專利名稱：功率放大器及功率放大器的橋式電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率放大器，尤其涉及放大音頻信號(hào)與其他模擬信號(hào)的功率放大器和該 功率放大器的橋式電路。
背景技術(shù)：
如圖1所示，常用的功率放大器包括比較器1、橋式電路2和低通濾波器3。橋式電路2包括匪OS晶體管21和PMOS晶體管22。PMOS晶體管22的柵極和匪OS晶體管21 的柵極均連接于比較器1的輸出端，PMOS晶體管22的源極連接高壓信號(hào)HV。NMOS晶體管 21的源極接地。NMOS晶體管21的漏極和PMOS晶體管22的漏極均與低通濾波器3的輸入端連接。工作時(shí)，比較器1比較第一模擬信號(hào)(此處以音頻信號(hào)為例)和參考信號(hào)而輸出方波信號(hào)，該方波不同時(shí)的導(dǎo)通PMOS晶體管22和NMOS晶體管21，從而，橋式電路2將音頻信號(hào)放大，然后，橋式電路2的輸出信號(hào)被低通濾波器3轉(zhuǎn)換成放大的音頻信號(hào)(第二模擬信號(hào))而輸出給揚(yáng)聲器4。另外，音頻功率放大器的相關(guān)資料還可以參考中國(guó)專利申請(qǐng)第200810166133.0 號(hào)以及中國(guó)專利申請(qǐng)第200810239524.0號(hào)，中國(guó)專利申請(qǐng)第200810239524. 0號(hào)公開(kāi)的音頻功率放大器包括比較器和全橋級(jí)輸出電路，比較器輸出占空比變化的方波。所述全橋級(jí)輸出電路由MOS晶體管M1、M2、M3、M4以及一反相器組成，用來(lái)對(duì)比較器輸出的占空比變化的方波信號(hào)進(jìn)行功率放大。中國(guó)專利申請(qǐng)第200810239524.0公開(kāi)的音頻功率放大器包括包含前置放大電路、誤差放大器、比較器、橋式電路和反饋電路。在中國(guó)專利 200810239524. 0中，所述橋式電路和前置放大電路均由晶體管構(gòu)成。在上述電路中，都是脈沖導(dǎo)通相應(yīng)的晶體管而使得整個(gè)電路工作，在工作過(guò)程中， 晶體管的功耗高。另外，在制造上述功率放大器時(shí)，制造比較器和產(chǎn)生參考信號(hào)的三角波發(fā)生器采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，而制造PMOS晶體管和匪OS晶體管采用高壓CMOS工藝，由于普通 CMOS工藝和高壓CMOS工藝不一樣，因此，上述的比較器、三角波發(fā)生器、PMOS晶體管和NMOS 晶體管必須做成高壓CMOS工藝，這樣，所有器件占用的面積大，工藝復(fù)雜、成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是功率放大器制造成本高、工藝復(fù)雜、功耗高的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種功率放大器，該功率放大器包括比較器、橋式電路和低通濾波器，比較器用以接收第一模擬信號(hào)，比較所述第一模擬信號(hào)與參考信號(hào)并輸出方波信號(hào)；橋式電路用以放大所述方波信號(hào)并將所述放大的方波信號(hào)輸出；低通濾波器用以將所述放大的方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二模擬信號(hào)；所述橋式電路包括第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)分別在所述方波信號(hào)為不同極性時(shí)導(dǎo)通，并分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，所述放大的方波信號(hào)包括交替輸出的所述第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)。可選地，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)包括第一電極和第二電極，第一電極包括第一導(dǎo)體和連接于低通濾波器的輸入端的第二導(dǎo)體；第二電極包括第一連接導(dǎo)體；所述第一電極和第二電極配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)而導(dǎo)通第一導(dǎo)體、第二導(dǎo)體和第一連接導(dǎo)體，以將施加于所述第一導(dǎo)體的第一電壓信號(hào)從所述第二導(dǎo)體輸出；所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)包括第三電極和第四電極，第三電極包括第三導(dǎo)體和連接于低通濾波器的輸入端的第四導(dǎo)體；第四電極包括第二連接導(dǎo)體；所述第三電極和第四電極配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)而導(dǎo)通第三導(dǎo)體、第四導(dǎo)體和第二連接導(dǎo)體，以將施加于所述第三導(dǎo)體的第二電壓信號(hào)從所述第四導(dǎo)體輸出?？蛇x地，所述第一電極還包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一絕緣層， 所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體設(shè)置在所述第一絕緣層上；所述第二電極還包括第二極板和第二絕緣層，所述第一連接導(dǎo)體和第二極板分別設(shè)置在所述第二絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第一基板和第二極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)；所述第三電極還包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的第三絕緣層，所述第三導(dǎo)體和第四導(dǎo)體設(shè)置在所述第三絕緣層上，所述第四電極還包括第三極板和第四絕緣層，所述第二連接導(dǎo)體和第三極板分別設(shè)置在所述第四絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第二基板和第三極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)。可選地，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第二基板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第二極板和第三極板極性相反。可選地，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與所述第三極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板與第二基板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接；所述第二極板和第三極板極性相同。可選地，所述第一電極還包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一絕緣層， 所述第一絕緣層上設(shè)置有第一極板、所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，所述第二電極還包括第二極板和第二絕緣層，所述第一連接導(dǎo)體和第二極板分別設(shè)置在所述第二絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第一極板和第二極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)；所述第三電極還包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的第三絕緣層，所述第三絕緣層上設(shè)置有第四極板、所述第三導(dǎo)體和第四導(dǎo)體，所述第四電極還包括第三極板和第四絕緣層，所述第二連接導(dǎo)體和第三極板分別設(shè)置于所述第四絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第四極板和第三極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)。
可選地，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一極板和第四極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第二極板和第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第一極板和第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第四極板極性相反。 可選地，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第二極板和第三極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第四極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第一極板和第三極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一極板和第四極板極性相同。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種功率放大器的橋式電路包括第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)接收方波信號(hào)和第一電壓信號(hào)；第二 MEMS開(kāi)關(guān)接收方波信號(hào)和第二電壓信號(hào)；第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)分別在所述方波信號(hào)為不同極性時(shí)導(dǎo)通，并分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，所述放大的方波信號(hào)包括交替輸出的所述第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)?？蛇x地，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第二基板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第二極板和第三極板極性相反。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是由于本發(fā)明采用MEMS開(kāi)關(guān)替代現(xiàn)有技術(shù)中的晶體管并由比較器的輸出來(lái)控制相應(yīng)MEMS開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷，與傳統(tǒng)采用晶體管的功率放大器相比，本發(fā)明功耗低，另外， MEMS開(kāi)關(guān)和比較器、低通濾波器均可以采用CMOS工藝做成，這樣，可以將MEMS開(kāi)關(guān)、比較器和低通濾波器疊加在一起，所有器件占用的面積小、成本低。


圖1是現(xiàn)有的功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明功率放大器的原理框圖；圖3是本發(fā)明功率放大器第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明功率放大器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明功率放大器的另一種原理框圖6是本發(fā)明功率放大器第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明功率放大器第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明功率放大器包括比較器1、橋式電路2和低通濾波器3。請(qǐng)參閱圖2，比較器1用以接收第一模擬信號(hào)，比較第一模擬信號(hào)與參考信號(hào)并輸出方波信號(hào)，以下實(shí)施例均以所述第一模擬信號(hào)為音頻信號(hào)為例進(jìn)行說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖2和圖3，所述橋式電路2包括反相器23、第一 MEMS開(kāi)關(guān)M和第二 MEMS 開(kāi)關(guān)25。反相器23與所述比較器1的輸出端連接。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2和圖3，第一 MENS開(kāi)關(guān)M與比較器1的輸出端連接并接收第一電壓信號(hào)，本實(shí)施例中，第一電壓信號(hào)為高壓信號(hào)HV，比如該高壓信號(hào)比如為3. 3V至5V之間，第一 MEMS開(kāi)關(guān)M還與低通濾波器3的輸入端連接。具體的，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)M包括第一電極241和第二電極M2，該第一電極241 包括第一基板Mil、第一絕緣層M12、第一導(dǎo)體M13和第二導(dǎo)體M14。第一基板Mll接收第一控制信號(hào)(圖中未示出)，由第一控制信號(hào)控制其極性。第一絕緣層M12設(shè)置于所述第一基板Mll上，所述第一導(dǎo)體M13和第二導(dǎo)體M14間隔設(shè)置于所述第一絕緣層M12 上。所述第一導(dǎo)體M13接有所述高壓信號(hào)HV，所述第二導(dǎo)體M14接低通濾波器3的輸入端。第一 MEMS開(kāi)關(guān)M的第二電極242連接所述比較器1的輸出端，具體的，第二電極242 包括第一連接導(dǎo)體M21、第二絕緣層M22和第二極板M23，該第二極板M23與所述比較器1的輸出端連接，所述第二絕緣層M22的相對(duì)兩表面上分別設(shè)置所述第一連接導(dǎo)體對(duì)21 和第二極板對(duì)23。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3，反相器23的輸入端與比較器1的輸出端連接，第二 MEMS開(kāi)關(guān) 25與反相器23的輸出端連接并接有第二電壓信號(hào)，在本實(shí)施例中，第二電壓信號(hào)為接地信號(hào)，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25還與低通濾波器3的輸入端連接。具體的，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25包括第三電極251和第四電極252。該第三電極251包括第三導(dǎo)體2511和第四導(dǎo)體2512，第三電極251的第三導(dǎo)體2511接所述第二電壓信號(hào)， 第四導(dǎo)體2512連接所述低通濾波器3的輸入端。所述第三電極251還包括第二基板2513 和第三絕緣層2514。所述第三絕緣層2514設(shè)置在所述第二基板2513上，所述第三絕緣層 2514上間隔設(shè)置有所述第三導(dǎo)體2511和第四導(dǎo)體2512，第二基板2513接收第二控制信號(hào) (圖中未示出)，由第二控制信號(hào)控制其極性。第二 MEMS開(kāi)關(guān)25的第四電極252連接所述反相器23的輸出端。第四電極252包括第二連接導(dǎo)體2521、第三極板2522和第四絕緣層 2523，該第三極板2522與所述反相器23的輸出端連接，所述第四絕緣層2523的相對(duì)兩表面分別設(shè)置有所述第二連接導(dǎo)體2521和第三極板2522。另外，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)M和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25均包括彈臂沈，第一 MEMS開(kāi)關(guān) 24的彈臂沈設(shè)置在所述第一電極241上且與第二電極242連接，使所述第一電極241和第二電極242可以相對(duì)移動(dòng)；所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的彈臂沈設(shè)置在所述第三電極251上且與第四電極252連接，使所述第三電極251和第四電極252可以相對(duì)移動(dòng)。請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)施例中的功率放大器的工作過(guò)程如下
通常情況下，第一模擬信號(hào)(音頻信號(hào))為正弦波，參考信號(hào)為三角波，由三角波發(fā)生器產(chǎn)生。比較器1比較音頻信號(hào)和參考信號(hào)后輸出方波信號(hào)。以方波信號(hào)的電壓值為交替的第三電壓和第四電壓為例，第三電壓高于第四電壓，方波信號(hào)的極性為正是指方波信號(hào)的電壓值為第三電壓，方波信號(hào)的極性為負(fù)是指方波信號(hào)的電壓值為第四電壓。本實(shí)施例中，對(duì)第一 MEMS開(kāi)關(guān)24的第一基板2411施加的第一控制信號(hào)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25的第二基板2513施加第二控制信號(hào)的極性相同，比如，極性為負(fù)(如第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)的電壓值為第四電壓)。比較器1比較音頻信號(hào)和參考信號(hào)而輸出方波信號(hào)，比較器1輸出的方波信號(hào)的極性為正時(shí)，第二極板2423的極性為正，由于第二極板2423的極性與第一基板2411的極性不同，因此，靜電吸合第二極板2423使得第二極板2423向第一電極241的第一導(dǎo)體2413 和第二導(dǎo)體2414運(yùn)動(dòng)，從而，第一導(dǎo)體2413、第二導(dǎo)體2414和第一連接導(dǎo)體2421接觸而導(dǎo)通，高壓信號(hào)HV由此輸入低通濾波器3，而此時(shí)，方波信號(hào)經(jīng)過(guò)反相器23后極性變?yōu)樨?fù)而使得第三極板2522的極性為負(fù)，第三極板2522的極性和第二基板2513的極性相同，因此， 第三極板2522不會(huì)向第二基板2513運(yùn)動(dòng)，第二連接導(dǎo)體2521與第三導(dǎo)體2511和第四導(dǎo)體2512不導(dǎo)通；當(dāng)比較器1輸出的方波信號(hào)的極性為負(fù)時(shí)，方波信號(hào)作用于第一 MEMS開(kāi)關(guān) 24的第二極板2423而使得第二極板2423的極性為負(fù)，從而，第二極板2423的極性和第一基板2411的極性相同而使得第一基板2411和第二極板2423相互排斥，第二基板2513和第二極板2423分離，而此時(shí)，方波信號(hào)經(jīng)過(guò)反相器23后極性為正，從而，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25 的第三極板2522的極性為正，第三極板2522的極性與第二基板2513的極性相反，第三極板2522向第三導(dǎo)體2511和第四導(dǎo)體2512運(yùn)動(dòng)而使得第二連接導(dǎo)體2521與第三導(dǎo)體2511 和第四導(dǎo)體2512導(dǎo)通，接地信號(hào)GND輸入至低通濾波器3的輸入端，從而，在比較器1持續(xù)輸出信號(hào)而使得低通濾波器3的輸入端得到電壓值為HV和GND交替的方波信號(hào)，所以，經(jīng)過(guò)第一 MEMS開(kāi)關(guān)24和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25后，相當(dāng)于比較器1輸出方波信號(hào)被放大為幅值為HV的方波信號(hào)，該方波信號(hào)經(jīng)過(guò)低通濾波器3后被轉(zhuǎn)換為放大的音頻信號(hào)(第二模擬信號(hào))。然后輸入至揚(yáng)聲器4。另外，可以理解，當(dāng)?shù)谝?MEMS開(kāi)關(guān)24的第一基板2411的第一控制信號(hào)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25的第二基板2513的第二控制信號(hào)的極性為正(如第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)的電壓值為第三電壓)的時(shí)候，也同樣能達(dá)到相同的效果，只是此時(shí)，在比較器1輸出的方波信號(hào)的極性為正的時(shí)候，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25導(dǎo)通，第一 MEMS開(kāi)關(guān)24關(guān)斷；在比較器 1輸出的方波信號(hào)的極性為負(fù)的時(shí)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)24導(dǎo)通，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25斷開(kāi)。作為本實(shí)施例的變化，所述第一控制信號(hào)施加于第一基板2411，比較器1的輸出端連接在第二極板2423，第二控制信號(hào)施加于第三極板2522，反相器23的輸出端連接于第二基板2513 ；或者所述第一控制信號(hào)施加于第二極板2423，比較器1的輸出端連接于第一基板2411，反相器23的輸出端連接于第三極板2522，所述第二控制信號(hào)施加于第二基板2513 ；或者，所述第一控制信號(hào)施加于第二極板2423，比較器1的輸出端連接于第一基板 2411，所述第二控制信號(hào)施加于第三極板2522，反相器23的輸出端連接于第二基板2513。 在該實(shí)施例中，第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)的極性相同且為負(fù)時(shí)，在比較器1 輸出端的信號(hào)極性為正時(shí)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)24導(dǎo)通，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25閉合；在比較器1輸出端的極性為負(fù)時(shí)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)24閉合，第二 MEMS開(kāi)關(guān)25導(dǎo)通，因此，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)M和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25分別在比較器1輸出的方波信號(hào)極性不相同時(shí)導(dǎo)通。綜上，通過(guò)用MEMS開(kāi)關(guān)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體管作為功率放大器的橋式電路，由于MEMS 開(kāi)關(guān)機(jī)械式，因此，功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于晶體管工作時(shí)的功耗，所以，本發(fā)明的功率放大器功耗低， 而且，MEMS開(kāi)關(guān)采用MOS工藝制造，可以與比較器和低通濾波器一起制造，比如，比較器、低通濾波器和MEMS開(kāi)關(guān)疊加在一起制造，這樣，與比較器、低通濾波器和晶體管制造在同一平面上相比，器件所占的面積小。工藝簡(jiǎn)單，制造成本低。請(qǐng)參閱圖4，圖4是本發(fā)明的功率放大器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在該圖中，該實(shí)施例的功率放大器也包括比較器1、橋式電路2和低通濾波器3。該實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于第一 MEMS開(kāi)關(guān)34和第二 MEMS開(kāi)關(guān)35與第一實(shí)施例的MEMS開(kāi)關(guān)M和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25的結(jié)構(gòu)不同。所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)34包括呈相對(duì)設(shè)置的第一電極341和第二電極342，第一電極341包括接收第一控制信號(hào)的第一極板3411、連接高壓信號(hào)HV的第一導(dǎo)體3412和連接于低通濾波器3輸入端的第二導(dǎo)體3413。在本實(shí)施例中，第一電極341還包括第一基板；3414和第一絕緣層3415，第一基板3414為半導(dǎo)體襯底例如硅襯底，第一絕緣層3415例如為二氧化硅絕緣層。該第一絕緣層3415形成于所述第一基板3414上，所述第一極板3411、第一導(dǎo)體3412和第二導(dǎo)體3413均形成于所述第一絕緣層3415上。第二電極 342包括第一連接導(dǎo)體3421，在本實(shí)施例中，第二電極342還包括第二極板3422和第二絕緣層3423。第二極板3422與所述比較器1的輸出端連接。該第二絕緣層3423的相對(duì)兩表面分別形有所述第二極板3422和所述第一連接導(dǎo)體3421。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4，本實(shí)施例的第二 MEMS開(kāi)關(guān)35包括呈相對(duì)設(shè)置的第三電極351和第四電極352，第三電極351包括接收第二控制信號(hào)的第四極板3511、接地的第三導(dǎo)體3512 和連接于低通濾波器3輸入端的第四導(dǎo)體3513。在本實(shí)施例中，第三電極351還包括第二基板3514和第三絕緣層3515，第二基板3514為半導(dǎo)體襯底例如硅襯底，第三絕緣層3515 例如為二氧化硅絕緣層。該第三絕緣層3515形成于所述第二基板3514上，所述第四極板 3511、第三導(dǎo)體3512和第四導(dǎo)體3513均形成于所述第三絕緣層3515上。第四電極352 包括第二連接導(dǎo)體3521，在本實(shí)施例中，第四電極352還包括第三極板3522和第四絕緣層 3523。第三極板3522與所述反相器3的輸出端連接。該第四絕緣層3523的相對(duì)兩表面分別形成有所述第三極板3522上和第二連接導(dǎo)體3521。在該實(shí)施例中，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān) 34和第二 MEMS開(kāi)關(guān)35均包括彈臂36，該彈臂36可以使得第四電極352相對(duì)于第三電極 351運(yùn)動(dòng)，或者使得第二電極342相對(duì)于第一電極341運(yùn)動(dòng)。請(qǐng)參閱圖4，該實(shí)施例的工作過(guò)程和第一實(shí)施例類似，下面對(duì)該實(shí)施例的工作過(guò)程大致說(shuō)明如下。在第一 MEMS開(kāi)關(guān)34和第二 MEMS開(kāi)關(guān)35工作時(shí)，施加于第一極板3411的第一控制信號(hào)和第四極板3511的第二控制信號(hào)的極性相同。在比較器1輸出端的信號(hào)的極性與所述第一極板3411的極性相反時(shí)，第一極板 3411的極性與第二極板3422的極性相反，第一極板3411和第二極板3422因?yàn)殪o電吸合而使得第一連接導(dǎo)體3421與第一導(dǎo)體3412和第二導(dǎo)體3413連接，連接于第一導(dǎo)體3412的高壓信號(hào)HV輸出至低通濾波器3的輸入端，而此時(shí)，由于反相器23的作用，第四極板3511 和第三極板3522的極性相同，第四電極352不會(huì)向第三電極351運(yùn)動(dòng)，從而，第二連接導(dǎo)體 3521不與第三導(dǎo)體3512和第四導(dǎo)體3513連通，所以，接地信號(hào)GND不會(huì)輸入至低通濾波器3的輸入端?？梢岳斫猓?dāng)比較器1的輸出信號(hào)的極性與第一極板3411的極性相同時(shí)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)34的第二電極342不會(huì)向第一電極341運(yùn)動(dòng)，高壓信號(hào)HV不輸出至低通濾波器 3的輸入端；第二MEMS 開(kāi)關(guān)35的第二電極352因?yàn)殪o電吸合而向第三電極351運(yùn)動(dòng)，從而， 第二連接導(dǎo)體3521導(dǎo)通第三導(dǎo)體3512和第四導(dǎo)體3513，接地信號(hào)GND被輸出至低通濾波器3的輸入端。如此反復(fù)，比較器1持續(xù)輸出信號(hào)而使得低通濾波器3的輸入端得到幅值為HV的方波信號(hào)，也就是說(shuō)，經(jīng)過(guò)第一 MEMS開(kāi)關(guān)34和第二 MEMS開(kāi)關(guān)35后，相當(dāng)于比較器 1比較輸出方波信號(hào)被放大為幅值為HV的方波信號(hào)，該方波信號(hào)經(jīng)過(guò)低通濾波器3后被放大且轉(zhuǎn)換為音頻信號(hào)，然后輸入至揚(yáng)聲器4。同樣的，作為本實(shí)施例的變化，所述第一控制信號(hào)施加于第一極板3411比較器1 的輸出端連接在第二極板3422，第二控制信號(hào)連接于第三極板3522，反相器23的輸出端連接于第四極板3511 ；或者所述第一控制信號(hào)施加于第二極板3422，比較器1的輸出端連接于第一極板3411，反相器23的輸出端連接于第三極板3522，所述第二控制信號(hào)施加于第四極板3511 ；或者，所述第一控制信號(hào)施加于第二極板3422，比較器1的輸出端連接于第一極板3411，所述第二控制信號(hào)施加于第三極板3522，反相器23的輸出端連接于第四極板 3511。這樣的變化也具有同樣的效果?？梢岳斫獾氖?，該第一 MEMS開(kāi)關(guān)34和第二 MEMS開(kāi)關(guān)35運(yùn)用于功率放大器后，功率放大器的功耗低，而且，也能減小器件所占的面積。請(qǐng)參閱圖5，本發(fā)明功率放大器也可以取消反相器的設(shè)計(jì)，在此種方案下，此種功率放大器與圖2所示的功率放大器的區(qū)別在于橋式電路2的結(jié)構(gòu)不同，此時(shí)，橋式電路2包括第一 MEMS開(kāi)關(guān)24和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25，第一 MENS開(kāi)關(guān)24由第一控制信號(hào)控制，與比較器 1的輸出端和所述低通濾波器3連接，第一 MEMS開(kāi)關(guān)接有高壓信號(hào)HV。第二 MEMS開(kāi)關(guān)25 由第二控制信號(hào)控制，與比較器1的輸出端和所述低通濾波器3連接并接收接地信號(hào)GND ； 第一 MEMS開(kāi)關(guān)24和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25分別不同時(shí)的在所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)與比較器1的輸出信號(hào)極性相反時(shí)閉合而相應(yīng)輸出所述高壓信號(hào)HV和接地信號(hào)GND至低通濾波器3。低通濾波器3轉(zhuǎn)換成音頻信號(hào)后輸出給揚(yáng)聲器4。下面結(jié)合圖6說(shuō)明取消反相器時(shí)候采用MEMS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)功率放大的方案，此時(shí)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)24和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25仍然采用圖3所示的結(jié)構(gòu)。只是在此種情況下，所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)的極性相反，第一控制信號(hào)施加于所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)24的第一基板2411，第二控制信號(hào)施加于第二 MEMS開(kāi)關(guān)25的第二基板2513，工作原理與設(shè)置有反相器時(shí)候一致，在此不再贅述。同樣的，作為實(shí)施例的變化，所述第一控制信號(hào)施加于第一基板2411，比較器1的輸出端連接在第二極板2423，第二控制信號(hào)連接于第三極板2522，比較器1的輸出端連接于第二基板2513 ；或者所述第一控制信號(hào)施加于第二極板2423，比較器1的輸出端連接于第一基板2411，比較器1的輸出端連接于第三極板2522，所述第二控制信號(hào)施加于第二基板2513 ；或者，所述第一控制信號(hào)施加于第二極板2423，比較器1的輸出端連接于第一基板 2411，所述第二控制信號(hào)施加于第三極板2522，比較器1的輸出端連接于第二基板2513，工作過(guò)程與第一實(shí)施例類似，在此不再贅述。下面結(jié)合圖7說(shuō)明取消反相器時(shí)候采用MEMS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)功率放大的方案，此時(shí)，第一 MEMS開(kāi)關(guān)25和第二 MEMS開(kāi)關(guān)沈采用如圖4所示的結(jié)構(gòu)，只是在此種情況下，所述第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)的極性相反，第一控制信號(hào)施加于所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)M的第一極板3411，第二控制信號(hào)施加于第二 MEMS開(kāi)關(guān)25的第四極板3511，工作原理與設(shè)置有反相器時(shí)候一致，在此不再贅述。作為該實(shí)施例的變化，所述第一控制信號(hào)施加于第一極板3411比較器1的輸出端連接在第二極板3422，第二控制信號(hào)連接于第三極板3522，比較器1的輸出端連接于第四極板3511 ；或者所述第一控制信號(hào)施加于第二極板3422，比較器1的輸出端連接于第一極板3411，比較器1的輸出端連接于第三極板3522，所述第二控制信號(hào)施加于第四極板3511 ； 或者，所述第一控制信號(hào)施加于第二極板3422，比較器1的輸出端連接于第一極板3411，所述第二控制信號(hào)施加于第三極板3522，比較器1的輸出端連接于第四極板3511。工作原理與第一實(shí)施例類似，在此不再贅述。另外，作為本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式，所述MEMS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)還可以采用其他形式的結(jié)構(gòu)，比如三電極方案的MEMS開(kāi)關(guān)，該三電極方案中，中間電極為活動(dòng)件，上電極和下電極的極性相反，通過(guò)對(duì)中間電極施加不同電壓，上下電極會(huì)產(chǎn)生一個(gè)吸引力和一個(gè)排斥力，從而達(dá)到開(kāi)關(guān)作用。該種開(kāi)關(guān)仍然可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的采用MEMS開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)功率放大的目的。具體工作原理如采用第一 MEMS開(kāi)關(guān)M和第二 MEMS開(kāi)關(guān)25，在此不再贅述。最后，雖然以上描述以音頻信號(hào)放大為實(shí)施例，本發(fā)明同樣適用于其他模擬信號(hào)的功率放大。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求
1.一種功率放大器，包括比較器，用以接收第一模擬信號(hào)，比較所述第一模擬信號(hào)與參考信號(hào)并輸出方波信號(hào)；橋式電路，用以放大所述方波信號(hào)并將所述放大的方波信號(hào)輸出； 低通濾波器，用以將所述放大的方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二模擬信號(hào)； 其特征在于，所述橋式電路包括第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)，所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)分別在所述方波信號(hào)為不同極性時(shí)導(dǎo)通，并分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，所述放大的方波信號(hào)包括交替輸出的所述第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一MEMS開(kāi)關(guān)包括 第一電極，包括第一導(dǎo)體和連接于低通濾波器的輸入端的第二導(dǎo)體；第二電極，包括第一連接導(dǎo)體；所述第一電極和第二電極配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)而導(dǎo)通第一導(dǎo)體、 第二導(dǎo)體和第一連接導(dǎo)體，以將施加于所述第一導(dǎo)體的第一電壓信號(hào)從所述第二導(dǎo)體輸出；所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)包括第三電極，包括第三導(dǎo)體和連接于低通濾波器的輸入端的第四導(dǎo)體； 第四電極，包括第二連接導(dǎo)體；所述第三電極和第四電極配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)而導(dǎo)通第三導(dǎo)體、 第四導(dǎo)體和第二連接導(dǎo)體，以將施加于所述第三導(dǎo)體的第二電壓信號(hào)從所述第四導(dǎo)體輸出ο
3.如權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電極還包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一絕緣層，所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體設(shè)置在所述第一絕緣層上；所述第二電極還包括第二極板和第二絕緣層，所述第一連接導(dǎo)體和第二極板分別設(shè)置在所述第二絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第一基板和第二極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)；所述第三電極還包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的第三絕緣層，所述第三導(dǎo)體和第四導(dǎo)體設(shè)置在所述第三絕緣層上，所述第四電極還包括第三極板和第四絕緣層，所述第二連接導(dǎo)體和第三極板分別設(shè)置在所述第四絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第二基板和第三極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)。
4.如權(quán)利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第二基板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第二極板和第三極板極性相反。
5.如權(quán)利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與所述第三極板極性相同； 或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板與第二基板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接；所所述第二極板和第三極板極性相同。
6.如權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電極還包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一絕緣層，所述第一絕緣層上設(shè)置有第一極板、所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，所述第二電極還包括第二極板和第二絕緣層，所述第一連接導(dǎo)體和第二極板分別設(shè)置在所述第二絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第一極板和第二極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)；所述第三電極還包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的第三絕緣層，所述第三絕緣層上設(shè)置有第四極板、所述第三導(dǎo)體和第四導(dǎo)體，所述第四電極還包括第三極板和第四絕緣層，所述第二連接導(dǎo)體和第三極板分別設(shè)置于所述第四絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第四極板和第三極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一極板和第四極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板和第二MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第二極板和第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第一極板和第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第四極板極性相反。
8.如權(quán)利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第二極板和第三極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第四極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第一極板和第三極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一極板和第四極板極性相同。
9.一種功率放大器的橋式電路，其特征在于，包括 第一 MEMS開(kāi)關(guān)，接收方波信號(hào)和第一電壓信號(hào)； 第二 MEMS開(kāi)關(guān)，接收方波信號(hào)和第二電壓信號(hào)；第一 MEMS開(kāi)關(guān)和第二 MEMS開(kāi)關(guān)分別在所述方波信號(hào)為不同極性時(shí)導(dǎo)通，并分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，所述放大的方波信號(hào)包括交替輸出的所述第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)。
10.如權(quán)利要求9所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述第一MEMS開(kāi)關(guān)包括第一電極，包括第一導(dǎo)體和連接于低通濾波器的輸入端的第二導(dǎo)體； 第二電極，包括第一連接導(dǎo)體；所述第一電極和第二電極配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)而導(dǎo)通第一導(dǎo)體、 第二導(dǎo)體和第一連接導(dǎo)體，以將施加于所述第一導(dǎo)體的第一電壓信號(hào)從所述第二導(dǎo)體輸出；所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)包括第三電極，包括第三導(dǎo)體和連接于低通濾波器的輸入端的第四導(dǎo)體； 第四電極，包括第二連接導(dǎo)體；所述第三電極和第四電極配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)而導(dǎo)通第三導(dǎo)體、 第四導(dǎo)體和第二連接導(dǎo)體，以將施加于所述第三導(dǎo)體的第二電壓信號(hào)從所述第四導(dǎo)體輸出ο
11.如權(quán)利要求10所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述第一電極還包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一絕緣層，所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體設(shè)置在所述第一絕緣層上；所述第二電極還包括第二極板和第二絕緣層，所述第一連接導(dǎo)體和第二極板分別設(shè)置在所述第二絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第一基板和第二極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)；所述第三電極還包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的第三絕緣層，所述第三導(dǎo)體和第四導(dǎo)體設(shè)置在所述第三絕緣層上，所述第四電極還包括第三極板和第四絕緣層，所述第二連接導(dǎo)體和第三極板分別設(shè)置在所述第四絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第二基板和第三極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)。
12.如權(quán)利要求11所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第二基板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第二極板和第三極板極性相反。
13.如權(quán)利要求11所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一基板和第二基板的極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接，所述第一基板與所述第三極板極性相同； 或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板與第二基板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一基板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第二基板連接；所述第二極板和第三極板極性相同。
14.如權(quán)利要求10所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述第一電極還包括第一基板和設(shè)置在所述第一基板上的第一絕緣層，所述第一絕緣層上設(shè)置有第一極板、所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，所述第二電極還包括第二極板和第二絕緣層，所述第一連接導(dǎo)體和第二極板分別設(shè)置在所述第二絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第一極板和第二極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)；所述第三電極還包括第二基板和設(shè)置在所述第二基板上的第三絕緣層，所述第三絕緣層上設(shè)置有第四極板、所述第三導(dǎo)體和第四導(dǎo)體，所述第四電極還包括第三極板和第四絕緣層，所述第二連接導(dǎo)體和第三極板分別設(shè)置于所述第四絕緣層的相對(duì)兩表面，所述第四極板和第三極板配置成能在所述方波信號(hào)控制下相對(duì)移動(dòng)。
15.如權(quán)利要求14所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一極板和第四極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板和第二MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第二極板和第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板和第二MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第一極板和第三極板極性相反；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板和第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第四極板極性相反。
16.如權(quán)利要求14所述的功率放大器的橋式電路，其特征在于，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第二極板和第三極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第一極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第二極板和第四極板極性相同；或者，所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第四極板連接，所述第一極板和第三極板極性相同；或者， 所述比較器的輸出端與所述第一 MEMS開(kāi)關(guān)的第二極板連接，所述比較器的輸出端通過(guò)反相器與所述第二 MEMS開(kāi)關(guān)的第三極板連接，所述第一極板和第四極板極性相同。
全文摘要
一種功率放大器及功率放大器的橋式電路，其中，所述功率放大器包括比較器、橋式電路和低通濾波器，比較器用以接收第一模擬信號(hào)，比較第一模擬信號(hào)與參考信號(hào)并輸出方波信號(hào)；橋式電路用以放大所述方波信號(hào)并將所述放大的方波信號(hào)輸出；低通濾波器用以將所述放大的方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二模擬信號(hào)；所述橋式電路包括第一MEMS開(kāi)關(guān)和第二MEMS開(kāi)關(guān)，第一MEMS開(kāi)關(guān)和第二MEMS開(kāi)關(guān)分別在所述方波信號(hào)為不同極性時(shí)導(dǎo)通，并分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，所述放大的方波信號(hào)包括交替輸出的所述第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)。本發(fā)明用MEMS開(kāi)關(guān)代替現(xiàn)有功率放大器中的MOS管，因此，功耗低，所有器件占用的面積小、成本低。
文檔編號(hào)H03F3/217GK102170272SQ20101011494
公開(kāi)日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2010年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月25日
發(fā)明者張鐳, 黃河 申請(qǐng)人:江蘇麗恒電子有限公司