專利名稱：封裝件劃線方法、封裝件、壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝件劃線(marking)方法、封裝件(package)、壓電振動器、振蕩器、 電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)：
例如，在便攜電話或便攜信息終端上，往往采用利用水晶等作為時刻源或控制信號等的定時源、參考信號源等的壓電振動器。這種壓電振動器，在形成有空腔(密閉室)的封裝件內(nèi)真空密封有電子部件的壓電振動片。封裝件成為這樣的構(gòu)造在一對玻璃基板中的一個基板形成凹部的狀態(tài)下互相疊合，并將兩者直接接合，從而使凹部作為空腔起作用?？墒?，作為對玻璃基板的表面實施劃線的方案，可考慮使用噴墨或墨印(ink stamp)等實施劃線的方案。但是，在壓電振動器這樣的小型部件中，標(biāo)識(mark)的大小有極限，能劃線的文字?jǐn)?shù)會較少。因此，公開了通過對玻璃基板的表面照射激光而進(jìn)行蝕刻， 從而在玻璃基板的表面實施劃線的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本特開平10-101379號公報但是，將上述的現(xiàn)有技術(shù)用到壓電振動器等、在內(nèi)部密封有電子部件的封裝件時， 若使用會透射玻璃基板的激光，則有可能會影響電子部件。另一方面，通過使用對于玻璃基板而言吸收率為100%的激光，能夠阻止對電子部件的影響。但是，通過對玻璃基板的表面進(jìn)行蝕刻而實施劃線的情況下，存在的課題是因產(chǎn)生裂痕等而有可能會降低封裝件的可靠性，并且難以漂亮地實施劃線。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明鑒于上述狀況構(gòu)思而成，提供一種不會影響可靠性且能漂亮地進(jìn)行劃線的封裝件劃線方法、封裝件、壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。為了解決上述課題，本發(fā)明的封裝件劃線方法，用于對具備互相接合且至少在一個表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板、以及在這些第一基板和第二基板之間形成并且能封入電子部件的空腔的封裝件的所述玻璃的表面，實施劃線，其特征在于， 包括薄膜形成工序，在所述玻璃的表面形成薄膜；以及劃線工序，對經(jīng)過所述薄膜形成工序而形成的所述薄膜照射激光，除去所述薄膜，從而對所述玻璃的表面實施劃線。通過這樣構(gòu)成，無需對玻璃的表面進(jìn)行蝕刻，而能夠?qū)Ρ砻鎸嵤﹦澗€。因此，能夠防止激光對電子部件造成影響，能夠提供可靠性高的封裝件。此外，通過除去形成在玻璃的表面的薄膜而實施劃線，因此與蝕刻玻璃的表面的情況相比，能夠漂亮地實施劃線，并且能夠防止發(fā)生裂痕。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，所述激光是被玻璃100%吸收的波長區(qū)域的激光。通過這樣構(gòu)成，能夠切實地防止激光會透射玻璃，因此能提供可靠性更高的封裝件。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，所述激光的波長λ被設(shè)定為滿足 λ彡7. 5μπι的關(guān)系。通過這樣構(gòu)成，能夠防止對玻璃產(chǎn)生裂痕等。在此，一般作為被玻璃100%吸收的激光的波長區(qū)域，有數(shù)nm的較短的波長區(qū)域和數(shù)μ m的較長的波長區(qū)域。較短的波長區(qū)域的激光，由于波長短而能量相應(yīng)地較大，因此擔(dān)心會在玻璃產(chǎn)生裂痕等。因此，將波長較長的激光，具體地說，將激光的波長λ設(shè)定為滿足λ彡7. 5μπι的關(guān)系，從而被玻璃100%吸收，并且能夠防止對玻璃產(chǎn)生裂痕等。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，所述薄膜的膜厚T被設(shè)定為滿足 1000Α < T < 3000人,作為所述激光采用CO2激光器。通過這樣構(gòu)成，使用(X)2激光器，切實地除去薄膜，從而能夠切實地實施漂亮的劃線。在此，若薄膜的膜厚T被設(shè)定為厚于3000人,則擔(dān)心無法除去薄膜，而不能漂亮地實施劃線。因此，通過將薄膜的膜厚τ設(shè)定為滿足1000人< T < 3000Α的關(guān)系，能夠切實地實施漂亮的劃線。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，所述激光的輸出P被設(shè)定為滿足 4. 5W彡P(guān)彡6W的關(guān)系。通過這樣構(gòu)成，除去薄膜的同時，能夠切實地防止對玻璃產(chǎn)生裂痕。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，所述薄膜是以Si為主要成分的膜。通過這樣構(gòu)成，能夠?qū)⒊チ吮∧さ牟糠值牟ＡУ谋砻骘@眼。S卩，一般Si吸收激光，并且具有色素，因此能夠用顏色清楚地區(qū)分除去了薄膜的部分和未除去的部分。因此， 除去了薄膜的部分的玻璃的表面顯眼，能夠清楚地顯示劃線。此外，Si的耐腐蝕性高，絕緣性也高，因此能夠提高封裝件的可靠性。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序之前，具備接合工序，將形成在所述第一基板及所述第二基板中一個基板的接合材料與另一基板陽極接合， 在所述薄膜形成工序中，以覆蓋從所述第一基板和所述第二基板之間向外部露出的所述接合材料的方式形成所述薄膜。通過這樣構(gòu)成，能夠防止接合材料的腐蝕。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夾具的凹部內(nèi)配置所述封裝件，并在所述凹部內(nèi)容納所述封裝件的外部電極并且使所述接合材料在外部露出的狀態(tài)，形成所述薄膜。通過這樣構(gòu)成，防止外部電極的短路，并且能夠用薄膜覆蓋接合材料。本發(fā)明的封裝件劃線方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夾具的多個凹部內(nèi)分別配置所述封裝件并且多個所述封裝件被分離配置的狀態(tài)，形成所述薄膜。通過這樣構(gòu)成，在封裝件1的側(cè)面也能形成薄膜，因此能夠切實地用薄膜覆蓋接合材料。本發(fā)明的封裝件，具備互相接合且至少一個的表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板；以及形成在這些第一基板與第二基板之間并且能封入電子部件的空腔，其特征在于，通過在所述玻璃的表面形成薄膜并對該薄膜照射激光而除去所述薄膜，對所述玻璃的表面實施了劃線。通過這樣構(gòu)成，能夠提供不影響可靠性且被漂亮實施劃線的封裝件。本發(fā)明的壓電振動器，其特征在于，在上述發(fā)明所述的封裝件的所述空腔內(nèi)，氣密密封有壓電振動片。通過這樣構(gòu)成，能防止激光對壓電振動片產(chǎn)生影響，從而能夠提供可靠性高的壓電振動器。此外，由于具備氣密性優(yōu)異的封裝件，所以能夠提供振動特性優(yōu)異的壓電振動器。本發(fā)明的振蕩器，其特征在于，使本發(fā)明所述的所述壓電振動器，作為振子電連接到集成電路。通過這樣構(gòu)成，能夠提供振動特性優(yōu)異且可靠性高的振蕩器。本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，使本發(fā)明所述的所述壓電振動器電連接到計時部。通過這樣構(gòu)成，能夠提供振動特性優(yōu)異且可靠性高的電子設(shè)備。本發(fā)明的電波鐘，其特征在于，使本發(fā)明所述的所述壓電振動器電連接到濾波部。通過這樣構(gòu)成，能夠提供振動特性優(yōu)異且可靠性高的電波鐘。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明，無需蝕刻玻璃的表面，而能夠?qū)Ρ砻鎸嵤﹦澗€。因此，能夠防止激光對電子部件產(chǎn)生影響，并且能夠提供可靠性高的封裝件。此外，通過除去形成在玻璃的表面的薄膜而實施劃線，因此與蝕刻玻璃的表面的情況相比，能夠漂亮地實施劃線，并且能夠防止裂痕的發(fā)生。


圖1是本發(fā)明的實施方式中的壓電振動器的外觀立體圖。圖2是本發(fā)明的實施方式中的壓電振動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，并且示出拆下蓋基板3 的狀態(tài)。圖3是沿著圖2的A-A線的剖視圖。圖4是本發(fā)明的實施方式中的壓電振動器的分解立體圖。圖5是表示本發(fā)明的實施方式中的壓電振動器的制造方法的流程圖。圖6是本發(fā)明的實施方式中的圓片(wafer)接合體的分解立體圖。圖7是本發(fā)明的實施方式中的劃線工序的說明圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式中的堿石灰玻璃的透射率的變化的圖表，其中(a) 示出激光的波長區(qū)域為Oym Mym的情形；(b)示出激光的波長區(qū)域為IOOnm 1，IOOnm 的情形。圖9是本發(fā)明的實施方式中的振蕩器的概略結(jié)構(gòu)圖。圖10是本發(fā)明的實施方式中的便攜信息設(shè)備的概略結(jié)構(gòu)圖。圖11是本發(fā)明的實施方式中的電波鐘的概略結(jié)構(gòu)圖。圖12是本發(fā)明的第二實施方式中的薄膜形成工序的說明圖，其中(a)是平面圖； (b)是沿著(a)的B-B線的剖視圖。
具體實施例方式(壓電振動器)接著，根據(jù)附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖1是本實施方式中的壓電振動器1的外觀立體圖，圖2是壓電振動器1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，并且示出拆下蓋基板3的狀態(tài)。此外，圖3是沿著圖2的A-A線的剖視圖，圖4是壓電振動器1的分解立體圖。如圖1 圖4所示，本實施方式的壓電振動器1是表面安裝型的壓電振動器1，其具備基底基板(第一基板)2及蓋基板(第二基板)3通過接合材料23而被陽極接合的箱狀的封裝件10 ；以及被收納于封裝件10的空腔C內(nèi)的壓電振動片(電子部件)5。然后，壓電振動片5與設(shè)置在基底基板2的背面2a(圖3中的下面)的外部電極6、7，利用貫通基底基板2的一對貫通電極8、9來電連接。基底基板2是由玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，形成為板狀。在基底基板2形成有一對貫通孔21、22，其中形成有一對貫通電極8、9。貫通孔21、22呈現(xiàn)其直徑從基底基板2的背面加朝著表面2b (圖3中的上面)而逐漸縮小的截面為錐的形狀。蓋基板3與基底基板2同樣由玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的透明絕緣基板，形成為能與基底基板2疊合的大小的板狀。在蓋基板3的背面北(圖3中的下面)側(cè)，形成有能容納壓電振動片5的矩形狀的凹部3a。該凹部3a在疊合基底基板2及蓋基板3時，形成容納壓電振動片5的空腔C。然后，蓋基板3以使凹部3a與基底基板2 —側(cè)對置的狀態(tài)通過接合材料23陽極接合到基底基板2。S卩，在蓋基板3的背面北側(cè)，形成有在中央部形成的凹部3a，和形成在凹部3a的周圍并且成為與基底基板2接合的接合面的邊框區(qū)域3c。壓電振動片5是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等的壓電材料形成的音叉型振動片，在被施加既定電壓時振動。該壓電振動片5是包括大致平行配置的一對振動腕部M、25和將一對振動腕部 24,25的基端側(cè)固定成一體的基部沈的音叉型振動片。在一對振動腕部M、25的表面上， 具有使振動腕部M、25振動的由未圖示的一對第一激振電極和第二激振電極構(gòu)成的激振電極；以及將第一激振電極及第二激振電極與后述的迂回電極27、28電連接的一對裝配電極(均未圖示)。這樣構(gòu)成的壓電振動片5，如圖2、圖3所示，利用金等的凸點(bump)B，凸點接合至形成在基底基板2的表面2b的迂回電極27J8上。更具體地說，壓電振動片5的第一激振電極經(jīng)由一個裝配電極及凸點B而凸點接合到一個迂回電極27上。此外，第二激振電極經(jīng)由另一裝配電極及凸點B而凸點接合至另一迂回電極觀上。由此，壓電振動片5以從基底基板2的表面2b浮起的狀態(tài)被支持，并且成為各裝配電極和迂回電極27、觀分別電連接的狀態(tài)。而且，在基底基板2的表面2b側(cè)(接合蓋基板3的接合面?zhèn)?，形成有由Al構(gòu)成的陽極接合用的接合材料23。該接合材料23的膜厚例如被設(shè)定為3000人~ 5000人左右， 并且以與蓋基板3的邊框區(qū)域3c對置的方式沿著基底基板2的外周部分而形成。然后，通過使接合材料23和蓋基板3的邊框區(qū)域3c陽極接合，空腔C被真空密封。此外，接合材料23的側(cè)面形成為與基底基板2的側(cè)面2c及蓋基板3的側(cè)面3e(封裝件10 的側(cè)面(外側(cè)面)IOa)大致共面。外部電極6、7設(shè)置在基底基板2的背面2a(基底基板2中與接合面相反側(cè)的面) 中長邊方向的兩側(cè)。外部電極6、7經(jīng)由各貫通電極8、9及各迂回電極27、觀而與壓電振動片5電連接。更具體地說，一個外部電極6經(jīng)由一個貫通電極8及一個迂回電極27而與壓電振動片5的一個裝配電極電連接。此外，另一外部電極7經(jīng)由另一貫通電極9及另一迂回電極觀而與壓電振動片5的另一裝配電極電連接。此外與基底基板2的側(cè)面2c相比，外部電極6、7的側(cè)面(外周邊)更靠內(nèi)側(cè)。貫通電極8、9由經(jīng)燒結(jié)而與貫通孔21、22固定成一體的筒體32及芯材部31形成。 貫通電極8、9完全閉塞貫通孔21、22，并且維持空腔C內(nèi)的氣密，同時承擔(dān)使外部電極6、7 和迂回電極27、28導(dǎo)通的作用。具體而言，一個貫通電極8配置在外部電極6與基部沈之間且位于迂回電極27 的下方，另一貫通電極9在外部電極7與振動腕部25之間且位于迂回電極觀的下方。筒體32是膏狀的玻璃料被燒結(jié)而成的部件。筒體32形成為兩端平坦且壁厚與基底基板2大致相同的圓筒狀。在筒體32的中心，以貫通筒體32的中心孔的方式配置有芯材部31。此外，在本實施方式中筒體32的外形配合貫通孔21、22的形狀而形成為圓錐狀 (截面為錐狀)。該筒體32以埋入貫通孔21、22內(nèi)的狀態(tài)被燒結(jié)，對這些貫通孔21、22牢固地固接。上述芯材部31是用金屬材料形成為圓柱狀的導(dǎo)電性的芯材，與筒體32同樣形成為兩端平坦且壁厚與基底基板2大致相同。此外，貫通電極8、9穿過導(dǎo)電性的芯材部31而確保電導(dǎo)通性。在此，如圖1、圖3所示，在封裝件10，以覆蓋從蓋基板3的表面3d到蓋基板3的側(cè)面3e及基底基板2的側(cè)面2c (封裝件10的側(cè)面IOa)的整個區(qū)域的方式形成有薄膜11。 即，以覆蓋從基底基板2及蓋基板3之間向外部露出的接合材料23的方式形成有薄膜11。 然后，薄膜11的周邊端部(圖3中的下端部)形成為與基底基板2的背面加大致共面。 即，在基底基板2的背面加形成有薄膜11。通過這樣形成薄膜11，提高薄膜11與基底基板2及蓋基板3的密合性，能夠抑制在薄膜11與基板2、3之間產(chǎn)生間隙或者薄膜11被剝離。薄膜11由以硅(Si)為主要成分的金屬材料形成，薄膜11的膜厚T被設(shè)定為
1000A<T<3000A...... ( 1 )的關(guān)系。此外，形成在蓋基板3的表面3d的薄膜11，被實施了表示制品的種類、制品編碼、 制造年月日等的劃線13。通過對薄膜11照射激光L(參照圖7)，并除去薄膜11的一部分， 從而實施劃線13 (在后方做詳細(xì)說明)。通過由以激光L的吸收率高的硅(Si)為主要成分的金屬材料形成薄膜11，能夠?qū)π纬稍谏w基板3的表面3d的薄膜11切實地實施劃線13。
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根據(jù)這樣的構(gòu)成，在使壓電振動器1動作時，對于形成在基底基板2的外部電極6、 7施加既定的驅(qū)動電壓。由此，能使電流在壓電振動片5的各激振電極中流動，并且能夠使一對振動腕部對、25在接近/分間的方向上以既定頻率進(jìn)行振動。再者，利用該一對振動腕部M、25的振動，能夠作為時刻源、控制信號的定時源或參考信號源等而加以利用。(壓電振動器的制造方法)接著，根據(jù)圖5、圖6，對壓電振動器1的制造方法進(jìn)行說明。圖5是表示本實施方式中的壓電振動器1的制造方法的流程圖，圖6是圓片接合體60的分解立體圖。此外，在該壓電振動器1的制造方法中，對這樣的制造方法進(jìn)行說明，即，在多個基底基板2連續(xù)的基底基板用圓片40與多個蓋基板3連續(xù)的蓋基板用圓片50之間，封入多個壓電振動片5而形成圓片接合體60，并通過切斷圓片接合體60而同時制造多個壓電振動器1的方法。在此，圖6所示的虛線M示出在切斷工序中切斷的切斷線。本實施方式中的壓電振動器1的制造方法，主要包括壓電振動片制作工序(SlO)、 蓋基板用圓片制作工序(S20)、基底基板用圓片制作工序(S30)、和組裝工序(S40以下)。 在這些工序之中，壓電振動片制作工序(SlO)、蓋基板用圓片制作工序(S20)、及基底基板用圓片制作工序(S30)能并行地實施。首先，如圖5所示，進(jìn)行壓電振動片制作工序，制作壓電振動片5 (SlO)。此外，在制作壓電振動片5之后，先進(jìn)行諧振頻率的粗調(diào)。此外，關(guān)于更高精度地調(diào)整諧振頻率的微調(diào)，在裝配后進(jìn)行。(蓋基板用圓片作成工序)接著，如圖5、圖6所示，進(jìn)行將后面成為蓋基板3的蓋基板用圓片50制作到剛要進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)的蓋基板用圓片制作工序(S20)。具體而言，將堿石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，利用蝕刻等來除去最表面的加工變質(zhì)層，從而形成圓板狀的蓋基板用圓片50(S21)。接著，進(jìn)行在蓋基板用圓片50的背面50a(圖6中的下面)，利用蝕刻等來在行列方向上形成多個空腔C用的凹部3a的凹部形成工序(S22)。接著，為了確保與后述的基底基板用圓片40之間的氣密性，進(jìn)行至少研磨成為與基底基板用圓片40接合的接合面的蓋基板用圓片50的背面50a側(cè)的研磨工序(S23)，對背面50a進(jìn)行鏡面加工。經(jīng)以上工序，結(jié)束蓋基板用圓片作成工序(S20)。(基底基板用圓片作成工序)接著，在與上述的工序同時或者前后的定時，進(jìn)行將后面成為基底基板2的基底基板用圓片40制作到剛要進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)的基底基板用圓片制作工序(S30)。首先，將堿石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，利用蝕刻等來除去最表面的加工變質(zhì)層，從而形成圓板狀的基底基板用圓片40(S31)。接著，利用例如壓力加工等，進(jìn)行在基底基板用圓片形成多個用于配置一對貫通電極8、9的貫通孔21、22的貫通孔形成工序(S32)。具體而言，利用壓力加工等來從基底基板用圓片40的背面40b形成凹部后，至少從基底基板用圓片40的表面40a側(cè)開始研磨，從而使凹部貫通，能夠形成貫通孔21、22。接著，進(jìn)行在貫通孔形成工序(S32)中形成的貫通孔21、22內(nèi)形成貫通電極8、9的貫通電極形成工序(S33)。由此，在貫通孔21、22內(nèi)，芯材部31以與基底基板用圓片40的兩表面40a、40b (圖 6中的上下面)共面的狀態(tài)被保持。經(jīng)以上工序，能夠形成貫通電極8、9。接著，進(jìn)行在基底基板用圓片40的表面40a對導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖而形成接合材料 23的接合材料形成工序(S34)，并且進(jìn)行迂回電極形成工序(S35)。此外，接合材料23形成在基底基板用圓片40中的空腔C的形成區(qū)域以外的區(qū)域， 即遍及與蓋基板用圓片50的背面50a接合的接合區(qū)域的整個區(qū)域。這樣，結(jié)束基底基板用圓片制作工序(S30)。接著，通過金等的凸點B，將在壓電振動片作成工序(SlO)中作成的壓電振動片5 分別裝配在基底基板用圓片作成工序(S30)中作成的基底基板用圓片40的各迂回電極27、 28 上(S40)。然后，進(jìn)行將在上述的各圓片40、50的作成工序中作成的基底基板用圓片40及蓋基板用圓片50疊合的疊合工序(S50)。具體而言，以未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記等為標(biāo)志，將兩圓片40、50對準(zhǔn)到正確的位置上。 由此，被裝配的壓電振動片5成為被收納于由形成在蓋基板用圓片50的凹部3a和基底基板用圓片40包圍的空腔C內(nèi)的狀態(tài)。在疊合工序后，進(jìn)行接合工序(S60)，在該工序中將已疊合的兩個圓片40、50置于未圖示的陽極接合裝置，并以用未圖示的保持機構(gòu)夾持圓片的外周部分的狀態(tài)，在既定的溫度氣氛下施加既定電壓而進(jìn)行陽極接合。具體而言，在接合材料23與蓋基板用圓片50之間施加既定電壓。這樣，在接合材料23與蓋基板用圓片50的界面產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)，使兩者分別牢固地密合而被陽極接合。由此，能夠?qū)弘娬駝悠?密封于空腔C內(nèi)，并且能夠得到基底基板用圓片40和蓋基板用圓片50接合的圓片接合體60。然后，如本實施方式那樣使兩圓片40、50彼此陽極接合，從而與用粘接劑等來接合兩圓片40、50的情況相比，不依賴于隨時間的劣化或沖擊等，而能夠防止圓片接合體60 的翹曲等，并且能夠更加牢固地接合兩圓片40、50。這時，在本實施方式中在接合材料23上采用電阻值較低的Al，因此能夠?qū)雍喜牧?3的整個面均勻地施加電壓，并且能夠簡單地形成兩圓片40、50的接合面彼此牢固地陽極接合的圓片接合體60。此外，能以較低的電壓進(jìn)行陽極接合，因此謀求減少能量消耗量， 并能減少制造成本。其后，形成分別與一對貫通電極8、9電連接的一對外部電極6、7 (S70)，并且對壓電振動器1的頻率進(jìn)行微調(diào)(S80)。在頻率的微調(diào)結(jié)束后，進(jìn)行將所接合的圓片接合體60切斷而小片化的小片化工序(S90)。在小片化工序(S90)中，用未圖示的料盤保持圓片接合體60，對于蓋基板用圓片 50中的表面50b的表層部分，沿著切斷線M而照射激光，在圓片接合體60形成劃片槽。然后，對于形成有劃片槽的圓片接合體60進(jìn)行斷開(breaking)，對圓片接合體60施加劈裂應(yīng)力。這樣，在圓片接合體60上，沿厚度方向產(chǎn)生裂痕，以沿著形成在蓋基板用圓片50上的劃片槽折斷的方式切斷圓片接合體60。然后，按每個劃片槽推上未圖示的切斷刀，從而圓片接合體60被成批地分離為切斷線M每一條的封裝件10 (壓電振動器1)。在結(jié)束小片化工序后，進(jìn)行用薄膜11來鍍敷封裝件10的薄膜形成工序(S100)。作為薄膜11的形成方法，能列舉例如用濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD法等成膜方法形成的方法。在此，以從封裝件10的蓋基板3的表面3d起覆蓋蓋基板3的側(cè)面3e及基底基板2的側(cè)面2c (封裝件10的側(cè)面IOa)的整個區(qū)域的方式形成薄膜11時，在基底基板2的背面加，例如粘貼UV膠帶也可。作為UV膠帶，例如有在由聚烯烴構(gòu)成的片材涂敷有紫外線固化樹脂的粘接劑的膠帶。此外，在進(jìn)行小片化工序的階段，預(yù)先將基底基板用圓片40的背面40b側(cè)(外部電極6、7側(cè))粘貼到UV膠帶的粘接面也可。由此，能以一連串的作業(yè)進(jìn)行小片化工序和薄膜形成工序。S卩，在經(jīng)過小片化工序之后，進(jìn)行將UV膠帶拉伸的延伸(expand)工序，從而在UV 膠帶上，多個封裝件10成為隔開既定間隔地配置的狀態(tài)。在該狀態(tài)下進(jìn)行薄膜形成工序， 從而能夠以從封裝件10的蓋基板3的表面3d起覆蓋蓋基板3的側(cè)面3e及基底基板2的側(cè)面2c (封裝件10的側(cè)面IOa)的整個區(qū)域的方式形成薄膜11。通過這樣以一連串作業(yè)來進(jìn)行小片化工序和薄膜形成工序，能比在封裝件10個別地形成薄膜11時謀求提高制造效率。此外，以在基底基板2的背面加側(cè)粘貼UV膠帶的狀態(tài)進(jìn)行薄膜形成工序，從而能夠抑制成膜材料向基底基板2的背面加一側(cè)的迂回。因此，能夠抑制成膜材料向外部電極 6、7的附著，因此能夠抑制各外部電極6、7之間因薄膜11而被架設(shè)的情況。再者，若由Al等構(gòu)成的接合材料23露出于外部，則會從露出部分開始腐蝕，從而無法保持封裝件10的氣密性。與之相對，在封裝件10的側(cè)面形成由耐腐蝕性優(yōu)異的Si等構(gòu)成的薄膜11，用薄膜11覆蓋從基底基板2與蓋基板3之間向外部露出的接合材料23，從而能夠防止接合材料23的腐蝕。此外，在基底基板2的背面加側(cè)粘貼UV膠帶的情況下，薄膜形成工序結(jié)束后，需要進(jìn)行用于取出形成有薄膜11的壓電振動器1的拾取工序。更具體地說，在拾取工序中，首先對UV膠帶進(jìn)行UV照射，使UV膠帶的粘接力下降。由此，壓電振動器1能從UV膠帶剝離。其后，通過圖像識別等來掌握各壓電振動器1 的位置，利用吸嘴等來吸引，從而取出從UV膠帶被剝離的壓電振動器1。接著，進(jìn)行小片化后的壓電振動器1的內(nèi)部的電特性檢查(SllO)。S卩，測定壓電振動片5的諧振頻率、諧振電阻值、驅(qū)動電平特性(諧振頻率及諧振電阻值的激振電力相關(guān)性)等并加以核對。此外，一并核對絕緣電阻特性等。然后，進(jìn)行壓電振動器1的外觀檢查，對尺寸或質(zhì)量等進(jìn)行最終核對。(劃線工序)接著，根據(jù)圖5、圖7，對劃線工序進(jìn)行說明。圖7是劃線工序的說明圖。如圖5、圖7所示，對完成電特性檢查及外觀檢查，并檢查合格的壓電振動器1，最后進(jìn)行實施劃線13的劃線工序(S120)。劃線13是這樣進(jìn)行的對蓋基板3的表面3d從豎直方向照射激光L，除去蓋基板 3的表面3d上的薄膜11。
在此，作為激光L，采用100%被由堿石灰玻璃形成的蓋基板3吸收的波長區(qū)域的激光，更優(yōu)選的是，采用100%被蓋基板3吸收的波長區(qū)域中波長較長的激光。更具體地說，基于圖8進(jìn)行說明。圖8是縱軸為堿石灰玻璃的透射率(Transmittance)、橫軸為激光的波長 (Wavelength)時表示堿石灰玻璃的透射率的變化的圖表，其中(a)示出激光的波長區(qū)域為 Oym- 24 μ m Wff^, (b)示出激光的波長區(qū)域為IOOnm 1，IOOnm的情形。如圖8(a)、圖8(b)所示，在激光對于堿石灰玻璃而言被100%吸收的區(qū)域，S卩，能夠確認(rèn)透射率為0%的區(qū)域是激光的波長λ被設(shè)定為比大約MOnm短的情況，或者被設(shè)定為比大約7.2μπι長的情況。在此，隨著波長變短，激光的能量增加，因此，若使用波長較短的區(qū)域的激光(參照圖8(b))，則在劃線工序時不但除去薄膜11，還有可能在蓋基板3的表面3d產(chǎn)生裂痕。因此，短波長的激光例如300nm左右的波長的激光，或者用于在圓片接合體60形成劃片槽的小片化工序，或者用于以往那樣對玻璃自身實施蝕刻時。與之相對，作為激光L，采用波長較長的激光(參照圖8(a))，S卩，波長λ滿足λ ^ 7. 5ym ......(2)的關(guān)系的激光，從而能夠防止對蓋基板3的表面3d產(chǎn)生裂痕。更具體地說，作為激光L，最好使用CO2激光器。該CO2激光器的波長λ為10. 6μπι， 因此滿足式⑵。而且，作為激光L，在使用(X)2激光器的情況下，也因提高激光L的輸出而有可能在蓋基板3的表面3d產(chǎn)生裂痕。因此，在薄膜11的膜厚T被設(shè)定為滿足式(1)那樣，即，滿足1000人< T < 3000人的關(guān)系的情況下，設(shè)激光L的輸出為P時，最好設(shè)定輸出P，以滿足4. 5ff ^ P ^ 6. Off ......(3)的關(guān)系。如此，由于激光L的輸出P滿足式(3)，激光L只除去薄膜11，不會產(chǎn)生裂痕，而能 100%被蓋基板3吸收(參照圖7)。此外，在如以往那樣對玻璃自身實施蝕刻時，激光的能量密度有時被設(shè)定為例如 0. 7J/cm2 20J/cm2。此外，被激光L除去了薄膜11的部位，會使蓋基板3的表面3d露出。在此，薄膜 11由以硅(Si)為主要成分的金屬材料形成，其膜厚T被設(shè)定為滿足式(1)，因此具有近似紫色、粉紅、或灰色這樣的色彩。因此，蓋基板3的表面3d露出的部位和薄膜11的色彩的不同被明顯體現(xiàn)出來。此外，在薄膜11沒有被完全除去，而從該除去的部分露出蓋基板3的表面3d的情況下，除去后的部分與沒有被除去的部分的色彩的不會被明顯體現(xiàn)，會難以分辨劃線。因而，依據(jù)上述實施方式，以從蓋基板3的表面3d覆蓋蓋基板3的側(cè)面!Be及基底基板2的側(cè)面2c (封裝件10的側(cè)面IOa)的整個區(qū)域的方式形成薄膜11，用激光L來除去該薄膜11，從而能夠?qū)ιw基板3的表面3d實施劃線，因此如以往那樣，無需蝕刻蓋基板3的表面3d。因此，能夠防止激光L對壓電振動片5的影響，能夠提供可靠性高的封裝件10 (壓電振動器1)。此外，如以往那樣，與蝕刻蓋基板3的表面3d的情況相比，能夠漂亮地實施劃線。而且，能夠切實地防止在蓋基板3產(chǎn)生裂痕。然后，作為用于劃線工序的激光L，使用CO2激光器，從而能夠切實地防止激光透射蓋基板3。因此，能夠提供可靠性更高的封裝件10 (壓電振動器1)。此外，將薄膜11的膜厚T設(shè)定為滿足式(1)，另一方面，將激光L的輸出P設(shè)定為滿足式(3)，從而切實地除去薄膜11并從該除去的部分露出蓋基板3的表面3d，使蓋基板 3能夠100%吸收激光L。而且，在用以硅(Si)為主要成分的金屬材料來形成薄膜11，從而能對蓋基板3的表面3d進(jìn)一步漂亮地實施劃線。進(jìn)而，由于硅(Si)具有耐腐蝕性高且絕緣性也高，所以能夠提高封裝件10 (壓電振動器1)的可靠性。此外，在上述實施方式中，對薄膜11由以硅(Si)為主要成分的金屬材料形成的情況進(jìn)行了說明。但是，并不限于此，取代硅(Si)而能夠使用鉻(Cr)或鈦(Ti)等、耐腐蝕性比接合材料23高的(離子化傾向小)金屬材料。這時，需要將激光L的波長λ或輸出P，與式O)、式(3)不同地設(shè)定。S卩、激光L 的波長λ或輸出P，并不局限于滿足式O)、式(3)，在蓋基板3的表面3d形成薄膜11后， 對該薄膜11照射激光L時，除去薄膜11，并且能夠防止裂痕對蓋基板3產(chǎn)生，且使蓋基板3 能以100%吸收激光L的激光即可。此外，取代硅(Si)而由鉻(Cr)或鈦(Ti)等來形成薄膜11的情況下，由于壓電振動器1的外部電極6、7的側(cè)面位于比基底基板2的側(cè)面2c更靠近內(nèi)側(cè)的位置(參照圖3)， 所以外部電極6、7間也不會因薄膜11被架設(shè)，能夠防止外部電極6、7的短路。而且，在上述實施方式中，對以從蓋基板3的表面3d覆蓋蓋基板3的側(cè)面!Be及基底基板2的側(cè)面2c (封裝件10的側(cè)面IOa)的整個區(qū)域的方式形成薄膜11的情形進(jìn)行了說明。但是，并不限于此，至少在蓋基板3的表面3d形成薄膜11即可。這時，在結(jié)束小片化工序之后無需進(jìn)行薄膜形成工序，例如在蓋基板用圓片制作工序中，將蓋基板用圓片50的表面研磨(研磨工序)之后，以蓋基板用圓片50的狀態(tài)在該表面形成薄膜11也可。如此，以蓋基板用圓片50的狀態(tài)形成薄膜11，從而也能將該薄膜 11作為對接合工序時的電荷進(jìn)行中和的膜加以利用。即，在將蓋基板用圓片50和基底基板用圓片40陽極接合的接合工序中，在蓋基板用圓片50的表面?zhèn)犬a(chǎn)生負(fù)電荷層。但是，在蓋基板用圓片50的表面形成以Si為主要成分的薄膜11，因此由該薄膜11來使負(fù)電荷層得到中和。由此，在蓋基板用圓片50內(nèi)不會出現(xiàn)極化，而且能夠可靠地進(jìn)行陽極接合。此外，在上述實施方式中，對基底基板2及蓋基板3分別由玻璃材料例如堿石灰玻璃形成的情況進(jìn)行了說明。但是，并不限于此，至少實施劃線13的部位用玻璃材料形成即可。即，在本實施方式中，至少在蓋基板3的表面3d中，實施劃線13的部位用玻璃材料形成即可。而且，在上述實施方式中，對在蓋基板3的表面3d實施劃線13的情況進(jìn)行了說明。但是，并不限于此，在基底基板2的背面加實施劃線13也可。在該情況下，在基底基板2的背面加設(shè)有外部電極7、8，因此需要以避開這些外部電極7、8的方式形成薄膜11。(第二實施方式)接著，對本發(fā)明的第二實施方式進(jìn)行說明。第一實施方式的薄膜形成工序(S100，參照圖幻中，以在UV膠帶上粘貼封裝件的狀態(tài)進(jìn)行了該工序，但在第二實施方式的薄膜形成工序中，將封裝件配置在薄膜形成夾具的凹部內(nèi)后進(jìn)行該工序，在這一點上有所不同。對于與第一實施方式相同的構(gòu)成的部分，省略其詳細(xì)的說明。在第二實施方式中，與第一實施方式同樣地進(jìn)行至小片化工序(S90)。S卩，以在圓片接合體60粘貼UV膠帶的狀態(tài)，將圓片接合體60小片化為多個封裝件10 (壓電振動器 1)。接著在第二實施方式中，對UV膠帶照射UV而使UV膠帶的粘接力下降。然后，拾取已小片化的封裝件10，并承載于下述的薄膜形成夾具。圖12是本發(fā)明的第二實施方式中的薄膜形成工序的說明圖，圖12(a)是平面圖， 圖12(b)是沿著圖12(a)的B-B線的剖視圖。此外在圖12(b)中省略了封裝件10的內(nèi)包物的記載。在第二實施方式中，將封裝件10承載于薄膜形成夾具70后進(jìn)行薄膜形成工序。如圖12(b)所示，薄膜形成夾具70通過層疊由Al等構(gòu)成的支撐板71和由不銹鋼等構(gòu)成的蓋板72來形成。在蓋板72形成有貫通孔73，貫通孔73的底部開口被支撐板71 閉塞，在薄膜形成夾具70形成有凹部74。如圖12(a)所示，凹部74的平面形狀成為與封裝件10同樣的矩形狀。在薄膜形成夾具70形成有多個凹部74，各凹部74以相互分離的狀態(tài)被矩陣狀排列配置。通過在各凹部74內(nèi)配置封裝件10，相互分離地配置多個封裝件10。如圖12(b)所示，以使封裝件10的外部電極6、7抵接到凹部74的底面的方式在凹部74內(nèi)配置封裝件10。凹部74的深度(蓋板72的厚度)，比封裝件10的外部電極6、 7的厚度還深，因此外部電極6、7被容納于凹部74內(nèi)。此外凹部74的深度，比從封裝件10 的底面到接合材料23為止的高度還淺，因此接合材料23露出于外部。在薄膜形成工序中，以在薄膜形成夾具70的凹部74內(nèi)配置封裝件10的狀態(tài)形成薄膜11。薄膜11與第一實施方式同樣地，由Si等的材料通過濺鍍等來形成。如上所述，外部電極6、7被容納于凹部74內(nèi)，因此薄膜11不會形成在外部電極6、7上。因而，能夠防止外部電極6、7的短路。此外，多個封裝件10被相互分離配置，因此能夠在封裝件10的側(cè)面形成薄膜11。然后，接合材料23不會被容納于凹部74內(nèi)，而從封裝件10的側(cè)面露出到外部。因而，能以覆蓋接合材料23的方式形成薄膜11。接著薄膜形成工序(S100)而進(jìn)行電特性檢查(SllO)，進(jìn)而進(jìn)行劃線工序(S120)。 劃線工序是在薄膜形成夾具70配置封裝件10的狀態(tài)下進(jìn)行的。如此，無需移動封裝件10 而連續(xù)進(jìn)行從薄膜形成工序到劃線工序，從而能夠減少制造成本。其后，從薄膜形成夾具拾取封裝件10。經(jīng)以上工序，完成從封裝件10的下半部有外部電極6、7露出，并且上半部被薄膜 11覆蓋而被實施了劃線的壓電振動器1。如以上詳細(xì)說明的那樣，在第二實施方式中，將封裝件10的外部電極6、7容納于薄膜形成夾具的凹部內(nèi)而形成薄膜，因此能夠防止外部電極6、7的短路。此外，以使接合材料23露出于外部的狀態(tài)形成薄膜，因此能夠用薄膜來覆蓋接合材料23。而且，在多個封裝件10被分離配置的狀態(tài)下形成薄膜，因此能夠在封裝件10的側(cè)面形成薄膜，并且能夠用薄膜可靠地覆蓋接合材料23。由此，能夠防止接合材料23的腐蝕，因此能夠保持封裝件10的氣密性。(振蕩器)
接著，根據(jù)圖9，對本發(fā)明的振蕩器的一個實施方式進(jìn)行說明。圖9是振蕩器100的概略結(jié)構(gòu)圖。如該圖所示，振蕩器100中將壓電振動器1構(gòu)成為電連接至集成電路101的振子。 振蕩器100具備安裝了電容器等的電子部件102的基板103。在基板103安裝有振蕩器用的集成電路101，在該集成電路101的附近安裝有壓電振動器1。這些電子部件102、集成電路101及壓電振動器1通過未圖示的布線圖案分別電連接。此外，各構(gòu)成部件通過未圖示的樹脂來模制(mould)。在這樣構(gòu)成的振蕩器100中，對壓電振動器1施加電壓時，壓電振動器1內(nèi)的壓電振動片5振動。通過壓電振動片5所具有的壓電特性，將該振動轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號方式輸入至集成電路101。通過集成電路101對輸入的電信號進(jìn)行各種處理，以頻率信號的方式輸出。從而，壓電振動器1作為振子起作用。此外，根據(jù)需求有選擇地設(shè)定集成電路101的結(jié)構(gòu)，例如RTC(實時時鐘)模塊等， 除了鐘表用單功能振蕩器等之外，還能夠附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時刻或者提供時刻或日歷等的功能。因而，依據(jù)本實施方式的振蕩器100，由于具備確保了空腔C內(nèi)的氣密的壓電振動器1，能夠提供特性及可靠性優(yōu)異的高質(zhì)量的振蕩器100。而且，除此之外，能夠得到長期穩(wěn)定的高精度的頻率信號。(電子設(shè)備)接著，根據(jù)圖10，就本發(fā)明的電子設(shè)備的一個實施方式進(jìn)行說明。此外作為電子設(shè)備，舉例說明了具有上述壓電振動器1的便攜信息設(shè)備110。圖10是便攜信息設(shè)備110的概略結(jié)構(gòu)圖。在此，便攜信息設(shè)備110是例如以便攜電話為代表，發(fā)展并改良現(xiàn)有技術(shù)中的手表的設(shè)備。外觀類似于手表，在相當(dāng)于文字盤的部分配有液晶顯示器，能夠在該畫面上顯示當(dāng)前的時刻等。此外，在作為通信機而利用的情況下，從手腕取下，通過內(nèi)置于表帶的內(nèi)側(cè)部分的揚聲器和麥克風(fēng)而能夠進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話相同的通信。然而，與現(xiàn)有的便攜電話相比較，明顯小型化且輕型化。如圖10所示，便攜信息設(shè)備110具備壓電振動器1和供電用的電源部111。電源部111例如由鋰二次電池構(gòu)成。進(jìn)行各種控制的控制部112、進(jìn)行時刻等的計數(shù)的計時部 113、與外部進(jìn)行通信的通信部114、顯示各種信息的顯示部115、和檢測各功能部的電壓的電壓檢測部116與該電源部111并聯(lián)連接。而且，通過電源部111來對各功能部供電?？刂撇?12控制各功能部，進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時刻的測量或顯示等的整個系統(tǒng)的動作控制。此外，控制部112具備預(yù)先寫入程序的ROM、讀取寫入到ROM的程序并執(zhí)行的CPU、和作為CPU的工作區(qū)使用的RAM等。計時部113具備內(nèi)置了振蕩電路、寄存器電路、計數(shù)器電路及接口電路等的集成電路和壓電振動器1。對壓電振動器1施加電壓時壓電振動片5振動，通過水晶所具有的壓電特性，該振動轉(zhuǎn)換為電信號，以電信號的方式輸入到振蕩電路。振蕩電路的輸出被二值化，通過寄存器電路和計數(shù)器電路來計數(shù)。然后，通過接口電路，與控制部112進(jìn)行信號的發(fā)送與接收，在顯示部115顯示當(dāng)前時刻或當(dāng)前日期或者日
歷fn息等。
通信部114具有與現(xiàn)有的便攜電話相同的功能，具備無線電部117、聲音處理部 118、切換部119、放大部120、聲音輸入/輸出部121、電話號碼輸入部122、來電音發(fā)生部 123及呼叫控制存儲器部124。 通過天線125，無線電部117與基站進(jìn)行收發(fā)聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的交換。聲音處理部118對從無線電部117或放大部120輸入的聲音信號進(jìn)行編碼及解碼。放大部120將從聲音處理部118或聲音輸入/輸出部121輸入的信號放大到既定電平。聲音輸入/輸出部121由揚聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成，擴(kuò)大來電音或受話聲音，或者將聲音集音。此外，來電音發(fā)生部123響應(yīng)來自基站的呼叫而生成來電音。切換部119僅在來電時，通過將連接在聲音處理部118的放大部120切換到來電音發(fā)生部123，在來電音發(fā)生部123中生成的來電音經(jīng)由放大部120輸出至聲音輸入/輸出部121。此外，呼叫控制存儲器部124存放與通信的呼叫及來電控制相關(guān)的程序。此外，電話號碼輸入部122具備例如0至9的號碼鍵及其它鍵，通過按壓這些號碼鍵等，輸入通話目的地的電話號碼等。電壓檢測部116在通過電源部111對控制部112等的各功能部施加的電壓小于既定值時，檢測其電壓降后通知控制部112。這時的既定電壓值是作為使通信部114穩(wěn)定動作所需的最低限的電壓而預(yù)先設(shè)定的值，例如，3V左右。從電壓檢測部116收到電壓降的通知的控制部112禁止無線電部117、聲音處理部 118、切換部119及來電音發(fā)生部123的動作。特別是，停止耗電較大的無線電部117的動作是必需的。而且，顯示部115顯示通信部114由于電池余量的不足而不能使用的提示。即，能夠由電壓檢測部116和控制部112禁止通信部114的動作并在顯示部115 顯示該提示。該顯示可以是文字消息，但作為更直觀的顯示，也可以在顯示于顯示部115的顯示面的上部的電話圖標(biāo)打“ X (叉)”標(biāo)記。此外，通過具備能夠有選擇地截斷與通信部114的功能相關(guān)的部分的電源的電源截斷部126，能夠更加可靠地停止通信部114的功能。因而，依據(jù)本實施方式的便攜信息設(shè)備110，由于具備確保了空腔C內(nèi)的氣密的壓電振動器1，能夠提供特性或可靠性優(yōu)異的高質(zhì)量的便攜信息設(shè)備110。而且，除此之外，能夠顯示長期穩(wěn)定的高精度的時鐘信息。(電波鐘)接著，根據(jù)圖11，就本發(fā)明的電波鐘的一個實施方式進(jìn)行說明。圖11是電波鐘130的概略結(jié)構(gòu)圖。在此，電波鐘130具備電連接到濾波部131的壓電振動器1，是接收包含時鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波，并具有自動修正為正確的時刻并加以顯示的功能的鐘表。在日本國內(nèi)，在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā)送局)，分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz這樣的長波兼有沿地表傳播的性質(zhì)和在電離層和地表一邊反射一邊傳播的性質(zhì)，因此其傳播范圍寬，且由上述的兩個發(fā)送站覆蓋整個日本國內(nèi)。如圖11所示，電波鐘130的天線132接收40kHz或60kHz長波的標(biāo)準(zhǔn)電波。長波的標(biāo)準(zhǔn)電波將被稱為定時碼的時刻信息AM調(diào)制為40kHz或60kHz的載波。所接收的長波的標(biāo)準(zhǔn)電波由放大器133放大，由具有多個壓電振動器1的濾波部131濾波并調(diào)諧。
本 實施方式中的壓電振動器1分別具備與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的諧振頻率的水晶振動器部138、139。而且，濾波后的既定頻率的信號通過檢波、整流電路134來檢波并解調(diào)。接著，經(jīng)由波形整形電路135而抽出定時碼，由CPU136計數(shù)。在CPU136中，讀取當(dāng)前的年、累積日、星期、時刻等的信息。被讀取的信息反映于RTC137，顯示出正確的時刻信肩、ο由于載波為40kHz或60kHz，所以水晶振動器部138、139優(yōu)選具有上述的音叉型結(jié)構(gòu)的振動器。此外，雖然上述的說明由日本國內(nèi)的示例表示，但長波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外是不同的。例如，在德國使用77. 5KHz的標(biāo)準(zhǔn)電波。所以，在將海外也能夠?qū)?yīng)的電波鐘 130裝入便攜設(shè)備的情況下，還需要與日本的情況不同的頻率的壓電振動器1。因而，依據(jù)本實施方式的電波鐘130，由于具備確保了空腔C內(nèi)的氣密的壓電振動器1，能夠提供特性戒可靠性優(yōu)異的高質(zhì)量的電波鐘130。而且，除此之外，能夠長期穩(wěn)定且高精度地對時刻進(jìn)行計數(shù)。此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限于上述實施方式，在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，還包括對上述實施方式進(jìn)行各種變更的方案。即，在實施方式中列舉的具體的材料或?qū)咏Y(jié)構(gòu)等只是一個例子，能夠適宜變更。例如，在上述實施方式中，在基底基板用圓片40的表面40a形成了接合材料23，但與之相反地，在蓋基板用圓片50的背面50a形成接合材料23也可。這時，也可以是通過在成膜后進(jìn)行構(gòu)圖，僅在蓋基板用圓片50的背面50a的與基底基板用圓片40的接合面形成的結(jié)構(gòu)，但是，通過包括凹部3a的內(nèi)表面在內(nèi)的整個背面 50a形成接合材料23，將不需要接合材料23的構(gòu)圖，從而能減少制造成本。此外，在上述實施方式中，在接合工序(S60)中，也可以采用在基底基板用圓片40 的背面40b配置成為陽極的接合輔助材料，并且在蓋基板用圓片50的表面50b配置陰極的方式(所謂的對置電極方式)，且也可以采用將接合材料23連接至陽極，并且在蓋基板用圓片50的表面50b配置陰極，對接合材料23直接施加電壓的方式(所謂的直接電極方式)。通過采用對置電極方式，在陽極接合時對接合輔助材料與陰極之間施加電壓，在接合輔助材料與基底基板用圓片40的背面40b之間產(chǎn)生陽極接合反應(yīng)，與該反應(yīng)連動地接合材料23與蓋基板用圓片50的背面50a之間被陽極接合。由此，能夠?qū)雍喜牧?3的整個面更加均勻地施加電壓，從而能夠?qū)⒔雍喜牧?3與蓋基板用圓片50的背面50a之間切實地陽極接合。與之相對，通過采用直接電極方式，將不需要對置電極方式所必需的接合工序后的接合輔助材料的除去作業(yè)，因此能夠減少制造工時，并且能夠提高制造效率。然后，在上述實施方式中，使用本發(fā)明的封裝件的制造方法的同時，在封裝件的內(nèi)部封入壓電振動片而制造了壓電振動器。但是，并不限于此，在封裝件的內(nèi)部封入壓電振動片以外的電子部件，也能制造壓電振動器以外的器件。附圖標(biāo)記說明1...壓電振動器；2··.基底基板(第一基板)；3···蓋基板(第二基板)；3d、 50b...表面；5...壓電振動片(電子部件)；6、7...外部電極；10...封裝件；11...薄膜；13...劃線；23...接合材 料；40...基底基板用圓片；50...蓋基板用圓片；60...圓片接合體；70...薄膜形成夾具；74...凹部；100...振蕩器；101...振蕩器的集成電路； 110...便攜信息設(shè)備(電子設(shè)備)；113...電子設(shè)備的計時部；130...電波鐘；131...電波鐘的濾波部；C...空腔；L...激光。
權(quán)利要求
1.一種封裝件劃線方法，用于對具備互相接合且至少在一個表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板、以及在這些第一基板和第二基板之間形成并且能封入電子部件的空腔的封裝件的所述玻璃的表面，實施劃線，其特征在于，包括薄膜形成工序，在所述玻璃的表面形成薄膜；以及劃線工序，對經(jīng)過所述薄膜形成工序而形成的所述薄膜照射激光，除去所述薄膜，從而對所述玻璃的表面實施劃線。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝件劃線方法，其特征在于，所述激光是被玻璃100%吸收的波長區(qū)域的激光。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝件劃線方法，其特征在于，所述激光的波長λ被設(shè)定為滿足λ彡7. 5μπι的關(guān)系。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的封裝件劃線方法，其特征在于， 所述薄膜的膜厚T被設(shè)定為滿足1000入< T < 3000Α,作為所述激光采用(X)2激光器。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝件劃線方法，其特征在于，所述激光的輸出P被設(shè)定為滿足 4. 5W彡P(guān)彡6W的關(guān)系。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的封裝件劃線方法，其特征在于，所述薄膜是以Si 為主要成分的膜。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的封裝件劃線方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序之前，具備接合工序，將形成在所述第一基板及所述第二基板中一個基板的接合材料與另一基板陽極接合，在所述薄膜形成工序中，以覆蓋從所述第一基板和所述第二基板之間向外部露出的所述接合材料的方式形成所述薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝件劃線方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夾具的凹部內(nèi)配置所述封裝件，并在所述凹部內(nèi)容納所述封裝件的外部電極并且使所述接合材料在外部露出的狀態(tài)，形成所述薄膜。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝件劃線方法，其特征在于，在所述薄膜形成工序中，以在薄膜形成夾具的多個凹部內(nèi)分別配置所述封裝件并且多個所述封裝件被分離配置的狀態(tài)，形成所述薄膜。
10.一種封裝件，具備互相接合且至少一個的表面的至少一部分由玻璃形成的第一基板及第二基板；以及形成在這些第一基板與第二基板之間并且能封入電子部件的空腔，其特征在于，通過在所述玻璃的表面形成薄膜并對該薄膜照射激光而除去所述薄膜，對所述玻璃的表面實施了劃線。
11.一種壓電振動器，其特征在于，在權(quán)利要求10所述的封裝件的所述空腔內(nèi)，氣密密封有壓電振動片。
12.一種振蕩器，其特征在于，使權(quán)利要求11所述的所述壓電振動器，作為振子電連接至集成電路。
13.一種電子設(shè)備，其特征在于，使權(quán)利要求11所述的所述壓電振動器電連接至計時部。
14. 一種電波鐘，其特征在于，使權(quán)利要求11所述的所述壓電振動器電連接至濾波部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不影響可靠性且能漂亮地進(jìn)行劃線的封裝件劃線方法、封裝件、壓電振動器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。在用于對由玻璃形成的蓋基板的表面實施劃線的封裝件劃線方法中，包括在蓋基板的表面形成薄膜的薄膜形成工序(S100)；以及劃線工序(S120)，對通過薄膜形成工序形成的薄膜照射激光，除去薄膜，從而在蓋基板的表面實施劃線。
文檔編號H03H9/10GK102201795SQ201110084638
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者福田純也 申請人:精工電子有限公司