專利名稱：一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)，具體的說(shuō)是涉及一種基于阻變器件的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)：
信號(hào)處理最重要的功能之一就是在模擬和數(shù)字信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展以及計(jì)算機(jī)在自動(dòng)檢測(cè)和自動(dòng)控制系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用，利用數(shù)字系統(tǒng)處理模擬信號(hào)的情況變得更加普遍。數(shù)字電子計(jì)算機(jī)所處理和傳送的都是不連續(xù)的數(shù)字信號(hào)，而實(shí)際中遇到的大都是連續(xù)變化的模擬量，模擬量經(jīng)傳感器轉(zhuǎn)換成為電信號(hào)的模擬量后，需經(jīng)模數(shù)轉(zhuǎn)換變成數(shù)字信號(hào)才可輸入到數(shù)字系統(tǒng)中進(jìn)行處理和控制，因而作為把模擬電量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量輸出的接口電路-AD轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)實(shí)世界中模擬信號(hào)通向數(shù)字信號(hào)的橋梁，是電子技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵和瓶頸所在。當(dāng)前，為了適應(yīng)計(jì)算機(jī)、通訊和多媒體技術(shù)的飛速發(fā)展以及高新技術(shù)領(lǐng)域的數(shù)字化進(jìn)程不斷加快，ADC在工藝、結(jié)構(gòu)、性能上都有了很大的進(jìn)步，正在朝著低功耗、高速、高分辨率的方向發(fā)展。目前，世界上有多種類型的ADC，有傳統(tǒng)的并行、逐次逼近型、積分型ADC，也有近年來(lái)新發(fā)展起來(lái)的流水線型ADC，多種類型的ADC各有其優(yōu)缺點(diǎn)。低功耗、高速、高分辨率是新型ADC的發(fā)展方向，同時(shí)ADC的這一發(fā)展方向?qū)⑦m應(yīng)現(xiàn)代數(shù)字電子技術(shù)的發(fā)展。任何ADC都包括三個(gè)基本功能:抽樣、量化和編碼。抽樣過(guò)程將模擬信號(hào)在時(shí)間上離散化，使之成為抽樣信號(hào)；量化將抽樣信號(hào)的幅度離散化使之成為數(shù)字信號(hào)；編碼則將數(shù)字信號(hào)最終表示成數(shù)字系統(tǒng)所能接受的形式。如何實(shí)現(xiàn)這三個(gè)功能就決定了 ADC的形式和性能。同時(shí)，ADC的分辨率越高，需要的轉(zhuǎn)換時(shí)間就越長(zhǎng)，轉(zhuǎn)換速率就越低，故ADC的分辨率和轉(zhuǎn)換速率兩者總是相互制約的。因而在發(fā)展高分辨率ADC的同時(shí)要兼顧高速，在發(fā)展高速ADC的同時(shí)要兼顧高分辨率，在此基礎(chǔ)上還要考慮功耗、體積、便攜性、多功能、與計(jì)算機(jī)及通訊網(wǎng)絡(luò)的兼容性以及應(yīng)用領(lǐng)域的特殊要求等問(wèn)題，這樣也使得ADC的結(jié)構(gòu)和分類錯(cuò)綜復(fù)雜。阻變器件(RRAM)是一種新型的二端器件，根據(jù)兩端所加電壓的不同，器件會(huì)在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間轉(zhuǎn)變。阻變器件由高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)的過(guò)程稱為置位(SET)，由低阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)的過(guò)程稱為復(fù)位(RESET)。阻變器件可以分為單極性器件和雙極型器件，雙極型器件高低阻態(tài)的轉(zhuǎn)變與上(TE)下(BE)電極電壓的極性和大小有關(guān)，當(dāng)上電極電壓Vte和下電極電壓Vbe差值大于SET電壓時(shí)，阻變器件置位，由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)；當(dāng)下電極電壓Vbe和上電極電壓Vte差值大于RESET電壓時(shí)，阻變器件復(fù)位，由低阻態(tài)變?yōu)楦咦钁B(tài)。單極型阻變器件的置位和復(fù)位電壓極性相同。通常阻變器件的高阻態(tài)和低阻態(tài)電阻值相差三個(gè)以上數(shù)量級(jí)，兩種阻態(tài)的轉(zhuǎn)變時(shí)間可低至納秒量級(jí)，置位和復(fù)位電壓低。利用阻變器件的這些特點(diǎn)，本發(fā)明提出了一種基于雙極型阻變器件的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路。同傳統(tǒng)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器相比，本發(fā)明提出的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路具有高速，低功耗的優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，就是提出一種新的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路。本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，包括阻態(tài)控制電路、狀態(tài)存儲(chǔ)電路和參考電壓產(chǎn)生電路，所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路分別與阻態(tài)控制電路和參考電壓產(chǎn)生電路連接；所述阻態(tài)控制電路采用多個(gè)可開(kāi)關(guān)的傳輸門(mén)控制方式控制傳輸?shù)綘顟B(tài)存儲(chǔ)電路的信號(hào)，所述多個(gè)可開(kāi)關(guān)的傳輸門(mén)根據(jù)控制時(shí)序分別自動(dòng)導(dǎo)通，用以控制狀態(tài)存儲(chǔ)單元的復(fù)位、編程和讀取操作；所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路由阻變器件構(gòu)成，能夠根據(jù)阻態(tài)控制電路傳輸?shù)男盘?hào)實(shí)現(xiàn)快速置位與復(fù)位；所述參考電壓產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生參考電壓，實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換。本發(fā)明總的技術(shù)方案，提出的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括狀態(tài)存儲(chǔ)單元、阻態(tài)控制電路和參考電壓產(chǎn)生電路。其中狀態(tài)存儲(chǔ)單元是模數(shù)轉(zhuǎn)換的核心，用于將模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為由阻變器件高低阻值表征的數(shù)字信號(hào)。阻態(tài)控制電路用來(lái)控制對(duì)狀態(tài)存儲(chǔ)單元的復(fù)位，編程和讀值操作。參考電壓電路用來(lái)產(chǎn)生參考電壓，以實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換。具體的，所述阻態(tài)控制電路包括時(shí)序控制電路、第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3，所述第一開(kāi)關(guān)SI連接復(fù)位電壓信號(hào)和狀態(tài)存儲(chǔ)電路，所述第二開(kāi)關(guān)S2連接編程電壓信號(hào)和狀態(tài)存儲(chǔ)電路，所述第三開(kāi)關(guān)S3連接讀取電流信號(hào)和狀態(tài)存儲(chǔ)電路，所述時(shí)序控制電路用于產(chǎn)生控制時(shí)序控制第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3的開(kāi)關(guān)。具體的，所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路包括第一雙極型阻變器件和第二雙極型阻變器件，所述阻態(tài)控制電路還包括第四開(kāi)關(guān)S4和第五開(kāi)關(guān)S5，所述第一雙極型阻變器件的下電極與阻態(tài)控制電路的第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3連接、上電極與第二雙極型阻變器件的上電極和第四開(kāi)關(guān)S4連接，第二雙極型阻變器件的下電極與第五開(kāi)關(guān)S5和參考電壓產(chǎn)生電路連接。具體的，所述參考電壓產(chǎn)生電路由分壓電阻和電流源連接組成。本發(fā)明的有益效果為，大大減小了功耗和電路實(shí)現(xiàn)面積，降低了電路成本，同時(shí)還具有模數(shù)轉(zhuǎn)換和非揮發(fā)存儲(chǔ)的特性。


圖1為本發(fā)明的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的電路原理示意圖；圖2為狀態(tài)存儲(chǔ)單元的電路原理示意圖；圖3為時(shí)序控制電路的電路原理示意圖；圖4為實(shí)施例的電路原理示意圖；圖5為雙極型阻變器件的SPICE模型示意圖；圖6為時(shí)序電路輸出時(shí)序示意圖；圖7為頻率為2MHZ幅度為1.5V的正弦波示意圖；圖8為輸入頻率為2MHZ幅度為1.5V正弦波的仿真結(jié)果示意圖。
具體實(shí)施方式
下面根據(jù)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述:本發(fā)明提出的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，主要是基于一串并行的狀態(tài)存儲(chǔ)單元，如圖1所述，本發(fā)明提出模數(shù)轉(zhuǎn)換電路包括狀態(tài)存儲(chǔ)單元、阻態(tài)控制電路和參考電壓產(chǎn)生電路，其中狀態(tài)存儲(chǔ)單元為本電路的核心，由兩個(gè)上電極相連接的雙極型阻變器件組成，分別為RRAMA和RRAMB，RRAMA的底電極設(shè)為狀態(tài)存儲(chǔ)單元的正極，RRAMB的底電極設(shè)為狀態(tài)存儲(chǔ)單元的負(fù)極，復(fù)位時(shí)外加一個(gè)大的負(fù)向電壓使RRAMA為低阻態(tài)，RRAMB為高阻態(tài)，從而使?fàn)顟B(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)入初始態(tài)。初始態(tài)時(shí)，外加正向掃描電壓，由于RRAMB為高阻態(tài)，幾乎全部的外加電壓都落在RRAMB上，直到電壓達(dá)到RRAMB的SET電壓VSET，RRAMB進(jìn)入低阻態(tài)并且RRAMA保持在低阻態(tài)，此時(shí)RRAMA與RRAMB上壓降相同，當(dāng)外加電壓繼續(xù)增大使得RRAMA上的壓降超過(guò)RESET電壓Vkeset時(shí)，RRAMA進(jìn)入高阻態(tài)并且RRAMB保持在低阻態(tài)，此時(shí)狀態(tài)存儲(chǔ)單元狀態(tài)發(fā)生反轉(zhuǎn)，記此時(shí)的外加電壓為狀態(tài)存儲(chǔ)單元的開(kāi)啟電壓Vth，由于總的電阻仍然是高阻態(tài)，所以此時(shí)流過(guò)狀態(tài)存儲(chǔ)單元的電流幾乎為零。如圖2所示，當(dāng)電壓Vp和電壓Vn的差值大于Vth時(shí)，RRAMA為高阻態(tài)，RRAMB為低阻態(tài)，電壓Vn和電壓Vp的差值大于Vth時(shí)，RRAMA為低阻態(tài)，RRAMB為高阻態(tài)。狀態(tài)存儲(chǔ)單元RRAMA和RRAMB的兩端的電壓由阻態(tài)控制電路和參考電壓產(chǎn)生電路控制，其中，本發(fā)明提出的參考電壓產(chǎn)生電路和傳統(tǒng)的flash模數(shù)轉(zhuǎn)換器的參考電壓產(chǎn)生電路相同，由串聯(lián)電阻和電流源構(gòu)成，用來(lái)產(chǎn)生各個(gè)狀態(tài)存儲(chǔ)單元的參考電壓，基準(zhǔn)電流Ieef流入串聯(lián)的電阻R產(chǎn)生各個(gè)參考電壓VKEF，阻態(tài)控制電路對(duì)狀態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行三個(gè)操作:1.對(duì)狀態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行復(fù)位；2.用輸入的模擬電壓對(duì)狀態(tài)存儲(chǔ)單元編程；3.讀出狀態(tài)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。這三個(gè)操作由選通開(kāi)關(guān)SI，S2，S3，S4, S5控制，時(shí)序控制電路如圖3所示，由基本的D觸發(fā)器和門(mén)電路組成，通過(guò)系統(tǒng)輸入時(shí)鐘信號(hào)CLK產(chǎn)生三個(gè)不交疊的時(shí)鐘信號(hào)CTRL-Sl、CTRL-S2和CTRL-S3，用來(lái)控制圖2中開(kāi)關(guān)S1、S2、S3、S4和S5的關(guān)斷，以實(shí)現(xiàn)對(duì)狀態(tài)存儲(chǔ)單元不同操作。其中SI和S5接同一個(gè)控制信號(hào)CTRL-S1，S3和S4接同一個(gè)控制信號(hào)CTRL-S3，S2接控制信號(hào)CTRL-S2，其具體原理為:當(dāng)CTRL-Sl為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)SI，S5導(dǎo)通，狀態(tài)存儲(chǔ)單元正電極接復(fù)位電壓Vkeset,負(fù)電極接零電位，狀態(tài)存儲(chǔ)單元復(fù)位；當(dāng)CTRL-S2為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)S2導(dǎo)通，狀態(tài)存儲(chǔ)單元正電極接輸入模擬電壓Vin,負(fù)電極接參考電壓Vkef,根據(jù)輸入電壓Vin和參考電壓Vkef的大小關(guān)系，對(duì)狀態(tài)存儲(chǔ)單兀進(jìn)行編程；當(dāng)CTRL-S3為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)S3，S4導(dǎo)通，讀值基準(zhǔn)電流Ikead注入狀態(tài)存儲(chǔ)單元正電極，由于S4導(dǎo)通，Ieead在RRAMA另一端流入零電位，將RRAMA的阻值狀態(tài)轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的高低電平然后經(jīng)過(guò)兩個(gè)串聯(lián)的反相器后，阻值狀態(tài)被讀出，得到相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)0UT，數(shù)字I代表阻變器件RRAMA為高阻態(tài)，數(shù)字O代表阻變器件RRAMA為低阻態(tài)。因此本發(fā)明有效合理的利用了雙極型阻變器件高低阻態(tài)的轉(zhuǎn)變與上(TE)下(BE)電極電壓的極性和大小的關(guān)系，根據(jù)阻變器件阻態(tài)的轉(zhuǎn)變時(shí)間低至納秒量級(jí)的特點(diǎn)，通過(guò)控制電路對(duì)雙極型阻變器件構(gòu)成的狀態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行精確控制，從而實(shí)現(xiàn)了模擬信號(hào)在低功耗條件下快速的轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。在本發(fā)明中，電路中阻變器件可以采用雙極型金屬氧化物阻變存儲(chǔ)器，所用阻變器件具有高低兩個(gè)電阻態(tài)。實(shí)施例:如圖4所示，為分辨率為5位，帶寬30M，時(shí)鐘頻率100M，參考電壓步長(zhǎng)為0.1V的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，為了對(duì)圖4的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行仿真，首先需要建立雙極型阻變器件的SPICE模型，根據(jù)雙極型阻變器件的工作特性，本實(shí)例建立了圖5所示的SPICE模型。雙極型阻變器件的SPICE模型分為兩部分:圖5左邊所示為阻值選擇電路，Rles和Rhks分別為低態(tài)電阻和高態(tài)電阻，代表存儲(chǔ)單元在兩個(gè)阻值狀態(tài)的電阻值，根據(jù)所加電壓Vapp的大小和極性，兩個(gè)開(kāi)關(guān)Q和QB之一導(dǎo)通，以選擇相應(yīng)的阻值狀態(tài)。圖5右邊所示為狀態(tài)控制電路，根據(jù)輸入電壓Vapp的大小和極性，產(chǎn)生兩個(gè)電壓Q和QB以控制阻值選擇電路的兩個(gè)開(kāi)關(guān)。本實(shí)例中電壓源Vkeset設(shè)為-2V，電流源Ikead設(shè)為luA，電流源Ikef設(shè)為1mA，參考電壓產(chǎn)生電阻R阻值設(shè)為100 Ω，RRAM高態(tài)電阻Rhks為10M，低態(tài)電阻Ruis為25K，SET電壓Vset為0.7V，RESET電壓Veeset為-0.7V，則當(dāng)Vin大于Veef超過(guò)1.4V時(shí)，RRAMA由初始的低阻態(tài)變?yōu)楦咦钁B(tài)，RRAMB由初始的高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，狀態(tài)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，輸出高電平I。此外，由于阻變器件具有非揮發(fā)的特性，編程后的數(shù)據(jù)即使在斷電后也將保存在狀態(tài)存儲(chǔ)單元中，因此該模數(shù)轉(zhuǎn)換電路同時(shí)具有模數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的特性。下面，再結(jié)合圖2，以最低位電路為例來(lái)說(shuō)明電路的工作過(guò)程:第一個(gè)時(shí)鐘時(shí)，CTRL-Sl為高電平，CTRL-S2，CTRL-S3為低電平，從而開(kāi)關(guān)SI，S5閉合，S2，S3，S4關(guān)斷，RRAMA的底電極接電壓源VKESET，RRAMB的低電極接地，從而使?fàn)顟B(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)入初始態(tài)，即RRAMA為低阻態(tài)，RRAMB為高阻態(tài)。第二個(gè)時(shí)鐘時(shí)，CTRL-S2為高電平，CTRL-SI，CTRL-S3為低電平，從而開(kāi)關(guān)S2閉合，SI，S3，S4，S5關(guān)斷，RRAMA的底電極接輸入電壓VIN，RRAMB的底電極接參考電壓Vkef，輸入電壓Vin與參考電壓Vkef進(jìn)行比較，若輸入電壓大于參考電壓1.4V，則RRAMA進(jìn)入高阻態(tài)，RRAMB進(jìn)入低阻態(tài)，否則RRAMA保持在低阻態(tài)。當(dāng)進(jìn)入第三個(gè)時(shí)鐘周期時(shí)，CTRL-S3為高電平，CTRL-S1，CTRL-S2為低電平，從而開(kāi)關(guān)S3，S4閉合，開(kāi)關(guān)SI，S2，S5關(guān)斷，Ieead流入RRAMA從而讀出RRAMA的電阻態(tài)，高阻態(tài)輸出高電平1，低阻態(tài)輸出低電平0，從而實(shí)現(xiàn)了模擬電壓到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換。對(duì)于高位電路，如圖4所示，結(jié)構(gòu)和工作原理同上。輸入圖7所示的頻率為2MHz，幅度為1.5V的正弦波，經(jīng)過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的數(shù)字信號(hào)如圖8所示，從圖中可以看出輸出為一個(gè)階梯狀正弦波，完成了模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換。另外對(duì)輸出的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行快速傅里葉分析(FFT)得到輸出數(shù)字信號(hào)的頻譜，然后計(jì)算得到SNDR為25.5dB, ENOB約為5Bit。
權(quán)利要求
1.一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，包括阻態(tài)控制電路、狀態(tài)存儲(chǔ)電路和參考電壓產(chǎn)生電路，所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路分別與阻態(tài)控制電路和參考電壓產(chǎn)生電路連接， 所述阻態(tài)控制電路采用多個(gè)可開(kāi)關(guān)的傳輸門(mén)控制方式控制傳輸?shù)綘顟B(tài)存儲(chǔ)電路的信號(hào)，所述多個(gè)可開(kāi)關(guān)的傳輸門(mén)根據(jù)控制時(shí)序分別自動(dòng)導(dǎo)通，用以控制狀態(tài)存儲(chǔ)單元的復(fù)位、編程和讀取操作； 所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路由阻變器件構(gòu)成，能夠根據(jù)阻態(tài)控制電路傳輸?shù)男盘?hào)實(shí)現(xiàn)快速置位與復(fù)位； 所述參考電壓產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生參考電壓，實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述阻態(tài)控制電路包括時(shí)序控制電路、第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3，所述第一開(kāi)關(guān)SI連接復(fù)位電壓信號(hào)和狀態(tài)存儲(chǔ)電路，所述第二開(kāi)關(guān)S2連接編程電壓信號(hào)和狀態(tài)存儲(chǔ)電路，所述第三開(kāi)關(guān)S3連接讀取電流信號(hào)和狀態(tài)存儲(chǔ)電路，所述時(shí)序控制電路用于產(chǎn)生控制時(shí)序控制第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3的開(kāi)關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路包括第一雙極型阻變器件和第二雙極型阻變器件，所述阻態(tài)控制電路還包括第四開(kāi)關(guān)S4和第五開(kāi)關(guān)S5，所述第一雙極型阻變器的下電極與阻態(tài)控制電路的第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和第三開(kāi)關(guān)S3連接、上電極與第二雙極型阻變器件的上電極和第四開(kāi)關(guān)S4連接，第二雙極型阻變器件的下電極與第五開(kāi)關(guān)S5和參考電壓產(chǎn)生電路連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述參考電壓產(chǎn)生電路由分壓電阻和電流源連接組成。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)，具體的說(shuō)是涉及一種基于阻變器件的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路。本發(fā)明所述的一種模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，包括阻態(tài)控制電路、狀態(tài)存儲(chǔ)電路和參考電壓產(chǎn)生電路，所述狀態(tài)存儲(chǔ)電路分別與阻態(tài)控制電路和參考電壓產(chǎn)生電路連接，其核心為狀態(tài)存儲(chǔ)電路由阻變器件構(gòu)成，能夠根據(jù)阻態(tài)控制電路傳輸?shù)男盘?hào)實(shí)現(xiàn)快速置位與復(fù)位。本發(fā)明的有益效果為，大大減小了功耗和電路實(shí)現(xiàn)面積，降低了電路成本，同時(shí)還具有模數(shù)轉(zhuǎn)換和非揮發(fā)存儲(chǔ)的特性。本發(fā)明尤其適用于高速低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換。
文檔編號(hào)H03M1/12GK103166641SQ20131009973
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2013年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月26日
發(fā)明者劉洋, 董華, 張小龍, 吳霜毅, 胡紹剛, 于奇 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)