專利名稱：Cmos圖像傳感器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，更具體地，涉及一種改進(jìn)了轉(zhuǎn)移特性的CMOS圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器是一種嵌入有集成電路的半導(dǎo)體器件，該集成電路包括多個(gè)將光能轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的像素。CMOS圖像傳感器廣泛應(yīng)用于數(shù)碼照相機(jī)、PC攝像頭、指紋識(shí)別系統(tǒng)、移動(dòng)電話、玩具、航天器領(lǐng)域、微型飛行器的圖像拍攝裝置等。
4-Tr結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器應(yīng)用最廣泛，其中，一個(gè)像素由四個(gè)晶體管(Tr)和一個(gè)光電二極管組成。在相關(guān)技術(shù)的4-Tr結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器中，由于使用浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)(floating diffusionnode)作為電荷耦合器件(CCD)中的輸出端，所以很可能發(fā)生諸如圖像滯后的問題。為了解決這些問題，有人提出一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中，在光電二極管上形成光電柵電極(photogate electrode)，以將積累的信號(hào)轉(zhuǎn)移到輸出節(jié)點(diǎn)。但是，如果將光電柵用做多電極(polyelectrode)，將會(huì)損害所制造的器件的光電響應(yīng)性能。然而，為了提高光電響應(yīng)特性而使用發(fā)射電極，這帶來了不方便。
在相關(guān)技術(shù)的4-Tr結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器像素中，轉(zhuǎn)移晶體管和光電二極管形成為如圖1所示。
如圖1所示，相關(guān)技術(shù)的4-Tr結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器像素的轉(zhuǎn)移晶體管5包括形成于襯底的P型阱10上的隔離氧化膜或柵極氧化膜2。圖中示出了A區(qū)。該傳感器像素還包括形成于柵極氧化膜2上的柵電極4，以及通過離子注入形成于P型阱中的第一源極和漏極區(qū)12和第二源極和漏極區(qū)14。轉(zhuǎn)移晶體管5的第一源極和漏極區(qū)12對(duì)應(yīng)于光電二極管PD區(qū)。轉(zhuǎn)移晶體管5的第二源極和漏極區(qū)14具有輕摻漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。該LDD結(jié)構(gòu)可形成為使得形成于柵電極4側(cè)壁的絕緣隔離物6起到阻擋物的作用，以在離子注入過程中阻止注入的離子注入襯底的某些部分中。在轉(zhuǎn)移晶體管5中，通過柵電極4左側(cè)的隔離物在第二源極和漏極區(qū)14中形成了重?fù)絅+型區(qū)和輕摻N-型區(qū)。第二源極和漏極區(qū)14中的N+型區(qū)的摻雜濃度為1×E20～21/cm3，而N-型區(qū)的摻雜濃度為1×E19～20/cm3。然后，在第一源極和漏極區(qū)12中以與N-型區(qū)相同的濃度進(jìn)行N型摻雜。這防止了由重?fù)剿鶎?dǎo)致的光電二極管的泄漏電流的發(fā)生。N型摻雜區(qū)被稱為PDN區(qū)。接著，利用柵電極4右側(cè)的隔離物為阻擋物，通過向?qū)?yīng)于光電二極管PD區(qū)的襯底表面注入P型輕摻離子，而形成P型PDP區(qū)18。PDP區(qū)18減少了表面泄漏。
在上述相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)中，鄰近襯底表面的通道區(qū)(即，在柵電極4之下的襯底區(qū))的PDN區(qū)12具有相對(duì)較低的濃度。因而，在形成轉(zhuǎn)移晶體管5的通道時(shí)，電荷(例如電子電荷)轉(zhuǎn)移能力并不符合要求。這會(huì)對(duì)CMOS圖像傳感器的性能產(chǎn)生不利影響。
通過控制摻雜濃度或能量來增大硅襯底表面的PDN濃度，可提高電荷轉(zhuǎn)移能力。然而，這可能直接影響光電二極管的很重要的電荷存儲(chǔ)能力和其光電子收集能力。因此，并不希望選擇控制摻雜濃度或能量的方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，它能很好地解決由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺陷導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，提供了一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，其改進(jìn)了轉(zhuǎn)移特性而并不降低光電二極管的電荷存儲(chǔ)能力。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將在隨后的說明中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)和方法來實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了獲得根據(jù)本發(fā)明目的的這些和其他優(yōu)點(diǎn)，如已概括和充分說明的，一種用于制造CMOS圖像傳感器的方法包括以下步驟通過向?qū)⒁纬删w管的襯底的整個(gè)表面注入第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在第一導(dǎo)電類型襯底的表面上形成對(duì)應(yīng)于所述晶體管的第一源極和漏極區(qū)的光電二極管區(qū)和第二導(dǎo)電類型離子區(qū)；通過只在所述光電二極管區(qū)露出的區(qū)域輕注入(lightly implant)第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在所述襯底中對(duì)應(yīng)于光電二極管區(qū)形成第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)；以及通過熱處理將第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)擴(kuò)散入第二導(dǎo)電類型離子區(qū)中。
在本發(fā)明的另一方面中，一種CMOS圖像傳感器包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底，包括晶體管區(qū)和對(duì)應(yīng)于晶體管的第一源極和漏極區(qū)的光電二極管區(qū)；第二導(dǎo)電類型擴(kuò)散區(qū)，其形成于所述襯底中對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)，在上部包括第二導(dǎo)電類型離子區(qū)，以及在下部包括第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)；以及第一導(dǎo)電類型離子區(qū)，形成于所述襯底的表面中對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)。
應(yīng)該理解，以上對(duì)本發(fā)明的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性的和說明性質(zhì)的，目的在于對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。


附圖構(gòu)成本說明書的一部分，有助于進(jìn)一步理解本發(fā)明，這些附圖示出了本發(fā)明的一些實(shí)施例，并可與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。附圖中圖1是示出相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器的剖視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的電路圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的布局圖；圖4A至圖4E是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造CMOS圖像傳感器的工序步驟的剖視圖；以及圖5是示出根據(jù)本發(fā)明制造的CMOS圖像傳感器的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。盡可能地，在所有附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同或相似的部件。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的單位像素的電路圖，圖3是示出該單位像素的布局圖。
將參照?qǐng)D2和圖3對(duì)根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的單位像素的操作進(jìn)行描述。
如圖2和圖3所示，CMOS圖像傳感器的單位像素包括一個(gè)光電二極管30和四個(gè)晶體管，即，轉(zhuǎn)移晶體管32，復(fù)位晶體管36，激勵(lì)晶體管38，以及選擇晶體管40。如果導(dǎo)通轉(zhuǎn)移晶體管32和復(fù)位晶體管36，則電壓VDD被轉(zhuǎn)移到光電二極管30。然后，關(guān)斷轉(zhuǎn)移晶體管32和復(fù)位晶體管36。光電二極管30在一定的時(shí)間周期內(nèi)收集光，以此方式產(chǎn)生與入射到光電二極管30的光成比例的電子空穴對(duì)EHP或者信號(hào)電荷。轉(zhuǎn)移晶體管32的源極電位與所產(chǎn)生的信號(hào)電荷成比例地變化。如果轉(zhuǎn)移晶體管32被輸入到該轉(zhuǎn)移晶體管32的柵極的信號(hào)Tx(例如，高電壓信號(hào)Tx)所導(dǎo)通，則積累的信號(hào)電荷被轉(zhuǎn)移到浮置擴(kuò)散(FD)節(jié)點(diǎn)34。FD節(jié)點(diǎn)34的電位與所轉(zhuǎn)移的信號(hào)電荷成比例地變化。激勵(lì)晶體管38的源極電位隨FD節(jié)點(diǎn)34的變化的電位而變化。激勵(lì)晶體管38當(dāng)作源跟隨晶體管，并且用作信號(hào)放大器。此外，激勵(lì)晶體管38用于改善噪聲或殘留電荷。如果這時(shí)通過柵極信號(hào)Sx導(dǎo)通選擇晶體管40，則選擇晶體管40通過輸出端Vout讀取數(shù)據(jù)。復(fù)位晶體管36通過柵極信號(hào)Rx導(dǎo)通和關(guān)斷。如果復(fù)位晶體管36被導(dǎo)通，則FD節(jié)點(diǎn)34成為用于檢測(cè)參考值的電壓VDD并等待所檢測(cè)的信號(hào)。也就是說，復(fù)位晶體管用于初始化CMOS圖像傳感器的單位像素。
因此，因?yàn)楣怆姸O管30所檢測(cè)的信號(hào)通過輸出端Vout作為電信號(hào)輸出的，所以轉(zhuǎn)移晶體管32的電荷轉(zhuǎn)移能力很重要。這影響CMOS圖像傳感器的性能。特別地，轉(zhuǎn)移晶體管32一旦導(dǎo)通，就將光電二極管產(chǎn)生的EHP輸入到轉(zhuǎn)移晶體管32的源極，然后通過通道轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移晶體管32的漏極(即，F(xiàn)D節(jié)點(diǎn))。如果轉(zhuǎn)移晶體管32的EHP轉(zhuǎn)移性能差，在轉(zhuǎn)移操作過程中就可能會(huì)丟失或損壞(deform)電荷。
圖4A至圖4E是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造CMOS圖像傳感器的工序步驟剖視圖。
首先，如圖4A所示，在襯底或P型阱100上沉積隔離氧化膜或柵極氧化膜110，并在柵極氧化膜110上形成柵電極120。柵極氧化膜110和柵電極120可通過常規(guī)的方法形成。接著，沉積光刻膠膜，然后通過曝光和顯影處理將其形成圖樣，以形成只露出第二源極和漏極區(qū)140的光刻膠膜圖樣層131。通過第一離子注入132在第二源極和漏極區(qū)140中形成N-型區(qū)140。第一離子注入132可在利用砷作為離子、濃度為3×E14/cm3或E19/cm3、以及離子注入能量為10KeV下進(jìn)行。
隨后，如圖4B所示，去除光刻膠膜圖樣層131，通過第二離子注入134在襯底的整個(gè)表面上形成N-2型區(qū)150。第二離子注入134可在約為1×E16/cm3-1×E17/cm3或約為1×E11/cm3-5×E11/cm3的低摻雜濃度下進(jìn)行。由于第二離子注入134是在襯底的整個(gè)表面上進(jìn)行的，且不需要另外的光刻處理，所以在第二源極和漏極區(qū)140中和對(duì)應(yīng)于第一源極和漏極區(qū)的PD區(qū)中都形成了N-2型區(qū)150。
如果利用磷作為注入離子，用于形成N-2型區(qū)150的第二離子注入134可在摻雜濃度約為1×E16/cm3-1×E17/cm3、以及離子注入能量約為10KeV至50KeV下進(jìn)行。如果利用砷作為注入離子，第二離子注入134可在摻雜濃度約為1×E16/cm3-1×E17/cm3以及離子注入能量為30KeV下進(jìn)行。
接著，如圖4C所示，在柵電極120的側(cè)壁上形成隔離物122。然后，在沒有形成光刻膠膜135的區(qū)域通過第三離子注入136形成N+型區(qū)160，且覆蓋PD區(qū)并暴露第二源極和漏極區(qū)。N+型區(qū)160對(duì)應(yīng)于MOS晶體管的常規(guī)源極和漏極區(qū)，并且具有LDD結(jié)構(gòu)。第三離子注入136可在利用砷在為離子、摻雜濃度約為1×E20/cm3-1×E21/cm3、以及離子注入能量為65KeV下進(jìn)行。柵電極120的隔離物122可通過常規(guī)方法形成，其中，氧化膜沉積于柵電極上，并且通過各向異性蝕刻進(jìn)行蝕刻，直到只保留在側(cè)壁上。
參照?qǐng)D4D，形成光刻膠膜圖樣137，以封閉轉(zhuǎn)移晶體管的第二源極和漏極區(qū)。通過在露出PD區(qū)的區(qū)域中的第四離子注入138，在第一源極和漏極區(qū)的襯底中形成PDN區(qū)170。第四離子注入138可在利用磷作為離子、摻雜濃度為1×E16/cm3或3×E12/cm3或更低、以及離子注入能量為100KeV至160KeV下進(jìn)行。
參照?qǐng)D4E，形成光刻膠膜圖樣139a，以封閉轉(zhuǎn)移晶體管的第二源極和漏極區(qū)。通過在露出PD區(qū)的區(qū)域中的第五離子注入139b，在襯底的表面中形成輕摻PDP區(qū)190。第五離子注入139b可在利用BF2作為離子、摻雜濃度為1×E16/cm3或2×E12/cm3或更低、以及離子注入能量為20KeV的條件下進(jìn)行。通過第五離子注入139b，柵電極120是否部分地暴露并不重要。
PDP區(qū)190形成之后，進(jìn)行熱處理。轉(zhuǎn)移晶體管和PD區(qū)的摻雜分布形成為如圖5所示。然后，在熱處理之后，PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)180形成為如圖5的分布圖所示。這是因?yàn)橐砸欢ㄉ疃刃纬捎谝r底中的PDN區(qū)170由于熱處理而以高斯分布(Gaussian distriution，正態(tài)分布)上下擴(kuò)散。由于其它摻雜區(qū)140、150、和190形成于硅襯底100的表面上，所以即使在熱處理之后它們被擴(kuò)散也仍然保持其分布。相比之下，隨著PDN區(qū)170在襯底中上下擴(kuò)散，形成PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)180。因此，PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)180形成為如圖5的分布圖所示。
如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的單位像素中的轉(zhuǎn)移晶體管包括第一源極和漏極區(qū)，其對(duì)應(yīng)于光電二極管(PD)區(qū)，形成于P型襯底100中；第二源極和漏極區(qū)；以及形成于襯底上的柵電極120。圖中示出了B區(qū)。如果將預(yù)定的偏壓施加到柵電極120，則在第一源極和漏極區(qū)140和160與第二源極和漏極區(qū)之間形成通道區(qū)。擴(kuò)散入襯底表面中的PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)形成于第一源極和漏極區(qū)140和160中。通道區(qū)鄰近形成于襯底表面中光電二極管區(qū)的PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)。而且，在穿過柵電極120的隔離物122下的襯底區(qū)之后，N-2區(qū)延伸到柵電極120之下的通道區(qū)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，可在襯底中形成PDN區(qū)170之后進(jìn)行N-2離子注入。在形成PDN區(qū)170之后，封閉轉(zhuǎn)移晶體管的第二源極和漏極區(qū)，并且形成光刻膠膜圖樣137，以只露出PD區(qū)。然后，進(jìn)行N-2離子注入。不同于圖4所示的在第一源極和漏極區(qū)和第二源極和漏極區(qū)都形成的N-2離子注入?yún)^(qū)，在該實(shí)施例中，由N-2離子注入所形成的區(qū)只形成于第一源極和漏極區(qū)中，對(duì)應(yīng)于PD區(qū)。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，N+離子注入可在襯底中形成PDN區(qū)170之后注入到第二源極和漏極區(qū)。在該實(shí)施例中，在襯底中的PDN區(qū)170通過熱處理擴(kuò)散之后，進(jìn)行N-2離子注入，以形成PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)180。
由于以上對(duì)實(shí)施例的描述是基于LDD結(jié)構(gòu)的源極和漏極區(qū)進(jìn)行的，所以要求已經(jīng)進(jìn)行了向第二源極和漏極區(qū)注入N-離子和在柵電極側(cè)壁上形成隔離物的步驟。但是，由于本發(fā)明并不限于LDD結(jié)構(gòu)，因此，上述步驟可省略。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器及其制造方法具有如下優(yōu)點(diǎn)。
由于PDN/N-2擴(kuò)散區(qū)(N-2區(qū)和PDN區(qū)在其中擴(kuò)散)存在于第一源極和漏極區(qū)中，對(duì)應(yīng)于PD區(qū)，且鄰近轉(zhuǎn)移晶體管的通道區(qū)，所以能夠降低源極和漏極區(qū)的通道電阻，且不降低光電二極管的電荷存儲(chǔ)能力就可升高電位。因此，能夠改進(jìn)電荷轉(zhuǎn)移能力。從而可改善CMOS圖像傳感器的性能。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于制造CMOS圖像傳感器的方法，包括以下步驟通過向?qū)⒁纬删w管的襯底的整個(gè)表面注入第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在第一導(dǎo)電類型襯底的表面上形成對(duì)應(yīng)于所述晶體管的第一源極和漏極區(qū)的光電二極管區(qū)和第二導(dǎo)電類型離子區(qū)；通過只在所述光電二極管區(qū)露出的區(qū)域輕注入第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在所述襯底中對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)形成第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)；以及通過熱處理將所述第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)擴(kuò)散入所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟在形成所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)之后，在所述晶體管的柵電極的兩側(cè)形成隔離物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括以下步驟形成被圖樣化至只露出所述晶體管的第二源極和漏極區(qū)的光刻膠膜，以及，利用形成于所述柵電極一側(cè)的隔離物作為掩模，通過重注入第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)，在所述第二源極和漏極區(qū)中形成第二導(dǎo)電類型重?fù)诫x子區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)電類型重?fù)诫x子區(qū)比所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)深。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光電二極管區(qū)的所述第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)比所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)深。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟在通過所述熱處理擴(kuò)散第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)之前，通過只向所述光電二極管區(qū)露出的區(qū)域注入第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在所述襯底的表面上對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)形成比所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)薄的第一導(dǎo)電類型離子區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟在通過所述熱處理擴(kuò)散第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)之后，通過只向所述光電二極管區(qū)露出的區(qū)域注入第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在所述襯底的表面上對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)形成比所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)薄的第一導(dǎo)電類型離子區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電類型離子區(qū)通過以1×E16/cm3或更低的摻雜濃度注入所述第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子而形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電類型離子區(qū)通過以1×E16/cm3或更低的摻雜濃度注入所述第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子而形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)通過以約為1×E16/cm3-1×E17/cm3的摻雜濃度注入所述第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)通過利用磷或砷作為所述第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)通過以1×E16/cm3或更低的摻雜濃度注入所述第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述晶體管是轉(zhuǎn)移晶體管。
14.一種CMOS圖像傳感器，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底，包括晶體管區(qū)和對(duì)應(yīng)于晶體管的第一源極和漏極區(qū)的光電二極管區(qū)；第二導(dǎo)電類型擴(kuò)散區(qū)，其形成于所述襯底中對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)，在上部包括第二導(dǎo)電類型離子區(qū)，以及在下部包括第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)；以及第一導(dǎo)電類型離子區(qū)，形成于所述襯底的表面中對(duì)應(yīng)于所述光電二極管區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述晶體管包括形成于所述襯底上的柵電極，以及其中，所述柵電極的兩個(gè)側(cè)壁具有隔離物，并且所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)延伸到所述第一源極和漏極區(qū)的隔離物之下的部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)包含具有約為1×E16/cm3-1×E17/cm3的摻雜濃度的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述第二導(dǎo)電類型離子區(qū)包含磷或砷。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)包含具有1×E16/cm3或更低的摻雜濃度的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的CMOS圖像傳感器，其中，所述晶體管是轉(zhuǎn)移晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改善了轉(zhuǎn)移特性的CMOS圖像傳感器及其制造方法。該方法包括以下步驟通過向?qū)⒁纬删w管的襯底的整個(gè)表面注入第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在第一導(dǎo)電類型襯底的表面上形成對(duì)應(yīng)于晶體管的第一源極和漏極區(qū)的光電二極管區(qū)和第二導(dǎo)電類型離子區(qū)；通過只在光電二極管區(qū)露出的區(qū)域輕注入第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子，在襯底中對(duì)應(yīng)于光電二極管區(qū)形成第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)；以及通過熱處理將第二導(dǎo)電類型輕摻離子區(qū)擴(kuò)散入第二導(dǎo)電類型離子區(qū)中。
文檔編號(hào)H04N5/369GK1819148SQ20051009749
公開日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月29日
發(fā)明者全寅均 申請(qǐng)人:東部亞南半導(dǎo)體株式會(huì)社