實施例涉及平坦化工藝方法，并且更具體地，涉及在平坦化工藝中使用隔離結(jié)構(gòu)制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、近來，隨著電子設(shè)備的尺寸減小、具有低功耗和高性能以及多樣化，諸如計算機和便攜式通信設(shè)備的各種電子設(shè)備需要能夠儲存信息的半導(dǎo)體器件。相應(yīng)地，對能夠通過利用根據(jù)施加到半導(dǎo)體器件的電壓或電流來切換不同電阻狀態(tài)的特性來儲存數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件進(jìn)行研究。這種半導(dǎo)體器件包括電阻式隨機存取存儲器(rram)、相變隨機存取存儲器(pram)、鐵電隨機存取存儲器(fram)、磁性隨機存取存儲器(mram)以及電熔絲。

2、為了減小半導(dǎo)體器件的尺寸并且增大半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)儲存容量，已經(jīng)開發(fā)了半導(dǎo)體器件，使得通過減小二維平面中的金屬線寬度來將許多存儲單元集成在同一區(qū)域中。

3、由于隨著二維平面中的金屬線寬度減小而與制造裝備、投資成本以及開發(fā)周期相關(guān)的問題，正在研究和開發(fā)將半導(dǎo)體器件制造為三維結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在實施例中，一種制造方法可以包括：在堆疊內(nèi)形成開口，在開口內(nèi)和堆疊上形成可變電阻層，在可變電阻層上形成導(dǎo)電層，通過對導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕來形成導(dǎo)電圖案，該導(dǎo)電圖案包括在開口內(nèi)的第一部分和在堆疊上的第二部分，通過對可變電阻層進(jìn)行刻蝕來形成可變電阻圖案，該可變電阻圖案包括在開口內(nèi)的第一部分和在堆疊上的第二部分，以及對導(dǎo)電圖案和可變電阻圖案進(jìn)行平坦化直到堆疊被暴露。

2、在實施例中，一種制造半導(dǎo)體器件的方法，可以包括：形成堆疊，該堆疊包括被交替地堆疊的第一材料層和第二材料層，在堆疊內(nèi)形成開口，在開口內(nèi)和堆疊上形成存儲層，在存儲層上形成第一導(dǎo)電層，在存儲層和第一導(dǎo)電層內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)，以及對第一導(dǎo)電層、存儲層以及隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行平坦化，直到堆疊被暴露。

3、在實施例中，一種制造半導(dǎo)體器件的方法，可以包括：形成堆疊，在堆疊內(nèi)形成開口，在開口內(nèi)和堆疊上形成存儲層，在存儲層上形成導(dǎo)電層，形成導(dǎo)電圖案和通過對導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕將導(dǎo)電圖案彼此分離的溝槽，所述導(dǎo)電圖案中的每個導(dǎo)電圖案包括在開口內(nèi)的第一部分以及連接到第一部分并且設(shè)置在堆疊之上的第二部分；以及在溝槽內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)。

技術(shù)特征：

1.一種制造方法，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，還包括：在所述導(dǎo)電層和所述可變電阻層已經(jīng)被刻蝕的空間中形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)具有比所述可變電阻層大的硬度。

3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，所述形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中，所述形成掩模圖案的步驟包括：

5.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述存儲層包括可變電阻材料。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)包括具有比所述存儲層大的硬度的材料。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述掩模圖案覆蓋所述開口并且使形成在所述堆疊之上的所述第一導(dǎo)電層的一部分暴露。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括：

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)具有比所述存儲層大的硬度。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成所述溝槽的步驟包括：

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，布線連接到所述導(dǎo)電圖案中的每個導(dǎo)電圖案的第一部分。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括：通過對所述存儲層進(jìn)行刻蝕來形成存儲圖案，所述存儲圖案中的每個存儲圖案包括位于所述開口內(nèi)的第一部分以及連接到所述第一部分并且設(shè)置在所述堆疊之上的第二部分；以及

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)被形成在相鄰的成對所述導(dǎo)電圖案的所述第二部分之間以及相鄰的成對所述存儲圖案的所述第二部分之間。

17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，布線連接到所述隔離結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電圖案。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述布線電連接至所述導(dǎo)電圖案和外圍電路。

技術(shù)總結(jié)
提供一種制造方法，該制造方法可包括：在堆疊內(nèi)形成開口，在開口內(nèi)和堆疊上形成可變電阻層，在可變電阻層上形成導(dǎo)電層，通過對導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕來形成導(dǎo)電圖案，該導(dǎo)電圖案包括位于開口內(nèi)的第一部分和位于堆疊上的第二部分，通過對可變電阻層進(jìn)行刻蝕來形成可變電阻圖案，該可變電阻圖案包括位于開口內(nèi)的第一部分和位于堆疊上的第二部分，以及對導(dǎo)電圖案和可變電阻圖案進(jìn)行平坦化直到堆疊被暴露。

技術(shù)研發(fā)人員：呂相九,鄭蓉真
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10