一種新型壓控溫補晶體振蕩器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型壓控溫補晶體振蕩器，它涉及晶體振蕩器【技術(shù)領(lǐng)域】，電阻三的一端分別與變?nèi)荻O管一的負(fù)極、變?nèi)荻O管二的負(fù)極連接，變?nèi)荻O管二的正極分別與電阻四的一端、變?nèi)荻O管三的正極、電阻一的一端連接且接地，變?nèi)荻O管一的正極分別與電阻四的另一端、晶振的一端連接，晶振的另一端與電感的一端連接，電感的另一端分別與電容一的一端、三極管的基極連接，電容一的另一端分別與電容四的一端、三極管的發(fā)射極電阻一的另一端連接，電容四的另一端與變?nèi)荻O管三的負(fù)極連接，三極管的集電極分別與電容三的一端、電阻二的一端連接；它將補償電路和壓控電路分開，加大了壓控靈敏度，提高了補償精度。
【專利說明】一種新型壓控溫補晶體振蕩器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種新型壓控溫補晶體振蕩器，屬于晶體振蕩器【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]壓控溫補晶體振蕩器(VCTCXO)—般用在頻率調(diào)制方式的通信機中，對它的要求是壓控靈敏度要大(如12.8MHZ頻率在壓控電壓IV時頻率變化大于2KHZ)。中心頻率要穩(wěn)定(如在-40°C?+ 70°C)環(huán)境溫度變化下，頻率穩(wěn)定度±lppm。因此壓控溫補晶振電路應(yīng)由壓控電路和溫度補償電路組成。
[0003]在一般的壓控溫補晶振電路中，如圖1所示，兩個變?nèi)荻O管串聯(lián)組成壓控電路。變?nèi)荻O管D3用于溫補電路，補償電壓加在變?nèi)荻O管D3上，變?nèi)荻O管D3的電容變化使晶振電路的頻率變化和晶振電路由溫度變化引起的頻率變化方向相反，數(shù)值相等，則達(dá)到補償?shù)男Ч?br> [0004]晶體的頻率相對變化量為Af / f = CqACL / 2CL (I)
[0005]其中，Cq為晶體的等效串聯(lián)電容；CL為晶體和負(fù)載電容；Δ CL為壓控電壓引起的CL變化量。
[0006]晶體的負(fù)載電容CL = I / (I / Cl+1 / C2+1 / C3) (2)
[0007]C1、C2為電路中回路電容；C3為變?nèi)荻O管一 D1、變?nèi)荻O管二 D2串聯(lián)后并上變?nèi)荻O管三D3的等效電容。一般C1、C2要比C3大很多，因此可以近似的認(rèn)為CL = C3 ;從公式(I)可以看出，要使壓控靈敏度Af變大，則要求ACL / CL大，也就是要求ACL大，而CL小。D1D2串聯(lián)就是為了 CL小。
[0008]從圖1可以看出，ACL實際上就是變?nèi)荻O管一 Dl和變?nèi)荻O管二 D2串聯(lián)的電容變化量，由于補償電路的變?nèi)荻O管三D3是并聯(lián)在變?nèi)荻O管一 D1、變?nèi)荻O管二 D2上，因此加大了負(fù)載電容CL，使ACL / CL減小，使得壓控靈敏度小很難達(dá)到2KHZ / IV的要求，同樣也使補償精度降低達(dá)不到Ippm的要求。
實用新型內(nèi)容
[0009]針對上述問題，本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種新型壓控溫補晶體振蕩器。
[0010]本實用新型的壓控溫補晶體振蕩器，它包含晶振、電感、三極管、電阻一-四、變?nèi)荻O管一-三、電容一、電容三、電容四，電阻三的一端分別與變?nèi)荻O管一的負(fù)極、變?nèi)荻O管二的負(fù)極連接，變?nèi)荻O管二的正極分別與電阻四的一端、變?nèi)荻O管三的正極、電阻一的一端連接且接地，變?nèi)荻O管一的正極分別與電阻四的另一端、晶振的一端連接，晶振的另一端與電感的一端連接，電感的另一端分別與電容一的一端、三極管的基極連接，電容一的另一端分別與電容四的一端、三極管的發(fā)射極電阻一的另一端連接，電容四的另一端與變?nèi)荻O管三的負(fù)極連接，三極管的集電極分別與電容三的一端、電阻二的一端連接。
[0011]本實用新型的有益效果:通過對電路的改進(jìn)，將補償電路和壓控電路分開，由于D3不并聯(lián)在Dl、D2上，使得CL減小，則ACL / CL加大，加大了壓控靈敏度，同時也于D1、D2不并聯(lián)在D3上，也就提高了補償精度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]為了易于說明，本實用新型由下述的具體實施及附圖作以詳細(xì)描述。
[0013]圖1為【背景技術(shù)】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]Xl-晶振；L-電感；Q1-二極管；R1_電阻一 ；R2-電阻_.；R3-電阻二 ；R4_電阻四；Dl-變?nèi)荻O管一 ；D2-變?nèi)荻O管二 ；D3-變?nèi)荻O管三；C1-電容一、C2-電容二 ；C4_電容三；C5-電容四。
【具體實施方式】
[0016]如圖2所示，本【具體實施方式】采用以下技術(shù)方案:它包含晶振X1、電感L、三極管Q1、電阻一-四R1-R4、變?nèi)荻O管一-三D1-D3、電容一 Cl、電容三C4、電容四C5，電阻三R3的一端分別與變?nèi)荻O管一 Dl的負(fù)極、變?nèi)荻O管二 D2的負(fù)極連接，變?nèi)荻O管二 D2的正極分別與電阻四R4的一端、變?nèi)荻O管三D3的正極、電阻一 Rl的一端連接且接地，變?nèi)荻O管一 Dl的正極分別與電阻四R4的另一端、晶振Xl的一端連接，晶振Xl的另一端與電感L的一端連接，電感L的另一端分別與電容一 Cl的一端、三極管Ql的基極連接，電容一 Cl的另一端分別與電容四C5的一端、三極管Ql的發(fā)射極電阻一 Rl的另一端連接，電容四C5的另一端與變?nèi)荻O管三D3的負(fù)極連接，三極管Ql的集電極分別與電容三C4的一端、電阻二 R2的一端連接。
[0017]本【具體實施方式】實際上就是把圖1中的電容二 C2用變?nèi)荻O管三D3代替，這樣就使補償電路和壓控電路分開，同上分析由于變?nèi)荻O管三D3不并聯(lián)在變?nèi)荻O管一 D1、變?nèi)荻O管二 D2上，使得CL減小，則ACL / CL加大，加大了壓控靈敏度。同時也由于變?nèi)荻O管一 D1、變?nèi)荻O管二 D2不并聯(lián)在變?nèi)荻O管三D3上也加大了補償精度。
[0018]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種新型壓控溫補晶體振蕩器，其特征在于:它包含晶振(XI)、電感(L)、三極管(Ql)、電阻一-四(R1-R4)、變?nèi)荻O管一-三(D1-D3)、電容一 (Cl)、電容三(C4)、電容四(C5)，電阻三(R3)的一端分別與變?nèi)荻O管一(Dl)的負(fù)極、變?nèi)荻O管二(D2)的負(fù)極連接，變?nèi)荻O管二(D2)的正極分別與電阻四(R4)的一端、變?nèi)荻O管三(D3)的正極、電阻一 (Rl)的一端連接且接地，變?nèi)荻O管一(Dl)的正極分別與電阻四(R4)的另一端、晶振(Xl)的一端連接，晶振(Xl)的另一端與電感(L)的一端連接，電感(L)的另一端分別與電容一(Cl)的一端、三極管(Ql)的基極連接，電容一(Cl)的另一端分別與電容四(C5)的一端、三極管(Ql)的發(fā)射極電阻一(Rl)的另一端連接，電容四(C5)的另一端與變?nèi)荻O管三(D3)的負(fù)極連接，三極管(Ql)的集電極分別與電容三(C4)的一端、電阻二(R2)的一端連接。
【文檔編號】H03B5/04GK203377842SQ201320503801
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月19日
【發(fā)明者】阮秀川 申請人:阮秀川