專利名稱：一種增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板。
背景技術(shù)：
手機(jī)天線和手機(jī)上的其他諸多部件，如IXD、FPC、嘲機(jī)、振動(dòng)馬達(dá)、金屬結(jié)構(gòu)件、電鍍裝飾件等偶合很緊密，天線的性能往往由于受到這些部件的影響而惡化。因此無論是對(duì)手機(jī)廠商、手機(jī)設(shè)計(jì)公司還是手機(jī)天線公司而言，設(shè)計(jì)高性能的天線都極具挑戰(zhàn)性。除了天線本身的設(shè)計(jì)是否合理以外，手機(jī)上的很多其它零部件還會(huì)使天線的性能變壞。對(duì)于內(nèi)置式天線更是如此，如圖I、圖2中所示，內(nèi)置天線一般直接設(shè)于手機(jī)的PCB板上，而喇叭(也稱受話器，以下皆稱喇叭)就設(shè)于天線下面或側(cè)邊。喇叭的存在對(duì)天線性能的影響非常大， 而天線性能的惡化會(huì)帶來手機(jī)的通話質(zhì)量下降、有效覆蓋區(qū)的縮小、電池的通話和待機(jī)時(shí)間縮短等，直接影響手機(jī)整機(jī)的性能和質(zhì)量。因此，手機(jī)廠商、設(shè)計(jì)公司都試圖通過選用較小的喇叭，或者移走喇叭使其遠(yuǎn)離天線來減小其對(duì)天線性能的影響，事實(shí)上收效甚微，即使喇叭遠(yuǎn)離天線，仍然有可能影響天線性能；而且在很多情況下，狹小的手機(jī)內(nèi)部沒有其他合適的地方可以放置喇叭，還是不得不把揚(yáng)聲器放在天線的下面或旁邊。與外置天線相比，內(nèi)置天線由于具有手機(jī)外形美觀、攜帶方便、天線防摔不易損壞等優(yōu)點(diǎn)，在手機(jī)上得到越來越廣泛的采用。因此如何解決上述問題已迫在眉睫。國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局2005年2月9日授權(quán)公告的CN2678291號(hào)中國實(shí)用新型專利，公開了一種手機(jī)線路板、手機(jī)及手機(jī)外殼，其手機(jī)線路板包括主板天線電路部分和主板其它電路部分，其中主板天線電路部分包括天線與線路板連接部分和天線匹配電路部分；天線與線路板連接部分和天線匹配電路部分的發(fā)射接收有效部分位于手機(jī)主體的外側(cè)。該方案盡管能一定程度地改善手機(jī)天線的性能，但其僅適合于外置天線的手機(jī)，無法應(yīng)用在內(nèi)置天線的手機(jī)上，此外這種方案還會(huì)帶來其它諸如手機(jī)外殼必須采用金屬殼等缺點(diǎn)。本發(fā)明所解決的問題與CN2678291號(hào)專利不同。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在手機(jī)喇叭對(duì)手機(jī)集信號(hào)能力的不良影響，增強(qiáng)手機(jī)天線集信號(hào)能力。達(dá)到本實(shí)用新型的目的所采取的技術(shù)方案是一種增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，包括電路板本體和設(shè)于所述線路板本體上并與之電連接的天線、喇叭和芯片，所述芯片上至少具有音頻模塊；所述線路板本體為多層結(jié)構(gòu)，其最頂層具有兩個(gè)用于連接所述喇叭的第一、第二焊錫盤，所述喇叭的兩極通過軟導(dǎo)線或金屬彈片分別與所述第一、第二焊錫盤電連接，所述第一、第二焊錫盤分別通過第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線與所述音頻模塊電連接；所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線中的至少一根上串聯(lián)有電感或者感性EMI濾波器。所述線路板本體上至少與所述頂層相鄰的次頂層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)。所述電感或感性HMI濾波器離與之相連的所述第一焊錫盤或第二焊錫盤的最遠(yuǎn)距離小于10毫米。在本實(shí)用新型給出的一種方案中，所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線上各串聯(lián)有一電感1^1、1^2，所述電感1^1、1^2的電感值為5nH 60nH。在本實(shí)用新型給出的另一種方案中，所述第一導(dǎo)線上串聯(lián)有一電感LI，所述電感LI的電感值為5nH 60nH ;所述第二導(dǎo)線上串聯(lián)有一感性EMI濾波器L2，所述感性EMI濾波器L2的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。在本實(shí)用新型給出的再一種方案中，所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線上各串聯(lián)有一個(gè)感性EMI濾波器LI、L2，所述感性EMI濾波器LI、L2的在IGHz頻率以上阻抗大于或等于10 歐姆。在本實(shí)用新型給出的又一種方案中，所述第一導(dǎo)線上串聯(lián)兩個(gè)電感LI，所述兩電感LI的總電感值為5nH 60nH ;所述第二導(dǎo)線上串聯(lián)一所述感性EMI濾波器，所述感性EMI濾波器在IGHz頻率以上的阻抗大于或等于10歐姆。作為上述各方案的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述線路板本體上除頂層以外的其它各層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)。作為上述各方案的另一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述線路板本體共包括6層或8層，除頂層和底層以外的其它各層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤的區(qū)域均為非GND金屬區(qū)；所述底層為接地層，其對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤的區(qū)域?yàn)镚ND金屬區(qū)。所述線路板本體上還設(shè)有與之電連接的鍵盤、IXD、麥克風(fēng)和振動(dòng)馬達(dá)。所述喇叭位于所述天線的下部或側(cè)邊。本實(shí)用相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)一方面由于在連接喇叭焊錫盤與音頻模塊的導(dǎo)線上串聯(lián)有電感或者感性EMI濾波器，因此能有效增大該路徑上的高頻阻抗，從而抑制高頻電流在該路徑上的流動(dòng)，減小喇叭對(duì)天線性能的影響，同時(shí)該路徑低頻阻抗很小，不會(huì)因此而影響音頻信號(hào)。另一方面，為了更好的減小喇叭對(duì)天線的影響，在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，PCB板上的其它層(至少是次頂層)對(duì)應(yīng)喇叭焊錫盤的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)，此設(shè)計(jì)方案具有隔離作用，因此能有效抑制高頻電流通過喇叭，從而減小喇叭對(duì)天線性能的影響，使手機(jī)天線的性能得到大大改善；另外這種方案也結(jié)構(gòu)簡單，容易實(shí)施，成本低廉。
以下結(jié)合附圖給出的優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步的特征和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)說明。圖I為一種手機(jī)PCB板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中喇叭位于天線的下面。圖2為另一種手機(jī)PCB板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中喇叭位于天線的側(cè)邊。圖3仍為手機(jī)PCB板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中示出喇叭與PCB通過軟導(dǎo)線焊接連接。圖4也為手機(jī)PCB板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中示出喇叭通過金屬彈片與PCB板電連接。圖5為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖，圖中示出連接喇叭焊錫盤與芯片音頻模塊的兩導(dǎo)線上各串聯(lián)有一電感或感性EMI元件的結(jié)構(gòu)。圖6為本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選實(shí)施例的部分結(jié)構(gòu)示意圖，圖中示出連接喇叭焊錫盤與芯片音頻模塊的兩導(dǎo)線的第一導(dǎo)線上串聯(lián)有兩電感，第二導(dǎo)線上串聯(lián)有一電感或感性EMI元件的結(jié)構(gòu)。圖7為圖5、6所示優(yōu)選實(shí)施例的一種優(yōu)選實(shí)施方式，圖中示出PCB板除頂層以外的其它各層對(duì)應(yīng)第一、第二焊錫盤的區(qū)域均為非GND金屬區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖8為圖5、6所示優(yōu)選實(shí)施例的另一種優(yōu)選實(shí)施方式，圖中示出PCB板除頂層和底層以外的其它各層對(duì)應(yīng)第一、第二焊錫盤的區(qū)域均為非GND金屬區(qū)的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
在詳細(xì)說明本實(shí)用新型之前，先解釋或定義相關(guān)術(shù)語所述“EMI”,是指電磁干擾,其英文原文為 “Electro Magnetic Interference”。所謂“GND”，即為線路板的“地”，最終連接到電源的負(fù)極；“GND層”即為線路板中的地層，最終連接到電源的“地”。所謂線路板本體的“頂層”，是指線路板上最上面這層，也即本實(shí)用新型中設(shè)置焊錫盤的層；緊貼于該層的層稱為次頂層；與之相對(duì)位于最底面的層稱為底層。參見

圖1、2，按照本實(shí)用新型提供的改善手機(jī)天線性能的手機(jī)電路板，包括線路板本體10和設(shè)于所述線路板本體10上并與之電連接的天線20、喇叭30和芯片(圖中未示)，所述芯片上至少具有音頻模塊；根據(jù)需要芯片還可設(shè)置其它功能模塊，也可以將各功能模塊分別設(shè)于不同的芯片上，這時(shí)線路板10就會(huì)設(shè)有多片芯片。此外，所述線路板本體10上還設(shè)有與之電連接的鍵盤、IXD、麥克風(fēng)、聽筒和振動(dòng)馬達(dá)，這些結(jié)構(gòu)可采用為公知技術(shù)，因此圖中未示，此處也不贅述。具備這些結(jié)構(gòu)的線路板即可作為手機(jī)的主板。如圖1、2中所示，所述喇叭30 —般位于所述天線20的下部或側(cè)邊，這兩種情況下喇叭對(duì)天線的性能均會(huì)嚴(yán)重影響。所述線路板本體10為多層結(jié)構(gòu)，如一般包括電源層Vcc、地層GND、信號(hào)層等，電源層、地層、信號(hào)層都可能具有多層。本實(shí)用新型中，其最頂層具有兩個(gè)用于連接所述喇叭30的第一、第二焊錫盤4、5。如圖3所述喇叭30的兩極可通過軟導(dǎo)線2、3分別與所述第一、第二焊錫盤4、5電連接，也可如圖4中所示，所述喇叭器30的兩極通過金屬彈片2、3分別與所述第一、第二焊錫盤4、5電連接，如圖5中所示，所述第一、第二焊錫盤4、5分別通過第一導(dǎo)線41和第二導(dǎo)線51與所述芯片的音頻模塊電連接，以接收音頻模塊輸出的音頻信號(hào)。本實(shí)用新型的改進(jìn)之處在于所述第一導(dǎo)線41和第二導(dǎo)線51中的至少一根上串聯(lián)有電感或者感性EMI濾波器，因此通過增大該路徑上的高頻阻抗，來抑制高頻電流在該路徑上的流動(dòng)，從而減小喇叭對(duì)天線性能的影響，同時(shí)低頻阻抗幾乎不改變，從而不影響音頻的性能。作為對(duì)本實(shí)新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述線路板本體10上至少與所述頂層相鄰的次頂層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤4、5的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)。實(shí)際上離頂層最近的GND金屬所在層越遠(yuǎn)離頂層，效果就越好。所述電感或感性EMI濾波器離與之連接的所述第一、第二焊錫盤4、5的最遠(yuǎn)距離為小于10毫米，此處所說的最遠(yuǎn)距離，是指離所述第一、第二焊錫盤4、5最遠(yuǎn)的所述電感或感性EMI濾波器的遠(yuǎn)端離所述第一、第二焊錫盤4、5的物理距離。位于該距離范圍內(nèi)的電感或感性EMI濾波器，能有效抑制高頻電流，從而有效減小喇叭30對(duì)天線20的干擾；實(shí)踐中所述電感或感性EMI濾波器離與所述第一、第二焊錫盤4、5的距離越近，效果越佳。參見圖5，圖中橫線L以上的A部分表示喇叭與所述第一、第二焊盤4、5的連線部分，橫線L以下的B部分表示是PCB板上的線路部分。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例，所述第一導(dǎo)線41和第二導(dǎo)線51上各串聯(lián)有一電感L1、L2，所述電感L1、L2的電感值為5nH 60nH ; —般選用20nH左右效果最佳。這種方案結(jié)構(gòu)簡單,容易實(shí)施,成本低廉。作為上述優(yōu)選實(shí)施例的一種替換型式，所述第一導(dǎo)線41上串聯(lián)有一電感LI，所述電感LI的電感值為5nH 60nH ;所述第二導(dǎo)線51上串聯(lián)有一感性EMI濾波器L2，所述感性EMI濾波器L2的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。作為上述優(yōu)選實(shí)施例的另一種替換型式，所述第一導(dǎo)線41和第二導(dǎo)線51上各串聯(lián)有一個(gè)感性EMI濾波器L1、L2，所述感性EMI濾波器L1、L2的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。 參見圖6，作為本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選實(shí)施例，所述第一導(dǎo)線41串聯(lián)兩個(gè)電感LI，所述兩電感LI的總電感值為5nH 60nH;所述第二導(dǎo)線51串聯(lián)一所述感性EMI濾波器，所述感性EMI濾波器的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，如圖7中所示，所述線路板本體I共包括6層(當(dāng)然也可以包括8層或更多層)，除頂層以外的其它各層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤4、5的區(qū)域均為非GND金屬區(qū)。因此這種方案能起到非常好的隔離作用，有效抑制高頻電流通過喇叭，從而減小揚(yáng)聲器對(duì)天線性能的影響，使手機(jī)天線的性能得到大大改善。為清楚起見，圖7分別示出PCB頂層的正視圖(圖中的T部分)和PCB截面的層結(jié)構(gòu)(圖中的S部分)，兩個(gè)橢圓區(qū)域9表示第一、第二焊錫盤4、5下面對(duì)應(yīng)的部分為非GND金屬區(qū)。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，如圖8中所示，所述線路板本體I共包括6層(也可為8層或更多層)，除頂層和底層(圖中的最下層)以外的其它各層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤4、5的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)；所述底層為接地層，其對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤41、51的區(qū)域?yàn)镚ND金屬區(qū)。這種方案便于手機(jī)線路板接地層的設(shè)計(jì)，同時(shí)也具有較好的隔離效果，能有效減小喇叭對(duì)天線性能的不良影響。上述優(yōu)選實(shí)施例僅供說明本實(shí)用新型之用，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的指引下，還可作出各種變形和變換，因此所有等同技術(shù)方案都屬本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，包括線路板本體(10)和設(shè)于所述線路板本體(10)上并與之電連接的天線(20)、喇叭(30)和芯片，所述芯片至少具有音頻模塊；所述線路板本體(10)為多層結(jié)構(gòu)，其最頂層具有兩個(gè)用于連接所述喇叭(30)的第一、第二焊錫盤(4、5)，所述喇叭(30)的兩極通過軟導(dǎo)線或金屬彈片分別與所述第一、第二焊錫盤(4、5)電連接，所述第一、第二焊錫盤(4、5)分別通過第一導(dǎo)線(41)和第二導(dǎo)線(51)與所述芯片的音頻模塊電連接；其特征在于所述第一導(dǎo)線(41)和第二導(dǎo)線(51)中的至少一根上串聯(lián)有電感或者感性EMI濾波器。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述線路板本體(10)上至少與所述頂層相鄰的次頂層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤(4、5)的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述電感或感性EMI濾波器離與之相連的所述第一焊錫盤(4)或第二焊錫盤(5)的最遠(yuǎn)距離小于10毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述第一導(dǎo)線(41)和第二導(dǎo)線(51)上各串聯(lián)有一電感LI、L2，所述電感LI、L2的電感值為5nH 60nH。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述第一導(dǎo)線(41)上串聯(lián)有一電感LI，所述電感LI的電感值為5nH 60nH;所述第二導(dǎo)線(51)上串聯(lián)有一感性EMI濾波器L2，所述感性EMI濾波器L2的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述第一導(dǎo)線(41)和第二導(dǎo)線(51)上各串聯(lián)有一個(gè)感性EMI濾波器L1、L2，所述感性EMI濾波器L1、L2的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述第一導(dǎo)線(41)上串聯(lián)兩個(gè)電感LI，所述兩電感LI的總電感值為5nH 60nH ;所述第二導(dǎo)線(51)上串聯(lián)一所述感性EMI濾波器，所述感性EMI濾波器的阻抗在IGHz頻率以上大于或等于10歐姆。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述線路板本體(I)上除頂層以外的其它各層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤(4、5)的區(qū)域均為非GND金屬區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述線路板本體(I)共包括6層或8層，除頂層和底層以外的其它各層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤(4、5)的區(qū)域?yàn)榉荊ND金屬區(qū)；所述底層對(duì)應(yīng)所述第一、第二焊錫盤(41、51)的區(qū)域?yàn)镚ND金屬區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，其特征在于所述線路板本體(10)上還設(shè)有與之電連接的鍵盤、LCD、麥克風(fēng)和振動(dòng)馬達(dá)；所述喇叭(30)位于所述天線(20)的下部或側(cè)邊。
專利摘要一種增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)的線路板，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在手機(jī)喇叭對(duì)手機(jī)集信號(hào)能力的不良影響，增強(qiáng)手機(jī)天線集信號(hào)能力。包括電路板本體和設(shè)于所述線路板本體上并與之電連接的天線、喇叭和芯片，所述芯片上至少具有音頻模塊；所述線路板本體為多層結(jié)構(gòu)，其最頂層具有兩個(gè)用于連接所述喇叭的第一、第二焊錫盤，所述喇叭的兩極通過軟導(dǎo)線或金屬彈片分別與所述第一、第二焊錫盤電連接，所述第一、第二焊錫盤分別通過第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線與所述音頻模塊電連接；所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線中的至少一根上串聯(lián)有電感或者感性EMI濾波器。采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，容易實(shí)施，成本低廉以及增強(qiáng)手機(jī)集信號(hào)能力。
文檔編號(hào)H04M1/02GK202634511SQ201220249038
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月30日
發(fā)明者周毅 申請(qǐng)人:深圳市科潮達(dá)科技有限公司