射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路，包括：一耦合電路，一檢波電路和一濾波比較電路；所述檢波電路，包括：第一NMOS管，其柵極和漏極與副端電感的一端相連接；第二NMOS管，其柵極和漏極與副端電感的另一端相連接；所述第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極與第一電阻的一端相連接；該第一電阻的另一端與第四電阻的一端和第二電容的一端相連接，其連接的端點(diǎn)記為A1；所述第二電容的另一端接地；所述第四電阻的另一端與第三NMOS管的柵極和漏極相連接，第三NMOS管的源極接地。本發(fā)明能更有利于解調(diào)電路的解調(diào)。
【專利說(shuō)明】 射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及模擬集成電路中的檢波解調(diào)電路領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在射頻識(shí)別中，由于射頻識(shí)別卡片大都是無(wú)源的，所以射頻識(shí)別卡片電路的設(shè)計(jì)就相當(dāng)關(guān)鍵和重要。在射頻識(shí)別中，讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的是帶凹槽的正弦波信號(hào)，也可以理解成調(diào)幅信號(hào)，射頻識(shí)別卡片需要耦合讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的正弦波信號(hào)，一方面需要從正弦波信號(hào)中獲得穩(wěn)定的電源電壓，供給其他電路模塊正常工作所需的電壓；另一方面需要將正弦波信號(hào)波形中的凹槽檢波并解調(diào)出來(lái)，解調(diào)出正確的數(shù)字信號(hào)送給數(shù)字電路繼續(xù)處理。
[0003]參見(jiàn)圖1所示，現(xiàn)有的用于射頻識(shí)別的檢波解調(diào)電路，包括:由原端電感LI，副端電感L2和電容Cl組成的耦合電路；由NMOS晶體管Ml?M6，PMOS晶體管M6?M8，電阻Rl,電容C2組成的檢波電路；由一遲滯比較器CZBJ，電阻R2、R3，電容C3、C4組成的濾波比較電路。
[0004]所述檢波電路中NMOS晶體管Ml和M2進(jìn)行初步的信號(hào)檢波，其它器件對(duì)檢波后的凹槽包絡(luò)波形進(jìn)行進(jìn)一步處理。NMOS晶體管M3，M4和M5構(gòu)成三路電流通路；當(dāng)工作場(chǎng)強(qiáng)較小時(shí)，NMOS晶體管M3這路開啟；當(dāng)工作場(chǎng)強(qiáng)增大時(shí)，NMOS晶體管M4這路也開啟，當(dāng)工作場(chǎng)強(qiáng)再增大時(shí)，三路電流通路就同時(shí)開啟；通過(guò)電阻Rl分壓從而保證A點(diǎn)在一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娢簧?。NMOS晶體管M3，M4和M5的柵極都是接同一個(gè)偏置電壓VB。PMOS晶體管M6，M7和M8都是二極管連接方式，隨著A點(diǎn)電壓增大會(huì)自動(dòng)開啟所述三路電流通路。電容C2為高頻濾波電容。
[0005]當(dāng)凹槽來(lái)臨的時(shí)候，上述檢波電路并不會(huì)有大電流去拉凹槽包絡(luò)，對(duì)凹槽包絡(luò)的形狀改變沒(méi)有幫助。在凹槽期間，A點(diǎn)的電位卻有可能降低零電平的位置，這將影響凹槽包絡(luò)上升的速度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路，能更有利于解調(diào)電路的解調(diào)。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路，包括:一耦合電路，一檢波電路和一濾波比較電路；
[0008]所述耦合電路，包括:原端電感，副端電感和第一電容；所述第一電容與副端電感并聯(lián)連接，輸入的正弦波信號(hào)通過(guò)原端電感耦合到副端電感，并與所述第一電容發(fā)生諧振，產(chǎn)生諧振電壓；
[0009]所述濾波比較電路，包括:一遲滯比較器；一第二電阻，其一端與第四電容的一端和所述遲滯比較器的正端相連接，該第四電容的另一端接地；一第三電阻，其一端與所述第二電阻的另一端相連接，該第三電阻的另一端與第三電容的一端和所述遲滯比較器的負(fù)端相連接，該第三電容的另一端接地；其中，
[0010]所述檢波電路，包括:第一 NMOS管，其柵極和漏極與副端電感的一端相連接；第二NMOS管，其柵極和漏極與副端電感的另一端相連接；所述第一 NMOS管的源極和第二 NMOS管的源極與第一電阻的一端相連接；該第一電阻的另一端與第四電阻的一端和第二電容的一端相連接，其連接的端點(diǎn)記為Al ;所述第二電容的另一端接地；所述第四電阻的另一端與第三NMOS管的柵極和漏極相連接，第三NMOS管的源極接地；
[0011]所述第三電阻與第二電阻的連接端與所述端點(diǎn)Al相連接。
[0012]本發(fā)明在傳統(tǒng)的檢波解調(diào)電路的基礎(chǔ)上，對(duì)檢波電路作了改進(jìn)，將一電阻和二極管連接的NMOS管串聯(lián)，作為檢波的負(fù)載電阻；當(dāng)端點(diǎn)Al的電壓升高時(shí)，該支路的電流就隨之增大，這樣能有效的改善凹槽包絡(luò)的形狀，更有利于解調(diào)電路的解調(diào)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0014]圖1是現(xiàn)有的用于射頻識(shí)別的檢波解調(diào)電路原理圖；
[0015]圖2是所述射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路一實(shí)施例原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]參見(jiàn)圖2所示，在下面的實(shí)施例中，所述射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路，包括:一耦合電路，一檢波電路和一濾波比較電路。
[0017]讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的是帶凹槽的正弦波信號(hào)，其中的凹槽就是需要解調(diào)的模擬信號(hào)，射頻識(shí)別卡片需要耦合讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的正弦波信號(hào)波形，然后檢波電路對(duì)正弦波信號(hào)中的凹槽進(jìn)行檢波，獲得凹槽的包絡(luò)形狀，再通過(guò)濾波比較電路解調(diào)出相對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。
[0018]所述耦合電路，包括:原端電感LI，副端電感L2和電容Cl。所述電容Cl與副端電感L2并聯(lián)連接，輸入的正弦波信號(hào)IN通過(guò)原端電感LI和副端電感L2耦合到射頻識(shí)別卡片端，并與所述電容Cl發(fā)生諧振，產(chǎn)生較高的諧振電壓。
[0019]所述檢波電路，包括:第一 NMOS管M1A，第二 NMOS管M2A，電阻R1A，電阻R4，第三NMOS 管 M3，電容 C2A。
[0020]第一 NMOS管MlA的柵極和漏極與副端電感L2的一端相連接。第二 NMOS管M2A的柵極和漏極與副端電感L2的另一端相連接。所述第一 NMOS管MlA的源極和第二 NMOS管M2A的源極與電阻RlA的一端相連接。
[0021]電阻RlA的另一端與電阻R4的一端和電容C2A的一端相連接，其連接的端點(diǎn)記為Al。電容C2A的另一端接地。電阻R4的另一端與第三NMOS管M3的柵極和漏極相連接，第三NMOS管M3的源極接地。
[0022]第一 NMOS管MlA和第二 NMOS管M2A對(duì)天線端的信號(hào)進(jìn)行初步的檢波，將凹槽信號(hào)的包絡(luò)形狀檢波出來(lái)。第三NMOS管M3為二極管連接的NMOS管，它和電阻R4串聯(lián)，相當(dāng)于檢波的負(fù)載電阻；M3和R4串聯(lián)的這路支路的電流比傳統(tǒng)的檢波電路的電流大，隨著場(chǎng)強(qiáng)的增加電流還會(huì)隨之增加。當(dāng)凹槽剛來(lái)臨的時(shí)候，由于流過(guò)檢波電路的電流仍然較大，會(huì)將下降的凹槽包絡(luò)往下拉，增加后面濾波比較電路中兩路濾波后的電壓差，有利于解調(diào)電路的解調(diào)。在凹槽期間，由于二極管連接的NMOS管M3可以使得凹槽包絡(luò)的低電壓值處于一個(gè)飽和狀態(tài)，將最低的電壓維持在閾值電壓附近，這有利于凹槽包絡(luò)的快速上升，也有利于解調(diào)電路的解調(diào)。電阻RlA可以適當(dāng)分壓降低Al點(diǎn)的電壓，Al點(diǎn)的電壓升高，檢波電路的電流就隨之增大，Al點(diǎn)電壓太高容易損壞內(nèi)部的器件。電容C2A為高頻濾波電容，濾波凹槽包絡(luò)中的高頻信號(hào)。
[0023]所述濾波比較電路，包括:一遲滯比較器CZBJ，電阻R2、R3，電容C3、C4。
[0024]電阻R2的一端與電容C4的一端和所述遲滯比較器CZBJ的正端相連接，電容C4的另一端接地。電阻R3的一端與電阻R2的另一端與所述端點(diǎn)Al相連接。電阻R3的另一端與電容C3的一端和所述遲滯比較器CZBJ的負(fù)端相連接，電容C3的另一端接地。
[0025]經(jīng)過(guò)檢波電路檢波后的凹槽包絡(luò)基本無(wú)毛刺、形狀也較完整。電阻R2和電容C4，電阻R3和電容C3構(gòu)成兩路不同程度的濾波，經(jīng)過(guò)這兩路不通程度的濾波后，在凹槽期間就形成兩個(gè)不同的輸入信號(hào)，輸入給所述遲滯比較器CZBJ后就比較容易解調(diào)出相對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。整個(gè)檢波濾波電路也更加有利于解調(diào)電路的解調(diào)。
[0026]雖然本發(fā)明利用具體的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但是對(duì)實(shí)施例的說(shuō)明并不限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員通過(guò)參考本發(fā)明的說(shuō)明，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，容易進(jìn)行各種修改或者可以對(duì)實(shí)施例進(jìn)行組合。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻識(shí)別中的檢波解調(diào)電路，包括:一稱合電路，一檢波電路和一濾波比較電路； 所述耦合電路，包括:原端電感，副端電感和第一電容；所述第一電容與副端電感并聯(lián)連接，輸入的正弦波信號(hào)通過(guò)原端電感耦合到副端電感，并與所述第一電容發(fā)生諧振，產(chǎn)生諧振電壓； 所述濾波比較電路，包括:一遲滯比較器；一第二電阻，其一端與第四電容的一端和所述遲滯比較器的正端相連接，該第四電容的另一端接地；一第三電阻，其一端與所述第二電阻的另一端相連接，該第三電阻的另一端與第三電容的一端和所述遲滯比較器的負(fù)端相連接，該第三電容的另一端接地； 其特征在于，所述檢波電路，包括:第一 NMOS管，其柵極和漏極與副端電感的一端相連接；第二 NMOS管，其柵極和漏極與副端電感的另一端相連接；所述第一 NMOS管的源極和第二 NMOS管的源極與第一電阻的一端相連接；該第一電阻的另一端與第四電阻的一端和第二電容的一端相連接，其連接的端點(diǎn)記為Al ;所述第二電容的另一端接地；所述第四電阻的另一端與第三NMOS管的柵極和漏極相連接，第三NMOS管的源極接地； 所述第三電阻與第二電阻的連接端與所述端點(diǎn)Al相連接。
【文檔編號(hào)】H03D1/18GK103795346SQ201210434805
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月2日
【發(fā)明者】傅志軍, 馬和良 申請(qǐng)人:上海華虹集成電路有限責(zé)任公司