專利名稱：麥克風(fēng)放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放大電路，更為具體地，涉及一種能夠保證輸出穩(wěn)定性和線性度的低噪聲高動(dòng)態(tài)范圍麥克風(fēng)放大電路。
背景技術(shù)：
在單電源供電的麥克風(fēng)放大電路中，由于直流偏置電壓的存在，在靜態(tài)時(shí)一般會(huì)存在直流電平輸出。而且，在目前提供的麥克風(fēng)放大電路中，大多數(shù)放大電路采用電阻器負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)。圖1示出了一般負(fù)反饋放大電路的基本結(jié)構(gòu)。如圖1所示，反饋網(wǎng)絡(luò)F是通過電阻器網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)的。針對該反饋網(wǎng)絡(luò)，開環(huán)增益為A = X()/Xid，反饋系數(shù)為F = xf/x0,閉環(huán)增益為Af = AF,反饋深度為1+AF，以及深度負(fù)反饋條件為1+AF >> 1，其中X。是放大電路的輸出，Xi是輸入信號(hào)，以及Xid是與反饋信號(hào)疊加后的輸入信號(hào)。由于一般放大電路采用的是電阻器反饋網(wǎng)絡(luò)，反饋系數(shù)一定，無法動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)反饋系數(shù)，從而導(dǎo)致音頻信號(hào)在音頻全頻段范圍內(nèi)變化時(shí)不能做到增益穩(wěn)定。另外，由于輸出級(jí)晶體管的發(fā)射極直接接地，從而很難將靜態(tài)輸出電平穩(wěn)定到需求的電平。為此，一般放大電路需要針對靜態(tài)輸出電平進(jìn)行調(diào)整。通常的靜態(tài)輸出電平調(diào)整策略是通過在發(fā)射極串聯(lián)電阻器。然而這種實(shí)現(xiàn)方式在滿足高增益和需求靜態(tài)輸出電平時(shí)存在矛盾，即在電阻器小的情況下無法達(dá)到要求的靜態(tài)輸出電平，而在電阻器大的情況下會(huì)降低放大倍數(shù)，即放大電路的增益。此外，也可以采用通用運(yùn)算放大器來實(shí)現(xiàn)，但是采用通用運(yùn)算放大器的成本相對較高，同時(shí)在帶偏壓的放大電路中，很難實(shí)現(xiàn)能夠提供高增益的放大倍數(shù)所需要的電源，這導(dǎo)致輸出靜態(tài)電壓不夠穩(wěn)定，由此需要對靜態(tài)電壓再次進(jìn)行調(diào)整,而再次調(diào)整會(huì)增加很多成本。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本 發(fā)明提供了一種麥克風(fēng)放大電路，具有兩個(gè)級(jí)聯(lián)的晶體管電路，其中前級(jí)晶體管電路用作后級(jí)晶體管電路的負(fù)反饋電路，通過犧牲前級(jí)晶體管電路的增益進(jìn)行深度負(fù)反饋，利用后級(jí)晶體管電路的非線性來保證輸出穩(wěn)定性和線性度。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種麥克風(fēng)放大電路，包括PNP晶體管以及NPN晶體管，其中，所述PNP晶體管的發(fā)射極通過第一電阻器與所述NPN晶體管的集電極相連；所述PNP晶體管的集電極與所述NPN晶體管的基極相連；以及所述NPN晶體管的集電極通過第二電阻器向外部輸出放大后的信號(hào)，其中，所述第一電阻器和第二電阻器的電阻值被設(shè)置為使得所述PNP晶體管進(jìn)行低倍放大，并使得所述第一電阻器、第二電阻器和所述PNP晶體管相對于所述NPN晶體管形成負(fù)反饋電路。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以還包括與所述第一電阻器并聯(lián)的第一電容器。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述PNP晶體管的發(fā)射極和基極之間的依次串聯(lián)的第三電阻器和第四電阻器；以及設(shè)置在所述PNP晶體管的基極和接地端之間的第五電阻器。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述PNP晶體管的發(fā)射極和所述麥克風(fēng)的非地輸出端之間的依次串聯(lián)的第三電阻器和第六電阻器。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述第三電阻器和第六電阻器的連接處與接地端之間的第二電容器。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述PNP晶體管的基極和麥克風(fēng)的非地輸出端之間的依次串聯(lián)的第三電容器和第四電容器；設(shè)置在所述麥克風(fēng)的輸出端之間的第五電容器；以及設(shè)置在所述第三電容器和第四電容器的連接處與所述接地端之間的第七電阻器。 此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述第二電阻器中的不與所述NPN晶體管的集電極相連的一端和所述接地端之間的至少一個(gè)電容器。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述PNP晶體管的集電極和所述接地端之間的相互并聯(lián)的第八電阻器和第六電容器。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括正向設(shè)置在所述NPN晶體管的發(fā)射極和接地端之間的至少一個(gè)二極管。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述麥克風(fēng)放大電路還可以包括設(shè)置在所述NPN晶體管的發(fā)射極和接地端之間的第九電阻器。

為了實(shí)現(xiàn)上述以及相關(guān)目的，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面包括后面將詳細(xì)說明并在權(quán)利要求中特別指出的特征。下面的說明以及附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的某些示例性方面。然而，這些方面指示的僅僅是可使用本發(fā)明的原理的各種方式中的一些方式。此外，本發(fā)明旨在包括所有這些方面以及它們的等同物。


根據(jù)下述參照附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見。在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的放大電路的示意圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的放大電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A和3B分別示出了 NPN晶體管和PNP晶體管的小信號(hào)模型簡化電路；圖4示出了圖2中示出的放大電路的等效電路圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的放大電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6示出了圖5中示出的放大電路的等效電路圖；和圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的放大電路的電路應(yīng)用示例示意圖。在所有附圖中相同的標(biāo)號(hào)指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。(第一實(shí)施例)
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的放大電路10的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖2，所述放大電路10包括兩個(gè)級(jí)聯(lián)的晶體管，即，PNP晶體管Ql和NPN晶體管Q2。如圖2所示，PNP晶體管Ql的發(fā)射極通過電阻器R7 (即，第一電阻器)和電容器Cl( S卩，第一電容器)連接到NPN晶體管Q2的集電極，該電阻器R7和電容器Cl并聯(lián)在PNP晶體管Ql的發(fā)射極和NPN晶體管Q2的集電極之間。在本發(fā)明的另一示例中，在噪聲精度要求低的情況下也可以省略電容器Cl。NPN晶體管Q2的集電極通過電阻器R9 (即，第二電阻器)將經(jīng)過放大電路10放大后的信號(hào)輸出到后級(jí)電路或外部，并且在電阻器R9中的不與NPN晶體管Q2的集電極相連的另一端和接地端之間，還可以并聯(lián)設(shè)置有兩個(gè)電容器C6和C7，并且在經(jīng)過電容器C6和C7的處理后輸出到外部或后級(jí)電路。在本發(fā)明的其它示例中，根據(jù)設(shè)計(jì)需要，上述電容器C6和C7可以僅設(shè)置一個(gè)，或者，可以省略上述電容器C6和C7。NPN晶體管Q2的發(fā)射極通過電阻器RlO(即，第九電阻器)連接到接地端。在PNP晶體管Ql的發(fā)射極和基極之間設(shè)置有相互串聯(lián)的電阻器R5( S卩，第三電阻器)和電阻器R3(S卩，第四電阻器)。此外，在PNP晶體管Ql的基極與接地端之間設(shè)置有電阻器R4(即，第五電阻器)。電阻器R5、R3和R4進(jìn)行分壓，給PNP晶體管Ql的基極和射極一個(gè)偏置電壓，從而構(gòu)成PNP晶體管Ql的偏置電路。此外，優(yōu)選地，在PNP晶體管Ql的基極與接地端之間，還可以設(shè)置有與電阻器R4并聯(lián)的進(jìn)行濾波的電容器CS。此外，如圖2所示，在電阻器R5和R3的連接處和麥克風(fēng)的非地輸出端之間還可以設(shè)置有電阻器Rl (即，第六電阻器)。在進(jìn)行直流供電時(shí)，整個(gè)直流電路的供電是通過Jl輸入的，直流電壓通過Jl的第一腳輸入，通過電阻器R9，R7，R5，以及電阻器Rl給麥克風(fēng)一個(gè)直流偏置，從而構(gòu)成麥克風(fēng)的偏置電路。這里要說明的是，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，也可以省略上述偏置電路，或者采用由其它電路元件構(gòu)成的偏置電 路。關(guān)于如何構(gòu)成偏置電路在本領(lǐng)域中是公知的，在此不進(jìn)行詳細(xì)描述。此外，如圖2所示，還可以在電阻器Rl和電阻器R5的連接處和接地端之間設(shè)置電容器C5(即，第二電容器)。利用該電容器C5，可以防止由于從電阻器Rl支路過來的交流信號(hào)進(jìn)入到PNP晶體管Ql的發(fā)射極而造成的偏置變化而導(dǎo)致的信號(hào)變形以及輸出不穩(wěn)定。此外，通過設(shè)置電阻器R5和電容器C5，還可以保證后級(jí)反饋信號(hào)無法串入前級(jí)，從而降低
噪聲，提高信號(hào)質(zhì)量。此外，如圖2所示，還可以在PNP晶體管Ql的集電極和接地端之間設(shè)置相互并聯(lián)的電阻器R6 (即，第八電阻器)和電容器C9 (即，第六電容器)，用于對PNP晶體管Ql的集電極輸出的信號(hào)進(jìn)行濾波，從而提高PNP晶體管Ql的輸出信號(hào)質(zhì)量。此外，在PNP晶體管Ql的基極和麥克風(fēng)的輸出端之間還可以包括濾波電路單元。如圖2中所示，所述濾波電路單元包括電容器C2 ( S卩，第五電容)、電容器C3 ( S卩，第三電容器)、電容器C4(S卩，第四電容器)以及電阻器R2(S卩，第七電阻器)。濾波單元構(gòu)成一個(gè)高階濾波器，針對Mic信號(hào)進(jìn)行濾波，以降低信號(hào)噪聲。所述電容器C3和C4設(shè)置在麥克風(fēng)的非地輸出端和PNP晶體管Ql的基極之間，所述電容器C2設(shè)置在麥克風(fēng)地非地輸出端和接地端之間，以及所述電阻器R2設(shè)置在所述電容器C3和C4的連接處與接地端之間。同樣，這里描述的濾波電路單元也僅僅是示例，濾波電路單元也可以采用其它合適的配置。此外，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，同樣可以省略上述濾波電路單元。圖3A和3B分別示出了 NPN晶體管和PNP晶體管的小信號(hào)模型簡化電路圖，以及圖4示出了圖2中示出的放大電路的等效電路圖。下面參照圖4中示出的等效電路圖，對圖2中示出的放大電路的工作過程進(jìn)行說明。在放大電路10操作時(shí)，麥克風(fēng)Mic采集聲音信號(hào)，并將所采集的聲音信號(hào)轉(zhuǎn)變成交流信號(hào)。所述交流信號(hào)通過并聯(lián)的電容器C2進(jìn)行濾波，然后連接到電容器C3，然后在電容器C3后并聯(lián)電阻器R2形成一個(gè)濾波電路，然后串聯(lián)電容器C4，通過電容器C4直接進(jìn)入到PNP晶體管Ql的基極。在輸入信號(hào)進(jìn)入到麥克風(fēng)放大電路10中的PNP晶體管Ql (作為第一級(jí)放大電路)的基極后，經(jīng)過PNP晶體管Ql放大后從集電極輸出。從PNP晶體管Ql的集電極輸出后的信號(hào)經(jīng)過并聯(lián)的R6和C9的濾波處理，然后進(jìn)入到NPN晶體管Q2的基極，作為NPN晶體管Q2的輸入信號(hào)，以提高Q2的輸入信號(hào)質(zhì)量。NPN晶體管Q2作為第二級(jí)放大電路，對進(jìn)入NPN晶體管Q2的基極的信號(hào)進(jìn)行放大，放大后的交流信號(hào)從NPN晶體管Q2的集電極輸出，并通過電阻器R9，以及電容器C6、C7輸出到外部或后級(jí)電路。同時(shí)，從NPN晶體管Q2的集電極輸出的信號(hào)通過電阻器R7反饋給PNP晶體管Ql,形成負(fù)反饋回路。PNP晶體管Ql對反饋信號(hào)進(jìn)行處理，通過對電阻器R7和R9進(jìn)行設(shè)置，使得反饋回PNP晶體管Ql的信號(hào)不是很大，反饋回來的信號(hào)進(jìn)入Ql的基極，經(jīng)由Ql集電極再輸入到Q2的基極。通過對PNP晶體管Ql 進(jìn)行設(shè)置，可以采用犧牲Ql增益的方式，使得反饋回來很小的信號(hào)經(jīng)過Ql的作用達(dá)到深度 負(fù)反饋的效果，從而調(diào)節(jié)Q2的輸出，改善Q2的輸出線性度，提高NPN晶體管Q2的輸出的穩(wěn)定性。此外，由于串聯(lián)在Q2的發(fā)射極的電阻RlO的存在，抬高了 Q2輸出的直流電平，所以通過進(jìn)一步設(shè)置電阻器RlO的電阻值可以設(shè)置輸出電平的范圍。相較于其他電阻負(fù)反饋電路，由于存在PNP晶體管Ql這級(jí)放大電路，導(dǎo)致NPN晶體管Q2的輸出只要分出很小的一部分來反饋給PNP晶體Q1，就可以達(dá)到很好的反饋效果。此外，根據(jù)圖1中的負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的計(jì)算公式可以看出，在同樣的反饋條件下，本實(shí)施例的放大電路可以通過PNP晶體管Ql調(diào)整反饋回去的信號(hào)來進(jìn)行反饋深度的調(diào)整，從而實(shí)現(xiàn)高增益。而普通的電阻負(fù)反饋電路如果想要提高反饋深度，必須反饋更多的信號(hào)，這直接會(huì)導(dǎo)致輸出增益的降低。從上面可以看出，在根據(jù)本實(shí)施例的放大電路中，通過將所述第一電阻器R7和第二電阻器R9的電阻值設(shè)置為使得所述PNP晶體管Ql進(jìn)行低倍放大，并使得所述第一電阻器R7、第二電阻器R9和所述PNP晶體管Ql相對于所述NPN晶體管Q2形成負(fù)反饋電路。按照這種方式，將前級(jí)晶體管電路用作后級(jí)晶體管電路的負(fù)反饋電路，從而可以通過犧牲前級(jí)晶體管電路的增益進(jìn)行深度反饋，并且利用晶體管電路的非線性來保證輸出穩(wěn)定性和線性度。此外，通過設(shè)置在電阻器Rl和R5的連接處與接地端之間的電容器C5，可以防止由于從電阻器Rl支路過來的交流信號(hào)進(jìn)入到PNP晶體管Ql的發(fā)射極而造成的偏置變化而導(dǎo)致的信號(hào)變形以及輸出不穩(wěn)定。在輸入信號(hào)是聲音信號(hào)的情況下，通常電容器C5的電容值優(yōu)選被設(shè)置為在IOOuF 220uF之間。此外，通過設(shè)置電阻器R5和電容器C5，還可以保證后級(jí)反饋信號(hào)無法串入前級(jí)，從而降低噪聲，提高信號(hào)質(zhì)量。以上參照圖2到圖4對根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的放大電路10進(jìn)行了說明，但是要明白的是，上述實(shí)施例僅僅是例示性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，對上述實(shí)施例進(jìn)行各種修改。在其它實(shí)施例中，也可以刪除上述實(shí)施例中示出的部分元件或電路,或者對上述實(shí)施例中的元件進(jìn)行重新配置。例如,刪除上述偏置電路和/或?yàn)V波電路單元，或者對上述偏置電路和/或?yàn)V波電路單元的構(gòu)成進(jìn)行修改。此外，根據(jù)上述實(shí)施例的麥克風(fēng)放大電路的各個(gè)元件的參數(shù)值也可以根據(jù)具體設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。(第二實(shí)施例)圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的放大電路20的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5中示出的放大電路20中的大部分構(gòu)成元件與圖2中示出的放大電路10相同，放大電路20與圖2中示出的放大電路10的不同之處僅僅在于利用兩個(gè)二極管D1、D2來替換電阻器R10。如圖5所示，兩個(gè)二極管被正向串聯(lián)地設(shè)置在NPN晶體管Q2的發(fā)射極和接地端之間。具體地，二極管Dl的正極與NPN晶體管Q2的發(fā)射極相連，二極管Dl的負(fù)極與二極管D2的正極相連，以及二極管D2的負(fù)極與接地端相連。根據(jù)設(shè)計(jì)需要，在本發(fā)明的另一示例中，在NPN晶體管Q2的發(fā)射極和接地端之間也可以僅僅正向設(shè)置一個(gè)二極管，或者正向設(shè)置相互串聯(lián)的多于兩個(gè)二極管。

圖6示出了圖5中示出的放大電路20的等效電路圖。放大電路20的工作原理基本上與圖2中示出的放大電路10相同。下面僅僅對不同之處進(jìn)行說明。由于在NPN晶體管Q2的發(fā)射極和接地端設(shè)置了正向串聯(lián)的二極管D1、D2，該正向串聯(lián)的二極管D1，D2的存在抬高了輸出直流電平，從而可以達(dá)到后級(jí)要求電平。此外，當(dāng)輸入交流信號(hào)很大，并且輸出被放大到很高的峰值時(shí)，二極管Dl，D2通過對NPN晶體管Q2進(jìn)入飽和截止區(qū)的電平幅值的控制，能夠控制交流輸出電平的幅值。從上面可以看出，與一般放大電路針對輸出級(jí)電平的調(diào)整策略是通過在發(fā)射級(jí)串聯(lián)電阻實(shí)現(xiàn)的方式相比，根據(jù)本實(shí)施例的放大電路，可以在滿足高增益的同時(shí)實(shí)現(xiàn)后級(jí)要求的靜態(tài)輸出電平。也就是說，按照這種方式，可以克服原先的調(diào)整策略中存在的下述問題在電阻小的情況下無法達(dá)到要求的輸出直流電平，而在電阻大的情況下會(huì)降低放大倍數(shù)。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的放大電路10/20的電路應(yīng)用示例示意圖。如圖7所示，左邊方框內(nèi)為本發(fā)明的放大電路部分，Line A和Line B分別對應(yīng)圖2中Jl的I腳和2腳。根據(jù)本發(fā)明的放大電路特別適合于應(yīng)用于麥克風(fēng)中，用于對麥克風(fēng)輸出的交流信號(hào)進(jìn)行放大。此外，根據(jù)本發(fā)明的放大電路也適合于其它信號(hào)輸出設(shè)備。如上參照附圖對根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了修改，但是要明白的是，根據(jù)這里描述的實(shí)施例的方法權(quán)利要求的功能、步驟和/或動(dòng)作不需以任何特定順序執(zhí)行。此外，盡管本發(fā)明的元素可以以個(gè)體形式描述或要求，但是也可以設(shè)想多個(gè)，除非明確限制為單數(shù)。雖然如上參照圖描述了根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對上述本發(fā)明所提出的各個(gè)實(shí)施例，還可以在不脫離本發(fā)明內(nèi)容的基礎(chǔ)上做出各種改進(jìn)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書的內(nèi)容確定。
權(quán)利要求
1.一種麥克風(fēng)放大電路，包括PNP晶體管(Ql)以及NPN晶體管(Q2)，其中， 所述PNP晶體管(Ql)的發(fā)射極通過第一電阻器(R7)與所述NPN晶體管(Q2)的集電極相連； 所述PNP晶體管(Ql)的集電極與所述NPN晶體管(Q2)的基極相連；以及 所述NPN晶體管(Q2)的集電極通過第二電阻器(R9)向外部輸出放大后的信號(hào)， 其中，所述第一電阻器(R7)和第二電阻器(R9)的電阻值被設(shè)置為使得所述PNP晶體管(Ql)進(jìn)行低倍放大，并使得所述第一電阻器(R7)、第二電阻器(R9)和所述PNP晶體管(Ql)相對于所述NPN晶體管(Q2)形成負(fù)反饋電路。
2.如權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 與所述第一電阻器(R7)并聯(lián)的第一電容器(Cl)。
3.如權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述PNP晶體管(Ql)的發(fā)射極和基極之間的依次串聯(lián)的第三電阻器(R5)和第四電阻器(R3);以及設(shè)置在所述PNP晶體管(Ql)的基極和接地端之間的第五電阻器(R4)。
4.如權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述PNP晶體管(Ql)的發(fā)射極和所述麥克風(fēng)的非地輸出端之間的依次串聯(lián)的第三電阻器(R5)和第六電阻器(Rl)。
5.如權(quán)利要求4所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述第三電阻器(R5)和第六電阻器(Rl)的連接處與接地端之間的第二電容器(C5)。
6.如權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述PNP晶體管(Ql)的基極和麥克風(fēng)的非地輸出端之間的依次串聯(lián)的第三電容器(C3)和第四電容器(C4)； 設(shè)置在所述麥克風(fēng)的輸出端之間的第五電容器(C2);以及 設(shè)置在所述第三電容器(C3)和第四電容器(C4)的連接處與所述接地端之間的第七電阻器(R2)。
7.如權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述第二電阻器(R9)中的不與所述NPN晶體管(Q2)的集電極相連的一端和所述接地端之間的至少一個(gè)電容器(C6)。
8.如權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述PNP晶體管(Ql)的集電極和所述接地端之間的依次并聯(lián)的第八電阻器(R6)和第六電容器(C9)。
9.如權(quán)利要求1到8中任何一個(gè)所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 正向設(shè)置在所述NPN晶體管(Q2)的發(fā)射極和接地端之間的至少一個(gè)二極管(Dl)。
10.如權(quán)利要求1到8中任何一個(gè)所述的麥克風(fēng)放大電路，還包括 設(shè)置在所述NPN晶體管(Q2)的發(fā)射極和接地端之間的第九電阻器(RlO)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種麥克風(fēng)放大電路，包括PNP晶體管(Q1)以及NPN晶體管(Q2)，其中，PNP晶體管(Q1)的發(fā)射極通過第一電阻器(R7)與NPN晶體管(Q2)的集電極相連；PNP晶體管(Q1)的集電極與NPN晶體管(Q2)的基極相連；以及NPN晶體管(Q2)的集電極通過第二電阻器(R9)向外部輸出放大后的信號(hào)，其中，第一電阻器(R7)和第二電阻器(R9)的電阻值被設(shè)置為使得PNP晶體管(Q1)進(jìn)行低倍放大，并使得所述第一電阻器、第二電阻器和PNP晶體管相對于NPN晶體管形成負(fù)反饋電路。該放大電路通過犧牲前級(jí)晶體管電路的增益進(jìn)行深度負(fù)反饋，利用后級(jí)晶體管電路的非線性來保證輸出穩(wěn)定性和線性度。
文檔編號(hào)H04R3/00GK103067819SQ20111031701
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月18日
發(fā)明者徐小龍, 陳立國, 周靖, 姜斌斌 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司