一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)。包括EMI濾波電路、變壓器、橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅，EMI濾波電路通過變壓器依次與橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅連接，EMI濾波電路與雙向可控硅連接。本實(shí)用新型的有益效果是：完全由電子器件實(shí)現(xiàn)功率開關(guān)功能，使得開關(guān)功能無繼電器化；實(shí)現(xiàn)了電子系統(tǒng)高壓和低壓部分安全隔離；并且實(shí)現(xiàn)了抑制EMI的功能。該功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)與現(xiàn)有設(shè)計(jì)相比具有體積小、損耗低、安全隔離、EMI擾動(dòng)小的特點(diǎn)，滿足了實(shí)際應(yīng)用中的多種需要。
【專利說明】一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]在大型電子系統(tǒng)的運(yùn)行中，對電子系統(tǒng)不同部位的上電順序提出了一定的要求，尤其是感性負(fù)載一般都要求延時(shí)啟動(dòng)，這就提出了對延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)的要求。然而在當(dāng)前延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)的設(shè)計(jì)中多采用繼電器作為硬開關(guān)和電容直降的直流供電方式。存在了繼電器觸點(diǎn)失效、維持電流偏高、直流供電隔離度不夠等缺點(diǎn)，嚴(yán)重影響了電子系統(tǒng)的安全性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)的要求及存在的不足，本實(shí)用新型提供了一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)，本實(shí)用新型是含EMI (電磁干擾)濾波、無繼電器參與的延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)，且通過變壓器隔離來提供定時(shí)器和驅(qū)動(dòng)部分所用的直流電。
[0004]本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，所采用的技術(shù)方案是:一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)，其特征在于:包括EMI濾波電路、變壓器、橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅，所述EMI濾波電路通過變壓器依次與橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅連接，所述EMI濾波電路與雙向可控娃連接；
[0005]具體電路連接為:輸入端口 CNl的I腳通過保險(xiǎn)絲Fl接壓敏電阻ZNR1、電容Cl的一端及共模電感LI的I腳，輸入端口 CNl的2腳接壓敏電阻ZNR1、電容Cl的另一端及共模電感LI的3腳，輸入端口 CNl的3腳接電容C4、電容C3的一端及地，電容C4的另一端接共模電感LI的4腳、電容C2的一端、變壓器Tl的初級線圈的2腳、輸出端口 CN2的2腳，電容C3的另一端接共模電感LI的2腳、電容C2的另一端、變壓器Tl的初級線圈I腳及電阻R7、電阻R5的一端及雙向可控硅Ql的Al腳，變壓器Tl的次級線圈3腳、4腳接橋式整流電路交流輸入端的2腳、3腳，橋式整流電路直流輸出端的I腳接電容C5的負(fù)極、三端穩(wěn)壓芯片Ul的2腳、電阻R3、電容C7的一端、發(fā)光二極管D2的負(fù)極、555芯片的I腳及光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3的2腳，橋式整流電路直流輸出端的4腳通過電阻Rl接電容C5的正極、三端穩(wěn)壓芯片Ul的I腳，三端穩(wěn)壓芯片Ul的3腳接電阻R2的一端、電容C6的正極、555芯片的4腳、8腳，電阻R2的另一端接發(fā)光二極管D2的正極，電容C6的負(fù)極接電阻R3的另一端及555芯片的6腳、2腳，電容C7的另一端接555芯片的5腳，555芯片的3腳通過電阻R4接發(fā)光二極管D4的正極，發(fā)光二極管D4的負(fù)極接光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3的I腳,光I禹合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器U3的3腳接電阻R5的另一端,雙向可控娃Ql的控制端G接電阻R6的一端及光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3的4腳，電阻R6的另一端接電容CS的一端、雙向可控硅Ql的A2腳及輸出端口 CN2的I腳，電容C8的另一端與電阻R7的另一端相接，輸出端口 CN2的3腳接地。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是:完全由電子器件實(shí)現(xiàn)功率開關(guān)功能，使得開關(guān)功能無繼電器化；實(shí)現(xiàn)了電子系統(tǒng)高壓和低壓部分安全隔離；并且實(shí)現(xiàn)了抑制EMI的功能。該功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)與現(xiàn)有設(shè)計(jì)相比具有體積小、損耗低、安全隔離、EMI擾動(dòng)小的特點(diǎn)，滿足了實(shí)際應(yīng)用中的多種需要。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型的電路連接框圖；
[0008]圖2為本實(shí)用新型的電路原理圖。
[0009]附圖中，1:EMI濾波電路；2:變壓器；3:橋式整流電路；4:穩(wěn)壓電路；5:施密特觸發(fā)電路；6:光I禹合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器；7:雙向可控娃。
【具體實(shí)施方式】
[0010]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面對本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0011]如圖1、2所示，一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)，包括EMI濾波電路、變壓器、橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅，EMI濾波電路通過變壓器依次與橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅連接，EMI濾波電路與雙向可控硅連接。
[0012]EMI濾波電路I通過輸入端口 CNl接交流電AC，EMI濾波電路I對交流電AC進(jìn)行濾波后輸入至變壓器2， 變壓隔離后依次傳輸至橋式整流電路3和穩(wěn)壓電路4進(jìn)行處理，輸出5V直流電源為施密特觸發(fā)器電路5供電；施密特觸發(fā)器電路5完成定時(shí)觸發(fā)后，通過光率禹合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器6驅(qū)動(dòng)雙向可控娃7將濾波后的L相電壓傳輸至輸出端口 CN2輸出，實(shí)現(xiàn)了延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)的功能。
[0013]該功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)通過添加了 EMI濾波電路I對接入的交流電AC進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)了 EMI的抑制能力。
[0014]該功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)的工作原理是:交流電AC通過輸入端口 CNl接入后，通過EMI濾波器電路I后輸送到變壓器2，經(jīng)變壓隔離后傳輸至橋式整流電路3整流成一定的直流電壓。直流電壓通過穩(wěn)壓電路4穩(wěn)壓(例如:LM7805三端穩(wěn)壓芯片Ul輸出5V電壓供后級555芯片工作用)輸出5V直流電源。5V直流電源除了給555芯片上電外，同時(shí)通過電容C6和電阻R3組成的串聯(lián)電路給電容C6充電。隨著電容C6上的電壓不斷的升高，555芯片輸入管腳THOLD上的電壓不斷下降(555芯片上電后THOLD管腳輸入電壓為555芯片電源電壓即5V)，直至其電平低于555芯片內(nèi)部的觸發(fā)比較電平后，555芯片的OUT管腳輸出高電平(平時(shí)為低電平)。該高電平通過電阻R4驅(qū)動(dòng)光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3輸出高電平，該高電平驅(qū)動(dòng)雙向可控硅Ql的G極使得可控硅雙向?qū)ā?br> [0015]通過上述電路設(shè)計(jì)，使得經(jīng)過EMI濾波電路I濾波后的L線可以通過雙向可控硅Ql輸送到輸出端口 CN2，完成了輸出端口 CN2的帶電輸出。這樣整個(gè)功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)就達(dá)到了延時(shí)輸出的功能，且延時(shí)時(shí)間約等于1.1倍R3*C6。
[0016]上述，EMI濾波電路I由共模電感1^1、安規(guī)電容(:1、02、03、(:4組成；
[0017]穩(wěn)壓電路4由LM7805三端穩(wěn)壓芯片Ul等組成；
[0018]施密特觸發(fā)電路5為555芯片U2構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)電路；[0019]光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3為M0C3061及其類似的光耦合驅(qū)動(dòng)器；
[0020]雙向可控硅Ql為BT140及其類似的雙向可控硅二極管。
[0021]其中，L:火線，N:零線，F(xiàn)G:地線；
[0022]本實(shí)用新型實(shí)施例對各器件的型號(hào)除做特殊說明的以外，其他器件的型號(hào)不做限制，只要能完成上述功能的器件均可。
[0023]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的示意圖，上述本實(shí)用新型實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0024]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種功率延時(shí)啟動(dòng)開關(guān)，其特征在于:包括EMI濾波電路、變壓器、橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅，所述EMI濾波電路通過變壓器依次與橋式整流電路、穩(wěn)壓電路、施密特觸發(fā)電路、光耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅連接，所述EMI濾波電路與雙向可控硅連接； 具體電路連接為:輸入端口 CNl的I腳通過保險(xiǎn)絲Fl接壓敏電阻ZNRl、電容Cl的一端及共模電感LI的I腳，輸入端口 CNl的2腳接壓敏電阻ZNR1、電容Cl的另一端及共模電感LI的3腳，輸入端口 CNl的3腳接電容C4、電容C3的一端及地，電容C4的另一端接共模電感LI的4腳、電容C2的一端、變壓器Tl的初級線圈的2腳、輸出端口 CN2的2腳，電容C3的另一端接共模電感LI的2腳、電容C2的另一端、變壓器Tl的初級線圈I腳及電阻R7、電阻R5的一端及雙向可控硅Ql的Al腳，變壓器Tl的次級線圈3腳、4腳接橋式整流電路交流輸入端的2腳、3腳，橋式整流電路直流輸出端的I腳接電容C5的負(fù)極、三端穩(wěn)壓芯片Ul的2腳、電阻R3、電容C7的一端、發(fā)光二極管D2的負(fù)極、555芯片的I腳及光稱合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3的2腳，橋式整流電路直流輸出端的4腳通過電阻Rl接電容C5的正極、三端穩(wěn)壓芯片Ul的I腳，三端穩(wěn)壓芯片Ul的3腳接電阻R2的一端、電容C6的正極、555芯片的4腳、8腳，電阻R2的另一端接發(fā)光二極管D2的正極，電容C6的負(fù)極接電阻R3的另一端及555芯片的6腳、2腳，電容C7的另一端接555芯片的5腳，555芯片的3腳通過電阻R4接發(fā)光二極管D4的正極,發(fā)光二極管D4的負(fù)極接光稱合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器U3的I腳,光率禹合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器U3的3腳接電阻R5的另一端，雙向可控硅Ql的控制端G接電阻R6的一端及光I禹合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器U3的4腳，電阻R6的另一端接電容C8的一端、雙向可控硅Ql的A2腳及輸出端口 CN2的I腳，電容C8的另一端與電阻R7的另一端相接，輸出端口 CN2的3腳接地。
【文檔編號(hào)】H03K17/292GK203617981SQ201320836940
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】周锎, 趙忠浩, 楊浩然, 劉春來, 李皓 申請人:天津光電惠高電子有限公司