專利名稱：一種放大器輸出級過流保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于保護(hù)電路領(lǐng)域，尤其涉及一種放大器輸出級過流保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
過流保護(hù)電路的作用是當(dāng)電路輸出出現(xiàn)過流時(shí)，對電路進(jìn)行保護(hù)，避免電路因?yàn)檩敵鲞^流而被損壞。過流保護(hù)電路廣泛地應(yīng)用在放大器的輸出端，對放大器進(jìn)行保護(hù)，但是，常用CMOS 放大器輸出級過流保護(hù)電路采用的器件較多，消耗靜態(tài)功耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種放大器輸出級過流保護(hù)電路，旨在解決現(xiàn)在的放大器輸出級過流保護(hù)電路存在器件較多，消耗靜態(tài)功耗的問題。本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種放大器輸出級過流保護(hù)電路，包括采樣電阻Rsl 和MOS管M3，所述采樣電阻Rsl的第一端接電源，所述采樣電阻Rsl的第二端接MOS管M3 的源極，所述MOS管M3的柵極接放大器輸出端，所述放大器輸出級過流保護(hù)電路還包括一開關(guān)元件，所述開關(guān)元件的輸入端接電源，所述開關(guān)元件的輸出端接MOS管M3的柵極，所述開關(guān)元件的控制端接采樣電阻Rsl的第二端，所述MOS管M3的漏極為放大器輸出級過流保護(hù)電路的輸出端，所述采樣電阻Rsl兩端的采樣電壓隨輸出電流的增加而增加，當(dāng)所述采樣電壓高于開關(guān)元件的開啟電壓后，開關(guān)元件導(dǎo)通，所述MOS管M3的柵極電壓被拉高，所述放大器輸出級過流保護(hù)電路輸出端的輸出電流被限流。在本發(fā)明實(shí)施例中，該放大器輸出級過流保護(hù)電路采用一開關(guān)元件，采樣電阻兩端的采樣電壓隨輸出電流的增加而增加，當(dāng)采樣電壓高于開關(guān)元件的開啟電壓后，開關(guān)元件導(dǎo)通，MOS管的柵極電壓被拉高，放大器輸出級過流保護(hù)電路輸出端的輸出電流被限流， 該放大器輸出級過流保護(hù)電路具有器件少，不消耗靜態(tài)功耗的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的放大器輸出級過流保護(hù)電路的電路模塊圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的放大器輸出級過流保護(hù)電路的電路示例圖；圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的放大器輸出級過流保護(hù)電路的電路示例圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的放大器輸出級過流保護(hù)電路的電路模塊，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。
放大器輸出級過流保護(hù)電路100包括采樣電阻Rsl和MOS管M3，采樣電阻Rsl的第一端接電源，采樣電阻Rsl的第二端接MOS管M3的源極，MOS管M3的柵極接放大器輸出端，放大器輸出級過流保護(hù)電路還包括一開關(guān)元件101，開關(guān)元件101的輸入端接電源，開關(guān)元件101的輸出端接MOS管M3的柵極，開關(guān)元件101的控制端接采樣電阻Rsl的第二端， MOS管M3的漏極為放大器輸出級過流保護(hù)電路的輸出端V0UT，放大器輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號驅(qū)動(dòng)MOS管M3工作，采樣電阻Rsl兩端的采樣電壓隨輸出電流的增加而增加，當(dāng)采樣電壓高于開關(guān)元件101的開啟電壓后，開關(guān)元件101導(dǎo)通，MOS管M3的柵極電壓被拉高，放大器輸出級過流保護(hù)電路輸出端VOUT的輸出電流被限流。圖2示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的放大器輸出級過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。作為本發(fā)明一實(shí)施例，開關(guān)元件101采用三極管Q3，三極管Q3的發(fā)射極為開關(guān)元件101的輸入端，三極管Q3的集電極為開關(guān)元件101的輸出端，三極管Q3的基極為開關(guān)元件101的控制端。圖3示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的放大器輸出級過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。作為本發(fā)明一實(shí)施例，開關(guān)元件101采用MOS管M4和MOS管M4的寄生三極管Q4， MOS管M4的柵極和源極均接電源，MOS管M4的漏極接MOS管M3的柵極，MOS管M4的襯底接采樣電阻Rsl的第二端，MOS管M4的寄生三極管Q4的發(fā)射極為開關(guān)元件101的輸入端， MOS管M4的寄生三極管Q4的集電極為開關(guān)元件101的輸出端，MOS管M4的寄生三極管Q4 的基極為開關(guān)元件101的控制端，接采樣電阻Rsl的第二端。作為本發(fā)明一實(shí)施例，MOS管M3和MOS管M4均采用P型MOS管。在本發(fā)明實(shí)施例中，該放大器輸出級過流保護(hù)電路采用一開關(guān)元件，采樣電阻兩端的采樣電壓隨輸出電流的增加而增加，當(dāng)采樣電壓高于開關(guān)元件的開啟電壓后，開關(guān)元件導(dǎo)通，MOS管的柵極電壓被拉高，放大器輸出級過流保護(hù)電路輸出端的輸出電流被限流， 該放大器輸出級過流保護(hù)電路具有器件少，不消耗靜態(tài)功耗的優(yōu)點(diǎn)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種放大器輸出級過流保護(hù)電路，其特征在于，包括采樣電阻Rsl和MOS管M3，所述采樣電阻Rsl的第一端接電源，所述采樣電阻Rsl的第二端接MOS管M3的源極，所述MOS管 M3的柵極接放大器輸出端，所述放大器輸出級過流保護(hù)電路還包括一開關(guān)元件，所述開關(guān)元件的輸入端接電源，所述開關(guān)元件的輸出端接MOS管M3的柵極，所述開關(guān)元件的控制端接采樣電阻Rsl的第二端，所述MOS管M3的漏極為放大器輸出級過流保護(hù)電路的輸出端， 所述采樣電阻Rsl兩端的采樣電壓隨輸出電流的增加而增加，當(dāng)所述采樣電壓高于開關(guān)元件的開啟電壓后，開關(guān)元件導(dǎo)通，所述MOS管M3的柵極電壓被拉高，所述放大器輸出級過流保護(hù)電路輸出端的輸出電流被限流。
2.如權(quán)利要求1所述的放大器輸出級過流保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)元件采用三極管Q3，所述三極管Q3的發(fā)射極為開關(guān)元件的輸入端，所述三極管Q3的集電極為開關(guān)元件的輸出端，所述三極管Q3的基極為開關(guān)元件的控制端。
3.如權(quán)利要求1所述的放大器輸出級過流保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)元件采用 MOS管M4和MOS管M4的寄生三極管Q4，所述MOS管M4的柵極和源極均接電源，所述MOS 管M4的漏極接MOS管M3的柵極，所述MOS管M4的襯底接采樣電阻Rsl的第二端，所述MOS 管M4的寄生三極管Q4的發(fā)射極為開關(guān)元件的輸入端，所述MOS管M4的寄生三極管Q4的集電極為開關(guān)元件的輸出端，所述MOS管M4的寄生三極管Q4的基極為開關(guān)元件的控制端， 接采樣電阻Rsl的第二端。
4.如權(quán)利要求1所述的放大器輸出級過流保護(hù)電路，其特征在于，所述MOS管M3采用 P型MOS管。
5.如權(quán)利要求3所述的放大器輸出級過流保護(hù)電路，其特征在于，所述MOS管M4采用 ρ Mmos 管。
全文摘要
本發(fā)明適用于保護(hù)電路領(lǐng)域，提供了一種放大器輸出級過流保護(hù)電路。在本發(fā)明實(shí)施例中，該放大器輸出級過流保護(hù)電路采用一開關(guān)元件，采樣電阻兩端的采樣電壓隨輸出電流的增加而增加，當(dāng)采樣電壓高于開關(guān)元件的開啟電壓后，開關(guān)元件導(dǎo)通，MOS管的柵極電壓被拉高，放大器輸出級過流保護(hù)電路輸出端的輸出電流被限流，該放大器輸出級過流保護(hù)電路具有器件少，不消耗靜態(tài)功耗的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H03F1/52GK102570990SQ20101061149
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者楊建明, 胡勝發(fā) 申請人:安凱(廣州)微電子技術(shù)有限公司