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      顯示器寬高比的適應的制作方法

      文檔序號:7561718閱讀:345來源:國知局
      專利名稱:顯示器寬高比的適應的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及偏轉(zhuǎn)電流控制領域和無幾何畸變或圖象內(nèi)容損失或行時間圖象壓縮的混合寬高比圖象的顯示器。
      16∶9寬高比顯象管的推廣需要一種使顯示器寬度和高度適應待顯示圖象格式的方法。具體來說,當在16∶9顯象管上顯示4∶3寬高比圖象時,必須縮小顯示寬度。這可通過適當?shù)臄?shù)字視頻信號處理或簡單通過縮減偏轉(zhuǎn)電流幅度來實現(xiàn)。水平掃描寬度的縮減免除了對在用16∶9寬高比顯象管顯示之前數(shù)字處理(收縮)4∶3寬高比信號的需要。
      在此所描述的本發(fā)明裝置給出了一種將水平掃描寬度降低25%的開關裝置,這里所述25%的縮減是允許在16∶9圖象顯示器上無幾何畸變地顯示4∶3寬高比圖象源所要求的。
      該電路運用了帶接地偏轉(zhuǎn)線圈的光柵校正水平偏轉(zhuǎn)電路。該電路布局提供一種低成本解決方案,其中單個晶體管開關控制所有偏轉(zhuǎn)參量,例如偏轉(zhuǎn)電流幅度,回掃時間,光柵校正及“S”整形。
      陰極射線管顯示系統(tǒng)包含附接于其上并耦合到用于產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流的偏轉(zhuǎn)裝置上的CRT和偏轉(zhuǎn)線圈以掃描顯象管屏幕上的光柵。至少提供有兩種可選擇偏轉(zhuǎn)狀態(tài)。在第一狀態(tài)下,產(chǎn)生的光柵具有對應于第一寬高比的偏轉(zhuǎn)幅度和偏轉(zhuǎn)校正參數(shù)。在第二可選條件下,產(chǎn)生的光柵具有對應于第二寬高比的偏轉(zhuǎn)幅度和偏轉(zhuǎn)校正參數(shù)。
      在另一發(fā)明特征中,偏轉(zhuǎn)裝置驅(qū)動旁路耦合到地的偏轉(zhuǎn)線圈,以通過偏轉(zhuǎn)幅度和偏轉(zhuǎn)校正參數(shù)控制提供簡單寬高比適應方法。
      進一步的發(fā)明特征提供也是可選擇地形成所選寬高比特有的偏轉(zhuǎn)校正的附加偏轉(zhuǎn)校正參數(shù)。


      圖1A是表示顯象管、偏轉(zhuǎn)線圈及偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的方框圖。
      圖1B示出帶有16∶9以及4∶3寬高比光柵的16∶9寬高比CRT顯示器表面。
      圖2是按照本文所描述本發(fā)明掃描適應電路布局的光柵較正水平偏轉(zhuǎn)電路的電路圖。
      圖3描繪出圖2中A點和B點的回掃電壓波形。
      圖4描繪出編轉(zhuǎn)線圈Lh中的電流iL。
      圖1A是表示帶有由水平偏轉(zhuǎn)電路1000驅(qū)動的水平偏轉(zhuǎn)繞組、以分級掃描顯示所要求的兩倍水平頻率工作、諸如圖象彩色16∶9顯象管A86ECT13×10型一類的陰極射線管3000的方塊示意圖。以2000表示的垂直偏轉(zhuǎn)電路耦合到垂直偏轉(zhuǎn)繞組。圖1B描繪出C.R.T3000的顯示表面并示出兩個光柵寬度。16∶9寬高比光柵由3100部分描述,而3200部分表示4∶3寬高比的光柵。
      在圖2中,水平振蕩器100被鎖相到輸入視頻水平同步信號,驅(qū)動器級耦合到輸出晶體管Q2的基極。晶體管Q2的集電極通過E-W開關MOS晶體管Q1與回極變壓器T1的初級繞組W1的串聯(lián)組合連接到B+電源。晶體管Q2的集電極還連接到E-W控制電路200的輸入端以及確定偏轉(zhuǎn)回掃時間的電容器C2、C3、C4和C5。在美國專利5,115,171中全面描述了E-W控制電路200的操作。晶體管Q2的集電極還通過產(chǎn)生“S”整形校正的電容器Cs和由電阻R10旁路的線性線圈Llin耦合到偏轉(zhuǎn)線圈Lh。當顯示16∶9格式光柵時偏轉(zhuǎn)線圈Lh由晶體管Q3耦合到地。為顯示4∶3寬高比的圖象,自耦變壓器L1的繞組Wb同偏轉(zhuǎn)線圈Lh與提供交流接地的電容器C6串聯(lián)連接。晶體管Q1在第一半回掃的可變部分期間從T1的初級繞組供應所需能量給偏轉(zhuǎn)電路并在回掃的其它部分期間截止。因此Q1控制Q2兩端的回掃電壓。回掃變壓器的回掃時間由電容器C1確定。選擇偏轉(zhuǎn)電路和回掃變壓器具有5.8μS的相同回掃時間?;貟咦儔浩鱐1具有兩個次級繞組,繞組W2產(chǎn)生掃描適應電路300的基極驅(qū)動電流和控制電壓,繞組W3為最高陽極電源EHT提供回掃脈沖。在回掃變壓器與輸出晶體管Q2之間由E-W校正電路形成的隔離使最高陽極電源EHT基本上不受偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)擾動,例如偏轉(zhuǎn)幅度的改變的影響。
      由耦合在Q2集電極與地之間的電容器C2和C3形成的容性電壓驅(qū)動器形成偏轉(zhuǎn)線圈回掃電壓樣本。該電壓樣本被二極管D1箝位到地并反饋回水平振蕩器以形成使振蕩器與視頻信號水平同步脈沖同步的輸入。利用偏轉(zhuǎn)線圈回掃脈沖作為水平振蕩器的鎖相輸入消除了水平振蕩器的電子束電流相關的相位調(diào)制。箝位偏轉(zhuǎn)線圈回掃電壓脈沖還為E-W控制電路提供反饋信號。E-W控制電路耦合到垂直速率波形,該波形為產(chǎn)生適合于偏轉(zhuǎn)畸變校正的各種波形而成形。E-W控制電路用已處理的垂直速率波形調(diào)制晶體管Q1的截止瞬間。因此流入偏轉(zhuǎn)電路的能量被幅度調(diào)制,這本身又導致跨接晶體管Q2的回掃電壓和偏轉(zhuǎn)線圈中偏轉(zhuǎn)電流的調(diào)制。因此校正了諸如枕形或梯形失真一類的E-W光柵畸變。
      掃描適應電路300包含耦合到自耦變壓器L1的晶體管Q3。自耦變壓器L1具有兩個繞組,繞組Wb構(gòu)成偏轉(zhuǎn)線圈擴展線圈或電感器,繞組Wa形成升壓自耦變壓器。電容器C6為偏轉(zhuǎn)線圈擴展線圈Wb提供到地的低交流阻抗。由經(jīng)自耦變壓器繞組Wa耦合到晶體管開關Q3的二極管D2、D3切換回掃電容。開關晶體管Q3耦合到由晶體管Q5驅(qū)動的MOS晶體管Q4。晶體管Q5耦合到寬高比顯示選擇器開關S1。
      當選擇16∶9模式時,水平偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)線圈Lh的下側(cè)連接到基準電位,在該實施例中該基準電位經(jīng)由飽和開關晶體管Q3的集電極接地。晶體管Q3的集電極還連接到自耦變壓器L1的繞組Wa與Wb的接點,當晶體管Q3飽和時,該接點也接地。繞組Wb的另一端由10μF的電容器C6交流短路到地。因此,由于變壓器的作用,繞組Wa顯現(xiàn)短路將二極管D3的陰極箝位到地電位。二極管D2和D3將電容器C4和C5的接點箝位于地電位。這樣,電容器C5被二極管D2和D3短路,偏轉(zhuǎn)電路回掃時間由電容器C2、C3的串聯(lián)并同電容器C4并聯(lián)的組合確定。通過E-W控制電路在16∶9模式下調(diào)節(jié)圖象寬度和光柵校正,以獲得全屏幕16∶9顯示。
      在4∶3顯示模式下,晶體管Q3截止導致偏轉(zhuǎn)電流流過偏轉(zhuǎn)線圈擴展繞組Wb和電容器C6,這導致偏轉(zhuǎn)電流幅度降低?;貟咂陂g,由于繞組Wa產(chǎn)生二極管D3兩端的反向偏壓,Wa和Wb接點上的回掃電壓上升。這樣,隨著二極管D3截止,電容器C5變換為與電容器C4串聯(lián)連接減小了整個回掃電容。這種回掃電容的減小補償了由加上與偏轉(zhuǎn)線圈L1串聯(lián)的繞組Wb導致的偏轉(zhuǎn)電路電感的增加。當在16∶9與4∶3寬高比之間轉(zhuǎn)換時總的結(jié)果為回掃時間恒定。
      由于回掃電容器C2與C3的串聯(lián)連接,補償電感轉(zhuǎn)變所需的回掃電容改變導致由電容器C4和C5串聯(lián)連接形成的分壓器產(chǎn)生比在Wb與Lh接點上更大的回掃脈沖幅度。為防止二極管D3在回掃峰值時導通,必須將較大反偏回掃脈沖加至二極管D3的陰極。因此,由繞組(Wa+Wb)/Wb形成的升壓自耦變壓器L1產(chǎn)生足以使二極管D3反偏的約150%的脈沖幅度。在圖3中示出了回掃電壓上的這種差異。波形A表示在電容器C4和C5的接點A的回掃電壓波形,波形B表示在繞組Wa、Wb接點的回掃電壓。兩波形上的陰極表示存在E-W拋物線幅度調(diào)制。
      為了防止在晶體管Q3兩端產(chǎn)生負電壓,通過將掃描電壓用二極管D2和D3以及晶體管Q3內(nèi)的集成二極管箝位于繞組Wa和Wb的接點而使電容器C6正向充電。這在電容器C6兩端產(chǎn)生60伏左右的正直流電壓。
      由于插入繞組Wb和因降低回掃電容而減小了回轉(zhuǎn)能量,偏轉(zhuǎn)電流幅度被縮減為4∶3寬高比?!癝”整形量同包括繞組Wb導致的偏轉(zhuǎn)電流衰減成正比地下降。另一種解釋為附加電感降低由“S”電容器和偏轉(zhuǎn)線圈形成的串聯(lián)偏轉(zhuǎn)電路的調(diào)諧,這導致較低頻率校正波形,即,在極點具有較小曲率的波形,因此小的“S”校正。圖4示出16∶9以及4∶3偏轉(zhuǎn)寬度的偏轉(zhuǎn)電流iL的波形。光柵校正的相對量保持恒定,因為晶體管Q2兩端的回掃電壓在從16∶9變換為4∶3時保持不變。這樣與偏轉(zhuǎn)電流衰減正成比地降低了峰-峰光柵校正電流。作為一個有益結(jié)果,當偏轉(zhuǎn)在16∶9與4∶3寬高比之間變換時,光柵的幾何形狀仍然正確。
      接近要求對偏轉(zhuǎn)電流進行“S”整形的顯象管邊緣偏轉(zhuǎn)靈敏度增大。從16∶9變?yōu)?∶3需要縮減25%的掃描幅度。然而,由于該特定管所需的“S”整形,偏轉(zhuǎn)電流下降18%。因此擴展線圈Wb的指定值為偏轉(zhuǎn)線圈Lh和未飽和線性線圈Llin的電感之和的18%。
      當以4∶3顯示模式工作時,由于降低偏轉(zhuǎn)寬度的結(jié)果,水平掃描的開始不再受到水平過掃描的遮蔽。因此任何掃描阻尼振蕩或擾動可視作圖象左緣的垂直條紋。圖2所示部分400的電路補償了隨偏轉(zhuǎn)線圈諧振、在回掃脈沖終止后產(chǎn)生回掃電流的雜散電容效應。雜散電容存在于偏轉(zhuǎn)線圈與其它相鄰部件之間。部分400的電路可等效應用于具有其它寬高比的操作,這時它將允許利用少量水平過掃描產(chǎn)生具有較少圖象模糊的較亮圖象。
      在16∶9模式下,使晶體管Q3飽和所需的基極電流由回掃變壓器T1的繞組W2產(chǎn)生。來自繞組W2的正回掃脈沖通過二極管D5、電阻R6、電感器L2,飽和晶體管Q4耦合到晶體管Q3的基-發(fā)射結(jié)。電感L2存儲回掃電流的能量,其在掃描時間期間經(jīng)二極管D4和晶體管Q4為晶體管Q3提供基極電流。在掃描期間電感器L2幾乎被二極管D4和晶體管Q3所短路。因此掃描期間的電流衰減較小。相繼的回掃脈沖補充產(chǎn)生2安培的DC基極電流的電感器L2中的能量。
      在4∶3模式下,打開寬高比選擇開關S1,電阻器R9使電容器C8充電為正電壓使晶體管Q5飽和。隨著晶體管Q5飽和,集電極的近地電位經(jīng)電阻R7耦合到截止的MOS晶體管Q4。晶體管Q4的源極經(jīng)電阻器R5耦合到地,并耦合到也變?yōu)榻刂沟碾p極型晶體管Q3的基極。電阻器R4使電感器L2減振以避免電壓峰值通過Q4。電容器C6兩端的電壓反向偏置二極管D5。電阻器R1和R2為電容器C5和C6提供放電路徑并限定施加到其上的直流電壓。阻尼網(wǎng)絡電阻器R3和電容器C7防止水平偏轉(zhuǎn)線圈Lh和自耦變壓器L1的接點上的寄生振蕩。
      在16∶9顯示模式下,閉合寬高比選擇開關S1,將回掃變壓器繞組W2耦合到二極管D7和電容器C8,以產(chǎn)生使晶體管Q5截止的負電位。晶體管Q5的集電極通過電阻器R8連接到正電源和齊納二極管D6陰極和電阻R7的接點。電阻R7耦合到MOS晶體管Q4的柵極。這樣,隨著晶體管Q5截止,電流從正電源經(jīng)電阻R8提供給齊納二極管D6,并將正電壓經(jīng)電阻R7提供給晶體管Q4的柵極,令晶體管Q4飽和。飽和晶體管Q4將電容器C6上的正電位經(jīng)電阻R4耦合到電阻R5與開關晶體管Q3基極的結(jié)點使它飽和,并將水平偏轉(zhuǎn)線圈與自耦變壓器L1抽頭的接點有效接地。
      自耦變壓器L1抽頭接地還為電容器C6提供放電路徑、為晶體管Q3的基極電流提供了來源。然而,晶體管Q3的基極電流被來自繞組W2的整流回掃脈沖所維持。這些脈沖經(jīng)電阻R6、二極管D5、電感器L2進行耦合。在掃描時間期間,電感器L2中存儲的能量經(jīng)二極管D4、電阻器R5和晶體管Q4維持晶體管Q3的基極電流。
      通過晶體管Q3的控制達到這兩種模式之間的平滑轉(zhuǎn)換。在4∶3模式下,由通過二極管D2、D3和晶體管Q3的反并聯(lián)二極管箝位的掃描電壓對電容器C6正向充電。當顯示格式從4∶3轉(zhuǎn)換到16∶9時,開關S1閉合,如前所述控制基極電流。電容器C6通過電阻器R10和晶體管Q3和Q4完全放電。
      開關S1可為一種由程序格式識別電路產(chǎn)生或?qū)С龅目刂菩盘枂拥碾娮娱_關。
      本發(fā)明裝置可適用于其它電視掃描頻率和(或)任何其它寬高比或欠掃描。
      權(quán)利要求
      1.一種陰極射線管顯示系統(tǒng),包含陰極射線管和設置于其上的偏轉(zhuǎn)線圈(Lh);耦合到所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)用于產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)以掃描所述管的屏幕(3000)上的光柵的偏轉(zhuǎn)裝置(Q2),所述偏轉(zhuǎn)裝置(Q2)至少具有兩種各具有偏轉(zhuǎn)電流(iL)幅度和偏轉(zhuǎn)電路參數(shù)的可選擇狀態(tài),其特征在于第一可選擇狀態(tài),第一偏轉(zhuǎn)幅度和所述參數(shù)的第一值對應于所述光柵(3000)的第一寬高比,以及在第二可選擇狀態(tài)下,第二偏轉(zhuǎn)幅度和所述參數(shù)的第二值對應于與所述第一寬高比不同的第二寬高比(3200)。
      2.如權(quán)利要求1所述的顯示系統(tǒng),其特征在于所述可選擇偏轉(zhuǎn)電路參數(shù)是回掃參數(shù)和S整形參數(shù)之一。
      3.如權(quán)利要求1所述的顯示系統(tǒng),其特征在于所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)并聯(lián)耦合在所述偏轉(zhuǎn)裝置(Q2)與基準電位之間,以使偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)電壓是非漂移的并與基準電位有關。
      4.如權(quán)利要求3所述的顯示系統(tǒng),其特征在于所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)可選擇地耦合在交流地電位與所述基準電位之間。
      5.如權(quán)利要求3所述的顯示系統(tǒng),其特征在于所述偏轉(zhuǎn)裝置(Q2)還包括耦合到所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)和所述基準電位并可操作以在所述第一和第二可選狀態(tài)之間進行選擇的開關(Q3)。
      6.如權(quán)利要求5所述的顯示系統(tǒng),其特征在于一電感(Wb)與所述開關(Q3)關聯(lián)耦合,以致所述開關(Q3)的導通使所述偏轉(zhuǎn)電流(iL)通過所述開關(Q3)導向所述基準電位,而所述開關的非導通致使所述偏轉(zhuǎn)電流經(jīng)所述電感(Wb)導向所述基準電位。
      7.如權(quán)利要求6所述的顯示系統(tǒng),其特征在于回掃電容(C5)響應所述開關(Q3)可選擇地耦合到所述電感。
      8.如權(quán)利要求6所述的顯示系統(tǒng),其特征在于S校正電容(Cs)諧振耦合到所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)和電感(Wb),該諧振耦合響應所述開關(Q3)而變化以改變所述偏轉(zhuǎn)電流(iL)的S校正量。
      9.如權(quán)利要求1所述的顯示系統(tǒng),其特征在于所述第一可選擇狀態(tài)對應于16∶9的寬高比,所述第二可選擇狀態(tài)對應于4∶3的寬高比。
      10.如權(quán)利要求1所述的顯示系統(tǒng),其特征在于電感(Wb)與所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)串聯(lián)耦合,以致于在所述第一可選擇狀態(tài)下,所述電感(Wb)被短路,而在所述第二可選擇狀態(tài)下,所述偏轉(zhuǎn)電流(iL)經(jīng)所述電感器(Wb)導通。
      11.如權(quán)利要求1所述的顯示系統(tǒng),其特征在于回掃電容(C4,C5)配置成與所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)和偏轉(zhuǎn)電流幅度控制電感(Wb)諧振常合;且其電容值按照所述第一和第二可選擇狀態(tài)進行選擇。
      12.如權(quán)利要求1所述的顯示系統(tǒng),其特征在于S校正電容(Cs)與所述偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)和所述偏轉(zhuǎn)電流幅度控制電感(Wb)耦合以按照所述第一和第二可選擇狀態(tài)形成具有不同諧振頻率的諧振電路。
      13.一種偏轉(zhuǎn)裝置,包含偏轉(zhuǎn)繞組(Lh);耦合于所述偏轉(zhuǎn)繞組用于在其內(nèi)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)的偏轉(zhuǎn)裝置(Q2);具有第一繞組(Wb)和第二繞組(Wa)的變壓器(L1),所述第一繞組(Wb)耦合到所述偏轉(zhuǎn)繞組;其特征在于耦合到所述偏轉(zhuǎn)繞組的回掃電路包括耦合到所述變壓器(L1)的所述第二繞組(Wa)的回掃電容(C5);以及耦合到所述變壓器(L1)的開關裝置(Q3)按照其切換狀態(tài)去控制偏轉(zhuǎn)電流幅度(iL)。
      14.如權(quán)利要求13所述的裝置,其特征在于所述回掃電容(C5)與所述偏轉(zhuǎn)繞組旁路耦合到地,所述變壓器第二繞組(Wa)耦合到第二開關裝置(D3),用于響應偏轉(zhuǎn)幅度選擇來選擇回掃電容值,從而保持基本上恒定的回掃持續(xù)時間。
      15.如權(quán)利要求13所述的裝置,其特征在于所述變壓器包含具有兩個繞組的自耦變壓器(L1)。
      16.如權(quán)利要求13所述的裝置,其特征在于所述偏轉(zhuǎn)繞組(Lh)并聯(lián)耦合在所述偏轉(zhuǎn)裝置(Q2)與基準電位之間,以使所述偏轉(zhuǎn)線圈電壓為非漂移的并與基準電位有關。
      17.如權(quán)利要求16所述的裝置,其特征在于所述偏轉(zhuǎn)繞組(Lh)可選擇地耦合在交流地電位與所述基準電位之間。
      18.一種偏轉(zhuǎn)裝置,包含偏轉(zhuǎn)繞組(Lh);耦合于所述繞組用于在其內(nèi)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)的偏轉(zhuǎn)裝置(Q2);諧振耦合于所述繞組(Lh)的S校正電容(Cs);電感(Wb);其特征在于開關裝置(Q3),耦合到所述偏轉(zhuǎn)繞組(Lh)和所述電感(Wb),以致所述開關裝置(Q3)的第一導通狀態(tài)增大所述諧振耦合的頻率并產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)和S校正的第一值,而第二導通狀態(tài)降低所述諧振耦合的頻率并產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)和S校正的第二值。
      19.一種偏轉(zhuǎn)裝置,包含偏轉(zhuǎn)繞組(Lh);耦合于所述偏轉(zhuǎn)繞組(Lh)用于在其內(nèi)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)的偏轉(zhuǎn)裝置(Q2);可選擇地耦合于所述偏轉(zhuǎn)繞組(Lh)以控制偏轉(zhuǎn)電流(iL)的幅度的電感(Wb);其特征在于第一回掃電容(C2,C3,C4)諧振耦合到所述偏轉(zhuǎn)繞組,第二回掃電容(C2,C3,C4,C5)根據(jù)所述可選擇電感(Wb)的耦合被耦合,從而保持大致恒定的回掃持續(xù)時間。
      20.一種偏轉(zhuǎn)裝置,包含偏轉(zhuǎn)繞組(Lh);耦合到所述偏轉(zhuǎn)繞組(Lh)用于在其內(nèi)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電流(iL)的偏轉(zhuǎn)裝置(Q2);耦合到所述偏轉(zhuǎn)裝置(Q2)的東西偏轉(zhuǎn)校正電路(200);耦合于所述東西校正電路(200)并具有帶東西偏轉(zhuǎn)校正的基本上不變的最高陽極電源(EHT)的回掃變壓器(T1),其特征在于耦合于所述偏轉(zhuǎn)裝置(Q2)用于控制所述偏轉(zhuǎn)電流(iL)的幅度的裝置(Wb);以及耦合于所述幅度控制裝置(Wb)用于在兩個不同偏轉(zhuǎn)電流幅度之間轉(zhuǎn)換而不產(chǎn)生顯著的最高陽極電源變化的開關裝置(Q3)。
      全文摘要
      借助于偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)和偏轉(zhuǎn)放大器(Q2)在帶有16∶9寬高比屏幕的CRT上產(chǎn)生可選寬高比光柵。偏轉(zhuǎn)放大器(Q2)以非漂移結(jié)構(gòu)耦合到偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)。這允許一開關裝置通過可選擇地將電感(Wb)串聯(lián)連接于偏轉(zhuǎn)線圈(Lh)來控制水平偏轉(zhuǎn)幅度。切換裝置(300)還控制其它偏轉(zhuǎn)電路參數(shù)以在所選擇寬高比下提供最佳光柵校正。
      文檔編號H04N7/015GK1071037SQ9211017
      公開日1993年4月14日 申請日期1992年8月27日 優(yōu)先權(quán)日1991年8月28日
      發(fā)明者P·E·哈弗爾 申請人:Rca·湯姆森許可公司
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