專利名稱：無(wú)線通訊裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種無(wú)線通訊裝置。特別涉及通過(guò)電波發(fā)送/接收數(shù)據(jù)以及接收電カ的無(wú)線通訊裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，各種電氣設(shè)備越來(lái)越普及，豐富多彩的產(chǎn)品被發(fā)貨到市場(chǎng)上。特別是，便攜式無(wú)線通訊裝置的普及很顯著。作為ー個(gè)例子，對(duì)于手機(jī)、便攜式電視等來(lái)說(shuō)，顯示部的高精細(xì)化、電池的耐久性以及通訊裝置的低耗電量化提高，并且其方便性也提高。用于驅(qū)動(dòng)便攜式無(wú)線通訊裝置的電源具有內(nèi)置了有電池充電功能的電池的結(jié)構(gòu)，并通過(guò)該電池確保電源。作為電池一般使用鋰離子電池等的二次電池(以下稱為“電池”)，并且，現(xiàn)在通過(guò)將插頭插入到家庭用交流電源的AC適配器進(jìn)行電池的充電(例如，參照專利文件I)。另外，近年來(lái)，作為無(wú)線通訊裝置的使用形式，利用電磁場(chǎng)或電波等無(wú)線通信的個(gè)體識(shí)別技術(shù)引人注目。特別是，作為無(wú)線通訊裝置的ー個(gè)例子，利用通過(guò)無(wú)線通訊交換數(shù)據(jù)的RFID(射頻識(shí)別)標(biāo)簽的個(gè)體識(shí)別技術(shù)引人關(guān)注。RFID標(biāo)簽也被稱為IC(集成電路)標(biāo)簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無(wú)線標(biāo)簽以及電子標(biāo)簽。使用了 RFID標(biāo)簽的個(gè)體識(shí)別技術(shù)開(kāi)始適用于各種對(duì)象物的生產(chǎn)或管理等，并且期待該技術(shù)應(yīng)用到個(gè)人身份認(rèn)證。根據(jù)內(nèi)置有電源或者從外部接收電源供應(yīng)的區(qū)別，RFID標(biāo)簽可以分為兩種類型有源類型(主動(dòng)類型)和無(wú)源類型(被動(dòng)類型)，有源類型能夠發(fā)送包含RFID標(biāo)簽的信息的電波或電磁波，無(wú)源類型將來(lái)自外部的電波或電磁波(載波)轉(zhuǎn)換為電カ而驅(qū)動(dòng)(對(duì)于有源類型參照專利文件2，對(duì)于無(wú)源類型參照專利文件3)。有源類型的RFID標(biāo)簽內(nèi)置有用于驅(qū)動(dòng)RFID標(biāo)簽的電源，并且提供有用作電源的電池而構(gòu)成。另外，在無(wú)源類型中，利用來(lái)自外部的電波或電磁波(載波)作為用于驅(qū)動(dòng)RFID標(biāo)簽的電源，來(lái)實(shí)現(xiàn)不需安裝電池的結(jié)構(gòu)。專利文件I日本專利申請(qǐng)公開(kāi)2005-150022號(hào)專利文件2日本專利申請(qǐng)公開(kāi)2005-316724號(hào)專利文件3日本公表公報(bào)2006-503376號(hào)然而，手機(jī)、便攜式電視機(jī)等移動(dòng)式電子設(shè)備的使用頻度不斷増加。因此，需要提高電池的耐久性和電子設(shè)備的低耗電量化，但是對(duì)應(yīng)于使用時(shí)間的特性的提高受到限制。再者，對(duì)內(nèi)置在手機(jī)、便攜式電視機(jī)等中的電池的充電來(lái)說(shuō)，除了通過(guò)AC適配器由家庭用交流電源充電或由市場(chǎng)上銷售的一次電池充電以外，沒(méi)有其他方法。因此，存在有如下問(wèn)題對(duì)使用者來(lái)說(shuō)，充電工作很麻煩，并且長(zhǎng)時(shí)間在外面使用時(shí)，需要帶著作為供電単元的AC適配器或一次電池本身，這導(dǎo)致很重的負(fù)擔(dān)。另外，在采用提供有驅(qū)動(dòng)用電池的有源類型RFID標(biāo)簽的情況下，與無(wú)源類型RFID標(biāo)簽相比能夠延長(zhǎng)通訊距離，但存在如下問(wèn)題依靠于個(gè)體信息的發(fā)送/接收以及信號(hào)的發(fā)送/接收時(shí)所需要的電波的強(qiáng)度，但是電池不可避免地消耗，最后不能發(fā)生當(dāng)發(fā)送/接收個(gè)體信息時(shí)所需要的電力。因此存在ー個(gè)課題就是，為了連續(xù)使用提供有驅(qū)動(dòng)用電池的有源類型RFID標(biāo)簽，需要確認(rèn)電池的剰余容量以及更換電池等的工作。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的是在這種無(wú)線通訊裝置上簡(jiǎn)單地進(jìn)行電池的充電。另外，本發(fā)明的目的是提供不需進(jìn)行電池的更換工作而可以發(fā)送/接收個(gè)體信息的無(wú)線通訊裝置，該更換工作是隨著電池的電量減少而進(jìn)行的。為了解決上述這些問(wèn)題，本發(fā)明的特征在于提供RF電池(無(wú)線電池)作為用于向包含在無(wú)線通訊裝置中的電路供應(yīng)電カ的電源。而且，本發(fā)明的特征在于作為向該RF電池供應(yīng)電カ的単元，提供用于通過(guò)無(wú)線對(duì)RF電池充電的天線電路。而且，本發(fā)明的特征在于在無(wú)線通訊裝置中提供多個(gè)RF電池。以下，將描述本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的ー種無(wú)線通訊裝置包括天線電路；以及，通過(guò)開(kāi)關(guān)電連接到天線電路的多個(gè)電池，其中，多個(gè)電池分別電連接到不同的電路，并且，通過(guò)用天線電路接收電波，對(duì)多個(gè)電池充電。另外，本發(fā)明的ー種無(wú)線通訊裝置包括多個(gè)天線電路；以及，通過(guò)開(kāi)關(guān)電連接到多個(gè)天線電路中的任何ー個(gè)的多個(gè)電池，其中，多個(gè)電池分別電連接到不同的電路，并且，通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到多個(gè)電池的天線電路接收電波，以對(duì)多個(gè)電池充電，并且，多個(gè)天線電路中的至少ー個(gè)接收不同頻率的電波。另外，本發(fā)明的ー種無(wú)線通訊裝置包括多個(gè)天線電路；通過(guò)開(kāi)關(guān)電連接到多個(gè)天線電路中的任何一個(gè)的多個(gè)電池；以及,至少電連接到多個(gè)天線電路中的任何一個(gè)的通訊控制電路，其中，多個(gè)電池分別電連接到不同的電路，并且，通訊控制電路通過(guò)連接到該通訊控制電路的天線電路向外部發(fā)送數(shù)據(jù)，并且，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)連接到多個(gè)電池的天線電路接收電波，以對(duì)多個(gè)電池充電，并且，多個(gè)天線電路中的至少ー個(gè)接收不同頻率的電波。另外，本發(fā)明的ー種無(wú)線通訊裝置包括第一天線電路；第二天線電路；通過(guò)第一開(kāi)關(guān)電連接到第一天線電路的第一電池；以及，通過(guò)第二開(kāi)關(guān)電連接到第二天線電路的第ニ電池，其中，通過(guò)用第一天線電路接收電波，對(duì)第一電池充電，并且，通過(guò)用第二天線電路接收電波，對(duì)第二電池充電，并且，第一電池和第二電池電連接到不同的電路，并且，第一天線電路和第二天線電路接收不同頻率的電波。另外，本發(fā)明的ー種無(wú)線通訊裝置包括第一天線電路；第二天線電路；第三天線電路；通過(guò)第一開(kāi)關(guān)電連接到第一天線電路且通過(guò)第二開(kāi)關(guān)電連接到第二天線電路的第一電池；以及，通過(guò)第三開(kāi)關(guān)電連接到第三天線電路的第二電池，其中，通過(guò)用第一天線電路或第二天線電路接收電波，對(duì)第一電池充電，并且，通過(guò)用第三天線電路接收電波，對(duì)第二電池充電，并且，第一電池和第二電池電連接到不同的電路，并且，第一天線電路和第二天線電路接收不同頻率的電波。另外，本發(fā)明的ー種無(wú)線通訊裝置包括第一天線電路；第二天線電路；電連接到第一天線電路及第ニ天線電路的信號(hào)處理電路；通過(guò)用第一天線電路接收電波來(lái)進(jìn)行充電的第一電池；以及，通過(guò)用第二天線電路接收電波來(lái)進(jìn)行充電的第二電池，其中，第一天線電路發(fā)送/接收信號(hào)，以便向外部發(fā)送存儲(chǔ)在信號(hào)處理電路中的數(shù)據(jù)，并且，第一電池和第ニ電池向設(shè)置在信號(hào)處理電路中的不同電路供應(yīng)電源，并且，第一天線電路和第二天線電路接收不同頻率的電波。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，具有蓄電單元作為電池即可，可以使用形成為片狀的鋰電池，優(yōu)選使用用凝膠狀電解質(zhì)的鋰聚合物電池、鋰離子電池等。另外，可以使用可充放電的電池諸如鎳氫電池、鎳鎘電池等。此外，也可以使用電容器等諸如雙電層電容器、陶瓷電容器、疊層陶瓷電容器而代替電池。注意，在本說(shuō)明書(shū)中，無(wú)線通訊裝置是指能夠通過(guò)無(wú)線進(jìn)行發(fā)送/接收電波來(lái)發(fā)揮功能的所有裝置。本發(fā)明通過(guò)在無(wú)線通訊裝置中提供可無(wú)線充電的電池，可以使對(duì)提供在無(wú)線通訊裝置中的電池的充電簡(jiǎn)化，來(lái)不需進(jìn)行伴隨電池的電量減少的電池更換工作，而獲得能與外部持久進(jìn)行信息發(fā)送/接收的無(wú)線通訊裝置。此外，通過(guò)在無(wú)線通訊裝置中提供多個(gè)電池，可以防止無(wú)線通訊裝置的系統(tǒng)停止。此外，通過(guò)在每個(gè)耗電量不同的電路中提供多個(gè)電池，可以抑制過(guò)分耗電且實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)線通訊裝置的電カ節(jié)省。


圖I是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖2是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖3A和3B是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖4是表示向本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置發(fā)送電波的給電器的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖5A至5E是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的天線的ー個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖6是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖7是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖8是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖9是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖10是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖11是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖12是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖13是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖14是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的動(dòng)作的ー個(gè)例子的圖；圖15是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖16是表示向本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置發(fā)送電波的讀取寫(xiě)入器的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子的圖；圖17A至17E是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的使用方式的ー個(gè)例子的圖；圖18A至18D是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的使用方式的ー個(gè)例子的圖；圖19A至19D是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的制造方法的ー個(gè)例子的圖；圖20A至20C是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的制造方法的ー個(gè)例子的圖；圖21A和21B是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的制造方法的ー個(gè)例子的圖；圖22A和22B是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的制造方法的ー個(gè)例子的圖；圖23A和23B是表示本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的制造方法的一個(gè)例子的圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過(guò)多種不同的方式來(lái)實(shí)施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解ー個(gè)事實(shí)就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗g及其范圍內(nèi)可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在以下說(shuō)明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，表示相同對(duì)象的附圖標(biāo)記在不同的附圖中共同使用。實(shí)施方式I
在本實(shí)施方式中，將參照

安裝有受電裝置部的無(wú)線通訊裝置的ー個(gè)例子。本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置400包括受電裝置部401和電源負(fù)載部402 (參照?qǐng)DI)。受電裝置部401包括多個(gè)RF電池部，該RF電池部具備天線電路、整流電路、電壓控制電路、開(kāi)關(guān)、充電控制電路以及電池。圖I示出了在受電裝置部401中提供N個(gè)(在圖I中，N彡3)RF電池部的結(jié)構(gòu)，其中第一 RF電池部401_1具備第一天線電路411_1、第一整流電路412_1、第一電壓控制電路413_1、第一開(kāi)關(guān)414_1、第一充電控制電路416_1以及第一電池 415_1。同樣地，第二 RF電池部401_2具備第二天線電路411_2、第二整流電路412_2、第ニ電壓控制電路413_2、第二開(kāi)關(guān)414_2、第二充電控制電路416_2以及第ニ電池415_2。而且，第N RF電池部401_N具備第N天線電路411_N、第N整流電路412_N、第N電壓控制電路413_N、第N開(kāi)關(guān)414_N、第N充電控制電路416_N以及第N電池415_N。電源負(fù)載部402提供有構(gòu)成無(wú)線通訊裝置的多個(gè)電路。這里示出了如下例子-J人第一電池415_1向第一電路417_1供應(yīng)電力，從第二電池415_2向第二電路417_2供應(yīng)電力，而且從第N電池415_N向第N電路417_N供應(yīng)電力。另外，在RF電池部的動(dòng)作需要電源的情形中，可以使用設(shè)在RF電池部的電池。注意，電路417_1至417_Ni實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電路、存儲(chǔ)控制電路、邏輯電路、像素部、顯示控制部和集成電路部等特別功能的電路，所以根據(jù)無(wú)線通訊裝置400的功能具有不同的電路結(jié)構(gòu)。另外，第一天線電路411_1至第N天線電路411_N的每ー個(gè)可以由天線451和共振電容452構(gòu)成。在本說(shuō)明書(shū)中，將天線451和共振電容452組合稱為天線電路411 (參照?qǐng)D 3A)。另外，第一整流電路412_1至第N整流電路412_N的每ー個(gè)只要是將由天線接收的電波誘導(dǎo)的交流信號(hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)的電路即可。整流電路主要由ニ極管和平滑電容器構(gòu)成。還可以提供電阻和電容以便調(diào)節(jié)阻杭。例如，如圖3B所示，由ニ極管453和平滑電容器455構(gòu)成整流電路412即可。第一電壓控制電路413_1至第N電壓控制電路413_N只要是將從整流電路輸出的直流電壓維持一定數(shù)值的電路(恒壓電路)即可。此外，在以恒電流對(duì)電池充電的情況下，采用將直流電流維持一定數(shù)值的電路(恒流電源)而代替電壓控制電路，即可。第一開(kāi)關(guān)414_1至第N開(kāi)關(guān)414_N以及第一充電控制電路416_1至第N充電控制電路416_N是為了在充電電池時(shí)控制充放電而提供的。通過(guò)控制電池的充放電，可以防止電池的過(guò)量充電，并且有效地利用電池。
這里，第一充電控制電路416_1至第N充電控制電路416_N分別連接到第一電池415_1至第N電池415_N且監(jiān)視該電池的充電狀況，而根據(jù)充電狀況控制第一開(kāi)關(guān)414_1至第N開(kāi)關(guān)414_N的接通和關(guān)斷。通過(guò)控制第一開(kāi)關(guān)414_1至第N開(kāi)關(guān)414_N的接通和關(guān)斷，可以抑制對(duì)第一電池415_1至第N電池415_N過(guò)量充電。另外，還可以在第一電池415_1和第一電路417_1之間提供開(kāi)關(guān)(沒(méi)有圖示出)。也可以通過(guò)第一充電控制電路416_1監(jiān)視第一電池415_1的充電狀況，而且根據(jù)充電狀況控制該開(kāi)關(guān)的接通和關(guān)斷。通過(guò)在第一電池415_1和第一電路417_1之間設(shè)置開(kāi)關(guān)而進(jìn)行控制，可以抑制對(duì)第一電池415_1的過(guò)量充電。當(dāng)然，也可以在第二電池415_2和第二電路417_2之間以及第N電池415_N和第N電路417_N之間設(shè)置開(kāi)關(guān)。另外，第一電池415_1至第N電池415_N只要是通過(guò)充電可以恢復(fù)電カ的電池即可。例如，使用形成為片狀的鋰電池，優(yōu)選使用用凝膠狀電解質(zhì)的鋰聚合物電池、鋰離子電池等，以實(shí)現(xiàn)無(wú)線通訊裝置的小型化。不言而喻，只要是可充電的電池則可以任意使用，也可為可充電放電的電池如鎳氫電池、鎳鎘電池。此外，也可以采用設(shè)置有電容器等諸如雙電層電容器、陶瓷電容器、疊層陶瓷電容器而代替電池的結(jié)構(gòu)。 在本說(shuō)明書(shū)中，電池是指如下元件將從外部獲得的電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能而存儲(chǔ)，并根據(jù)需要取出該能量作為電動(dòng)勢(shì)。此外，電容器是指如下元件在導(dǎo)體中存儲(chǔ)大量的電荷，并且當(dāng)彼此絕緣的兩個(gè)導(dǎo)體靠近而帶正負(fù)電荷時(shí)，由該電荷之間的庫(kù)侖カ存儲(chǔ)電荷。另外，當(dāng)在電信裝置中提供多個(gè)電池時(shí)，也可以組合提供不同種類的電池和電容器。例如，可以組合提供陶瓷電容器和雙電層電容器。在將多個(gè)電池分別連接到每個(gè)不同電路而供應(yīng)電カ的情況下，通過(guò)在每個(gè)耗電量不同的電路中分別提供電池，可以抑制過(guò)分耗電且減少耗電量。例如，在有需要IOV的電路以及3V就足夠的電路的情況下，如果只有ー個(gè)電池，還對(duì)3V就足夠的電路供應(yīng)多余電源，從而導(dǎo)致了耗電量的増加。然而，通過(guò)在每個(gè)耗電量不同的電路中分別提供電池，可以有效地對(duì)多個(gè)電路供應(yīng)電カ，并且減少無(wú)線通訊裝置的耗電量。另外，在圖I中，與每個(gè)具有不同功能的電路電連接地提供多個(gè)電池，但也可以將多個(gè)電池連接到ー個(gè)電路而供應(yīng)電源。在此情況下,與多個(gè)電池的每ー個(gè)電連接的天線電路分別接收不同頻率的電波，從而能夠利用多種頻率的電波對(duì)電池充電。接下來(lái)，圖2表示如下情況設(shè)置在受電裝置部401的第一天線電路411_1至第N天線電路411_N接收電波而對(duì)第一電池415_1至第N電池415_N充電。在本實(shí)施方式中，提供在受電裝置部401的第一電池415_1至第N電池415_N通過(guò)用第一天線電路411_1至第N天線電路411_N接收電波而充電。也就是說(shuō)，具有對(duì)電池進(jìn)行無(wú)線充電的結(jié)構(gòu)。作為第一天線電路411_1至第N天線電路411_N接收的電波，既可以為從給電器發(fā)送的電波，又可以為外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波。作為給電器只要是發(fā)送特定波長(zhǎng)的電波的裝置即可，優(yōu)選發(fā)送具有設(shè)在天線電路中的天線容易接收的波長(zhǎng)的電波。作為外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波，例如可以利用手機(jī)中繼站的電波(800至900MHz頻帶、I. 5GHz、l. 9至2. IGHz頻帶等)、手機(jī)振蕩的電波、電波鐘的電波(40kHz等)、家用交流電源的噪聲(60Hz等)。另外，也可以組合設(shè)置利用來(lái)自給電器的電波對(duì)電池充電的天線電路以及利用外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波對(duì)電池充電的天線電路。這里示出了如下例子第一天線電路411_1接收從給電器420發(fā)送的電波對(duì)第一電池415_1充電，而第二天線電路411_2至第N天線電路411_N接收外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波205對(duì)第二電池415_2至第N電池415_N充電。在提供多個(gè)天線電路以對(duì)多個(gè)電池充電的情況下，多個(gè)天線電路可以接收同一頻率的電波，但優(yōu)選的是，多個(gè)天線電路中的至少ー個(gè)天線電路接收與其他天線電路不同頻率的電波。這是因?yàn)槿绻鄠€(gè)天線電路接收同一頻率的電波，則天線電路的數(shù)量越多充電效率越低的緣故。當(dāng)使用給電器420對(duì)電池進(jìn)行無(wú)線充電時(shí)，可以穩(wěn)定地進(jìn)行充電。此外，可以在多個(gè)天線電路中，使設(shè)置在天線電路中的天線的形狀相同，以形成多個(gè)天線電路接收從ー個(gè)給電器發(fā)送的電波而對(duì)多個(gè)電池充電的結(jié)構(gòu)。另外，圖2的給電器420可以由送電控制部601和天線電路602構(gòu)成(參照?qǐng)D4)。送電控制部601調(diào)制發(fā)送到無(wú)線通訊裝置400中的受電裝置部401的送電用電信號(hào)，且從天線電路602輸出送電用電磁波。
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在本實(shí)施方式中，圖4所示的給電器600的天線電路602連接到送電控制部601，并且包括構(gòu)成LC并聯(lián)共振電路的天線603及共振電容604。送電控制部601在送電時(shí)向天線電路602供應(yīng)感應(yīng)電流，且從天線603向受電裝置部401輸出送電用電磁波。注意，作為從給電器420發(fā)送的信號(hào)的頻率，例如可以使用300GHz至3THz的亞毫米波、30GHz至300GHz的毫米波、3GHz至30GHz的微波、300MHz至3GHz的極超短波、30MHz至300MHz的超短波、3MHz至30MHz的短波、300KHz至3MHz的中波、30KHz至300KHz的長(zhǎng)波、以及3KHz至30KHz的超長(zhǎng)波中的任何頻率。另ー方面，在接收外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波對(duì)電池進(jìn)行無(wú)線充電的情況下，沒(méi)有附加需要用于電池充電的給電器等，所以可以謀求低成本化和攜帯方便性的提高。此外，在接收外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波對(duì)多個(gè)電池充電的情況下，將提供在天線電路中的天線的形狀形成為容易接收其外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波的形狀。當(dāng)然，在多個(gè)天線電路中，可以采用提供同一形狀的天線來(lái)接收同一頻率的電波的結(jié)構(gòu)，也可以采用提供不同形狀的天線來(lái)接收不同頻率的電波的結(jié)構(gòu)。例如，在第一天線電路411_1至第N天線電路411_N中，既可采用天線的形狀都不相同的結(jié)構(gòu)，又可采用提供多個(gè)(例如m個(gè)(2<m<N))相同形狀的天線的結(jié)構(gòu)。另外，在圖I、圖2所示的無(wú)線通訊裝置400中，可以提供實(shí)現(xiàn)與外部進(jìn)行信息的發(fā)送/接收的通訊控制電路(圖12)。這里，可以將第一通訊控制電路419_1連接到第一天線電路411_1，并通過(guò)該第一天線電路411_1與外部進(jìn)行信息的發(fā)送/接收。而且，通過(guò)將第一通訊控制電路419_1與第一電池415_1電連接，可以從第一電池415_1向第一通訊控制電路419_1供應(yīng)電源。作為第一通訊控制電路419_1只要提供能夠與外部進(jìn)行信息的發(fā)送/接收的電路即可，例如，可以由解調(diào)電路、調(diào)制電路、邏輯電路、存儲(chǔ)電路等構(gòu)成。此外，有時(shí)將第一至第N通訊控制電路、第一至第N整流電路、第一至第N電壓控制電路、第一至第N開(kāi)關(guān)以及第一至第N充電控制電路組合稱為信號(hào)處理電路。注意，還可以將通訊控制電路設(shè)置在每個(gè)天線電路中，這里示出了與第N天線電路411_N電連接地提供第N通訊控制電路419_N的例子。對(duì)在第一天線電路411_1至第N天線電路411_N中的天線451的形狀沒(méi)有特別的限制。例如，如圖5A所示，也可以采用在設(shè)置有電路的芯片440的周圍配置一面的天線451的結(jié)構(gòu)。此外，如圖5B所示，也可以采用配置為設(shè)置有電路的芯片440由細(xì)天線451圍繞的結(jié)構(gòu)。此外，如圖5C所示，也可以采用配置設(shè)置有電路的芯片440且接收高頻電磁波的天線451的形狀。此外，如圖所示，也可以采用配置對(duì)于設(shè)置有電路的芯片440具有180度全向性(能夠從所有方向均勻地接收)的天線451的形狀。此外，如圖5E所示，可以采用配置設(shè)置有電路的芯片440且拉伸成棒狀并折疊的天線451的形狀。另外，天線451也可以為平板天線。此外，電路417和天線電路411中的天線451的連接方法并不局限于圖中所示的結(jié)構(gòu)。例如，可以彼此分開(kāi)地配置天線電路411和電路417且用布線連接，也可以相鄰地連接在一起。此外，對(duì)天線451的長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，由于根據(jù)利用的電波的頻率適當(dāng)長(zhǎng)度不同，所以優(yōu)選根據(jù)利用的電波而設(shè)定。像這樣，通過(guò)在每個(gè)電路中提供多個(gè)可無(wú)線充電的電池，可以防止因ー個(gè)電池耗盡導(dǎo)致的無(wú)線通訊裝置系統(tǒng)的停止。此外，通過(guò)在每個(gè)耗電量不同的電路中提供多個(gè)電池，可以抑制過(guò)分耗電。例如，當(dāng)存在工作時(shí)需要電壓Vl的功能電路以及需要電壓V2(V1 >V2)的功能電路時(shí)，通過(guò)在每個(gè)上述功能電路中提供電池來(lái)供應(yīng)電源，可以抑制多余的電カ 供應(yīng)且減少耗電量。注意，本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置可以與本說(shuō)明書(shū)中的其他實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的結(jié)構(gòu)組合而實(shí)施。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，將參照

具有顯示單元的無(wú)線通訊裝置(例如手機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)等)的結(jié)構(gòu)作為上述實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的ー個(gè)實(shí)例。本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置400包括受電裝置部401和電源負(fù)載部402，其中，受電裝置部401具備第一 RF電池部401_1及第ニ RF電池部401_2，而且電源負(fù)載部402包括設(shè)有像素部431及顯示控制部432的顯示部430和集成電路部433 (參照?qǐng)D6)。集成電路部433是對(duì)除了顯示部430以外的信號(hào)進(jìn)行處理的電路。顯示部430提供有像素部431以及用于控制該像素部431的顯示控制部432。當(dāng)然，提供在顯示部430的像素部431中的顯示元件可以是任何種類，并且可以應(yīng)用電致發(fā)光元件、液晶元件等。另外，當(dāng)與外部進(jìn)行信息的發(fā)送/接收時(shí)，如圖12所示，可以提供通訊控制電路。例如，可以分別與第一天線電路411_1及第ニ天線電路411_2電連接地提供第一通訊控制電路419_1及第二通訊控制電路419_2(參照?qǐng)D13)。可以分別利用第一電池415_1及第ニ電池415_2來(lái)進(jìn)行對(duì)第一通訊控制電路419_1及第二通訊控制電路419_2的電カ供應(yīng)。作為第一電池415_1及第ニ電池415_2，可以使用上述實(shí)施方式所不的電池和電容器。在本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置中，從第一電池415_1向像素部431和顯示控制部432供應(yīng)電力，并且從第二電池415_2向集成電路部433供應(yīng)電力。在此情況下，即使第一電池415_1和第二電池415_2中的一方耗盡，雖然像素部431及顯示控制部432和集成電路部433中的一方停止工作，但也可以使另ー個(gè)部分繼續(xù)工作。以下，將說(shuō)明使用給電器對(duì)第一電池415_1及第ニ電池415_2充電的情況。注意，這里將說(shuō)明使用第一給電器421對(duì)第一電池415_1充電,而且使用第二給電器422對(duì)第二電池415_2充電的情況。首先，從第一給電器421發(fā)射電波。當(dāng)設(shè)置在受電裝置部401的第一天線電路411_1接收從第一給電器421發(fā)射的電波時(shí)，在第一整流電路412_1中進(jìn)行半波整流，然后，由第一電壓控制電路413_1生成一定的電壓。而且，第一開(kāi)關(guān)414_1接通,開(kāi)始對(duì)第一電池415_1充電。注意，在此使用第一充電控制電路416_1以控制第一開(kāi)關(guān)414_1。就是說(shuō)，第一充電控制電路416_1監(jiān)視對(duì)第一電池415_1的充電狀態(tài),并且根據(jù)該充電狀態(tài)控制第一開(kāi)關(guān)414_1的接通或關(guān)斷。例如,第一充電控制電路416_1在開(kāi)始充電之后監(jiān)視第一電池415_1的電壓值，當(dāng)?shù)谝浑姵?15_1的電壓大于等于預(yù)定值時(shí),使第一開(kāi)關(guān)414_1關(guān)斷，以結(jié)束充電。另外，在提供第一通訊控制電路419_1的情況下，可以通過(guò)第一天線電路411_1發(fā)射用于傳送充電結(jié)束的信號(hào)，來(lái)使接收該信號(hào)的第一給電器421停止發(fā)送電磁波。另外，也可以與上述同樣地對(duì)第二電池415_2充電。此外，通過(guò)將第一天線電路
411_1和第二天線電路411_2設(shè)置為使這些電路接收不同頻率的電波，可以有效地對(duì)第一電池415_1和第二電池415_2充電。注意，在上述圖6中示出了提供兩個(gè)電池的例子，但并不局限于此，也可以采用提供三個(gè)或更多個(gè)電池的結(jié)構(gòu)。另外，這里示出了對(duì)應(yīng)于一個(gè)電池提供ー個(gè)天線電路、整流電路、電壓控制電路、開(kāi)關(guān)以及充電控制電路的例子，但不局限于該結(jié)構(gòu)。例如，如圖7所示，可以使用第一天線電路4111及第ニ天線電路411_2對(duì)第一電池415_1充電。在此情況下，第一天線電路411_1和第二天線電路411_2接收不同頻率的電波，從而可以利用為了對(duì)第一電池415_1的充電的多種頻率，因此可以有效地進(jìn)行充電。另外，也可以使用第一天線電路411_1和第二天線電路411_2中的一方接收來(lái)自給電器的電波來(lái)充電第一電池415_1，而且使用另一方的天線電路接收外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波來(lái)充電第一電池415_1。在此情況下，不用說(shuō)在從給電器發(fā)送電波的情況下，也在從給電器沒(méi)有發(fā)送電波的情況下可以對(duì)第一電池415_1充電。另外，在圖7所示的無(wú)線通訊裝置中，使用第一充電控制電路416_1根據(jù)第一電池415_1的充電狀況控制第一開(kāi)關(guān)414_1及第ニ開(kāi)關(guān)414_2的接通和關(guān)斷。這里示出了通過(guò)使用第三天線電路411_3、第三整流電路412_3、第三電壓控制電路413_3、第三開(kāi)關(guān)414_3、第二充電控制電路416_2來(lái)對(duì)第二電池415_2充電的例子，但也可以采用與第一電池415_1同樣地使用多個(gè)天線電路進(jìn)行充電的結(jié)構(gòu)。在此，通過(guò)根據(jù)外部隨機(jī)產(chǎn)生的多個(gè)頻率之中容易接收的兩種頻率設(shè)定提供在第一天線電路411_1及第ニ天線電路411_2中的天線的形狀，可以有效地對(duì)第一電池415_1充電。此外，可以通過(guò)使用從給電器發(fā)射的電波來(lái)進(jìn)行對(duì)第二電池415_2的穩(wěn)定充電，該第ニ電池415_2是通過(guò)ー個(gè)天線電路充電的。當(dāng)然，在圖7中，也可以準(zhǔn)備三個(gè)給電器，以通過(guò)第一天線電路411_1至第三天線電路411_3對(duì)第一電池415_1及第ニ電池415_2充電。另外，也可以通過(guò)一個(gè)天線電路對(duì)多個(gè)電池充電。例如，如圖8所示，可以通過(guò)使用第一天線電路411_1、第一整流電路412_1、第一電壓控制電路413_1、第一開(kāi)關(guān)414_1、第ニ開(kāi)關(guān)414_2、第一充電控制電路416_1，來(lái)對(duì)第一電池415_1及第ニ電池415_2充電。像這樣，通過(guò)在每個(gè)電路中提供多個(gè)可無(wú)線充電的電池，可以容易進(jìn)行無(wú)線通訊裝置的充電。此外，通過(guò)在每個(gè)耗電量不同的電路中提供多個(gè)電池，可以抑制過(guò)分供電且減少耗電量。注意，本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置可以與本說(shuō)明書(shū)中的其他實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的結(jié)構(gòu)組合而實(shí)施。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，將參照

與上述實(shí)施方式不同的無(wú)線通訊裝置的ー個(gè)例子。具體而言，作為無(wú)線通訊裝置的ー個(gè)例子，舉出RFID(射頻識(shí)別)標(biāo)簽(也稱為IC(集成電路)標(biāo)簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無(wú)線標(biāo)簽、無(wú)線芯片以及電子標(biāo)簽)作為例子進(jìn)行說(shuō)明。將使用圖9、圖10所示的方塊圖說(shuō)明本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置(下面也稱為RFID標(biāo)簽)。圖9所示的RFID標(biāo)簽100包括第一天線電路101、第二天線電路121、信號(hào)處理電 路110、第一電池105以及第ニ電池125。信號(hào)處理電路110包括控制第一電池的充放電的電路、控制第二電池的充放電的電路、從外部接收特定的信號(hào)且控制與外部之間的數(shù)據(jù)的發(fā)送/接收的電路(通訊控制電路)。作為控制第一電池105的充放電的電路，提供有第一整流電路102、第一電壓控制電路103、第一開(kāi)關(guān)104、第一充電控制電路106以及第ニ開(kāi)關(guān)107等。而且，作為控制第二電池125的充放電的電路，提供有第二整流電路122、第二電壓控制電路123、第三開(kāi)關(guān)124以及第二充電控制電路126等。此外，作為通過(guò)第一天線電路101控制信息的發(fā)送/接收的電路(通訊控制電路)，提供有解調(diào)電路133、放大器134、邏輯電路135、存儲(chǔ)控制電路136、存儲(chǔ)電路137、邏輯電路138、放大器139、調(diào)制電路140、第一電源電路141、第二電源電路142等。另外，在圖9中，控制信息的發(fā)送/接收的電路利用通過(guò)第一電源電路141從第一電池105供應(yīng)的電源、或者通過(guò)第二電源電路142從第二電池125供應(yīng)的電源而工作。作為第一電池105、第二電池125,可以使用上述實(shí)施方式I所不的電池和電容器。接下來(lái)，將參照?qǐng)D10和圖14說(shuō)明RFID100與外部以無(wú)線方式進(jìn)行信息的發(fā)送/接收的情況；以及對(duì)第一電池105和第二電池125充電的情況。注意，圖10示出第一天線電路101接收來(lái)自讀取寫(xiě)入器201的電波202 (或者將電波202發(fā)送到讀取寫(xiě)入器201)，并且第二天線電路121接收外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波205的情況。先將參照?qǐng)D14說(shuō)明當(dāng)?shù)谝惶炀€電路101接收來(lái)自讀取寫(xiě)入器201的電波時(shí)的動(dòng)作。首先，讀取寫(xiě)入器201發(fā)送電波(551)，而第一天線電路101開(kāi)始接收從讀取寫(xiě)入器201發(fā)送的電波202 (552)。接著，RFID標(biāo)簽100確認(rèn)第一電池105的電壓是否大于等于預(yù)定的電壓值(例如Vx) (553)。如果第一電池105的電壓小于Vx，就關(guān)斷第二開(kāi)關(guān)107以便不將第一電池105的電カ供應(yīng)到其他的電路(554)。隨后，確認(rèn)來(lái)自讀取寫(xiě)入器201的電波的振幅是否大于等于預(yù)定的電壓值(例如Vy) (555)。如果小于等于預(yù)定的電壓值，就關(guān)斷第一開(kāi)關(guān)104(556)來(lái)停止對(duì)第一電池105的充電(557)。而且，待機(jī)到來(lái)自讀取寫(xiě)入器201的電波的振幅大于等于預(yù)定的電壓值。在來(lái)自讀取寫(xiě)入器201的電波的振幅小的情況下，通過(guò)關(guān)斷第一開(kāi)關(guān)104可以防止從第一電池105向第一天線電路101的電倒流。如果來(lái)自讀取寫(xiě)入器201的電波的振幅大于等于預(yù)定的電壓值，就接通第一開(kāi)關(guān)104(558)來(lái)開(kāi)始對(duì)第一電池105的充電(559)。在充電時(shí)，使用第一充電控制電路106監(jiān)視第一電池105的充電狀況,來(lái)監(jiān)視第一電池105的電壓值。而且，當(dāng)?shù)谝浑姵?05的電壓大于等于預(yù)定的電壓值時(shí)，關(guān)斷第一開(kāi)關(guān)104(560)以停止充電(561)。然后，在第一開(kāi)關(guān)104關(guān)斷的同時(shí)或之后接通第二開(kāi)關(guān)107(562)，通過(guò)第一電源電路141將電カ供應(yīng)到設(shè)置在信號(hào)處理電路110中的電路，從而RFID標(biāo)簽100向讀取寫(xiě)入器201發(fā)送包含用于開(kāi)始通訊的信號(hào)的電波(以下有時(shí)也簡(jiǎn)稱為“信號(hào)”)(563)。而且，讀取寫(xiě)入器201在接收所述信號(hào)之后(564)，將所需要的信息發(fā)送到RFID標(biāo)簽100(565)。RFID標(biāo)簽100接收從讀取寫(xiě)入器201發(fā)送的信號(hào)(566)，對(duì)接受的信號(hào)進(jìn)行處理(567)，并發(fā)送回信信號(hào)(568)。然后，讀取寫(xiě)入器201接收從RFID標(biāo)簽100發(fā)送的信號(hào)之后(569)，結(jié)束通訊(570)。接著，將說(shuō)明在第二天線電路121接收外部電波205的情況下的動(dòng)作。當(dāng)?shù)诙炀€電路121從外部接收電波205時(shí)，RFID標(biāo)簽100確認(rèn)第二電池125的 電壓是否大于等于預(yù)定的電壓值。而且，如果第二電池125的電壓小于預(yù)定的電壓值，就使第三開(kāi)關(guān)124接通(或維持接通狀態(tài))，以對(duì)第二電池125充電。在充電時(shí)，使用第二充電控制電路126監(jiān)視第二電池125的充電狀況，來(lái)監(jiān)視第二電池125的電壓值。而且，當(dāng)?shù)诙姵?25的電壓大于等于預(yù)定的電壓值時(shí)，關(guān)斷第三開(kāi)關(guān)124以停止充電。通過(guò)關(guān)斷第三開(kāi)關(guān)124，可以防止對(duì)第二電池125過(guò)量充電。而且，當(dāng)?shù)讠穗姵?25的電壓小于預(yù)定的電壓值時(shí)，使第三開(kāi)關(guān)接通以對(duì)第二電池125充電。存儲(chǔ)在第二電池125中的電源通過(guò)第二電源電路142供應(yīng)到信號(hào)處理電路110的電路。此外，在此采用了第二電池125—直給第二電源電路142供應(yīng)電源的結(jié)構(gòu)。像這樣，通過(guò)提供一直將電源供應(yīng)到RFID標(biāo)簽100的第二電池125，可以防止RFID標(biāo)簽100的系統(tǒng)因電池耗盡而停止。此外，通過(guò)利用外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波對(duì)第二電池125充電，沒(méi)有另外需要用于充電第二電池125的充電器等。此外，將提供在第二天線電路121中的天線的形狀形成為容易接收這些外部電波的長(zhǎng)度和形狀。此外，通過(guò)在第二天線電路121中提供多個(gè)不同形狀的天線，可以接收多種外部電波來(lái)提高第二電池125的充電效率。另外，在一直從第二電池125給第二電源電路142供應(yīng)電源的情況下，優(yōu)選提供耗電量小的電路作為從所述第二電池125供給電源的電路。例如，通過(guò)在RFID標(biāo)簽100中提供使用液晶顯示元件的顯示部，并且從第二電池125給所述顯示部供應(yīng)電源，可以一直顯示靜止圖像或時(shí)間等。此外，通過(guò)在電子紙等耗電量小的顯示裝置中安裝RFID標(biāo)簽100，可以節(jié)省電池的更換且可顯示無(wú)線接收的信息。另外，對(duì)于提供在第一天線電路101的天線的形狀，沒(méi)有特別的限制。也就是說(shuō)，作為適用于RFID標(biāo)簽100的信號(hào)傳輸方式,可以米用電磁稱合方式、電磁感應(yīng)方式或微波方式等。實(shí)施者可以適當(dāng)?shù)乜紤]其用途來(lái)選擇傳輸方式，即，可以根據(jù)傳輸方式提供最佳長(zhǎng)度和最佳形狀的天線。例如，在使用電磁耦合方式或者電磁感應(yīng)方式(例如，13. 56MHz頻帶)作為傳輸方式的情形中，由于利用電場(chǎng)密度的改變引起的電磁感應(yīng)，因此，將在第一天線電路101中用作天線的導(dǎo)電膜形成為環(huán)形(例如，環(huán)形天線)或者螺旋形(例如，螺旋天線)。此外，在使用微波方式(例如UHF頻帶(860MHz至960MHz頻帶)、2. 45GHz頻帶等)作為傳輸方式的情形中，考慮用于信號(hào)傳送的電波波長(zhǎng)，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定在第一天線電路101中用作天線的導(dǎo)電膜的長(zhǎng)度和形狀。例如，可以將用作天線的導(dǎo)電膜形成為直線狀(例如，偶極天線)或者平坦的形狀(例如平板天線)等。此外，用作天線的導(dǎo)電膜的形狀并不限于直線狀，還可以考慮到電磁波的波長(zhǎng)，以曲線形狀、S字形或者其組合的形狀設(shè)置。注意，在圖10所示的RFID標(biāo)簽100中，利用外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波對(duì)第二電池125進(jìn)行充電。但是，也可以采用設(shè)置給電器來(lái)進(jìn)行對(duì)第二電池125的充電的結(jié)構(gòu)。當(dāng)利用從給電器203發(fā)射的電波204對(duì)第二電池125充電時(shí)，可以在第二電池125和第二電源電路142之間提供第四開(kāi)關(guān)127來(lái)控制第二電池125的放電(參照?qǐng)D11)。例如,可以通過(guò)在第一天線電路101中設(shè)置接收UHF頻帶或2. 45GHz頻帶等的電波的天線，在第二天線電路121中設(shè)置接收13. 56MHz頻帶的電波的天線。在此情況下，可以以微波方式進(jìn)行信號(hào)的發(fā)送/接收，并且以微波方式及電磁感應(yīng)方式進(jìn)行電池充電。此 夕卜，還可以如第一天線電路101那樣在第二天線電路121中也提供調(diào)制電路和解調(diào)電路等，來(lái)通過(guò)第二天線電路121與外部進(jìn)行信息的發(fā)送/接收。接下來(lái)，對(duì)本實(shí)施方式的RFID標(biāo)簽的一個(gè)結(jié)構(gòu)例子進(jìn)行說(shuō)明。注意，這里將設(shè)置在第一天線電路101中的天線的形狀成為線圈狀，而且將設(shè)置在第二天線電路121中的天線的形狀成為偶極狀來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。作為本實(shí)施方式的RFID標(biāo)簽100的布局方式，可以采用在襯底120上層疊或并列配置第一天線電路101、第二天線電路121、信號(hào)處理電路110、第一電池105、第二電池125的結(jié)構(gòu)。圖15所示的RFID標(biāo)簽在襯底120上包括第一天線電路101、第二天線電路121、具有信號(hào)處理電路110的芯片129、第一電池105、第二電池125。注意，第一天線電路101及第ニ天線電路121與設(shè)置在芯片129中的信號(hào)處理電路110電連接。在第一天線電路101接收從讀取寫(xiě)入器201發(fā)射的電波202之后，通過(guò)如上述圖14所示那樣的動(dòng)作來(lái)對(duì)第一電池105充電。此外，第二天線電路121接收外部電波205，并且對(duì)第二電池125充電。這里示出了一個(gè)實(shí)例通過(guò)第一天線電路101接收從讀取寫(xiě)入器201發(fā)送的電波，并且通過(guò)第二天線電路121接收外部隨機(jī)產(chǎn)生的電波205。另外，第一電池105及第ニ電池125電連接到設(shè)置在芯片129的信號(hào)處理電路，而且，適當(dāng)?shù)貜牡谝浑姵?05及第ニ電池125向信號(hào)處理電路的電源電路供應(yīng)電力。對(duì)第一電池105及第ニ電池125與芯片129之間的連接方式?jīng)]有特別的限制，例如可以采用引線鍵合連接方式或凸塊連接方式來(lái)進(jìn)行連接。接著，將使用圖16說(shuō)明圖15的讀取寫(xiě)入器201的ー個(gè)例子。讀取寫(xiě)入器201由接收部501、發(fā)送部502、控制部503、接ロ部504、天線電路505構(gòu)成?？刂撇?03由于通過(guò)接ロ部504的上位裝置506的控制，根據(jù)數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)處理結(jié)果控制接收部501、發(fā)送部502。發(fā)送部502調(diào)制發(fā)送給RFID標(biāo)簽100的數(shù)據(jù)處理指令，并從天線電路505以電磁波的形式輸出該指令。此外，接收部501解調(diào)由天線電路505接受的信號(hào)，并將該信號(hào)輸出到控制部503作為數(shù)據(jù)處理結(jié)果。在本實(shí)施方式中，圖16所示的讀取寫(xiě)入器201的天線電路505連接到接收部501及發(fā)送部502，且包括構(gòu)成LC并聯(lián)共振電路的天線507及共振電容器508。天線電路505在接收信號(hào)時(shí)，接收由RFID標(biāo)簽100輸出的信號(hào)在天線電路505中感應(yīng)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)作為電信號(hào)。此外，在發(fā)送信號(hào)時(shí)，向天線電路505供應(yīng)感應(yīng)電流，且從天線電路505向RFID標(biāo)簽100發(fā)送信號(hào)。另外，第二天線電路121的天線的長(zhǎng)度和形狀不局限于圖15所示的結(jié)構(gòu)。這里示出了在第二天線電路121中提供直線狀的天線(偶極天線)的例子，但是例如，既可使用線圈狀的天線，又可使用平板天線。注意，通過(guò)提供具有與第一天線電路101的天線不同的長(zhǎng)度和形狀的第二天線電路121，可以提高電池的充電效率。另外，用來(lái)與讀取寫(xiě)入器201之間進(jìn)行信號(hào)的發(fā)送/接收的第一天線電路101自的天線也不局限于圖15所示的結(jié)構(gòu)，如上所述，可以根據(jù)適用的傳輸方式采用各種長(zhǎng)度和各種形狀的天線。例如，在第一天線電路101和讀取寫(xiě)入器201之間被發(fā)送/接收的信號(hào)的頻率為125KHz、13. 56MHz、915MHz、2. 45GHz等等，都分別被ISO標(biāo)準(zhǔn)等設(shè)定。當(dāng)然，在第一天線電路101和讀取寫(xiě)入器201之間被發(fā)送/接收的信號(hào)的頻率并不局限于此，例如，可以使用·300GHz至3THz的亞毫米波、30GHz至300GHz的毫米波、3GHz至30GHz的微波、300MHz至3GHz的極超短波、30MHz至300MHz的超短波、3MHz至30MHz的短波、300KHz至3MHz的中波、30KHz至300KHz的長(zhǎng)波、以及3KHz至30KHz的超長(zhǎng)波中的任何頻率。此外，在第一天線電路101和讀取寫(xiě)入器201之間被發(fā)送/接收的信號(hào)是調(diào)制載波的信號(hào)。載波的調(diào)制方式可以為模擬調(diào)制或數(shù)字調(diào)制，并且也可以為振幅調(diào)制、相位調(diào)制、頻率調(diào)制、以及擴(kuò)展頻譜中的任ー種。優(yōu)選采用振幅調(diào)制或頻率調(diào)制。如上所述，本實(shí)施方式所示的RFID標(biāo)簽的特征在于包括可無(wú)線充電的電池。因此，與常規(guī)結(jié)構(gòu)不同，可以防止伴隨電池的電量減少所導(dǎo)致的用于發(fā)送/接收個(gè)體信息的電カ不夠。此外，可以利用來(lái)自外部的無(wú)線信號(hào)對(duì)電池充電，而不直接連接到充電器。因此，可以連續(xù)使用該RFID標(biāo)簽，而不需要如現(xiàn)有有源型RFID標(biāo)簽?zāi)菢哟_認(rèn)電池的殘留容量且更換電池的工作。而且，通過(guò)一直將用來(lái)驅(qū)動(dòng)RFID標(biāo)簽的電カ保持在電池中，可以獲得為了使RFID標(biāo)簽工作充分的電力，從而可以延伸與讀取寫(xiě)入器之間的通訊距離。注意，不局限于RFID標(biāo)簽，只要通過(guò)無(wú)線通訊來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換的無(wú)線通訊裝置，就可以應(yīng)用本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置可以與本說(shuō)明書(shū)中的其他實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的結(jié)構(gòu)組合而實(shí)施。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，參照

上述實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的制造方法的ー個(gè)例子。首先，如圖19A所示，在襯底1901的ー個(gè)表面上夾著絕緣膜1902形成剝離層1903，接著，層疊形成用作基底膜的絕緣膜1904和半導(dǎo)體膜(例如，包含非晶硅的膜)1905。注意，絕緣膜1902、剝離層1903、絕緣膜1904、以及半導(dǎo)體膜1905可以連續(xù)形成。襯底1901是選自玻璃襯底、石英襯底、金屬襯底(例如，不銹鋼襯底等)、陶瓷襯底、以及Si襯底等的半導(dǎo)體襯底中的襯底。此外，作為塑料襯底，可以選擇聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、以及丙烯等的襯底。注意，在本エ序中，剝離層1903夾著絕緣膜1902地設(shè)置在襯底1901的整個(gè)面上，但是，必要時(shí)，也可以在襯底1901的整個(gè)面上設(shè)置剝離層之后，通過(guò)光刻法選擇性地設(shè)置。作為絕緣膜1902、絕緣膜1904，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用如下絕緣材料來(lái)形成氧化娃、氮化娃、氧氮化娃(SiOxNy) (X > y > 0)、氮氧化娃(SiNxOy) (x > y > 0)等。例如，當(dāng)將絕緣膜1902、1904作為兩層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選作為第一層絕緣膜形成氮氧化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氧氮化硅膜。此外，也可以作為第一層絕緣膜形成氮化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氧化硅膜。絕緣膜1902用作防止雜質(zhì)元素從襯底1901混入到剝離層1903或形成在其上的元件的阻擋層，而且絕緣膜1904用作防止雜質(zhì)元素從襯底1901、剝離層1903混入到形成在其上的元件的阻擋層。像這樣，通過(guò)形成作為阻擋層發(fā)揮功能的絕緣膜1902、1904可以防止來(lái)自襯底1901的Na等堿金屬和堿土金屬、來(lái)自剝離層1903中的雜質(zhì)元素給形成在其上的元件造成不良影響。注意， 在使用石英作為襯底1901的情況下，也可以省略絕緣膜1902、1904。作為剝離層1903，可以使用金屬膜或金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)等。作為金屬膜，可以使用由選自鎢(W)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、以及銥(Ir)中的元素或以上述元素為主要成分的合金或化合物構(gòu)成的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成。另外，可以通過(guò)濺射法或各種CVD法如等離子體CVD法等而形成上述材料。金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)可以在形成上述金屬膜之后，進(jìn)行在氧氣氣氛中或在N2O氣氛中的等離子體處理、在氧氣氣氛中或在N2O氣氛中的加熱處理而形成。在此情況下，在金屬膜的表面上設(shè)置該金屬膜的氧化物或氧氮化物。例如，在通過(guò)濺射法或CVD法等形成鎢膜作為金屬膜的情況下，對(duì)鎢膜進(jìn)行等離子體處理，可以在鎢膜的表面上形成由鎢氧化物而成的金屬氧化膜。此外，例如，也可以在形成金屬膜(例如，鎢)之后，通過(guò)濺射法在該金屬膜上設(shè)置氧化硅(SiO2)等的絕緣膜的同時(shí)，在金屬膜上形成金屬氧化物(例如，在鎢上形成鎢氧化物)。通過(guò)派射法、LPCVD法、等離子體CVD法等以25nm至200nm (優(yōu)選為30nm至150nm)的厚度形成半導(dǎo)體膜1905。接下來(lái)，如圖19B所示，對(duì)半導(dǎo)體膜1905照射激光束來(lái)進(jìn)行晶化。注意，也可以通過(guò)將激光束的照射以及利用RTA(快速熱退火)エ藝或退火爐的熱結(jié)晶法、使用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱結(jié)晶法組合的方法等進(jìn)行半導(dǎo)體膜1905的晶化。之后，將獲得的結(jié)晶半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形狀來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜1905a至1905f，并且覆蓋該半導(dǎo)體膜1905a至1905f地形成柵極絕緣膜1906。作為柵極絕緣膜1906，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用如下絕緣材料來(lái)形成氧化娃、氮化娃、氧氮化娃(SiOxNy) (X > y > 0)、氮氧化娃(SiNxOy) (x > y > 0)等。例如，當(dāng)將柵極絕緣膜1906作為兩層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選作為第一層絕緣膜形成氧氮化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氮氧化硅膜。此外，也可以作為第一層絕緣膜形成氧化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氮化硅膜。以下簡(jiǎn)單地說(shuō)明結(jié)晶半導(dǎo)體膜1905a至1905f的制造エ序的ー個(gè)例子。首先，通過(guò)等離子體CVD法形成50nm至60nm厚的非晶半導(dǎo)體膜。接著，將包含作為促進(jìn)晶化的金屬元素的鎳的溶液保持在非晶半導(dǎo)體膜上，接著進(jìn)行脫氫處理(在500°C下，一個(gè)小時(shí))和熱結(jié)晶處理(在550°C下，四個(gè)小時(shí))，來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。然后，通過(guò)照射激光束且使用光刻法，來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜1905a至1905f。注意，也可以只通過(guò)照射激光束而不進(jìn)行使用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱結(jié)晶，來(lái)使非晶半導(dǎo)體膜晶化。作為用來(lái)晶化的激光振蕩器，可以使用連續(xù)振蕩型的激光束(CW激光束)或脈沖振蕩型的激光束(脈沖激光束)。作為此處可采用的激光束，可以采用從如下激光器中的ー種或多種振蕩的激光束，即氣體激光器如Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等；將在單晶的 YAG、YV04、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YA103、GdV04、或者多晶(陶瓷)的 YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3^GdVO4中添加制、￥13、0、11、110』1'、1'111、了&之中的ー種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；變石激光器；Ti :藍(lán)寶石激光器；銅蒸氣激光器；或者金蒸氣激光器。通過(guò)照射這種激光束的基波以及這些基波的二次諧波到四次諧波的激光束，可以獲得大粒徑的晶體。例如，可以使用Nd = YVO4激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。此時(shí)，需要大約0. 01至100MW/cm2 (優(yōu)選為0. I至lOMW/cm2)的激光功率密度。而且，以大約10至2000cm/sec的掃描速度照射。注意，將在單晶的 YAG、YV04、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YA103、GdV04、或者多晶(陶瓷)的 YAG、Y2O3、YVO4、YA103、GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器、Ar離子激光器、或者Ti :藍(lán)寶石激光器可以進(jìn)行連續(xù)振蕩，也可以通過(guò)Q開(kāi)關(guān)動(dòng)作或模式同步等以IOMHz以上的振蕩頻率進(jìn)行脈沖振蕩。當(dāng)使用IOMHz以上 的振蕩頻率來(lái)使激光束振蕩時(shí)，在半導(dǎo)體膜由激光束熔化之后并在凝固之前，對(duì)半導(dǎo)體膜照射下ー個(gè)脈沖。因此，由于不同于使用振蕩頻率低的脈沖激光的情況，可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù)地移動(dòng)固液界面，所以可以獲得沿掃描方向連續(xù)生長(zhǎng)的晶粒。此外，也可以通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體膜1905a至1905f進(jìn)行上述高密度等離子體處理來(lái)使其表面氧化或氮化，以形成柵極絕緣膜1906。例如，通過(guò)引入了稀有氣體如He、Ar、Kr、Xe等與氧氣、氧化氮(NO2)、氨氣、氮?dú)饣驓錃獾鹊幕旌蠚怏w的等離子體處理，形成柵極絕緣膜1906。在此情況下，通過(guò)引入微波，可以產(chǎn)生低電子溫度且高密度的等離子體。可以通過(guò)使用由該高密度等離子體產(chǎn)生的氧自由基(有可能含有OH自由基)或氮自由基(有可能含有NH自由基)，使半導(dǎo)體膜的表面氧化或氮化。通過(guò)上述使用了高密度等離子體的處理，厚度為Inm至20nm,典型地為5nm至IOnm的絕緣膜形成在半導(dǎo)體膜上。由于在此情況下的反應(yīng)為固相反應(yīng)，因此可以使該絕緣膜和半導(dǎo)體膜之間的界面能級(jí)密度極低。由于上述高密度等離子體處理直接使半導(dǎo)體膜(晶體硅或多晶硅)氧化(或氮化)，所以可以使被形成的絕緣膜的厚度的不均勻性極小。再者，由于即使在晶體硅的晶粒界面也不會(huì)進(jìn)行強(qiáng)烈的氧化，所以成為非常優(yōu)選的狀態(tài)。換句話說(shuō)，通過(guò)在此所示的高密度等離子體處理使半導(dǎo)體膜的表面固相氧化，可以形成具有良好的均勻性且界面能級(jí)密度較低的絕緣膜而不會(huì)在晶粒界面中引起異常的氧化反應(yīng)。作為柵極絕緣膜1906，既可僅僅使用通過(guò)高密度等離子體處理形成的絕緣膜，此夕卜，又可通過(guò)利用了等離子體或熱反應(yīng)的CVD法將氧化硅、氧氮化硅或氮化硅等的絕緣膜堆積或者層疊在所述絕緣膜上。在任何情況下，在柵極絕緣膜的一部分或全部具有通過(guò)高密度等離子體形成的絕緣膜的晶體管，可以減少特性差異。此外，一邊對(duì)半導(dǎo)體膜照射連續(xù)振蕩激光束或者以IOMHz以上的頻率振蕩的激光束，ー邊向ー個(gè)方向掃描而使該半導(dǎo)體膜晶化而獲得的半導(dǎo)體膜1905a至1905f，具有其晶體沿該激光束的掃描方向生長(zhǎng)的特征。當(dāng)使該掃描方向與溝道長(zhǎng)度方向(形成溝道形成區(qū)域時(shí)載流子流動(dòng)的方向)一致地配置晶體管，并且組合上述柵極絕緣層時(shí)，可以獲得特性差異小且電場(chǎng)效應(yīng)遷移率高的薄膜晶體管(TFT)。接著，在柵極絕緣膜1906上層疊形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。在此，第一導(dǎo)電膜通過(guò)CVD法或派射法等以20nm至IOOnm的厚度而形成。第二導(dǎo)電膜以IOOnm至400nm的厚度而形成。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜，采用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等中的元素或以這些元素為主要成分的合金或化合物而形成?；蛘撸捎靡該诫s了磷等雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料而形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的組合實(shí)例，可以舉出氮化鉭膜和鎢膜、氮化鎢膜和鎢膜、或者氮化鑰膜和鑰膜等。由于鎢和氮化鉭具有高耐熱性，因此在形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之后，可以進(jìn)行用于熱激活的加熱處理。此外，在不是兩層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用鑰膜、鋁膜和鑰膜的疊層結(jié)構(gòu)。接著，利用光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并且進(jìn)行蝕刻處理以形成柵電極和柵極線，從而在半導(dǎo)體膜1905a至1905f的上方形成柵電極1907。在此，示出了采用第一導(dǎo)電膜1907a和第二導(dǎo)電膜1907b的疊層結(jié)構(gòu)形成柵電極1907的例子。
接著，如圖19C所示，以柵電極1907為掩模，通過(guò)離子摻雜法或離子注入法對(duì)半導(dǎo)體膜1905a至1905f以低濃度添加賦予n型的雜質(zhì)元素，然后通過(guò)光刻法選擇性地形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，以高濃度添加賦予P型的雜質(zhì)元素。作為呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷⑵、神(As)等。作為呈現(xiàn)p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼⑶、招(Al)、鎵(Ga)等。在此，使用磷(P)作為賦予n型的雜質(zhì)元素，以IX IO15至IXlO1Vcm3的濃度選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1905a至1905f，以形成呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)區(qū)域1908。此外，使用硼(B)作為賦予p型的雜質(zhì)元素，以IXlO19至lX102°/cm3的濃度選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1905c、1905e，以形成呈現(xiàn)P型的雜質(zhì)區(qū)域1909。接著，覆蓋柵極絕緣膜1906和柵電極1907地形成絕緣膜。通過(guò)等離子體CVD法或?yàn)R射法等以單層或疊層方式形成含有無(wú)機(jī)材料如硅、硅的氧化物或硅的氮化物的膜、或者含有有機(jī)材料如有機(jī)樹(shù)脂等的膜，從而形成絕緣膜。接著，通過(guò)以垂直方向?yàn)橹黧w的各向異性蝕刻法選擇性地蝕刻絕緣膜，從而形成與柵電極1907的側(cè)面接觸的絕緣膜1910 (也稱為側(cè)壁)。絕緣膜1910用作當(dāng)形成LDD區(qū)域(輕摻雜漏區(qū))時(shí)的摻雜用的掩模。接著，使用通過(guò)光刻法形成的由抗蝕劑構(gòu)成的掩模和用作掩模的柵電極1907及絕緣膜1910，對(duì)半導(dǎo)體膜1905a、1905b、1905d、1905f以高濃度添加賦予n型的雜質(zhì)元素，以形成呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)區(qū)域1911。在此，使用磷(P)作為賦予n型的雜質(zhì)元素，以IXlO19至lX102°/cm3的濃度選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1905a、1905b、1905d、1905f，以形成呈現(xiàn)比雜質(zhì)區(qū)域1908更高濃度的n型的雜質(zhì)區(qū)域1911。通過(guò)以上エ序，如圖19D所示，形成n溝道型薄膜晶體管1900a、1900b、1900d、1900f和p溝道型薄膜晶體管1900c、1900e。在n溝道型薄膜晶體管1900a中，溝道形成區(qū)域被形成在與柵電極1907重疊的半導(dǎo)體膜1905a的區(qū)域中。形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1911被形成在不與柵電極1907及絕緣膜1910重疊的區(qū)域中。而且，低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD區(qū)域)被形成在與絕緣膜1910重疊的區(qū)域且溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域1911之間。n溝道型薄膜晶體管1900b、1900d、1900地同樣形成有溝道形成區(qū)域、低濃度雜質(zhì)區(qū)域、以及雜質(zhì)區(qū)域1911。在p溝道型薄膜晶體管1900c中，溝道形成區(qū)域被形成在與柵電極1907重疊的半導(dǎo)體膜1905c的區(qū)域中，形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1909被形成在不與柵電極1907重疊的區(qū)域中。此外，P溝道型薄膜晶體管1900e也同樣形成有溝道形成區(qū)域以及雜質(zhì)區(qū)域1909。注意，這里，雖然在p溝道型薄膜晶體管1900c、1900e沒(méi)有設(shè)置LDD區(qū)域，但是既可采用在P溝道型薄膜晶體管設(shè)置LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)，又可采用在n溝道型薄膜晶體管不設(shè)置LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，如圖20A所示，以單層或疊層方式形成絕緣膜以覆蓋半導(dǎo)體膜1905a至1905f、柵電極1907等，并且在該絕緣膜上形成導(dǎo)電膜1913，以使該導(dǎo)電膜1913與形成薄膜晶體管1900a至1900f的源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1909、1911電連接。絕緣膜通過(guò)CVD法、濺射法、SOG法、液滴噴出法、絲網(wǎng)印刷法等使用無(wú)機(jī)材料如硅的氧化物或硅的氮化物等、有機(jī)材料如聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等、或者硅氧烷材料等，以單層或疊層方式形成。在此，以雙層方式設(shè)置所述絕緣膜，分別形成氮氧化硅膜和氧氮化硅膜作為第一層絕緣膜1912a和第二層絕緣膜1912b。此外，導(dǎo)電膜1913形成薄膜晶
體管1900a至1900f的源電極或漏電極。注意，優(yōu)選在形成絕緣膜1912a、1912b之前，或者在形成絕緣膜1912a、1912b中的ー個(gè)或多個(gè)薄膜之后，進(jìn)行用于恢復(fù)半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性、使添加在半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素活性化、或者使半導(dǎo)體膜氫化的加熱處理。作為加熱處理，優(yōu)選適用熱退火法、激光退火法、或者RTA法等。通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用選自鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、猛(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、娃(Si)的元素、或者以這些元素為主要成分的合金或化合物以單層或疊層的方式形成導(dǎo)電膜1913。以鋁為主要成分的合金例如相當(dāng)于以鋁為主要成分且含有鎳的材料、或者以鋁為主要成分且含有碳和硅中的一方或雙方與鎳的合金材料。作為導(dǎo)電膜1913，例如可以使用由阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)、或者由阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。注意，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、鈦的氮化物、鑰或鑰的氮化物組成的薄膜。因?yàn)殇X或者鋁硅具有電阻低并且價(jià)格低廉的特性，所以作為用于形成導(dǎo)電膜1913的材料最合適。此夕卜，當(dāng)設(shè)置上層和下層的阻擋層時(shí)，可以防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外，當(dāng)形成由高還原性的元素即鈦構(gòu)成的阻擋膜時(shí)，由于鈦可以還原產(chǎn)生于結(jié)晶半導(dǎo)體膜上的較薄的自然氧化膜，從而可以獲得結(jié)晶半導(dǎo)體膜與導(dǎo)電膜1913之間的良好接觸。 接下來(lái)，覆蓋導(dǎo)電膜1913地形成絕緣膜1914，并且在該絕緣膜1914上形成導(dǎo)電膜1915a、1915b，以使該導(dǎo)電膜1915a、1915b分別與形成半導(dǎo)體膜1905a、1905f的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1913電連接。此外，還形成導(dǎo)電膜1916a、1916b，以使該導(dǎo)電膜1916a、1916b分別與形成半導(dǎo)體膜1905b、1905e的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1913電連接。注意，導(dǎo)電膜1915a、1915b和導(dǎo)電膜1916a、1916b也可以由同一材料同時(shí)形成。導(dǎo)電膜1915a、1915b和導(dǎo)電膜1916a、1916b可以使用上述導(dǎo)電膜1913中所不的任何材料形成。接下來(lái)，如圖20B所示，形成用作天線的導(dǎo)電膜1917a、1917b，以使該導(dǎo)電膜1917a、1917b與導(dǎo)電膜1916a、1916b電連接。在此，用作天線的導(dǎo)電膜1917a、1917b中的一方相當(dāng)于上述實(shí)施方式所示的第一天線電路的天線，而且另一方相當(dāng)于第二天線電路的天線。例如，當(dāng)以導(dǎo)電膜1917a為第一天線電路的天線，并且以導(dǎo)電膜1917b為第二天線電路的天線時(shí)，薄膜晶體管1900a至1900c用作上述實(shí)施方式所示的第一信號(hào)處理電路，而且薄膜晶體管1900d至1900f用作上述實(shí)施方式所示的第二信號(hào)處理電路。絕緣膜1914通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)膜、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y)膜等；包含碳的膜如DLC(類金剛石碳)膜等；有機(jī)材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚こ烯苯酚、苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等；或者硅氧烷材料如硅氧烷樹(shù)脂等。注意，硅氧烷材料相當(dāng)于包含Si-O-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用有機(jī)基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基。
導(dǎo)電膜1917a、1917b通過(guò)CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴出法、分配器法、鍍敷法等使用導(dǎo)電材料形成。導(dǎo)電材料是選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈕(Pd)、鉭(Ta)、鑰(Mo)中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金或化合物，并且以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜1917a、1917b。例如，在通過(guò)絲網(wǎng)印刷法形成用作天線的導(dǎo)電膜1917a、1917b的情況下，可以通過(guò)選擇性地印刷將粒徑為幾nm至幾十Pm的導(dǎo)電粒子溶解或分散于有機(jī)樹(shù)脂中而成的導(dǎo)電膏來(lái)設(shè)置導(dǎo)電膜1917a、1917b。作為導(dǎo)電粒子，可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鑰(Mo)、以及鈦(Ti)等中的任何ー個(gè)以上的金屬粒子或鹵化銀的微粒、或者分散性納米粒子。作為包含于導(dǎo)電膏的有機(jī)樹(shù)脂，可以使用選自用作金屬粒子的粘合剤、溶剤、分散劑及覆蓋劑的有機(jī)樹(shù)脂中的ー種或多種。可以典型地舉出環(huán)氧樹(shù)月旨、硅樹(shù)脂等的有機(jī)樹(shù)脂。此外，在形成導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選在擠出導(dǎo)電膏之后進(jìn)行焙燒。例如，在作為導(dǎo)電膏的材料使用以銀為主要成分的微粒(例如粒徑為Inm以上且IOOnm以下)的情況下，可以通過(guò)在150°C至300°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行焙燒來(lái)固化，而獲得導(dǎo)電膜。此外，也可以使用以焊料或無(wú)鉛焊料為主要成分的微粒，在此情況下，優(yōu)選使用粒徑20 y m以下的微粒。焊料或無(wú)鉛焊料具有低成本的優(yōu)點(diǎn)。此外，導(dǎo)電膜1915a、1915b在之后的エ序中能夠用作與本實(shí)施方式的無(wú)線通訊裝置所包括的電池電連接的布線。此外，也可以在形成用作天線的導(dǎo)電膜1917a、1917b吋，以電連接到導(dǎo)電膜1915a、1915b的方式另行形成導(dǎo)電膜，以將該導(dǎo)電膜用作連接到電池的布線。注意，圖20B的導(dǎo)電膜1917a、1917b對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施方式I所示的第一天線電路的天線以及第ニ天線電路的天線。接下來(lái)，如圖20C所示，在覆蓋導(dǎo)電膜1917a、1917b地形成絕緣膜1918之后，從襯底1901剝離包括薄膜晶體管1900a至1900f、導(dǎo)電膜1917a、1917b等的層(以下稱為“元件形成層1919”)。在此，可以通過(guò)照射激光(例如UV光)在除了薄膜晶體管1900a至1900f以外的區(qū)域中形成開(kāi)ロ部之后，利用物理力量從襯底1901剝離元件形成層1919。此外，也可以在從襯底1901剝離元件形成層1919之前，將蝕刻劑引入到形成的開(kāi)ロ部中來(lái)選擇性地去除剝離層1903。作為蝕刻劑，使用含氟化鹵素或鹵素間化合物的氣體或液體。例如，作為含氟化鹵素的氣體使用三氟化氯(C1F3)。于是，元件形成層1919處于從襯底1901剝離的狀態(tài)。注意，剝離層1903可以部分地殘留而不完全去除。通過(guò)以上方式，可以抑制蝕刻劑的消耗量，并且縮短為去除剝離層所花費(fèi)的處理時(shí)間。此外，也可以在使用蝕刻劑蝕刻剝離層1903之后，在襯底1901上保持元件形成層1919。另外，再次利用剝離了元件形成層1919的襯底1901，由此可以縮減成本。
絕緣膜1918通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)膜、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y)膜等；包含碳的膜如DLC(類金剛石碳)膜等；有機(jī)材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚こ烯苯酚、苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等；或硅氧烷材料如硅氧烷樹(shù)月旨等。在本實(shí)施方式中，如圖21A所示，在通過(guò)激光的照射在元件形成層1919中形成開(kāi)ロ部之后，將第一薄膜材料1920貼合到該元件形成層1919的ー個(gè)表面(露出絕緣膜1918的面)，然后從襯底1901剝離元件形成層1919。接下來(lái)，如圖21B所示，通過(guò)進(jìn)行加熱處理和加壓處理中的一方或雙方將第二薄膜材料1921貼合到元件形成層1919的另ー個(gè)表面(因剝離而露出的面)。作為第一薄膜材料1920、第二薄膜材料1921，可以使用熱熔膜等。作為第一薄膜材料1920、第二薄膜材料1921，也可以使用進(jìn)行了防止靜電等的抗靜電處理的膜(以下稱為抗靜電膜)。作為抗靜電膜，可以舉出在樹(shù)脂中分散有抗靜電材料 的膜、以及貼有抗靜電材料的膜等。作為設(shè)有抗靜電材料的膜，既可采用單面上設(shè)有抗靜電材料的膜，又可采用雙面上設(shè)有抗靜電材料的膜。再者，單面上設(shè)有抗靜電材料的膜既可將設(shè)有抗靜電材料的一面貼到層上并使該一面置于膜的內(nèi)側(cè)，又可將設(shè)有抗靜電材料的一面貼到層上并使該一面置于膜的外側(cè)。注意，該抗靜電材料設(shè)在膜的整個(gè)面或一部分上即可。在此，作為抗靜電材料，可以使用金屬、銦和錫的氧化物(ITO)、界面活性劑如兩性界面活性齊U、陽(yáng)離子界面活性剤、非離子界面活性剤等。此外，作為抗靜電材料，除了上述以外，還可以使用包含具有羧基和季銨基作為側(cè)鏈的交聯(lián)高分子的樹(shù)脂材料等?？梢酝ㄟ^(guò)將這些材料貼在膜上，揉入在膜中，或者涂敷在膜上而形成抗靜電膜。通過(guò)使用抗靜電膜進(jìn)行密封，可以抑制當(dāng)作為商品使用時(shí)來(lái)自外部的靜電等給半導(dǎo)體元件造成的負(fù)面影響。注意，連接到導(dǎo)電膜1915a、1915b地形成電池，但是，與電池的連接又可在從襯底1901剝離元件形成層1919之前(圖20B或圖20C的階段)進(jìn)行，又可在從襯底1901剝離元件形成層1919之后(圖21A的階段)進(jìn)行，并且又可在由第一薄膜材料及第ニ薄膜材料密封了元件形成層1919之后(圖21B的階段)進(jìn)行。以下，參照?qǐng)D22、圖23說(shuō)明連接形成兀件形成層1919和電池的ー個(gè)例子。在圖20B中，與用作天線的導(dǎo)電膜1917a、1917b同時(shí)形成分別與導(dǎo)電膜1915a、1915b電連接的導(dǎo)電膜1931a、1931b。接著，在覆蓋導(dǎo)電膜1917a、1917b、導(dǎo)電膜1931a、1931b地形成絕緣膜1918之后，形成開(kāi)ロ部1932a、1932b，以使導(dǎo)電膜1931a、1931b的表面露出。然后，如圖22A所示，在通過(guò)激光的照射在元件形成層1919中形成開(kāi)ロ部之后，將第一薄膜材料1920貼合到該元件形成層1919的ー個(gè)表面(露出絕緣膜1918的面)，然后從襯底1901剝離元件形成層1919。接下來(lái)，如圖22B所示，在將第二薄膜材料1921貼合到元件形成層1919的另ー個(gè)表面(因剝離而露出的面)之后，從第一薄膜材料1920剝離元件形成層1919。從而，在此，使用粘合性低的材料作為第一薄膜材料1920。接著，選擇性地形成分別通過(guò)開(kāi)ロ部1932a、1932b電連接到導(dǎo)電膜1931a、1931b的導(dǎo)電膜1934a、1934b。導(dǎo)電膜1934a、1934b通過(guò)CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴出法、分配器法、鍍敷法等使用導(dǎo)電材料而形成。導(dǎo)電材料是選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈕(Pd)、鉭(Ta)、鑰(Mo)中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金或化合物，并且以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜1934a、1934b。注意，這里示出了在從襯底1901剝離元件形成層1919之后，形成導(dǎo)電膜1934a、1934b的例子，但是也可以在形成導(dǎo)電膜1934a、1934b之后，從襯底1901剝離元件形成層1919。接下來(lái)，如圖23A所示，在襯底上形成有多個(gè)元件的情況下，將元件形成層1919按每ー個(gè)元件切斷。當(dāng)切斷時(shí)可以使用激光照射裝置、切割裝置、劃片裝置等。在此，通過(guò)照射激光，分別切斷形成在一個(gè)襯底的多個(gè)元件。接下來(lái)，如圖23B所示，將切斷的元件與電池的連接端子電連接。在此，分別連接 設(shè)置在元件形成層1919的導(dǎo)電膜1934a、1934b與設(shè)置在襯底1935上的成為電池的連接端子的導(dǎo)電膜1936a、1936b。在此，表示如下情況通過(guò)具有粘結(jié)性的材料如各向異性導(dǎo)電膜(ACF)或各向異性導(dǎo)電膏(ACP)等壓合來(lái)電連接，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電膜1934a和導(dǎo)電膜1936a的連接或?qū)щ娔?934b和導(dǎo)電膜1936b的連接。在此，表示使用具有粘結(jié)性的樹(shù)脂1937所包含的導(dǎo)電粒子1938進(jìn)行連接的例子。此外，除了上述以外，還可以使用導(dǎo)電粘合劑如銀膏、銅膏或碳膏等、或者焊接等進(jìn)行連接。在電池大于元件的情況下，如圖22、圖23所示，在一個(gè)襯底上形成多個(gè)元件，并且將該元件切斷之后連接于電池，來(lái)可以增加可在一個(gè)襯底上形成的元件的數(shù)量，從而可以以更低成本制作無(wú)線通訊裝置。通過(guò)上述エ序，可以制作無(wú)線通訊裝置。注意，在本實(shí)施方式中示出了在襯底上形成薄膜晶體管等的元件，然后進(jìn)行剝離的エ序，但也可以不進(jìn)行剝離而使其直接成為產(chǎn)品。另外，通過(guò)在玻璃襯底上形成薄膜晶體管等的元件之后，從與提供有元件的表面相反ー側(cè)對(duì)該玻璃襯底進(jìn)行研磨，或者通過(guò)使用Si等的半導(dǎo)體襯底形成MOS型晶體管之后，對(duì)該半導(dǎo)體襯底進(jìn)行研磨，可以實(shí)現(xiàn)無(wú)線通訊裝置的薄膜化和小型化。注意，本實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的制造方法可以適用于本說(shuō)明書(shū)中的其他實(shí)施方式所示的無(wú)線通訊裝置的制造方法。實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，說(shuō)明本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置的利用方式的一個(gè)例子的RFID標(biāo)簽的用途。RFID標(biāo)簽可以設(shè)置在紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無(wú)記名債券、證書(shū)(駕駛執(zhí)照、居民證等)、包裝容器(包裝紙、瓶等)、記錄介質(zhì)(DVD、錄像磁帶等)、交通工具(自行車等)、個(gè)人用品(包、眼鏡等)、食品、植物、動(dòng)物、人體、衣物、生活用品、以及電子設(shè)備等的商品、行李標(biāo)簽等的物品中，并且可以用作所謂的ID標(biāo)記、ID標(biāo)簽、ID卡。電子設(shè)備是指液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視裝置(也簡(jiǎn)稱為電視、電視接收機(jī))、以及移動(dòng)電話等。以下，參照?qǐng)D17說(shuō)明本發(fā)明的應(yīng)用例子、以及安裝有本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的商品的ー個(gè)例子。圖17A是根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽的完成品的一例狀態(tài)。在標(biāo)簽底紙3001 (剝離紙)上形成有內(nèi)置了 RFID標(biāo)簽3002的多個(gè)ID標(biāo)記3003。ID標(biāo)記3003放置在箱子3004內(nèi)。此外，在ID標(biāo)記3003上寫(xiě)著與商品或服務(wù)有關(guān)的信息(產(chǎn)品名稱、品牌、商標(biāo)、商標(biāo)所有者、銷售者、以及制造商等)，而且內(nèi)置的RFID標(biāo)簽帶有該產(chǎn)品(或者產(chǎn)品種類)固有的ID號(hào)碼，從而可以容易知道非法行為如偽造、商標(biāo)權(quán)、專利權(quán)等的知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵犯、不公平競(jìng)爭(zhēng)等。此外，在RFID標(biāo)簽內(nèi)可以輸入有不能寫(xiě)在產(chǎn)品的容器或標(biāo)簽上的許多信息，例如產(chǎn)地、銷售地、質(zhì)量、原材料、功效、用途、數(shù)量、形狀、價(jià)格、生產(chǎn)方法、使用方法、生產(chǎn)時(shí)期、使用時(shí)間、保質(zhì)期限、使用說(shuō)明、以及與產(chǎn)品有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息等，并且交易人或消費(fèi)者可以通過(guò)簡(jiǎn)單的讀取器來(lái)訪問(wèn)這些信息。此外，雖然生產(chǎn)者可以很容易重寫(xiě)或刪除信息等，但是交易人或消費(fèi)者不能重寫(xiě)或刪除信息等。此外，也可以在RFID標(biāo)簽上提供顯示部來(lái)顯示這些信息。圖17B示出了內(nèi)置了 RFID標(biāo)簽3012的標(biāo)記形狀的RFID標(biāo)簽3011。通過(guò)將RFID標(biāo)簽3011安裝到商品中，商品管理變得很容易。例如，在商品被盜竊的情況下，可以追蹤商品的路徑，并且迅速查清該犯人。以此方式，通過(guò)提供RFID標(biāo)簽，可以使所謂跟蹤能力優(yōu)良的商品流通。圖17C是包含了根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽3022的ID卡3021的完成品的一例狀態(tài)。上述ID卡3021包括現(xiàn)金卡、信用卡、預(yù)付卡、電子車票、電子貨幣、電話卡、以及會(huì)員卡等所有種類的卡。此外，也可以在ID卡3021的表面上提供顯示部來(lái)顯示各種信息。圖17D示出了無(wú)記名債券3031的完成品的狀態(tài)。無(wú)記名債券3031嵌入有RFID·標(biāo)簽3032，并且其周圍由樹(shù)脂成形以保護(hù)RFID標(biāo)簽。在此，該樹(shù)脂中填充有填料。無(wú)記名債券3031可以通過(guò)與根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽同樣制造。注意，上述無(wú)記名債券包括郵票、車票、票券、入場(chǎng)券、商品券、書(shū)券、文具券、啤酒券、換米券、各種贈(zèng)券、以及各種服務(wù)券等，但是，不言而喻，并不局限于這些。此外，通過(guò)將本發(fā)明的RFID標(biāo)簽3032設(shè)置在紙幣、硬幣、有價(jià)證券、無(wú)記名債券、證書(shū)等中，可以提供認(rèn)證功能，并且通過(guò)應(yīng)用該認(rèn)證功能可以防止偽造。圖17E示出了貼有包含了根據(jù)本發(fā)明的RFID標(biāo)簽3042的ID標(biāo)記3041的書(shū)籍3043。本發(fā)明的RFID標(biāo)簽3042被貼在表面上，或者被埋在內(nèi)部而固定于物品。如圖17E所示，如果是書(shū)，就被埋在紙中，而且如果是由有機(jī)樹(shù)脂構(gòu)成的包裝，就被埋在該有機(jī)樹(shù)脂中，來(lái)固定于各物品中。因?yàn)镽FID標(biāo)簽3042實(shí)現(xiàn)小型、薄型、輕量，所以固定于物品中之后也不損壞其物品本身的設(shè)計(jì)性。雖然這里未圖示，但是通過(guò)將上述實(shí)施方式所示的RFID標(biāo)簽提供于包裝容器、記錄介質(zhì)、個(gè)人用品、食品、衣物、生活用品、以及電子設(shè)備等中，可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品檢查系統(tǒng)等系統(tǒng)的效率化。通過(guò)將RFID標(biāo)簽設(shè)置到交通工具中，可以防止對(duì)其的偽造或偷竊。另外，通過(guò)將RFID標(biāo)簽嵌入到諸如動(dòng)物等的生物中，可以容易地識(shí)別各生物，例如通過(guò)將無(wú)線標(biāo)簽嵌入到諸如家畜等的生物中，可以容易識(shí)別出生年、性別、或種類等。圖18A和18B示出了貼有包含上述實(shí)施方式所示的RFID標(biāo)簽的ID標(biāo)記2502的書(shū)籍2701和塑料瓶2702。RFID標(biāo)簽是非常薄的，因此，當(dāng)ID標(biāo)記安裝在上述書(shū)籍等物品時(shí)，不會(huì)損壞它的功能或設(shè)計(jì)。此外，在非接觸型薄膜集成電路裝置的情況下，天線和芯片可以一體形成，而可以更容易地將非接觸型薄膜集成電路裝置直接轉(zhuǎn)移到具有彎曲表面的商品上。圖18C示出了將包含RFID標(biāo)簽的ID標(biāo)記2502直接貼在水果類2705的新鮮食物上的狀態(tài)。此外，圖18D示出了使用用于包裝的薄膜2703來(lái)包裝蔬菜2404等的新鮮食物的實(shí)例。當(dāng)芯片2501貼在商品上時(shí)，就有可能剝下芯片。然而，當(dāng)采用用于包裝的薄膜2703來(lái)包裝商品時(shí)，就難以剝下用于包裝的薄膜2703，這就更加有利于防盜方面。注意，根據(jù)本發(fā)明的無(wú)線通訊裝置可用于除了上述商品之外的所有商品。
本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2006年8月31日在日本專利局受理的日本專利申請(qǐng)編號(hào) 2006-236921而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1.一種無(wú)線通訊裝置，包括第一電路；電池，電連接到所述第一電路；第二電路；以及電容器，電連接到所述第二電路，其中，所述第一電路的耗電量與所述第二電路的耗電量不同。
2.一種無(wú)線通訊裝置，包括天線；第一電路，電連接到所述天線；電池，電連接到所述第一電路；第二電路，電連接到所述天線；以及電容器，電連接到所述第二電路，其中，所述第一電路的耗電量與所述第二電路的耗電量不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無(wú)線通訊裝置，還包括第二天線；第三電路，電連接到所述第二天線；以及第二電池，電連接到所述第三電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無(wú)線通訊裝置，還包括第二天線；第三電路，電連接到所述第二天線；以及第二電容器，電連接到所述第三電路。
5.一種無(wú)線通訊裝置，包括第一天線；第二天線；第一電路，電連接到所述第一天線；第一電容器，電連接到所述第一電路，第二電路，電連接到所述第一天線；第二電容器，電連接到所述第二電路；第三電路，電連接到所述第二天線；以及電池，電連接到所述第三電路，其中，所述第一電路的耗電量與所述第二電路的耗電量不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的無(wú)線通訊裝置，其中，提供第一電池代替所述第一電容器，其中，提供第二電池代替所述第二電容器，以及其中，提供電容器代替所述電池。
7.一種無(wú)線通訊裝置，包括第一天線；第二天線；第一電路，電連接到所述第一天線；電池，電連接到所述第一電路； 第二電路，電連接到所述第二天線；以及 電容器，電連接到所述第二電路； 其中，所述第一電路的耗電量與所述第二電路的耗電量不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的無(wú)線通訊裝置，其中，所述第一天線和所述第二天線能夠接收不同的電磁波。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5和7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線通訊裝置，還包括 整流電路，電連接到所述第一電路，所述整流電路包括二極管和電連接到所述二極管的電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5和7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線通訊裝置，其中，所述無(wú)線通訊裝置為移動(dòng)電話。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5和7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線通訊裝置，還包括 顯示部，電連接到所述電池。
12.一種給電器，用于向根據(jù)權(quán)利要求1、2、5和7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線通訊裝置供應(yīng)電力。
13.一種方法，用于向根據(jù)權(quán)利要求1、2、5和7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線通訊裝置供應(yīng)第一電磁波和第二電磁波，其中，所述第一電磁波的頻率與所述第二電磁波的頻率不同。
14.一種檢查系統(tǒng)，提供有權(quán)利要求1、2、5和7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線通訊裝置。
15.一種交通工具，包括 第一電路； 電池，電連接到所述第一電路； 第二電路；以及 電容器，電連接到所述第二電路， 其中，所述第一電路的耗電量與所述第二電路的耗電量不同。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交通工具，其中，所述交通工具為自行車。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交通工具，其中，所述電池為鋰聚合物電池或者鋰離子電池。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的交通工具，還包括 整流電路，電連接到所述第一電路，所述整流電路包括二極管和電連接到所述二極管的電容器。
19.一種給電器，用于向根據(jù)權(quán)利要求15所述的無(wú)線通訊裝置供應(yīng)電力。
20.一種方法，用于向根據(jù)權(quán)利要求15所述的無(wú)線通訊裝置供應(yīng)第一電磁波和第二電磁波，其中，所述第一電磁波的頻率與所述第二電磁波的頻率不同。
全文摘要
本發(fā)明的目的是實(shí)現(xiàn)在無(wú)線通訊裝置中簡(jiǎn)單地進(jìn)行電池的充電。另外，本發(fā)明的目的是提供不需進(jìn)行因電池的電量減少而導(dǎo)致的電池的更換工作而可以發(fā)送/接收個(gè)體信息的無(wú)線通訊裝置。設(shè)置多個(gè)天線電路、以及通過(guò)開(kāi)關(guān)電連接到多個(gè)天線電路的多個(gè)電池，并且，使多個(gè)電池分別電連接到不同的電路，并且，通過(guò)用多個(gè)天線電路接收電波，對(duì)電連接到多個(gè)天線電路的多個(gè)電池充電，并且，設(shè)置多個(gè)天線電路以使該多個(gè)天線電路中的至少一個(gè)接收不同頻率的電波。
文檔編號(hào)H04B1/38GK102820710SQ20121027015
公開(kāi)日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月31日
發(fā)明者佐藤岳尚, 長(zhǎng)多剛 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所