發(fā)聲器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)聲器件，包括揚(yáng)聲器單體和外殼，揚(yáng)聲器單體包括振動系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，振動系統(tǒng)包括振膜和音圈，磁路系統(tǒng)形成容納音圈的磁間隙；振膜前側(cè)與外殼之間形成前聲腔，振膜后側(cè)與外殼之間形成后聲腔，外殼的側(cè)面設(shè)有出聲孔，出聲孔連通所述前聲腔；振膜包括位于中心位置的球頂部和位于邊緣位置的折環(huán)部，折環(huán)部的邊緣與外殼固定結(jié)合，折環(huán)部與球頂部連接的一側(cè)設(shè)有球頂連接部，折環(huán)部與外殼結(jié)合的一側(cè)設(shè)有外殼結(jié)合部；并且外殼結(jié)合部的部分結(jié)構(gòu)位于出聲孔的端口上，外殼結(jié)合部與球頂連接部之間具有高度差。這種結(jié)構(gòu)既可以增加出聲孔的尺寸，又可以增加揚(yáng)聲器單體的尺寸，從而提高了產(chǎn)品的聲學(xué)性能。
【專利說明】發(fā)聲器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電聲轉(zhuǎn)換【技術(shù)領(lǐng)域】，更為具體地，涉及一種可增大聲音輻射面積的發(fā)聲器件。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會的進(jìn)步和技術(shù)的發(fā)展，終端電子裝置體積減小，厚度減薄，與之配合的微型發(fā)聲器件的體積也越來越小，而消費(fèi)者對產(chǎn)品的性能卻要求越來越高。對于小體積的發(fā)聲器件，受體積限制，難以達(dá)到理想的聲學(xué)效果。
[0003]發(fā)聲器件通常包括揚(yáng)聲器單體和圍繞揚(yáng)聲器單體設(shè)置的外殼，揚(yáng)聲器單體通常包括振動系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，振動系統(tǒng)包括振I旲和首圈，磁路系統(tǒng)形成收各首圈的磁間隙，在首圈的帶動下振膜振動發(fā)聲并輻射到外界，從而可以被人耳接收。通常發(fā)聲器件的外殼上設(shè)有出聲孔，出聲孔可以使揚(yáng)聲器單體內(nèi)發(fā)出的聲音福射到外界。但是受發(fā)聲器件尺寸的限制，出聲孔通常很小，難以有效的輻射揚(yáng)聲器單體發(fā)出的聲波，如果增大出聲孔又會減小揚(yáng)聲器單體的尺寸，同樣會影響發(fā)聲器件的聲學(xué)性能。
[0004]因此，有必要提供一種發(fā)聲器件，以解決上述問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種發(fā)聲器件，在發(fā)聲器件大小一定的情況下，可以有效的增大出聲孔的尺寸，從而提高出聲孔的輻射效率，同時(shí)增大揚(yáng)聲器單體的尺寸，提高聲學(xué)性能。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種發(fā)聲器件，包括揚(yáng)聲器單體和收容固定揚(yáng)聲器單體的外殼，所述揚(yáng)聲器單體包括振動系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述振動系統(tǒng)包括振膜和結(jié)合于振膜一側(cè)的音圈，所述磁路系統(tǒng)形成容納音圈的磁間隙；所述振膜前側(cè)與所述外殼之間形成前聲腔，所述振膜后側(cè)與所述外殼之間形成后聲腔，其中，所述外殼的側(cè)面設(shè)有出聲孔，所述出聲孔連通所述前聲腔；所述振膜包括位于中心位置的球頂部和位于邊緣位置的折環(huán)部，所述折環(huán)部的邊緣與所述外殼固定結(jié)合，所述折環(huán)部與所述球頂部連接的一側(cè)設(shè)有球頂連接部，所述折環(huán)部與所述外殼結(jié)合的一側(cè)設(shè)有外殼結(jié)合部；并且所述外殼結(jié)合部的部分結(jié)構(gòu)位于所述出聲孔的端口上，所述外殼結(jié)合部與所述球頂連接部之間具有高度差。
[0007]此外，優(yōu)選的方案是，所述外殼包括上殼和中殼，所述上殼和中殼之間形成所述出聲孔；所述振膜的折環(huán)部結(jié)合于所述中殼上，所述中殼與所述折環(huán)部結(jié)合的位置形成所述外殼結(jié)合部，所述外殼結(jié)合部的位置低于所述球頂連接部的位置。
[0008]此外，優(yōu)選的方案是，所述振膜的折環(huán)部為下凹的結(jié)構(gòu)，向靠近所述磁路系統(tǒng)的一側(cè)彎曲。
[0009]此外，優(yōu)選的方案是，所述上殼上正對所述振膜的部分注塑有金屬片。
[0010]此外，優(yōu)選的方案是，所述球頂連接部與所述外殼結(jié)合部之間的高度差在0.2mm至0.6mm之間的數(shù)值范圍內(nèi)。
[0011]此外，優(yōu)選的方案是，所述振膜的球頂部與所述球頂連接部所處的高度相同。
[0012]此外，優(yōu)選的方案是，所述后聲腔內(nèi)還設(shè)有被動聲源，所述被動聲源包括兩個(gè)相對設(shè)置的被動輻射器。
[0013]此外，優(yōu)選的方案是，所述中殼上設(shè)有加強(qiáng)筋。
[0014]采用上述技術(shù)方案后，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明在發(fā)聲器件的振膜折環(huán)部的兩端存在高度差，即可以增加出聲孔的尺寸，又可以增加揚(yáng)聲器單體的尺寸，從而提高了產(chǎn)品的聲學(xué)性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]通過參考以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對本發(fā)明的更全面理解，本發(fā)明的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中:
[0016]圖1是本發(fā)明發(fā)聲器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本發(fā)明圖1所示揚(yáng)聲器單體部分的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明發(fā)聲器件去掉上殼后的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0020]結(jié)合圖1和圖2，本發(fā)明發(fā)聲器件包括振動系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)，以及收容固定振動系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼，其中，夕卜殼包括上殼11、中殼12和下殼13。振動系統(tǒng)包括振膜21和結(jié)合于振膜21下側(cè)的音圈22 ;磁路系統(tǒng)包括依次結(jié)合的華司31、磁鐵32和盆架33,磁路系統(tǒng)中華司31、磁鐵32的外側(cè)面和盆架33側(cè)壁之間具有一定間隙，該間隙為磁間隙，音圈22收容于該磁間隙中，磁路系統(tǒng)形成的磁力線穿過音圈22。其中音圈22通常由導(dǎo)電金屬絲纏繞而成，如銅包鋁線，音圈22接通電信號后，在磁路系統(tǒng)形成的磁場中受安培力的作用可以運(yùn)動。音圈22中接通的為交變信號，所受的安培力的大小和方向?qū)?yīng)信號變化；受安培力的作用，音圈22在磁間隙中上下振動。由于音圈22與振膜21是固定結(jié)合為一體的，音圈22的振動可以帶動振膜21振動，從而產(chǎn)生聲音。
[0021]振膜21包括位于中心位置的平板狀的球頂部210，以及位于球頂部邊緣的折環(huán)部211，球頂部210上通常結(jié)合剛性的復(fù)合層(圖中未標(biāo)號)，如圖2中所示，復(fù)合層具有有良好的剛性且質(zhì)量較輕，添加復(fù)合層可以提升振膜21的高頻特性，防止振膜21在高頻段產(chǎn)生分割振動。折環(huán)部211與球頂部210相連，為弧形且柔性的結(jié)構(gòu)，弧形結(jié)構(gòu)使振膜21可以上下振動而不會過大的牽拉振膜21。本實(shí)施例折環(huán)部211為下凹的結(jié)構(gòu)，即為向靠近磁路系統(tǒng)一側(cè)彎曲的結(jié)構(gòu)，這種折環(huán)部211下凹的結(jié)構(gòu)具體是配合揚(yáng)聲器膜組的具體結(jié)構(gòu)設(shè)置的，避免碰撞到上殼11，充分的利用了模組內(nèi)部的空間，從而有利于減小發(fā)聲器件的厚度，增大揚(yáng)聲器單體的整體尺寸。
[0022]發(fā)聲器件為側(cè)面出聲的結(jié)構(gòu)，包括上殼11和下殼12,上殼11和中殼12之間形成揚(yáng)聲器單體的出聲孔10，如圖1和圖2所示，位于發(fā)聲器件的側(cè)面，這種聲孔位于發(fā)聲器件側(cè)面的結(jié)構(gòu)，發(fā)聲器件與終端電子裝置組裝后，出聲孔10也位于側(cè)面，可以避免電子裝置平放時(shí)堵塞出聲孔10。其中，振膜21結(jié)合于中殼12上,具體的折環(huán)部211的邊緣與中殼12結(jié)合，如圖1至圖3所示。其中，折環(huán)部122與中殼12結(jié)合處的部分結(jié)構(gòu)位于出聲孔10的端口上。在發(fā)聲器件大小一定的情況下，為了增大出聲孔10的尺寸，使振膜21產(chǎn)生的聲音更順暢的輻射到外界，本發(fā)明折環(huán)部211的兩端存在高度差。折環(huán)部211包括與球頂部210連接的球頂連接部A，位于折環(huán)部211另一側(cè)的與中殼12固定結(jié)合的外殼結(jié)合部B，其中球頂連接部A與外殼結(jié)合部B之間具有高度差d，如圖2所示。結(jié)合折環(huán)部211為下凹的結(jié)構(gòu)，外殼結(jié)合部B的位置低于球頂連接部A所示的位置，即外殼結(jié)合部B與盆架33底壁之間的距離小于球頂連接部A與盆架33底壁之間的距離，如圖2和圖3共同所示。
[0023]優(yōu)選的,球頂連接部A和外殼結(jié)合部B之間的高度差d在0.2mm至0.6mm之間的數(shù)值范圍內(nèi)，高度差d在上述范圍內(nèi)可以保證振膜的聲學(xué)性能。
[0024]優(yōu)選的，振膜21的球頂部210的高度與球頂連接部A所處的高度相同。但是不限于這種結(jié)構(gòu)。
[0025]本發(fā)明出聲孔10的上側(cè)為上殼11的一個(gè)端面，出聲孔10的下側(cè)為中殼12的一個(gè)端面，由于上殼11為了保證殼體的強(qiáng)度需要具有一定的厚度，只能通過降低中殼12的高度，實(shí)現(xiàn)了出聲孔10的最大化；相應(yīng)的，與中殼12結(jié)合的折環(huán)部211的位置也要降低，為了不影響單體的尺寸，將折環(huán)部211的兩端設(shè)置成上述具有高度差的結(jié)構(gòu)。這種折環(huán)部211兩端具有高度差的結(jié)構(gòu)，可以使出聲孔的尺寸增大，同時(shí)有利于增大單體的尺寸，從而有效的提升了發(fā)聲器件的聲學(xué)性能。
[0026]振膜21的上側(cè)為保護(hù)框架中的上殼11，上殼11包括塑料本體，上殼11的中心位置注塑有金屬片110，與塑料材料相比，金屬材料在厚度較薄時(shí)即可達(dá)到所需強(qiáng)度，因此，這種上殼11注塑金屬片110的結(jié)構(gòu)，可以降低發(fā)聲器件的厚度，或者在發(fā)聲器件厚度一定的情況下可以增大發(fā)聲器件的內(nèi)部空間，從而可以增大揚(yáng)聲器單體的尺寸，提升產(chǎn)品聲學(xué)性能。中殼12固定磁路系統(tǒng)，上殼11與中殼12之間通過粘結(jié)或超聲波焊接的方式固定結(jié)合，由上殼11和中殼12收容固定揚(yáng)聲器單體。振膜21將發(fā)聲器件內(nèi)部的空間分隔為前聲腔和后聲腔，前聲腔為振膜21上側(cè)(遠(yuǎn)離音圈22 —側(cè))與上殼11、中殼12之間圍成的空間，前聲腔與出聲孔10連通，使聲音可以輻射到外界，但不限于這種結(jié)構(gòu)，也可以為后聲腔與出聲孔10連通。后聲腔為振膜21靠近磁路系統(tǒng)一側(cè)形成的聲腔，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)后聲腔為封閉的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明后聲腔中設(shè)置有被動聲源。
[0027]如圖1所示，本發(fā)明發(fā)聲器件的后聲腔中設(shè)置有兩個(gè)被動輻射器:被動輻射器51和被動輻射器52。被動輻射器51和被動輻射器52為平行設(shè)置的結(jié)構(gòu)，兩被動輻射器相對設(shè)置，被動福射器51和被動福射器52之間圍成一個(gè)空腔。本實(shí)施例被動福射器51和被動輻射器52為完全相同的結(jié)構(gòu)，但不限于這種完全相同的結(jié)構(gòu)。揚(yáng)聲器單體中振膜21后側(cè)產(chǎn)生的聲波流動到被動聲源時(shí)，分別流通到被動輻射器51和被動輻射器52遠(yuǎn)離對方的一偵牝即氣流被分為兩部分，分別流通到被動輻射器51的上側(cè)和被動輻射器52的下側(cè)，使兩被動輻射器之間的空腔內(nèi)的空氣被擠壓通過被動聲源的出聲孔連通到外界。這種在后聲腔內(nèi)設(shè)置被動輻射器的結(jié)構(gòu)，可以充分利用后聲腔的空間，利用后聲腔內(nèi)的聲波使被動輻射器振動發(fā)聲，產(chǎn)生低音，從而提升了整個(gè)發(fā)聲器件的低音效果。
[0028]如圖1所示，發(fā)聲器件的后聲腔主要由中殼12和下殼13圍成的。同樣，為了充分利用發(fā)聲器件的空間，在中殼12上正對被動福射器51的位置注塑有金屬片121,同樣下殼13上正對被動輻射器52的位置注塑有注塑金屬片131，這種在被動輻射器51和被動輻射器52振動幅度較大的位置注塑金屬片的結(jié)構(gòu)可以增大對應(yīng)位置的高度(空間)，為兩被動輻射器的振動提供足夠的空間，從而可以保證發(fā)聲器件的聲學(xué)性能。
[0029]此外，中殼12上對應(yīng)出聲孔10的位置設(shè)有加強(qiáng)筋120，加強(qiáng)筋120可以增加出聲孔10處的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，防止上殼11和/或中殼12出現(xiàn)塌陷。
[0030]如上參照附圖以示例的方式描述了根據(jù)本發(fā)明提出的發(fā)聲器件。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對于上述本發(fā)明所提出的發(fā)聲器件，還可以在不脫離本
【發(fā)明內(nèi)容】
的基礎(chǔ)上做出各種改進(jìn)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書的內(nèi)容確定。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)聲器件，包括揚(yáng)聲器單體和收容固定揚(yáng)聲器單體的外殼，所述揚(yáng)聲器單體包括振動系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述振動系統(tǒng)包括振I吳和結(jié)合于振I吳一側(cè)的首圈，所述磁路系統(tǒng)形成容納音圈的磁間隙；所述振膜前側(cè)與所述外殼之間形成前聲腔，所述振膜后側(cè)與所述外殼之間形成后聲腔，其特征在于， 所述外殼的側(cè)面設(shè)有出聲孔，所述出聲孔連通所述前聲腔； 所述振膜包括位于中心位置的球頂部和位于邊緣位置的折環(huán)部，所述折環(huán)部的邊緣與所述外殼固定結(jié)合，所述折環(huán)部與所述球頂部連接的一側(cè)設(shè)有球頂連接部，所述折環(huán)部與所述外殼結(jié)合的一側(cè)設(shè)有外殼結(jié)合部； 并且所述外殼結(jié)合部的部分結(jié)構(gòu)位于所述出聲孔的端口上，所述外殼結(jié)合部與所述球頂連接部之間具有高度差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述外殼包括上殼和中殼，所述上殼和中殼之間形成所述出聲孔； 所述振膜的折環(huán)部結(jié)合于所述中殼上，所述中殼與所述折環(huán)部結(jié)合的位置形成所述外殼結(jié)合部，所述外殼結(jié)合部的位置低于所述球頂連接部的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述振膜的折環(huán)部為下凹的結(jié)構(gòu)，向靠近所述磁路系統(tǒng)的一側(cè)彎曲。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述上殼上正對所述振膜的部分注塑有金屬片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述球頂連接部與所述外殼結(jié)合部之間的高度差在0.2mm至0.6mm之間的數(shù)值范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述振膜的球頂部與所述球頂連接部所處的高度相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述后聲腔內(nèi)還設(shè)有被動聲源，所述被動聲源包括兩個(gè)相對設(shè)置的被動輻射器。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述中殼上設(shè)有加強(qiáng)筋。
【文檔編號】H04R9/02GK104202700SQ201410307677
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】邵明輝, 楊健斌 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司