專利名稱：一種外消磁方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯像管或顯示器的外消磁方法及其裝置，具體地說，涉及一種消磁時間精確可調(diào)的外消磁方法及其裝置。
背景技術(shù)：
目前，彩色電視機正向著高清晰度方向發(fā)展，作為彩電的重要部件--彩色顯像管必須滿足色純的要求。但彩電在研發(fā)、生產(chǎn)、測試等環(huán)節(jié)中靠近磁性物品、被移動、被轉(zhuǎn)換方向時，或受地磁影響，都會使彩色顯象管被磁化，造成彩電不同程度的色純化不正，彩色失調(diào)，圖像模糊，嚴重時無法正常收看電視節(jié)目。而目前彩電機內(nèi)消磁只是在開機時工作，再消磁必須關(guān)機等數(shù)分鐘時間再開機，此時的機內(nèi)消磁能力并不很強，對大尺寸彩管消磁效果更不理想，針對需較長的處理時間和消磁能力不強的問題，在該場合必須使用外強力消磁器。同樣，顯示器也存在著同樣的問題。外消磁原理是先給物體加上一個很強的磁場，使物體磁化，這樣物體上的磁場性質(zhì)將隨外加強磁場性質(zhì)的變化而變化，爾后使外加磁場的極性不斷變化，磁場強度逐漸減弱為零，即可使物體上剩磁消除。現(xiàn)有的機外消磁器有以下兩種1)手持棒式接通市電，產(chǎn)生小范圍磁場，磁動力小，對彩管消磁時要靠人為不停地、合理地移動消磁器，重復操作，方能消除彩管剩磁，效果不理想，操作不方便，只適合于單臺彩管、局部測試等場合。2)電容充放電加繼電器式靠電容充放電來控制消磁波形，例如申請文件“微電腦自動消磁器”(公開號CN1167933A，發(fā)明人謝一民)公開的一種外消磁器，其缺點是A)波形不精確，且消磁線圈中有殘余電流；B)波形不可控；C)消磁時間固定，需要等待電容充電，不能連續(xù)消磁；D)磁動力不足，消磁能力有限，適用范圍窄。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種外消磁裝置，能夠產(chǎn)生精密消磁波形，即消磁時間精確可調(diào)，前導、后續(xù)電流可控，殘余電流為零，并連續(xù)消磁無時間間隔。
本發(fā)明的次一目的是提供一種外消磁裝置，產(chǎn)生強力消磁電流，適用于各尺寸的彩管和顯示器。
本發(fā)明的又一目的是提供一種消磁波形的前導和后續(xù)時間可調(diào)的外消磁裝置。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的一種外消磁方法，包括以下步驟1)嵌入有消磁程序的微處理器產(chǎn)生前導時間占空比不變、后續(xù)時間占空比逐漸變小的PWM消磁波形；2)將PWM消磁波形放大；3)用放大后的直流電流控制流過消磁線圈中的交流電流的幅度和消磁前導后續(xù)時間。
為了獲得強大電流，PWM消磁波形放大經(jīng)三次放大，并通過三極管的并聯(lián)提高電流強度。
為保證消磁波被可靠地放大，在將PWM消磁波形放大之前或放大的過程中先將PWM消磁波形轉(zhuǎn)換為模擬電壓波形。
為適用于各種尺寸的顯像管或顯示器，保證消磁效果及提高消磁效率，將消磁波形的前導和后續(xù)時間設(shè)計為可控的，PWM消磁波形前導和后續(xù)時間的設(shè)定包括以下步驟1-1)設(shè)定前導和后續(xù)的模擬電壓；1-2)將前導和后續(xù)的模擬電壓轉(zhuǎn)換為相應的TTL電平；1-3)通過微處理器運算，將TTL電平轉(zhuǎn)換成2個字節(jié)的時間數(shù)據(jù)；1-4)消磁程序讀取數(shù)據(jù)，產(chǎn)生相應前導和后續(xù)時間的PWM消磁波。
本發(fā)明提出的一種外消磁裝置，包括AC電源、消磁線圈和微處理器U1，還包括驅(qū)動模塊1和直流控制交流電路2，所述微處理器U1內(nèi)嵌入有消磁程序，能夠生成前導時間占空比不變、后續(xù)時間占空比逐漸變小的PWM消磁波，所述微處理器U1與用于根據(jù)PWM的占空比提供不同幅度電流的驅(qū)動模塊1的輸入端相連，驅(qū)動模塊1的輸出端與直流控制交流電路2的直流端相連，直流控制交流電路2的交流端與消磁線圈串聯(lián)后再串接在AC電源的兩端，所述直流控制交流電路2用于根據(jù)驅(qū)動模塊1所處的截止或放大狀態(tài)選擇消磁線圈中無交流電流過或流過由驅(qū)動模塊1控制電流幅度的交流電。
直流控制交流電路2為橋式整流電路。
所述驅(qū)動模塊1包括PWM-模擬轉(zhuǎn)換電路和放大電路。所述PWM-模擬轉(zhuǎn)換電路為包含有第四電容C04的電路。所述放大電路包括順序相連的一級放大電路3、二級放大電路4和三級放大電路5，所述一級放大電路3包含有第一三極管Q01，所述二級放大電路4包含有復合放大管Q02、Q03，所述三級放大電路5包括至少一個三極管，所述第一三極管Q01的基極通過一隔離用光耦U5與微處理器U1相連，發(fā)射極接地，集電極串聯(lián)一電阻后接所述復合放大管Q02、Q03的基極，所述復合放大管Q02、Q03的基極接直流電源，發(fā)射極串聯(lián)三級放大電路5的基極電阻后接三級放大電路5的基極，所述三級放大電路5的發(fā)射極串聯(lián)發(fā)射極電阻后接地，集電極與直流控制交流電路2的直流端負極相連，所述三級放大電路5為32個并聯(lián)在一起的三極管及其基極電阻和發(fā)射極電阻。所述第四電容C04串聯(lián)在第一三極管Q01的基極與地之間或串聯(lián)在第二三極管Q02的基極與地之間。
特別地，本發(fā)明還包括用于設(shè)定PWM消磁波的前導和后續(xù)時間的電壓設(shè)定模塊7和A/D轉(zhuǎn)換器U2，所述電壓設(shè)定模塊7包括相同的兩路，每路各包括一串接于+5V直流電源和地之間的可變電阻，可變電阻的滑動頭串聯(lián)一電阻后接A/D轉(zhuǎn)換器U2，所述A/D轉(zhuǎn)換器U2的數(shù)據(jù)口與微處理器U1的數(shù)據(jù)口相連。在A/D轉(zhuǎn)換器U2和微處理器U1之間還串接有由門電路組成的輔助電路8。
本發(fā)明的有益效果是(1)由于引入了嵌有消磁程序的微處理器，其生成的PWM消磁波為前導時間內(nèi)占空比不變、后續(xù)時間內(nèi)占空比逐漸減小的PWM波，經(jīng)驅(qū)動模塊轉(zhuǎn)換成相應的模擬信號，并經(jīng)過放大，通過直流控制交流電路去控制流過消磁線圈中的交流電。當驅(qū)動模塊處于截止狀態(tài)時，消磁線圈中無交流電流過；當驅(qū)動模塊處于放大狀態(tài)時，消磁線圈中流過頻率不變但幅度可控的交流電，因不同占空比的PWM控制波使驅(qū)動模塊驅(qū)動電流能力不同，從而使消磁線圈中通過的交流電的電流幅度隨之改變。因由微處理器生成了前導和后續(xù)占空比精密可控的PWM消磁波，從而保證了消磁線圈中開始流過的電流最大，再逐漸遞減，結(jié)束時殘余電流為零。由于不存在電容的充放電時間，故可連續(xù)消磁，無時間延遲。
(2)本發(fā)明采用的驅(qū)動模塊包括三級放大電路，并且第三級放大電路有32個三極管并聯(lián)而成，能夠產(chǎn)生強大電流，從而控制消磁線圈中流過大電流，實現(xiàn)強力消磁，工作是消磁線圈產(chǎn)生的磁動力更是普通消磁器的4倍多，適用于各種尺寸的顯像管或顯示器的徹底消磁。
(3)本發(fā)明的消磁波形的前導和后續(xù)時間可調(diào)，消磁時間越長，對大尺寸彩管的消磁效果越好，但消磁時間越長，不利于提高生產(chǎn)效率，為了在短時間內(nèi)能得到滿意的消磁效果，就需要設(shè)定不同的前導和后續(xù)時間，以獲得批量生產(chǎn)時消磁效果和消磁所用時間的最佳組合。其控制原理為通過分別調(diào)節(jié)兩個可調(diào)電阻，設(shè)定前導和后續(xù)時間對應的電壓值，模擬電壓經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為TTL電平信號輸入到微處理器進行計算，量化成2個字節(jié)的時間數(shù)據(jù)，產(chǎn)生PWM波的程序讀取該時間數(shù)據(jù)作為PWM波的前導和后續(xù)時間參數(shù)，經(jīng)過驅(qū)動電路的轉(zhuǎn)化，來控制消磁線圈中消磁波形的前導和后續(xù)的下降速率，從而設(shè)定消磁波形的前導和后續(xù)時間。因為不同尺寸的顯像管或顯示器，其消磁所需的前導和后續(xù)時間往往不同，該功能通過設(shè)定可調(diào)電阻的位置，即可設(shè)定相應的消磁前導和后續(xù)時間。
本發(fā)明的特征及優(yōu)點將通過實施例結(jié)合附圖進行詳細說明。


圖1表示本發(fā)明的原理方框圖；圖2表示本發(fā)明的驅(qū)動模塊的一種實施例；圖3表示本發(fā)明的驅(qū)動模塊的又一種實施例；圖4表示本發(fā)明的消磁前導和后續(xù)時間設(shè)定和轉(zhuǎn)換電路；圖5表示本發(fā)明的過流保護電路；圖6表示本發(fā)明的消磁主程序；圖7表示本發(fā)明的緊急保護中斷程序；圖8表示本發(fā)明的啟動按紐中斷程序。
具體實施例方式
如圖1所示為本發(fā)明的原理方框圖，所述微處理器U1內(nèi)嵌入有消磁程序，能夠生成PWM消磁波，所述微處理器U1與用于根據(jù)PWM的占空比提供不同幅度電流的驅(qū)動模塊1的輸入端相連，驅(qū)動模塊1的輸出端與直流控制交流電路2的直流端相連，直流控制交流電路2的交流端與消磁線圈串聯(lián)后再串接在AC電源的兩端，所述直流控制交流電路2用于根據(jù)驅(qū)動模塊1所處的截止或放大狀態(tài)選擇消磁線圈中無交流電流過或流過由驅(qū)動模塊1控制電流幅度的交流電。電壓設(shè)定模塊7用于設(shè)定PWM消磁波的前導和后續(xù)電壓，并將模擬電壓信號輸入到A/D轉(zhuǎn)換器U2，經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換器U2轉(zhuǎn)換為TTL電平信號，然后將TTL電平信號輸入到微處理器U1，微處理器U1經(jīng)過運算，作為PWM波的占空比參數(shù)并輸出相應的PWM波至驅(qū)動模塊1。在A/D轉(zhuǎn)換器U2和微處理器U1之間還串接有由門電路組成的輔助電路8。
其中，微處理器U1為單片機AT89C51，由第二電容C02、第三電容C03串聯(lián)后在并聯(lián)第一晶振X01為微處理器U1提供工作時鐘，由第一電容C01一端接+5V直流電源，另一端串聯(lián)第三電阻R003為微處理器U1提供開機自動復位信號，第一開關(guān)K01一端接+5V直流電源，另一端串聯(lián)第二電阻R002及第三R003為微處理器U1提供手動復位，供系統(tǒng)異常需復位時用。
驅(qū)動模塊1包括PWM-模擬轉(zhuǎn)換電路和放大電路，所述PWM-模擬轉(zhuǎn)換電路為包含有第四電容C04的電路，也可以由其他D/A轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)。
如圖2所示，所述放大電路一種實施方式是包含有第一三極管Q01及其外圍電路組成的一級放大電路，所述第一三極管Q01的基極通過一隔離光耦U5與微處理器(U1)相連，發(fā)射極接地，集電極串聯(lián)第十四電阻R014后接直流控制交流電路2的直流端負極，第一三極管Q01的外圍電路第十二電阻R012串聯(lián)在基極和+12V直流電源之間，第十三電阻R013串聯(lián)在集電極和+12V直流電源之間，所述第四電容C04串聯(lián)在第一三極管Q01的基極和地之間。
所述放大電路第二種實施方式是包含有至少兩個三極管的放大電路，所述第四電容C04串聯(lián)在第一個三極管的基極與地之間或串聯(lián)在第二個三極管的基極與地之間。
如圖3所示，所述放大電路第三種實施方式是包括順序相連的一級放大電路3、二級放大電路4和三級放大電路5，所述一級放大電路3包含有第一三極管Q01及其外圍電路，所述二級放大電路4包含有復合放大管Q02、Q03及其外圍電路，所述三級放大電路5包括至少一個三極管及其外圍電路，在本實施例中，為了得到強大電流，三級放大電路5由并聯(lián)在一起的32個三極管及其外圍電路組成。所述第一三極管Q01的基極通過一隔離用光耦U5與微處理器U1相連，發(fā)射極接地，集電極順序串聯(lián)第十四電阻R014和第五可變電阻VR05后接所述復合放大管Q02、Q03的基極，第一三極管Q01的外圍電路第十二電阻R012串聯(lián)在基極和+12V直流電源之間，第十三電阻R013串聯(lián)在集電極和+12V直流電源之間；所述復合放大管Q02、Q03的基極接+12V直流電源，發(fā)射極串聯(lián)三級放大電路5的并聯(lián)的基極電阻R25-R56后分別接32個三極管Q07-Q38的基極，所述32個三極管Q07-Q38的發(fā)射極分別串聯(lián)兩兩并聯(lián)的發(fā)射極電阻R057-R120后接地，集電極與直流控制交流電路2的直流端負極相連。所述第四電容C04可以串聯(lián)在第一三極管Q01的基極與地之間，也可以串聯(lián)在第二三極管Q02的基極與地之間，作為最佳實施例，第四電容C04串聯(lián)在第二三極管Q02的基極與地之間，用于將經(jīng)一級放大后的PWM波轉(zhuǎn)換成模擬波形。和前兩個實施例相比，本實施例將PWM波進行三級放大，尤其在三級放大電路中應用32個三極管并聯(lián)組成的大功率管，能夠提供強大電流，可適用于大尺寸的顯像管和顯示器，使顯像管和顯示器徹底消磁。
如圖3所示，直流控制交流電路2為橋式整流電路，包括6個并聯(lián)在一起的橋堆RB03-RB08，其直流端的正極接地，負極接三級放大電路的三極管的集電極。直流控制交流電路2也可以由其他的直流控制交流的電路實現(xiàn)。
如圖3所示，消磁線圈可以為一組線圈，也可以為兩組線圈L1、L2，在最佳實施例中，消磁線圈為外置的兩組并聯(lián)的線圈L1、L2，根據(jù)彩管尺寸可選擇1組消磁線圈或兩組消磁線圈并接工作，選擇兩組線圈工作時將線圈分別置于彩電的上下方，注意要保證兩線圈產(chǎn)生的磁場方向一致，磁動力最大可達5KATp-p。本發(fā)明還包括一組與消磁線圈并聯(lián)的電容，用于改善消磁波形，比較好的方式是將6個交流電容C13-C18并聯(lián)，同時與消磁線圈并聯(lián)。
如圖4所示，所述電壓設(shè)定模塊7包括相同的兩路，每路各包括一串接于+5V直流電源和地之間的可變電阻VR01、VR02，可變電阻VR01、VR02的滑動頭分別串聯(lián)一電阻后接A/D轉(zhuǎn)換器U2，所述A/D轉(zhuǎn)換器U2的數(shù)據(jù)口與微處理器U1的數(shù)據(jù)口相連。通過選擇可變電阻VR01、VR02的阻值，也即選擇輸入A/D轉(zhuǎn)換器U2的電壓值，可以將電壓值設(shè)定在0-5V之間，該兩個模擬電壓經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換器U2轉(zhuǎn)換為TTL電平后經(jīng)單片機軟件運算，量化成0-3S的2個字節(jié)數(shù)據(jù)，產(chǎn)生PWM波的程序讀取該數(shù)據(jù)作為PWM波的占空比參數(shù)，經(jīng)過驅(qū)動電路的轉(zhuǎn)化，來控制消磁波形前導和后續(xù)波形的下降速率，從而設(shè)定消磁波形的前導和后續(xù)時間，同時也提供LCD顯示用。輔助電路8為74LS02門電路，串接在A/D轉(zhuǎn)換器U2和微處理器U1之間，74LS02門電路內(nèi)有4個獨立的或非門U3A、U3B、U3C和U3D，其中或非門U3A、U3B、U3C是受單片機控制信號控制，提供微處理器U1與A/D轉(zhuǎn)換器U2的邏輯配合，微處理器U1的地址信號腳和寫信號腳同時為低電平時啟動A/D轉(zhuǎn)換器U2進行模數(shù)轉(zhuǎn)換，微處理器U1的地址信號腳和讀信號腳同時為低電平為向A/D轉(zhuǎn)換器U2讀模數(shù)轉(zhuǎn)換后數(shù)據(jù)，U3C為A/D轉(zhuǎn)換器U2轉(zhuǎn)換結(jié)束后通知微處理器U1的信號。本發(fā)明還包括消磁啟動模塊6，所述消磁啟動模塊6包括串聯(lián)的第四電阻R04和第二開關(guān)K02，所述第四電阻R04的另一端接+5V直流電源，所述第二開關(guān)K02的另一端接或非門U3D的一個輸入端，非門U3D的另一個輸入端接地，輸出端接微處理器U1。本發(fā)明還包括用于顯示系統(tǒng)運行狀態(tài)和參數(shù)設(shè)置的顯示模塊9，所述顯示模塊9與A/D轉(zhuǎn)換器U2和微處理器U1的數(shù)據(jù)口相連，第三可調(diào)電阻VR03和第四可調(diào)電阻VR04用于調(diào)節(jié)液晶屏U4的字符對比度及背景燈的亮暗；與微處理器U1相連的第一發(fā)光二極管LED1為儀器空閑顯示、第二發(fā)光二極管LED2為上次消磁正常完成指示、第三發(fā)光二極管LED3為過流保護或系統(tǒng)不正常指示，三個發(fā)光二極管分別串聯(lián)限流電阻R007、R008和R009后接+5V直流電源。
本發(fā)明還包括過流保護電路，如圖5所示，包括過流采樣電路10和系統(tǒng)保護電路11，所述過流采樣電路10的采樣端與直流控制交流電路2的直流端的正極相連，輸出端與微處理器U1相連，所述系統(tǒng)保護電路11的一端與微處理器U1的過流控制腳相連，另一端與AC電源相連。過流采樣電路10包括采樣電阻12、電壓轉(zhuǎn)換電路13和TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路14，所述采樣電阻12為并聯(lián)的兩個電阻R021和R022，其一端接自直流控制交流電路(2)的直流端的正極，另一端接地并通過一限流電阻R020和光耦U7后與電壓轉(zhuǎn)換電路13連接，所述電壓轉(zhuǎn)換電路13由第五三極管Q05及其外圍電路組成，所述TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路14包括用于設(shè)定過流保護起控電壓的第七可變電阻VR07、比較器U8和用于反向的第六三極管Q06，第五三極管Q05的基極與光耦U7相連，發(fā)射極串聯(lián)第十九電阻R019后接地，集電極接比較器U8的輸入負極，第五三極管Q05的基極電阻R018串接在第五三極管Q05的基極和+5V直流電源之間，集電極電阻R017串接在第五三極管Q05的集電極和+5V直流電源之間。比較器U8的輸入正極接第七可變電阻VR07的滑動頭，輸出端與第六三極管Q06的基極相連，第六三極管Q06的集電極接地，發(fā)射極與微處理器U1相連，第六三極管Q06的發(fā)射極電阻R016串接在第六三極管Q06的發(fā)射極和+5V直流電源之間。過流信號經(jīng)微處理器U1比較判斷后通過第十一電阻R011和隔離光耦U6輸出到系統(tǒng)保護電路11的第四三極管Q04的基極，第四三極管Q04的基極電阻R015串接在第四三極管Q04的基極和第一繼電器RL01之間，控制第一繼電器RL01的吸合，第一二極管D01串接在第一繼電器RL01的兩極之間，用于RL01由吸合到釋放瞬間的放電，第一繼電器RL01驅(qū)動第二繼電器RL02的吸合，從而控制消磁線圈中消磁波的流過。過流保護的流程圖如圖7所示，當采樣電阻從消磁線圈回路中采集到電流信號，經(jīng)電壓轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換成電壓信號，輸入到比較器進行比較，當流過消磁線圈的電流超標時，比較器U8負向端電壓升高，大于正向端設(shè)置起控電壓時，比較器U8輸出低電平，經(jīng)TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路反向，輸出低電平給微處理器U1的中斷端口，由微處理器U1中嵌入的軟件緊急消抖確認不是干擾，輸出低電平給光耦U6，進入系統(tǒng)保護部分，兩個繼電器斷開，使消磁線圈中無消磁波經(jīng)過，中止消磁。
權(quán)利要求
1.一種用于顯像管和顯示器的外消磁方法，其特征在于包括以下步驟1)利用嵌入有消磁程序的微處理器產(chǎn)生前導時間占空比不變、后續(xù)時間占空比逐漸變小的PWM消磁波形；2)將上述PWM消磁波形放大；3)用放大后的直流電流控制流過消磁線圈中的交流電流的幅度和消磁前導后續(xù)時間。
2.如權(quán)利要求1所述的外消磁方法，其特征在于PWM消磁波形放大方式為經(jīng)一次放大或經(jīng)多次放大。
3.如權(quán)利要求2所述的外消磁方法，其特征在于PWM消磁波形放大為經(jīng)三次放大，并通過三極管的并聯(lián)提高電流強度。
4.如權(quán)利要求1所述的外消磁方法，其特征在于在將PWM消磁波形放大之前或放大的過程中先將PWM消磁波形轉(zhuǎn)換為模擬電壓波形。
5.如權(quán)利要求1所述的外消磁方法，其特征在于步驟1)所述的PWM消磁波形前導時間和后續(xù)時間通過以下步驟進行設(shè)定1-1)設(shè)定前導和后續(xù)的模擬電壓；1-2)將前導和后續(xù)的模擬電壓轉(zhuǎn)換為相應的TTL電平；1-3)通過微處理器運算，將TTL電平轉(zhuǎn)換成2個字節(jié)的時間數(shù)據(jù)；1-4)消磁程序讀取時間數(shù)據(jù)，產(chǎn)生相應PWM消磁波的前導時間和后續(xù)時間。
6.如權(quán)利要求1所述的外消磁方法，其特征在于還包括過流保護步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的外消磁方法，其特征在于過流保護包括以下步驟a)采集流過消磁線圈中的電流信號；b)將電流信號轉(zhuǎn)換成電壓信號；c)將電壓信號與設(shè)定過流保護電壓比較；d)將比較結(jié)果輸入微處理器處理；如果需要進行系統(tǒng)保護，則進行以下步驟e)微處理器輸出信號控制繼電器斷開，從而控制消磁線圈與交流電源斷開。
8.一種用于顯像管和顯示器的外消磁裝置，包括AC電源、消磁線圈和微處理器(U1)，其特征在于還包括驅(qū)動模塊(1)和直流控制交流電路(2)，所述微處理器(U1)內(nèi)嵌入有消磁程序，能夠生成前導時間占空比不變、后續(xù)時間占空比逐漸變小的PWM消磁波，所述微處理器(U1)與用于根據(jù)PWM的占空比提供不同幅度電流的驅(qū)動模塊(1)的輸入端相連，驅(qū)動模塊(1)的輸出端與直流控制交流電路(2)的直流端相連，直流控制交流電路(2)的交流端與消磁線圈串聯(lián)后再串接在AC電源的兩端，所述直流控制交流電路(2)用于根據(jù)驅(qū)動模塊(1)所處的截止或放大狀態(tài)選擇消磁線圈中無交流電流過或流過由驅(qū)動模塊(1)控制電流幅度的交流電。
9.如權(quán)利要求8所述的外消磁裝置，其特征在于所述驅(qū)動模塊(1)包括PWM-模擬轉(zhuǎn)換電路和放大電路。
10.如權(quán)利要求9所述的外消磁裝置，其特征在于所述PWM-模擬轉(zhuǎn)換電路為包含有第四電容(C04)的電路。
11.如權(quán)利要求10所述的外消磁裝置，其特征在于所述放大電路為包含有第一三極管(Q01)及其外圍電路組成的一級放大電路，所述第一三極管(Q01)的基極通過一隔離光耦(U5)與微處理器(U1)相連，發(fā)射極接地，集電極接直流控制交流電路(2)的直流端負極，所述第四電容(C04)串聯(lián)在第一三極管(Q01)的基極和地之間。
12.如權(quán)利要求10所述的外消磁裝置，其特征在于所述放大電路為包含有至少兩個三極管的放大電路，所述第四電容(C04)串聯(lián)在第一個三極管的基極與地之間或串聯(lián)在第二個三極管的基極與地之間。
13.如權(quán)利要求12所述的外消磁裝置，其特征在于所述放大電路包括順序相連的一級放大電路(3)、二級放大電路(4)和三級放大電路(5)，所述一級放大電路(3)包含有第一三極管(Q01)，所述二級放大電路(4)包含有復合放大管(Q02、Q03)，所述三級放大電路(5)包括至少一個三極管，所述第一三極管(Q01)的基極通過一隔離用光耦(U5)與微處理器(U1)相連，發(fā)射極接地，集電極串聯(lián)一電阻后接所述復合放大管(Q02、Q03)的基極，所述復合放大管(Q02、Q03)的基極接直流電源，發(fā)射極串聯(lián)三級放大電路(5)的基極電阻后接三級放大電路(5)的基極，所述三級放大電路(5)的發(fā)射極串聯(lián)發(fā)射極電阻后接地，集電極與直流控制交流電路(2)的直流端負極相連。
14.如權(quán)利要求13所述的外消磁裝置，其特征在于所述三級放大電路(5)為至少兩個并聯(lián)在一起的三極管及其基極電阻和發(fā)射極電阻。
15.如權(quán)利要求14所述的外消磁裝置，其特征在于所述三級放大電路(5)為32個并聯(lián)在一起的三極管及其基極電阻和發(fā)射極電阻。
16.如權(quán)利要求8所述的外消磁裝置，其特征在于直流控制交流電路(2)為橋式整流電路。
17.如權(quán)利要求8所述的外消磁裝置，其特征在于還包括消磁啟動模塊(6)，所述消磁啟動模塊(6)包括串聯(lián)的第四電阻(R04)和第二開關(guān)(K02)，所述第四電阻(R04)的另一端接直流電源，所述第二開關(guān)(K02)的另一端經(jīng)過或非門(U3D)后接微處理器(U1)。
18.如權(quán)利要求8所述的外消磁裝置，其特征在于還包括用于設(shè)定PWM消磁波的前導和后續(xù)時間所對應的電壓的電壓設(shè)定模塊(7)和A/D轉(zhuǎn)換器(U2)，所述電壓設(shè)定模塊(7)包括相同的兩路，每路各包括一串接于+5V直流電源和地之間的可變電阻，可變電阻的滑動頭串聯(lián)一電阻后接A/D轉(zhuǎn)換器(U2)，所述A/D轉(zhuǎn)換器(U2)的數(shù)據(jù)口與微處理器(U1)的數(shù)據(jù)口相連。
19.如權(quán)利要求18所述的外消磁裝置，其特征在于還包括用于控制A/D轉(zhuǎn)換器(U2)和微處理器(U1)之間數(shù)據(jù)傳送的輔助電路(8)，所述輔助電路(8)為門電路，串接在A/D轉(zhuǎn)換器(U2)和微處理器(U1)之間。
20.如權(quán)利要求18所述的外消磁裝置，其特征在于還包括用于顯示系統(tǒng)運行狀態(tài)和參數(shù)設(shè)置的顯示模塊(9)，所述顯示模塊(9)與A/D轉(zhuǎn)換器(U2)和微處理器(U1)的數(shù)據(jù)口相連。
21.如權(quán)利要求8、17、18或20中任一項所述的外消磁裝置，其特征在于還包括過流采樣電路(10)和系統(tǒng)保護電路(11)，所述過流采樣電路(10)的采樣端與直流控制交流電路(2)的直流端的正極相連，輸出端與微處理器(U1)相連，所述系統(tǒng)保護電路(11)的一端與微處理器(U1)的過流控制腳相連，另一端與AC電源相連。
22.如權(quán)利要求21所述的外消磁裝置，其特征在于所述過流采樣電路(10)包括采樣電阻(12)、電壓轉(zhuǎn)換電路(13)和TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路(14)，所述采樣電阻(12)一端接自直流控制交流電路(2)的直流端的正極，另一端接地并通過一限流電阻和光耦后與電壓轉(zhuǎn)換電路(13)連接，所述電壓轉(zhuǎn)換電路(13)的輸出端接TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路(14)，TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路(14)的輸出端與微處理器(U1)相連。
23.如權(quán)利要求22所述的外消磁裝置，其特征在于所述TTL電平反向轉(zhuǎn)換電路(14)包括用于設(shè)定過流保護起控電壓的可變電阻(VR07)、比較器(U8)和用于反向的第六三極管(Q06)，所述可變電阻(VR07)的兩端串接在直流電源和地之間，中間滑動頭與比較器(U8)的輸入正端相連，比較器(U8)的輸入負端與電壓轉(zhuǎn)換電路(13)連接，輸出端與第六三極管(Q06)的基極相連，第六三極管(Q06)的集電極接地，發(fā)射極接微處理器(U1)。
24.如權(quán)利要求20所述的外消磁裝置，其特征在于所述系統(tǒng)保護電路(11)為包含有由兩個繼電器控制開關(guān)吸合的電路。
25.如權(quán)利要求8至所述的外消磁裝置，其特征在于消磁線圈為單組線圈或并聯(lián)的兩組線圈。
26.如權(quán)利要求8所述的外消磁裝置，其特征在于還包括6個并聯(lián)的電容，所述6個并聯(lián)的電容并聯(lián)在消磁線圈兩端。
全文摘要
本發(fā)明針對現(xiàn)有的用于顯像管和顯示器的機外消磁器的問題，提供了一種外消磁方法及其裝置，應用嵌入有消磁程序的微處理器前導時間占空比不變、后續(xù)時間占空比逐漸變小的PWM消磁波形，通過驅(qū)動模塊的放大，用放大后的直流電流控制流過消磁線圈中的交流電流的幅度和消磁前導后續(xù)時間。由于應用了微處理器進行控制，使消磁時間精確可調(diào)，前導、后續(xù)電流可控，殘余電流為零，并連續(xù)消磁無時間間隔；并在驅(qū)動模塊中應用三極管并聯(lián)組成大功率管以產(chǎn)生強大電流，使消磁線圈能夠?qū)Ω鞣N尺寸的顯像管或顯示器徹底消磁。
文檔編號H04N9/16GK1529515SQ20031011072
公開日2004年9月15日 申請日期2003年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月8日
發(fā)明者楊軍治, 王勇 申請人:深圳創(chuàng)維－Rgb電子有限公司