本申請涉及存儲器，尤其涉及一種相變存儲器。

背景技術(shù)：

1、相變存儲器(phase?change?memory，pcm)是用于使用在特定相變材料的晶態(tài)和非晶態(tài)之間的導(dǎo)電率或阻抗差異進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)讀寫的非易失性存儲器件。其中，通過不同脈沖來加熱相變材料以控制相變材料的晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)換。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請實(shí)施例提供一種相變存儲器，能夠降低相變存儲單元的溫度對其周圍的相變存儲單元的寫次數(shù)的影響，降低相變存儲器的寫操作過程中發(fā)生信號串?dāng)_幾率，提高相變存儲器的寫次數(shù)，提高相變存儲器的產(chǎn)品性能。

2、為達(dá)到上述目的，本申請的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本申請實(shí)施例一方面提供了一種相變存儲器。相變存儲器包括：相變存儲單元和隔熱結(jié)構(gòu)。

4、相變存儲單元至少包括相變存儲層。隔熱結(jié)構(gòu)包括至少覆蓋于所述相變存儲單元側(cè)壁上的第一隔熱層、與所述第一隔熱層間隔設(shè)置且背離所述相變存儲單元側(cè)壁方向的第二隔熱層、以及所述第一隔熱層與所述第二隔熱層之間的第一間隙。

5、在一些示例中，所述第一間隙為空隙。

6、在一些示例中，所述第一間隙的邊界在所述相變存儲單元的側(cè)壁所在平面上的正投影圍成的區(qū)域至少覆蓋所述相變存儲層。

7、在一些示例中，所述相變存儲器還包括襯底，所述相變存儲單元和所述隔熱結(jié)構(gòu)均設(shè)于所述襯底的同一側(cè)；所述第一隔熱層包覆所述相變存儲單元。

8、在一些示例中，所述相變存儲器還包括封裝層，所述封裝層設(shè)于所述相變存儲單元遠(yuǎn)離所述相變存儲器的襯底的一側(cè)，所述封裝層、所述襯底、所述第一隔熱層和所述第二隔熱層共同圍成所述第一間隙。

9、在一些示例中，沿所述第一隔熱層至所述第二隔熱層的方向，所述第一間隙的尺寸大于等于所述第一隔熱層的尺寸，和/或所述第一間隙的尺寸大于等于所述第二隔熱層的尺寸。

10、在一些示例中，所述相變存儲器單元的數(shù)量包括多個(gè)；多個(gè)所述相變存儲器單元沿第一方向間隔設(shè)置，所述第一方向平行于所述第一隔熱層至所述第二隔熱層的方向。相鄰兩個(gè)所述相變存儲單元的之間的兩個(gè)所述隔熱結(jié)構(gòu)之間具有第二間隙。

11、在一些示例中，所述第二間隙沿所述第一方向的尺寸大于或等于所述第一間隙沿所述第一方向的尺寸。

12、在一些示例中。所述相變存儲單元的數(shù)量包括多個(gè)；多個(gè)所述相變存儲單元沿第一方向間隔設(shè)置，所述第一方向平行于所述第一隔熱層至所述第二隔熱層的方向。相鄰兩個(gè)所述相變存儲單元之間的兩個(gè)所述隔熱結(jié)構(gòu)共用一個(gè)所述第二隔熱層。

13、在一些示例中，所述第一隔熱層的材料和所述第二隔熱層的材料獨(dú)立的選自氮化硅、碳化硅、鍺化硅、硒化硅、硫化硅、碲化硅、碲化錫中的一種。

14、上述相變存儲器中的隔熱結(jié)構(gòu)具有間隔第一隔熱層和第二隔熱層的第一間隙，第一間隙的結(jié)構(gòu)相較于材料層的結(jié)構(gòu)，具有較低的熱傳導(dǎo)效率，能夠減緩相變存儲單元因工作產(chǎn)生的熱量散發(fā)至周圍其他相變存儲單元的速率，降低因溫度升高導(dǎo)致周圍其他相變存儲單元的材料性質(zhì)從非晶態(tài)到晶態(tài)的轉(zhuǎn)變幾率，且有利于提高周圍其他相變存儲單元的材料性質(zhì)從晶態(tài)到非晶態(tài)的復(fù)位幾率，也就表征為降低相變存儲單元執(zhí)行寫操作過程中發(fā)生信號串?dāng)_幾率，提高周圍其他相變存儲單元執(zhí)行后續(xù)的數(shù)據(jù)寫入操作的有效次數(shù)，提高相變存儲器的產(chǎn)品性能。

15、本申請附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種相變存儲器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述第一間隙為空隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述第一間隙的邊界在所述相變存儲單元的側(cè)壁所在平面上的正投影圍成的區(qū)域至少覆蓋所述相變存儲層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器還包括襯底，所述相變存儲單元和所述隔熱結(jié)構(gòu)均設(shè)于所述襯底的同一側(cè)；所述第一隔熱層包覆所述相變存儲單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器還包括封裝層，所述封裝層設(shè)于所述相變存儲單元遠(yuǎn)離所述相變存儲器的襯底的一側(cè)，所述封裝層、所述襯底、所述第一隔熱層和所述第二隔熱層共同圍成所述第一間隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，沿所述第一隔熱層至所述第二隔熱層的方向，所述第一間隙的尺寸大于等于所述第一隔熱層的尺寸，和/或所述第一間隙的尺寸大于等于所述第二隔熱層的尺寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器單元的數(shù)量包括多個(gè)；多個(gè)所述相變存儲器單元沿第一方向間隔設(shè)置，所述第一方向平行于所述第一隔熱層至所述第二隔熱層的方向；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲器，其特征在于，所述第二間隙沿所述第一方向的尺寸大于或等于所述第一間隙沿所述第一方向的尺寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲單元的數(shù)量包括多個(gè)；多個(gè)所述相變存儲單元沿第一方向間隔設(shè)置，所述第一方向平行于所述第一隔熱層至所述第二隔熱層的方向；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述第一隔熱層的材料和所述第二隔熱層的材料獨(dú)立的選自氮化硅、碳化硅、鍺化硅、硒化硅、硫化硅、碲化硅、碲化錫中的一種。

技術(shù)總結(jié)
本申請實(shí)施例公開了一種相變存儲器，涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，能夠降低相變存儲單元的溫度對其周圍的相變存儲單元的寫次數(shù)的影響，降低相變存儲器的寫操作過程中發(fā)生信號串?dāng)_幾率，提高相變存儲器的寫次數(shù)，提高相變存儲器的產(chǎn)品性能。相變存儲器包括相變存儲單元和隔熱結(jié)構(gòu)。相變存儲單元至少包括相變存儲層。相變存儲單元至少包括相變存儲層。隔熱結(jié)構(gòu)包括至少覆蓋于所述相變存儲單元側(cè)壁上的第一隔熱層、與所述第一隔熱層間隔設(shè)置且背離所述相變存儲單元側(cè)壁方向的第二隔熱層、以及所述第一隔熱層與所述第二隔熱層之間的第一間隙。

技術(shù)研發(fā)人員：王思涵,劉峻,楊海波,付志成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新存科技（武漢）有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2024/12/19