用于射頻功率放大器的偏置升壓偏置電路的制作方法
【專利摘要】各種實施方式提供了一種用于射頻(RF)功率放大器(PA)的偏置電路，用于向RF PA提供具有偏置升壓的直流(DC)偏置電壓。該偏置電路可以包括與RF PA的放大器晶體管一起形成電流鏡的偏置晶體管。該偏置電路還可以包括耦接在偏置晶體管的柵極端子和漏極端子之間的第一電阻器以阻擋來自偏置晶體管的柵極端子的RF信號。該偏置電路還可以包括耦接在偏置晶體管的漏極端子和RF PA(例如，放大器晶體管的柵極端子)之間的第二電阻器。由偏置電路提供的DC偏置電壓的偏置升壓的量可以基于第二電阻器的阻抗值。
【專利說明】用于射頻功率放大器的偏置升壓偏置電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開內(nèi)容的實施方式總體上涉及電路領(lǐng)域，更具體地涉及用于射頻功率放大器的偏置升壓偏置電路。

【背景技術(shù)】
[0002]在許多無線通信系統(tǒng)中，發(fā)射信號的峰均比(PAR)是高的。例如，在采用正交頻分復(fù)用(OFDM)調(diào)制的無線局域網(wǎng)(WLAN)中，通信信號的PAR可以高達(dá)13.5分貝。為了處理高PAR的信號，射頻(RF)功率放大器通常包括大的晶體管。RF功率放大器通常包括偏置電路以對放大器的晶體管進(jìn)行偏置。然而，偏置電路在高信號功率電平會引起增益壓縮。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0003]在附圖的圖中示出了作為示例而非限制的實施方式，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相似的元件，其中:
[0004]圖1示出了根據(jù)各種實施方式的包括射頻(RF)功率放大器(PA)和偏置電路的RFPA模塊的電路圖。
[0005]圖2示出了根據(jù)各種實施方式的RF PA模塊的替換配置。
[0006]圖3示出了根據(jù)各種實施方式的RF PA模塊的另一替換配置。
[0007]圖4示出了根據(jù)各種實施方式的示例性無線通信裝置的框圖。

【具體實施方式】
[0008]將使用本領(lǐng)域技術(shù)人員通常采用的術(shù)語來描述說明性實施方式的各方面，以將其工作的實質(zhì)傳達(dá)給本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員。然而，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，僅通過所描述方面中的一些方面就可以實施替換實施方式。為了便于說明，闡述了具體的裝置和配置以便提供對說明性實施方式的全面理解。然而，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實施替換實施方式。在其他例子中，為了不使說明性實施方式不清楚，省略或簡化了公知的特征。
[0009]另外，將以最有助于理解本公開內(nèi)容的方式將各個操作依次描述為多個分立的操作；然而，描述的順序不應(yīng)該被解釋為暗示這些操作必須依賴該順序。特別地，不需要以所呈現(xiàn)的順序進(jìn)行這些操作。
[0010]重復(fù)使用了短語“在一個實施方式中”。該短語通常不涉及同一實施方式；然而，該短語也可以涉及同一實施方式。措詞“包括”、“具有”和“包含”是同義的，除非上下文另有所指。
[0011]為了澄清與各種實施方式相關(guān)地使用的語言的上下文，短語“A/B”和“A和/或B”意指(A)、⑶、或(A和B)；以及短語“A、B和/或C，，意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B 和 C)或(A、B 和 C)。
[0012]本文可以使用措詞“與……耦接”連同它的衍生語?！榜罱印笨梢砸庵敢韵轮械囊粋€或更多個?！榜罱印笨梢砸庵竷蓚€或更多個元件直接物理接觸或電接觸。然而，“耦接”還可以意指兩個或更多個元件彼此間接接觸，但仍然彼此協(xié)作或相互作用，以及可以意指一個或更多個其他元件被耦接或被連接在所言及的要彼此耦合的元件之間。
[0013]各種實施方式可以提供包括射頻(RF)功率放大器(PA)和偏置電路的RF PA電路。偏置電路可以向RF PA提供直流(DC)偏置電壓。偏置電路可以包括具有柵極端子、漏極端子和源極端子的偏置晶體管，并且RF PA可以包括放大器晶體管。在各種實施方式中，偏置晶體管可以與放大器晶體管一起形成電流鏡。偏置電路還可以包括耦接在偏置晶體管的柵極端子和漏極端子之間的第一電阻器，以阻擋來自偏置晶體管的柵極端子的RF信號。
[0014]在各種實施方式中，偏置電路可以為DC偏置電壓提供偏置升壓。也就是說，偏置電路可以隨著由RF放大器放大的RF輸入信號的RF功率(例如,平均功率)增大而增大DC偏置電壓。偏置電路還可以包括耦接在偏置晶體管的漏極端子與RF PA(例如，放大器晶體管的柵極端子)之間的第二電阻器。由偏置電路提供的DC偏置電壓的偏置升壓的量可以基于第二電阻器的阻抗值。在一些實施方式中，偏置電路還可以包括耦接在偏置晶體管的柵極端子和地電位之間的電容器，以為RF信號提供放電路徑(例如，從柵極端子到地電位)。
[0015]圖1示出了根據(jù)各種實施方式的RF PA電路100。RF PA電路100可以包括RFPA102和與RF PA102耦接的偏置電路104。RF PA102可以在輸入端子108處接收RF輸入信號RFin，并且在輸出端子112處產(chǎn)生放大的RF輸出信號RFout。RF PA102可以被用于例如放大RFin以在無線通信網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行傳輸。
[0016]在各種實施方式中，RF PA102可以包括放大器晶體管116 (例如，Ql)。在一些實施方式中，RF PA102可以是互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)放大器。例如，在一些實施方式中，放大器晶體管116可以是η型場效應(yīng)晶體管(FET)。在其他實施方式中，RF ΡΑ102可以是其他類型的放大器，并且/或者放大器晶體管116可以是其他類型的晶體管。
[0017]放大器晶體管116可以包括柵極端子、源極端子和漏極端子。放大器晶體管116的柵極端子可以與RF ΡΑ102的輸入端子108耦接(例如，經(jīng)由電容器118)以接收RF輸入信號。放大器晶體管116的漏極端子可以與輸出端子112耦接以提供RF輸出信號。放大器晶體管116的漏極端子還可以與供電軌120耦接以提供DC供電電壓(Vcc)。電感器124(例如，LI)可以耦接在供電軌120與輸出端子112和/或放大器晶體管116的漏極端子之間以阻擋RF信號到達(dá)供電軌120。在一些實施方式中，放大器晶體管116的源極端子可以與地電位144耦接。
[0018]在一些實施方式中，RF ΡΑ102可以包括耦接在輸入端子108和輸出端子112之間的、除了放大器晶體管116以外的其他晶體管。例如，RF ΡΑ102可以是堆疊式放大器，另一晶體管(未示出)與放大器晶體管116串聯(lián)耦接在放大器晶體管116和輸出端子112之間(例如，另一晶體管的源極端子與放大器晶體管116的漏極端子耦接)?？商鎿Q地或附加地，RF ΡΑ102可以具有多個放大器級，而放大器晶體管116可以被包括在所述多個放大器級中的一個放大器級中。
[0019]在一些實施方式中，RF PA電路100還可以包括耦接至輸入端子108和/或輸出端子112的、用于與其他部件(例如，無線通信裝置的部件)進(jìn)行阻抗匹配的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)。
[0020]在各種實施方式中，偏置電路104可以與放大器晶體管116的柵極端子耦接以將DC偏置電壓提供給放大器晶體管116和/或RF PA102。例如，DC偏置電壓可以在放大模式下偏置RF PA102和/或放大器晶體管116。在一些實施方式中，DC偏置電壓可以在AB類放大器操作模式下偏置RF PA102。
[0021]偏置電路104可以包括具有柵極端子、漏極端子和源極端子的偏置晶體管128(例如，Q2)。在一些實施方式中，偏置晶體管128可以是η型FET。偏置晶體管128可以與放大器晶體管116耦接以形成偏置晶體管128和放大器晶體管116之間的電流鏡。在一些實施方式中，電流鏡可以是簡單的電流鏡。例如，偏置晶體管128的柵極端子可以與放大器晶體管116的柵極端子耦接。電流源148 (例如，II)可以與偏置晶體管128的漏極端子耦接以將電流提供給電流鏡。在一些實施方式中，偏置晶體管128可以比放大器晶體管116更小。例如，在一個非限制性實施方式中，放大器晶體管116與偏置晶體管128的尺寸比可以約為16比I。
[0022]在各種實施方式中，偏置電路104還可以包括耦接在偏置晶體管128的柵極端子和漏極端子之間的第一電阻器132 (例如，Rl)。第一電阻器132可以阻擋來自偏置晶體管128的柵極端子的RF信號。例如，第一電阻器132可以防止RF信號從偏置晶體管128的漏極端子傳遞至柵極端子。
[0023]在一些實施方式中，偏置電路104還可以包括耦接在偏置晶體管128的柵極端子和地電位144之間的電容器140(例如，Cl)以為RF信號提供放電路徑(例如，從偏置晶體管128的柵極端子到地電位144)。除了由第一電阻器132提供的隔離之外，電容器140可以為偏置晶體管128的柵極端子提供對RF信號的進(jìn)一步的濾波和/或隔離。
[0024]阻擋來自偏置晶體管128的柵極端子的RF信號可以有利于偏置電路104在RF輸入信號的較高RF功率電平下對DC偏置電壓的偏置升壓，而不會引入顯著的增益壓縮。因此，較之現(xiàn)有的偏置電路設(shè)計，偏置電路104可以以I分貝壓縮(PldB)為RF ΡΑ102提供增大的輸出功率。
[0025]偏置電路104還可以包括耦接在偏置晶體管128的柵極端子和RF ΡΑ102 (例如，RF ΡΑ102的放大器晶體管116)之間的第二電阻器136 (例如，R2)。由偏置電路104提供的DC偏置電壓的偏置升壓的量可以基于第二電阻器136的阻抗值。例如，由偏置電路104提供的DC偏置電壓的偏置升壓的量可以基于第二電阻器136與電流源148的阻抗值相比的相對值。第二電阻器136的與電流源148的阻抗值相比的較低的相對阻抗值，較之其中第二電阻器136具有較高相對阻抗值的實施方式，可以使偏置電路104提供更多的偏置升壓。因此，可以根據(jù)RF ΡΑ102的需要和/或RF ΡΑ102要進(jìn)行的無線通信類型來選擇由偏置電路104提供的偏置升壓的量。例如，較之一些其他類型的通信，更高的偏置升壓可以被用于為使用正交頻分復(fù)用(OFDM)的無線通信使用的RF ΡΑ102。
[0026]在各種實施方式中，電流源148可以與供電軌152耦接以將電功率提供給電流源148和/或偏置電路104。在一些實施方式中，電流源148可以包括與電阻器(未不出)率禹接的電壓源(未示出)以提供電流。在一些實施方式中，供電軌152可以與供電軌120耦接，和/或耦接在與供電軌120相同的電壓處。
[0027]如以上所述，偏置晶體管128和放大器晶體管116可以形成電流鏡以對RF ΡΑ102進(jìn)行偏置。在一些實施方式中，電流鏡可以是簡單的電流鏡，如圖1所示。在各種實施方式中，第二電阻器136的阻抗值可以顯著地小于第一電阻器132的阻抗值和/或電流源148的阻抗值。例如，第二電阻器的阻抗值可以是第一電阻器132的阻抗值和/或電流源148的阻抗值的1/100或更少，例如1/1000或更少。在一個非限制性實施方式中，第一電阻器132的阻抗值可以大約為1k歐姆，第二電阻器136的阻抗值可以大約是10歐姆，以及電流源的阻抗值可以大約是2.63k歐姆。如以上所述，由偏置電路104提供的偏置升壓的量可以基于第二電阻器136的阻抗值(例如，相對于電流源148和/或第一電阻器132的阻抗值)。因此，可以調(diào)節(jié)第二電阻器136的阻抗值以為DC偏置電壓提供所期望的偏置升壓的量。
[0028]通過第二電阻器136的相對小的阻抗值，當(dāng)RF信號到達(dá)放大器晶體管116的柵極端子時(例如，經(jīng)由輸入端子108)，在偏置晶體管128的漏極端子處也出現(xiàn)RF信號的大部分。在RF信號的某些RF功率電平處，RF信號可以在RF信號擺動的負(fù)半周期期間在零伏以下。在RF信號的正半周期期間，偏置晶體管128可以是接通的并且偏置晶體管128的漏極端子可以通過第二電阻器136以充電時間常數(shù)而被充電。偏置晶體管128的漏極端子還可以通過耦接在偏置晶體管128的漏極端子和源極端子之間的寄生電容器Cds (未示出)而被充電。Cds的電容值可以顯著地小于電容器140的電容值。當(dāng)RF信號在RF信號的負(fù)半周期期間擺動至零伏以下時，偏置晶體管128可以是斷開的并且偏置晶體管128的漏極端子可以通過電容器140和第一電阻器132以放電時間常數(shù)而被放電。
[0029]可以選擇第一電阻器132的阻抗值和電容器140的電容值使得放電時間常數(shù)大于充電時間常數(shù)。例如，在一個非限制性實施方式中，第一電阻器132的阻抗值可以大約為1k歐姆，而電容器140的電容值可以大約為10皮法拉。因此，當(dāng)RF信號的RF功率電平增大時，在偏置晶體管128的漏極端子處可以累積電荷。該電荷累積導(dǎo)致偏置晶體管128的漏極端子處的DC電壓增大。在偏置晶體管128的漏極端子處的DC電壓增大轉(zhuǎn)而導(dǎo)致在放大器晶體管116的柵極端子處的DC偏置電壓增大，因為放大器晶體管116的柵極端子和偏置晶體管128的漏極端子通過第二電阻器136彼此耦接并且沒有通過第二電阻器136的DC電流。因此，偏置電路104使放大器晶體管116的柵極端子處的DC偏置電壓升壓，該DC偏置電壓隨著RF輸入信號的RF功率電平增大而增大。偏置升壓可以擴(kuò)大RF PA102的PldB，以使得RF PA102能夠在高RF功率電平操作。
[0030]如以上所述，RF PA102可以是CMOS功率放大器。偏置電路104可以尤其適合用于偏置CMOS PA。這是因為在圖1中在CMOS晶體管116和128的柵極端子之間不存在DC路徑。因此，第一電阻器132與第二電阻器136的比不必和放大晶體管116與偏置晶體管128的比相同。相反，對于雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計，Rl與R2的比必須和Ql與Q2的比相同。否則，電路不會形成電流鏡電路。此外，電路100可以比現(xiàn)有設(shè)計需要更少的偏置電路中的晶體管(例如，偏置晶體管128)。這可以使得電路100比BJT設(shè)計更加經(jīng)濟(jì)。
[0031]在其他實施方式中，可以使用將BJT晶體管用于放大晶體管116和/或偏置晶體管128的電路100。在一些實施方式中，在偏置晶體管128的基極與第一電阻器132之間可以包括大值電感器以防止RF信號到達(dá)偏置晶體管128的基極，使得Rl與R2的比可以和Ql與Q2的比相同。
[0032]圖2示出了根據(jù)各種實施方式的RF PA電路200的替換實施方式，其中偏置電路204包括耦接在偏置晶體管228的漏極端子和電流源248之間的二極管接法晶體管256。RFPA電路200可以包括具有放大器晶體管216的RF PA202。RF PA202可以在輸入端子208處接收RF輸入信號，并且在輸出端子212處產(chǎn)生RF輸出信號。RF PA電路200還可以包括具有偏置晶體管228的偏置電路204。偏置電路204還可以包括第一電阻器232、第二電阻器236和電容器240，它們被分別布置成與圖1中所示且如上所述的第一電阻器132、第二電阻器136和電容器140相似的配置。
[0033]在各種實施方式中，偏置電路204還可以包括耦接在偏置晶體管228的漏極端子和電流源248之間的二極管接法晶體管256。去耦電容器258可以耦接在二極管接法晶體管252的漏極端子(和柵極端子)和地電位244之間。二極管接法晶體管256可以在RF輸入信號的功率變得高于閾值時斷開。這可以將附加的偏置升壓提供給放大器晶體管216的柵極端子。
[0034]圖3示出了根據(jù)各種實施方式的具有偏置電路304的RF PA電路300的另一替換實施方式，該偏置電路304包括具有偏置晶體管328的威爾遜(Wilson)電流鏡。RF PA電路300還可以包括與偏置電路304耦接的RF PA302oRF PA302可以包括放大器晶體管316，并且可以在輸入端子308處接收RF輸入信號以及在輸出端子312處產(chǎn)生RF輸出信號。偏置電路304還可以包括第一電阻器332、第二電阻器336和電容器340，它們被分別布置成與圖1中所示且如上所述的第一電阻器132、第二電阻器136和電容器140相似的配置。
[0035]在各種實施方式中，威爾遜電流鏡可以包括和偏置晶體管328 —起的晶體管360、晶體管364和晶體管368。電流源348可以耦接在晶體管368的漏極端子和供電軌352之間。電容器372可以耦接在晶體管368的漏極端子和地電位344之間。與偏置電路104的電流源148的值相比，偏置電路304的威爾遜電流鏡可以降低所需的電流源348的值。
[0036]圖4中示出了根據(jù)一些實施方式的示例性無線通信裝置400的框圖。無線通信裝置400可以具有RF PA模塊404，RF PA模塊404包括可以與RF PA電路100、RF PA電路200和/或RF PA電路300相似的一個或更多個RF PA電路408。無線通信裝置400除了具有RF PA模塊404之外還可以具有至少如圖所示的彼此耦接的天線結(jié)構(gòu)414、Tx(發(fā)射器)/Rx(接收器)開關(guān)418、收發(fā)器422、主處理器426和存儲器430。雖然示出的無線通信裝置400有發(fā)射性能和接收性能，但是其他實施方式可以包括僅有發(fā)射性能或僅有接收性能的裝置。
[0037]在各種實施方式中，無線通信裝置400可以是但不限于移動電話、傳呼裝置、個人數(shù)字助手、文本消息裝置、便攜式計算機、臺式計算機、基站、用戶站、接入點、雷達(dá)、衛(wèi)星通信裝置、或者能夠無線發(fā)射/接收RF信號的任何其他裝置。
[0038]為了控制無線通信裝置400的整體操作，主處理器426可以執(zhí)行在存儲器430中存儲的基本操作系統(tǒng)程序。例如，主處理器426可以控制收發(fā)器422的信號接收和信號發(fā)射。主處理器426可以能夠如執(zhí)行的處理所期望的那樣執(zhí)行駐留在存儲器430中的其他處理和程序并且可以將數(shù)據(jù)移入存儲器430或移出存儲器430。
[0039]收發(fā)器422可以從主處理器426接收輸出的數(shù)據(jù)(例如，語音數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)、電子郵件、信令數(shù)據(jù)等)，可以生成表示外發(fā)的數(shù)據(jù)的一個或更多個RFin信號，并且將一個或更多個RFin信號提供給RF PA模塊404。收發(fā)器422還可以控制RF PA模塊404以在選擇的頻帶中進(jìn)行操作并且在全功率模式或功率回退模式下進(jìn)行操作。在一些實施方式中，收發(fā)器422可以使用OFDM調(diào)制生成一個或更多個RFin信號。
[0040]如本文所述，RF PA模塊404可以放大一個或更多個RFin信號以提供一個或更多個RFout信號。一個或更多個RFrat信號可以轉(zhuǎn)發(fā)至Tx/Rx開關(guān)418，然后轉(zhuǎn)發(fā)至天線結(jié)構(gòu)414用于空中(OTA)傳輸。在一些實施方式中，Tx/Rx開關(guān)418可以包括雙工器。
[0041]類似地，收發(fā)器422可以通過Tx/Rx開關(guān)418從天線結(jié)構(gòu)414接收進(jìn)入的OTA信號。收發(fā)器422可以對進(jìn)入的信號進(jìn)行處理并且將其發(fā)送至主處理器426用于進(jìn)一步處理。
[0042]在各種實施方式中，天線結(jié)構(gòu)414可以包括一個或更多個定向的和/或全向的天線，包括例如偶極天線、單極天線、貼片天線、環(huán)形天線、微帶天線或適合用于RF信號的OTA發(fā)射/接收的任何其他類型的天線。
[0043]本領(lǐng)域的技術(shù)人員要認(rèn)識到，無線通信裝置400是作為示例給出的，并且為了簡要和清晰起見，只示出和描述了無線通信裝置400的理解實施方式所需的這些構(gòu)造和操作。各種實施方式根據(jù)具體特定需要考慮進(jìn)行與無線通信裝置400相關(guān)聯(lián)的任何合適的任務(wù)的、任何合適的部件或部件的組合。此外，應(yīng)理解，不應(yīng)該將無線通信裝置400解釋為限制可以實施各實施方式的裝置的類型。
[0044]雖然在以上說明的實施方式的方面描述了本公開內(nèi)容，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不背離本公開內(nèi)容的范圍的情況下，為實現(xiàn)相同目的而設(shè)想的廣泛的多種可替換實施方式和/或等同實施方式可以替換所示出和描述的【具體實施方式】。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易地認(rèn)識到，可以以廣泛的多種實施方式實施本公開內(nèi)容的教示。本描述應(yīng)被視為說明性的而非限制性的。
【權(quán)利要求】
1.一種偏置電路,包括: 偏置晶體管，所述偏置晶體管具有柵極端子、漏極端子和源極端子，所述偏置晶體管與耦接至所述偏置電路的節(jié)點的射頻功率放大器的放大器晶體管一起形成電流鏡； 第一電阻器，所述第一電阻器耦接在所述偏置晶體管的柵極端子和漏極端子之間以阻擋來自所述偏置晶體管的柵極端子的射頻信號；以及 第二電阻器，所述第二電阻器耦接在所述偏置晶體管的漏極端子和所述節(jié)點之間，其中，由所述偏置電路提供給耦接至所述節(jié)點的所述射頻功率放大器的、對直流偏置電壓的偏置升壓的量基于所述第二電阻器的阻抗值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，還包括電容器，所述電容器耦接在所述偏置晶體管的柵極端子和地電位之間以為射頻信號提供放電路徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，還包括與所述偏置晶體管的漏極端子耦接的電流源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中，所述第二電阻器的阻抗值是所述電流源的阻抗值的1/100或更少。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述RF功率放大器是互補金屬氧化物半導(dǎo)體放大器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述偏置晶體管被配置成隨著由所述射頻放大器放大的射頻輸入信號的射頻功率的增大而增大所述直流偏置電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，還包括二極管接法晶體管，所述二極管接法晶體管與所述偏置晶體管的漏極端子耦接以提供附加的偏置升壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，還包括威爾遜電流鏡，所述威爾遜電流鏡包括所述偏置晶體管。
9.一種系統(tǒng),包括: 射頻功率放大器，所述射頻功率放大器被配置成放大射頻輸入信號，所述射頻功率放大器具有放大器晶體管，所述放大器晶體管的柵極端子被配置成接收所述射頻輸入信號； 偏置電路，所述偏置電路與所述放大器晶體管的柵極端子耦接，所述偏置電路被配置成在所述放大器晶體管的柵極端子處提供直流偏置電壓，其中，所述偏置電路包括: 偏置晶體管，所述偏置晶體管具有柵極端子、漏極端子和源極端子，所述偏置晶體管的柵極端子與所述放大器晶體管的柵極端子耦接以形成電流鏡； 第一電阻器，所述第一電阻器耦接在所述偏置晶體管的柵極端子和漏極端子之間以阻擋來自所述偏置晶體管的柵極端子的射頻信號； 電容器，所述電容器耦接在所述偏置晶體管的柵極端子和地電位之間以為射頻信號提供放電路徑；以及 第二電阻器，所述第二電阻器耦接在所述偏置晶體管的漏極端子和所述放大器晶體管的柵極端子之間； 其中，所述偏置電路被配置成隨著由所述射頻放大器放大的射頻輸入信號的射頻功率的增大而增大所述直流偏置電壓，其中，所述直流偏置電壓的增大的量基于所述第二電阻器的阻抗值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述偏置電路還包括與所述偏置晶體管的漏極端子耦接的電流源。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述第二電阻器的阻抗值是所述電流源的阻抗值的1/100或更少。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述射頻功率放大器是互補金屬氧化物半導(dǎo)體放大器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述放大器晶體管是第一放大器晶體管，并且其中，所述射頻功率放大器是還包括第二放大器晶體管的堆疊式功率放大器，所述第二放大器晶體管的源極端子與所述第一放大器晶體管的漏極端子耦接。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述偏置電路還包括二極管接法晶體管，所述二極管接法晶體管與所述偏置晶體管的漏極耦接以提供附加的偏置升壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述偏置電路還包括威爾遜電流鏡，所述威爾遜電流鏡包括所述偏置晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，還包括發(fā)射器，所述發(fā)射器與所述射頻功率放大器耦接以將所述射頻輸入信號提供給所述射頻功率放大器。
【文檔編號】H03F3/20GK104426486SQ201410422948
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】羅思奮, 克里·伯格, 喬治·努赫拉 申請人:特里奎恩特半導(dǎo)體公司