū)動NMOS104，若改變PMOS105的漏極的大小(W/L比)、或者改變PMOS105的源極側(cè)的電阻114，而增加PMOS105的漏極電流，則保證NMOS104處于導通狀態(tài)期間增加齊納二極管電路109的逆方向飽和電流量，從而在最終輸出級上產(chǎn)生向輸出方向流的電流，因而消耗功率變大。另外，即使增加電源電壓115和PMOS105的柵極電壓的輸入信號也可以實現(xiàn)NMOS104的高速驅(qū)動，但若考慮消耗功率則依然不是優(yōu)選方式。若PMOS105的漏極電流變小則雖然齊納二極管109上逆方向飽和電流實現(xiàn)較低的低消耗功率，但不能高速驅(qū)動NMOS104，還有構(gòu)成最終輸出級的NMOS晶體管101、102因?qū)τ谳斎氲难舆t而同時導通，并且流出貫通電流而消耗功率變大，同時存在導致元件破壞的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于此，為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的內(nèi)在缺點，其第一目的在于提供一種消耗功率較低且高速工作的電動機驅(qū)動電路，其第二目的在于提供一種具備上述電動機驅(qū)動電路的半導體裝置，其第三目的在于提供一種具備上述半導體裝置、由上述半導體裝置控制的線圈以及由在上述線圈中產(chǎn)生的磁場來確定轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)數(shù)的電動機的電動機裝置。
上述第一目通過具有下述特征的電動機驅(qū)動電路來實現(xiàn)，該電動機驅(qū)動電路，對為了驅(qū)動電動機而與最終輸出級串聯(lián)連接的第一NMOS和第二NMOS進行驅(qū)動，將上述第一NMOS的源極和第二NMOS的漏極之間的公共連接點作為最終輸出，具備第一PMOS和第三NMOS，其漏極的相互公共連接點與上述第一NMOS的柵極連接；第二PMOS和第四NMOS，其漏極的相互公共連接點與上述第三NMOS的柵極連接；漏極與上述第三NMOS的柵極連接的一個以上的PMOS，其在最終輸出成為低電平時，為了充電上述第三NMOS的柵極電容而導通，若上述第三NMOS的柵極電容被充電則截止；以及漏極與上述第三NMOS的柵極連接的一個以上的NMOS，其在最終輸出成為高電平時，為了放電上述第三NMOS的柵極電容而導通，若上述第三NMOS的柵極電容被放電則截止，上述第一NMOS的柵極經(jīng)由鉗位電路與最終輸出連接，上述第三NMOS的源極和經(jīng)由鉗位電路的上述第三NMOS的柵極與最終輸出連接。通過該結(jié)構(gòu)能夠加快開關(guān)速度，并且能夠?qū)崿F(xiàn)低消耗功率。
上述第一目的，也可以由作為本發(fā)明之二的、上述鉗位電路為齊納二極管的本發(fā)明之一所述的電動機驅(qū)動電路來實現(xiàn)。齊納二極管利用其擊穿現(xiàn)象而適用于鉗位電路。
上述第一目的，也可以由作為本發(fā)明之三的、具備上述第一NMOS和上述第二NMOS為特征的本發(fā)明之一或者本發(fā)明之二的任何一項中所記載的電動機驅(qū)動電路來實現(xiàn)。
上述第二目的，由作為本發(fā)明之四的、具備本發(fā)明之一至本發(fā)明之三中任何一項中所記載的電動機驅(qū)動電路為特征的半導體裝置來實現(xiàn)。設(shè)置在最終輸出級上的NMOS與對該最終輸出級的NMOS進行驅(qū)動的電路部分設(shè)置在分別不同的半導體裝置或者相同的半導體裝置上。一般而言，最終輸出級的NMOS上流出較大的電流，因此將對最終輸出級的NMOS進行驅(qū)動的電路部分設(shè)置在外部，從而即使在最終輸出級的NMOS上流過過電流，驅(qū)動最終輸出級的NMOS的電路部分也不易受到其影響。
上述第三目的，由作為本發(fā)明之五的、具備發(fā)明之四的半導體裝置和具備由上述半導體裝置驅(qū)動的線圈的電動機為特征的電動機裝置來實現(xiàn)。
發(fā)明效果能夠?qū)崿F(xiàn)低消耗功率且高速工作，在構(gòu)成最終輸出級的晶體管上不會流過貫通電流，而不存在破壞用于該結(jié)構(gòu)的元件的可能性的電動機驅(qū)動電路。


圖1是本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的電路圖(實施方式1)
圖2是本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的電壓變動圖。
圖3是本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的實施方式2(實施方式2)。
圖4是現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路的電路圖。
圖5是現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路的電壓變動圖。
圖中1、2、4、6、6a、6b、16-NMOS；3、5a、5b、18a、18b、20a、20b-PMOS；7、15、21-電源電壓；8a、9a-鉗位電路；8b、9b-齊納二極管；14a、14b、20a、20b-電阻。
具體實施例方式
以下，對于用于實施本申請發(fā)明的最佳方式進行說明。圖1是本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路。來自設(shè)置在本電動機驅(qū)動電路的最終輸出上的NMOS1和NMOS2的輸出與作為負載的線圈接線，控制在該線圈上流過的電流以使進行電動機(未圖示)的控制。最終輸出，其大致輸出范圍為從與NMOS1的漏極連接的電源電壓7的電位到與NMOS2的源極連接的地的零電位。
圖1所示的本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路與圖5所示的現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路相比，分別設(shè)置有用于充放電NMOS4(在圖4中相當于NMOS104)的柵極電容和寄生電容的多個機構(gòu)(在圖4中，PMOS105為充電機構(gòu)、NMOS106為放電機構(gòu))，該NMOS4的漏極與構(gòu)成最終輸出級的串聯(lián)連接的NMOS1(在圖4中相當于NMOS101)的漏極連接。以下，對于本發(fā)明所涉及電動機驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)進行說明。
在同圖中最終輸出級由NMOS1和NMOS2來構(gòu)成，NMOS1的源極和NMOS2的漏極的公共連接點成為最終輸出。NMOS1的柵極與PMOS3的漏極和NMOS4的漏極之間的公共連接點連接，NMOS2的柵極與邏輯電路12連接，PMOS3的柵極與邏輯電路10連接。鉗位電路8a是用于防止Vgs增加到一定程度以上的保護電路，使用齊納二極管或者二極管。鉗位電路9a也以相同目的設(shè)置在NMOS4的柵極/漏極之間。NMOS4的柵極與PMOS5a和PMOS5b的漏極的公共連接點、NMOS6a和NMOS6b間的漏極的公共連接點連接。NMOS4的柵極電容和寄生電容，由PMOS5a和PMOS5b的漏極電流來充電、由NMOS6a和NMOS6b的漏極電流被放電。還有，PMOS5a的柵極與邏輯電路11a連接，PMOS5a的源極經(jīng)由電阻14a與電源電壓15連接，PMOS5b的柵極與邏輯電路11b連接，PMOS5b的源極經(jīng)由電阻14b與電源電壓15連接，NMOS6a的柵極與邏輯電路13a連接，NMOS6b的柵極和邏輯電路13b連接，NMOS6a、6b的源極分別接地。
最終輸出，經(jīng)由鉗位電路8a向NMOS1的柵極輸出反饋，或者經(jīng)由NMOS4的源極和鉗位電路9向NMOS4的柵極輸出反饋，這是為了將NMOS1、NMOS4的源極電位作為基準對NMOS1的柵極電壓進行控制。由此，由使用于電動機驅(qū)動電路上的晶體管能夠檢測出最終輸出處于異常狀態(tài)，或者和鉗位電路一起使用而能夠防止使用于電動機驅(qū)動電路上的元件上產(chǎn)生超過耐壓的電壓。
以下，用圖2所示的本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的電壓波形圖來說明圖1所示的本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的工作。還有，在圖2的波形圖從上開始表示最終輸出的低電平/高電平狀態(tài)以及NMOS1、NMOS2、PMOS3、NMOS4、PMOS5a、PMOS5b、NMOS6a、NMOS6b的柵極電壓(即，NMOS的柵極電壓較高時NMOS成為導通狀態(tài))。圖2所示(A1)區(qū)間的最終輸出成為高電平，除了切換到(B)所示的區(qū)間之前的瞬間之外、即除了最終輸出從高電平向低電平切換之前的區(qū)間之外，作為構(gòu)成最終輸出機構(gòu)的驅(qū)動器的NMOS1處于導通狀態(tài)。另一方面NMOS2在同區(qū)間始終處于截止狀態(tài)。NMOS1處于導通狀態(tài)時，由于來自PMOS3和NMOS4的漏極的公共連接點的輸出為高電平，因此PMOS3處于導通狀態(tài)而NMOS4處于截止狀態(tài)。在NMOS4處于截止狀態(tài)時，PMOS5a和PMOS5b處于截止狀態(tài)。另一方面，作為NMOS4的放電機構(gòu)的NMOS6a和NMOS6b，除了從區(qū)間(A1)向區(qū)間(B)切換之前的區(qū)間之外，NMOS6a處于導通狀態(tài)而NMOS6b始終處于截止狀態(tài)。即，僅用NMOS6a來進行用于使最終輸出維持高電平、即用于使NMOS4維持截止狀態(tài)的柵極電容和寄生電容的放電。有關(guān)NMOS6b的工作后文敘述。
從同圖所示的(A1)向(B)切換之前的瞬間，即最終輸出從高電平向低電平切換之前的瞬間，NMOS6a成為截止狀態(tài)并且PMOS5a和PMOS5b成為導通狀態(tài)。用兩個充電機構(gòu)進行NMOS4的柵極電容和寄生電容的充電，柵極電容和寄生電容已被充電之后，僅用來自PMOS5a的漏極的電壓來進行用于使最終輸出維持低電平的NMOS4的導通狀態(tài)的維持，PMOS5b成為截止狀態(tài)。在此，為了確保用于使NMOS4維持導通狀態(tài)的NMOS4的Vgs而優(yōu)選PMOS5a漏極電流的大小為稍微超過在鉗位電路9上產(chǎn)生逆方向電流的閾值的大小。另外，由電阻14b和電源電壓15等主要因素來確定來自只在充電NMOS4的柵極電容和寄生電容時才導通的PMOS5b的漏極的漏極電流。另外，在同圖中NMOS4從截止狀態(tài)向?qū)顟B(tài)切換并且PMOS3也從導通狀態(tài)向截止狀態(tài)切換。由此確定NMOS1的柵極電壓。由于NMOS2與NMOS1之間不會產(chǎn)生貫通電流，因此NMOS1的從導通狀態(tài)向截止狀態(tài)切換的定時稍微有延遲。并且在NMOS2從導通狀態(tài)向截止狀態(tài)切換的同時，最終輸出成為低電平。
圖2所示的(B)區(qū)間的最終輸出成為低電平，NMOS1成為截止狀態(tài)，NMOS2除了切換到(A2)之前的區(qū)間成為導通狀態(tài)。由于在(B)所示的區(qū)間上NMOS1始終處于截止狀態(tài)，因此來自PMOS3和NMOS4的輸出為低電平，PMOS3處于截止狀態(tài)而NMOS4處于導通狀態(tài)。因NMOS4處于導通狀態(tài)而起動NMOS4的柵極電容和寄生電容的充電機構(gòu)，但如上所述NMOS4成為導通狀態(tài)之后僅用PMOS5a來確保NMOS4的Vgs，因此只有PMOS5a處于導通狀態(tài)。NMOS2與后述的NMOS1的工作相比，以較早的定時來成為截止狀態(tài)以使在電源電壓7和NMOS1之間不會產(chǎn)生貫通電流。
從(B)區(qū)間向(A2)區(qū)間切換時，即最終輸出從低電平向高電平切換時，因NMOS1成為導通狀態(tài)從而PMOS3處于導通狀態(tài)、NMOS4處于截止狀態(tài)。因此起動使NMOS4的柵極電容和寄生電容放電的放電機構(gòu)。此時為了使最終輸出高速工作而需要使NMOS4的柵極電容和寄生電容瞬時放電，因此NMOS6a和NMOS6b這兩個放電機構(gòu)起動而使NMOS4的寄生電容放電之后，NMOS6b停止。通過向用于控制該放電機構(gòu)的柵極電壓施加電壓，除了NMOS4的柵極和源極之間的漏電流之外大體上沒有產(chǎn)生消耗功率的主要因素，因此并沒有抑制向最終輸出的輸出方向的電流的產(chǎn)生而導致消耗功率的減少，但通過設(shè)置有多個柵極電壓的施加機構(gòu)以使實現(xiàn)NMOS4的柵極電容和寄生電容的高速放電。這種方式在為了實現(xiàn)低電壓驅(qū)動而電源電壓15并不是充分大的電源時，或者在來自邏輯電路13a、13b的NMOS6a、6b的柵極電壓不能取得較大的電壓時尤其有效。
現(xiàn)有的電動機驅(qū)動電路，不得不在為了確保高速性而增加消耗功率、或者為了降低消耗功率而犧牲高速性的兩者中選擇其一，但本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路確保對于輸入的輸出的高速性并且實現(xiàn)低消耗功率。
對于最終輸出級僅由NMOS來構(gòu)成的電動機驅(qū)動電路，將設(shè)置在最終輸出級上的電源側(cè)的NMOS的源極作為基準進行設(shè)置在最終輸出級上的NMOS的柵極的電壓驅(qū)動，因此需要將最終輸出反映在電動機驅(qū)動電路上。在這種情況下用于進行設(shè)置在最終輸出級上的電源側(cè)的NMOS的放電的NMOS的源極與最終輸出連接，因此為了繼續(xù)保持用于使設(shè)置在最終輸出級上的電源側(cè)的NMOS成為截止狀態(tài)的NMOS的柵極電壓，而繼續(xù)產(chǎn)生最終輸出級的接地側(cè)的NMOS的漏極電流或者向最終輸出的輸出方向的電流。還有，在之前敘述過的如PMOS5b或者NMOS6b這樣的只在一定期間內(nèi)起動的充電機構(gòu)或者放電機構(gòu)也可以有多個。
在圖3中表示本發(fā)明所涉及的發(fā)明的第二實施例。圖3是圖1所示的本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的鉗位電路上使用齊納二極管并且對放電機構(gòu)實施變形的圖。正確而言，與圖1所示的本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路相比去掉NMOS6b和邏輯電路13b，而設(shè)置有與NMOS6電流鏡連接的NMOS16；與NMOS6和NMOS16的柵極連接的PMOS18a、18b；邏輯電路19a、18b；和電阻20a、20b。在鉗位電路上使用齊納二極管是因為齊納二極管的逆方向擊穿電壓的特性對于鉗位電路具有所期望的特性。NMOS4的柵極電容和寄生電容的充電機構(gòu)只有一個PMOS的漏極電流的路徑，而對作為NMOS4的柵極電容和寄生電容的放電機構(gòu)被電流鏡連接的NMOS的柵極電壓以三等級的電平來進行調(diào)整。還有，與同圖所示的編號和圖1所示的編號對應的構(gòu)成要素使用相同的編號。
發(fā)明者使用圖3所示的本發(fā)明所涉及的電動機驅(qū)動電路的第二實施例，與圖4所示的電動機驅(qū)動電路相比將對于輸入的輸出的時間變化由1μs成功縮短為0.4μs，以及將用于使最終輸出維持低電平的來自最終輸出的向輸出方向的電流由0.7mA成功減小為0.3mA，實現(xiàn)了開關(guān)工作的高速化和低消耗功率化。
另外，雖然未予圖示，但由具備本發(fā)明的電動機驅(qū)動電路的半導體裝置、以及具備由該半導體裝置驅(qū)動的線圈的電動機來構(gòu)成的電動機裝置，與現(xiàn)有的相比，向具備電動機驅(qū)動電路的半導體裝置的控制信號更快反映在作為電動機裝置的輸出的期望的轉(zhuǎn)數(shù)上，因此具備所述電動機裝置的打印機等電子機器表現(xiàn)出良好的工作狀態(tài)。
本申請發(fā)明并不限定于上述實施方式，在權(quán)利要求范圍內(nèi)所記載的實現(xiàn)的范圍內(nèi)的所有的設(shè)計變更都包括在本申請發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電動機驅(qū)動電路，對為了驅(qū)動電動機而與最終輸出級串聯(lián)連接的第一NMOS和第二NMOS進行驅(qū)動，將所述第一NMOS的源極和第二NMOS的漏極之間的公共連接點作為最終輸出，具備第一PMOS和第三NMOS，其漏極的相互公共連接點與所述第一NMOS的柵極連接；第二PMOS和第四NMOS，其漏極的相互公共連接點與所述第三NMOS的柵極連接；漏極與所述第三NMOS的柵極連接的一個以上的PMOS，其在最終輸出成為低電平時，為了充電所述第三NMOS的柵極電容而導通，若所述第三NMOS的柵極電容被充電則截止；以及漏極與所述第三NMOS的柵極連接的一個以上的NMOS，其在最終輸出成為高電平時，為了放電所述第三NMOS的柵極電容而導通，若所述第三NMOS的柵極電容被放電則截止，所述第一NMOS的柵極經(jīng)由鉗位電路與最終輸出連接，所述第三NMOS的源極和經(jīng)由鉗位電路的所述第三NMOS的柵極與最終輸出連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電動機驅(qū)動電路，其特征是，所述鉗位電路是齊納二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的電動機驅(qū)動電路，其特征是，具備所述第一NMOS和所述第二NMOS。
4.一種半導體裝置，其特征是，具備權(quán)利要求1～3中任一項所述的電動機驅(qū)動電路。
5.一種電動機裝置，其特征是，具備權(quán)利要求4所述的半導體裝置；以及電動機，其具備由所述半導體裝置驅(qū)動的線圈。
全文摘要
一種電動機驅(qū)動電路，對為了驅(qū)動電動機而與最終輸出級串聯(lián)連接的第一NMOS和第二NMOS進行驅(qū)動，將上述第一NMOS的源極和第二NMOS的漏極之間的公共連接點作為最終輸出，其特征是，具備第一PMOS和第三NMOS，其漏極的相互公共連接點與上述第一NMOS的柵極連接；第二PMOS和第四NMOS，其漏極的相互公共連接點與上述第三NMOS的柵極連接；漏極與上述第三NMOS的柵極連接的一個以上的PMOS，其在最終輸出成為低電平時，為了充電上述第三NMOS的柵極電容而導通，若上述第三NMOS的柵極電容被充電則截止；以及漏極與上述第三NMOS的柵極連接的一個以上的NMOS，其在最終輸出成為高電平時，為了放電上述第三NMOS的柵極電容而導通，若上述第三NMOS的柵極電容被放電則截止，上述第一NMOS的柵極經(jīng)由鉗位電路與最終輸出連接，上述第三NMOS的源極和經(jīng)由鉗位電路的上述第三NMOS的柵極與最終輸出連接。
文檔編號H03K17/687GK1930767SQ20058000770
公開日2007年3月14日 申請日期2005年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月11日
發(fā)明者蛇見尚也 申請人:羅姆股份有限公司