Led調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本實(shí)用新型涉及LED光源驅(qū)動(dòng)控制設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種結(jié)構(gòu)合理、成本低，能夠控制光源亮度逐漸增加的LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器。
【背景技術(shù)】
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[0002]近年來LED等新型光源在材料和制造工藝上都取得了很大進(jìn)步，由于其相對于傳統(tǒng)光源具有發(fā)光效率高、使用壽命長、顏色鮮艷等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域并逐漸代替?zhèn)鹘y(tǒng)的白熾燈作為照明光源?，F(xiàn)階段的LED照明光源調(diào)光電路造價(jià)高，不利于大規(guī)模推廣應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

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[0003]本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)和不足，提出了一種結(jié)構(gòu)合理、成本低，能夠控制光源亮度逐漸增加的LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器。
[0004]本實(shí)用新型通過以下措施達(dá)到:
[0005]一種LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器，其特征在于設(shè)有微控芯片、調(diào)光電路、驅(qū)動(dòng)電路，其中微控芯片分別與調(diào)光電路、驅(qū)動(dòng)電路相連接，所述調(diào)光電路為PWM調(diào)光電路。
[0006]本實(shí)用新型所述驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有P溝道功率MOSFET IRF9540，用于形成NPN三極管驅(qū)動(dòng)放大電路，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET管時(shí)，會(huì)引起被驅(qū)動(dòng)的MOSFET的快速開通和關(guān)斷，易造成MOSFET漏源極間的電壓震蕩，因此在MOSFET的柵極與驅(qū)動(dòng)電路的輸出端之間串聯(lián)無感電阻Rl。
[0007]本實(shí)用新型所述微控芯片采用ATmegal6，可以直接利用其自帶的4通道PWM。
[0008]本實(shí)用新型在使用時(shí)，當(dāng)PWM波輸出高電平時(shí)，三極管VQ1導(dǎo)通，從而使MOSFET的柵極電壓低于源極電壓，MOSFET的源極和漏極導(dǎo)通，LED點(diǎn)亮；當(dāng)PWM波輸出低電平時(shí)，VQ1截止，LED熄滅。當(dāng)PWM頻率超過10Hz時(shí)，人眼可視平均LED的導(dǎo)通和截止時(shí)，產(chǎn)生LED亮度變化的感覺，其亮度與LED導(dǎo)通周期成正比。
[0009]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠完成對LED光源的驅(qū)動(dòng)和調(diào)光控制，具有結(jié)構(gòu)合理、工作穩(wěn)定、成本低等顯著的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
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[0010]附圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)框圖。
[0011]附圖標(biāo)記:微控芯片1、調(diào)光電路2、驅(qū)動(dòng)電路3。
【具體實(shí)施方式】
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[0012]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0013]如附圖所示，本實(shí)用新型提出了一種LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器，其特征在于設(shè)有微控芯片1、調(diào)光電路2、驅(qū)動(dòng)電路3，其中微控芯片I分別與調(diào)光電路2、驅(qū)動(dòng)電路3相連接，所述調(diào)光電路2為PWM調(diào)光電路。
[0014]本實(shí)用新型所述驅(qū)動(dòng)電路3中設(shè)有P溝道功率MOSFET IRF9540，用于形成NPN三極管驅(qū)動(dòng)放大電路，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET管時(shí)，會(huì)引起被驅(qū)動(dòng)的MOSFET的快速開通和關(guān)斷，易造成MOSFET漏源極間的電壓震蕩，因此在MOSFET的柵極與驅(qū)動(dòng)電路的輸出端之間串聯(lián)無感電阻R1。
[0015]本實(shí)用新型所述微控芯片I采用ATmegal6，可以直接利用其自帶的4通道PWM。
[0016]本實(shí)用新型在使用時(shí)，當(dāng)PWM波輸出高電平時(shí)，三極管VQ1導(dǎo)通，從而使MOSFET的柵極電壓低于源極電壓，MOSFET的源極和漏極導(dǎo)通，LED點(diǎn)亮；當(dāng)PWM波輸出低電平時(shí)，VQ1截止，LED熄滅。當(dāng)PWM頻率超過10Hz時(shí)，人眼可視平均LED的導(dǎo)通和截止時(shí)，產(chǎn)生LED亮度變化的感覺，其亮度與LED導(dǎo)通周期成正比。
[0017]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠完成對LED光源的驅(qū)動(dòng)和調(diào)光控制，具有結(jié)構(gòu)合理、工作穩(wěn)定、成本低等顯著的優(yōu)點(diǎn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器，其特征在于設(shè)有微控芯片、調(diào)光電路、驅(qū)動(dòng)電路，其中微控芯片分別與調(diào)光電路、驅(qū)動(dòng)電路相連接，所述調(diào)光電路為PWM調(diào)光電路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有P溝道功率MOSFET IRF9540，在MOSFET的柵極與驅(qū)動(dòng)電路的輸出端之間串聯(lián)無感電PlRlo3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器，其特征在于所述微控芯片米用 ATmegal6。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及LED光源驅(qū)動(dòng)控制設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種結(jié)構(gòu)合理、成本低，能夠控制光源亮度逐漸增加的LED調(diào)光控制及驅(qū)動(dòng)控制器，其特征在于設(shè)有微控芯片、調(diào)光電路、驅(qū)動(dòng)電路，其中微控芯片分別與調(diào)光電路、驅(qū)動(dòng)電路相連接，所述調(diào)光電路為PWM調(diào)光電路，在使用時(shí)，當(dāng)PWM波輸出高電平時(shí)，三極管VQ1導(dǎo)通，從而使MOSFET的柵極電壓低于源極電壓，MOSFET的源極和漏極導(dǎo)通，LED點(diǎn)亮；當(dāng)PWM波輸出低電平時(shí)，VQ1截止，LED熄滅。當(dāng)PWM頻率超過100Hz時(shí)，人眼可視平均LED的導(dǎo)通和截止時(shí)，產(chǎn)生LED亮度變化的感覺，其亮度與LED導(dǎo)通周期成正比，具有結(jié)構(gòu)合理、工作穩(wěn)定、成本低等顯著的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H05B37/02
【公開號】CN204669680
【申請?zhí)枴緾N201520388173
【發(fā)明人】張榮華, 邢偉, 徐錚
【申請人】蕪湖徽福電子科技有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月5日