專利名稱：Sim卡適配裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及SM卡，更具體地說，涉及一種SM卡適配裝置。
背景技術：
SIM (Subscriber Identity Module,客戶識別模塊)卡,也稱為用戶身份識別卡，數(shù)字移動通信終端必須裝上此卡方能使用。SIM卡實際上是一張內(nèi)含大規(guī)模集成電路的智能卡片，其上存儲了數(shù)字移動電話客戶的信息、加密的密鑰以及用戶的電話簿等內(nèi)容，可供移動通信網(wǎng)絡客戶身份進行鑒別，并對客戶通話時的語音信息進行加密。標準SM卡，即第二類SM卡，尺寸為25mmX 15mm，目前大多數(shù)手機都使用標準SM卡。/Jn SIMCMicro SM)卡，也叫做3FF SM卡，即第三類規(guī)格SM，尺寸為12mmX 15mm，比在手機中普遍使用的標準SM卡規(guī)格小了 52%。自蘋果之后，目前也有一部分手機開始采用這種micro SM卡。納米SM (Nano SM)卡是4FF標準的SM卡，是由蘋果公司最早提出的最新一代的手機SIM卡。這種Nano SIM卡尺寸為12.3mmX8.8mmX0.67mm,比MicroSM卡小三分之一，比起標準SM卡則小了 60%，而且厚度也減少了 15%。移動運營商對NanoSIM卡亦頗感興趣，會逐漸推出使用Nano SIM卡的手機。但是，對于使用了最新的Nano SIM卡的手機用戶來說，若要用回采用標準SM卡或Micro SIM卡標準的手機時，SIM卡適配便成為問題，更換新的SIM卡會帶來換號所導致的很多麻煩。

實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術問題在于，針對現(xiàn)有技術的上述缺陷，提供一種SIM卡適配裝置。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:提出一種SIM卡適配裝置，包括具有第一種SIM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的上表面形成有下陷的、具有比第一種SIM卡外形尺寸小的第二種SM卡外形尺寸的容置槽。上述SM卡適配裝置中，所述第一種SM卡為標準SM卡，所述第二種SM卡為納米SIM卡。上述SIM卡適配裝置中，所述卡托的長度為25mm,寬度為15mm,厚度為0.8mm,具有標準SIM卡的外形；所述容置槽的長度為12.3mm,寬度為8.8mm,容置槽從卡托的上表面下陷的深度為0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空間。上述SM卡適配裝置中，所述容置槽的下邊緣到卡托的下邊緣的距離為2.79mm,容置槽的左邊緣到卡托的左邊緣的距離為2.19mm，容置槽的右邊緣到卡托的右邊緣的距離為 4.0lmnin上述SM卡適配裝置中，所述第一種SM卡為小SM卡，所述第二種SM卡為納米S頂卡。上述SIM卡適配裝置中，所述卡托的長度為15mm,寬度為12mm,厚度為0.8mm,具有小SIM卡的外形；所述容置槽的長度為12.3mm,寬度為8.8mm,容置槽從卡托的上表面下陷的深度為0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空間。上述SM卡適配裝置中，所述容置槽的下邊緣到卡托的下邊緣的距離為0.99mm，容置槽的左邊緣到卡托的左邊緣的距離為0.69mm，容置槽的右邊緣到卡托的右邊緣的距離為 2.51mm。。本實用新型的SIM卡適配裝置通過在具有第一種SIM卡外形尺寸的卡托上形成具有第二種SIM卡外形尺寸以便能夠容置第二種SIM卡的容置槽，便可以便于手機用戶將較小尺寸的SIM卡置入適配裝置內(nèi)來充當較大尺寸的SM卡使用，避免了需要換卡和換號帶來的各種不便。

下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中:圖1是本實用新型第一實施例的SM卡適配裝置的結構立體圖；圖2是圖1所示的SIM卡適配裝置的平面示意圖；圖3是圖1 所示的SM卡適配裝置的A — A向剖視圖；圖4是本實用新型第二實施例的SM卡適配裝置的結構立體圖；圖5是圖4所示的SIM卡適配裝置的平面示意圖；圖6是圖4所示的SM卡適配裝置的B — B向剖視圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。圖1 一圖3示出了本實用新型第一實施例的SM卡適配裝置10的結構。如圖1所示，SIM卡適配裝置10包括具有第一種SIM卡(即標準SIM卡)外形尺寸的卡托12，在卡托12上表面形成下陷的容置槽14，容置槽14具有比第一種SM卡外形尺寸小的第二種SM卡(即Nano SIM卡)外形尺寸，用于容置具有第二種SM卡外形尺寸的SM卡，以使容置在其中的第二種SIM卡的集成電路位置與第一種SIM卡的集成電路位置相一致。通過如此的設計，Nano SM卡可以置入SM適配裝置10的容置槽14內(nèi)，從而通過SM適配裝置10來充當標準SIM卡使用。具體如圖2和圖3所示,卡托12的長度bl=25mm,寬度al = 15mm,厚度hi = 0.8mm,具有標準SM卡的外形。容置槽14的長度b2 = 12.3mm,寬度a2 = 8.8mm,容置槽14從卡托12的上表面下陷的深度h2=0.6mm，形成一具有Nano SM卡外形的容置空間，用于容置Nano SIM卡。此外,容置槽14的下邊緣到卡托12的下邊緣的距離cl = 2.79mm,容置槽14的左邊緣到卡托12的左邊緣的距離dl=2.19mm,容置槽14的右邊緣(即具有斜面的那一邊)到卡托12的右邊緣(即具有斜面的那一邊)的距離el=4.0lmm,以確保置于容置槽14內(nèi)的Nano SIM卡上的集成電路位置與標準SM卡上的集成電路位置完全一致。圖4 一圖6示出了本實用新型第二實施例的SM卡適配裝置20的結構。如圖4所示，SIM卡適配裝置20包括具有第一種SM卡(即Micro SIM卡)外形尺寸的卡托22，在卡托22上表面形成下陷的容置槽24，容置槽24具有比第一種SM卡外形尺寸小的第二種SM卡(即Nano SM卡)外形尺寸，用于容置具有第二種SM卡外形尺寸的SM卡，以使容置在其中的第二種SIM卡的集成電路位置與第一種SIM卡的集成電路位置相一致。通過如此的設計，Nano SM卡可以置入SM適配裝置20的容置槽24內(nèi)，從而通過SM適配裝置20來充當Micro SM卡使用。具體如圖5和圖6所示,卡托22的長度b3=15mm,寬度a3 = 12mm,厚度h3 = 0.8mm,具有Micro SIM卡的外形。容置槽24的長度b2 = 12.3mm,寬度a2 = 8.8mm,容置槽24從卡托22的上表面下陷的深度h2=0.6mm，形成一具有Nano SM卡外形的容置空間，用于容置Nano SIM卡。此外,容置槽24的下邊緣到卡托22的下邊緣的距離c2 = 0.99mm,容置槽24的左邊緣到卡托22的左邊緣的距離d2=0.69mm，容置槽24的右邊緣(即具有斜面的那一邊)到卡托22的右邊緣(即具有斜面的那一邊)的距離e2=2.51mm,以確保置于容置槽24內(nèi)的Nano SM卡上的集成電路位置與Micro SM卡上的集成電路位置完全一致。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍 之內(nèi)。
權利要求1.一種SM卡適配裝置，其特征在于，包括具有第一種SM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的對應SM卡集成電路所處的上表面形成有下陷但未貫通的、具有比第一種SIM卡外形尺寸小的第二種SM卡外形尺寸的容置槽，所述容置槽在所述卡托上表面的位置使得容置在容置槽中的第二種SIM卡的集成電路位置與第一種SIM卡的集成電路位置相一致。
2.根據(jù)權利要求1所述的SM卡適配裝置，其特征在于，所述第一種SM卡為標準SM卡，所述第二種SIM卡為納米SIM卡。
3.根據(jù)權利要求2所述的SM卡適配裝置，其特征在于，所述卡托的長度為25mm，寬度為15mm，厚度為0.8mm,具有標準SM卡的外形；所述容置槽的長度為12.3mm,寬度為8.8mm,容置槽從卡托的上表面下陷的深度為0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空間。
4.根據(jù)權利要求3所述的SIM卡適配裝置，其特征在于，所述容置槽的下邊緣到卡托的下邊緣的距離為2.79mm，容置槽的左邊緣到卡托的左邊緣的距離為2.19mm，容置槽的右邊緣到卡托的右邊緣的距離為4.01mm。
5.根據(jù)權利要求1所述的SM卡適配裝置，其特征在于，所述第一種SM卡為小SM卡，所述第二種SIM卡為納米SIM卡。
6.根據(jù)權利要求5所述的SI·M卡適配裝置，其特征在于，所述卡托的長度為15mm，寬度為12mm,厚度為0.8mm,具有小SIM卡的外形；所述容置槽的長度為12.3mm,寬度為8.8mm,容置槽從卡托的上表面下陷的深度為0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空間。
7.根據(jù)權利要求6所述的SIM卡適配裝置，其特征在于，所述容置槽的下邊緣到卡托的下邊緣的距離為0.99mm,容置槽的左邊緣到卡托的左邊緣的距離為0.69mm,容置槽的右邊緣到卡托的右邊緣的距離為2.51mm。
專利摘要本實用新型涉及一種SIM卡適配裝置，包括具有第一種SIM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的上表面形成有下陷的、具有比第一種SIM卡外形尺寸小的第二種SIM卡外形尺寸的容置槽。本實用新型的SIM卡適配裝置通過在具有第一種SIM卡外形尺寸的卡托上形成具有第二種SIM卡外形尺寸以便能夠容置第二種SIM卡的容置槽，便可以便于手機用戶將較小尺寸的SIM卡置入適配裝置內(nèi)來充當較大尺寸的SIM卡使用，避免了需要換卡和換號帶來的各種不便。
文檔編號H04M1/02GK203104530SQ20122042762
公開日2013年7月31日 申請日期2012年8月27日 優(yōu)先權日2012年7月17日
發(fā)明者肖國強, 楊平, 黃明長, 黃艷芳 申請人:深圳市法碼爾科技開發(fā)有限公司