專利名稱：高頻加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高頻加熱裝置，它能通過(guò)高頻加熱來(lái)加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，關(guān)于高頻加熱裝置的類型，例如，在日本特許公開(kāi)No.2562/1998中公開(kāi)過(guò)一種裝置。圖13是微波爐1的正視圖，該微波爐正是上述傳統(tǒng)的高頻加熱裝置，圖中所示的是該微波爐的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述相關(guān)技術(shù)，從磁控管即高頻發(fā)生裝置產(chǎn)生的微波從形成于側(cè)壁表面上的微波輻射口輻射到加熱室3中。
另外，作為食品臺(tái)板，如鐵這樣的金屬制成的基部的表面被涂覆一薄層膜狀的微波加熱層。
但是，在傳述結(jié)構(gòu)中，由于金屬表面被涂覆高頻加熱層，如微波加熱層，加熱層靠近金屬表面，所以加熱層附近的電場(chǎng)較弱，吸收高頻的量變小，且加熱能力變小，這樣就產(chǎn)生了一個(gè)問(wèn)題，即，很難使被加熱物體的表面烤得焦黃。
另外，為了解決這個(gè)問(wèn)題，希望加熱被加熱物體的內(nèi)部的準(zhǔn)備工作和操作以及使其表面烤得焦黃能夠簡(jiǎn)單易行，并易于清潔。
而且，由于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中微波輻射口位于側(cè)壁上，一部分靠近微波輻射口的高頻加熱層受到更強(qiáng)烈的微波輻射，所以有這樣一個(gè)問(wèn)題，即，在高頻加熱層中產(chǎn)生加熱不均。
新型內(nèi)容本新型旨在解決傳統(tǒng)中的問(wèn)題，其目的是提供一種高頻加熱裝置，該裝置能通過(guò)高頻加熱有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
本新型旨在解決傳統(tǒng)中的問(wèn)題，其目的是提供一種高頻加熱裝置，該裝置用高頻加熱有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，能使被加熱物體的表面烤得焦黃，且使用起來(lái)又容易又方便。
本新型旨在解決傳統(tǒng)中的問(wèn)題，其目的是提供一種高頻加熱裝置，該裝置能降低加熱過(guò)程中的不均勻度。
為了解決傳統(tǒng)問(wèn)題，根據(jù)本新型的高頻加熱裝置包括加熱室，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室中；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層；以及金屬制成的托盤，用于在其上放置被加熱物體；在高頻加熱層和托盤之間設(shè)置一個(gè)間隙。
所以，通過(guò)高頻加熱有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
而且，為了解決傳統(tǒng)問(wèn)題，本新型的一種高頻加熱裝置包括加熱室，用于存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部，使加熱器進(jìn)行加熱；高頻發(fā)生單元，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；以及托盤，其背面上具有高頻加熱層，被加熱的物體放置在該托盤上。
所以，由于具有高頻加熱層的托盤被從下面均勻輻射的微波均勻地加熱，所以能進(jìn)行使被加熱物體的表面烤得焦黃的烹調(diào)工作。
為了解決傳統(tǒng)問(wèn)題，本新型的一種高頻加熱裝置包括高頻加熱層，由陶瓷制成，具有吸收高頻電波并產(chǎn)生熱量的高頻發(fā)熱薄膜；以及托盤，由金屬制成，被加熱物體放置在該托盤上；其中高頻加熱層與托盤以一定空間相隔設(shè)置在位于加熱室左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件上，高頻加熱層和托盤被一個(gè)固定元件固定并彼此連接。
所以，可以提供一種炊具，它通過(guò)高頻加熱有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃，且使用起來(lái)又容易又方便。
一種根據(jù)本新型第一方面的高頻加熱裝置，包括加熱室，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室中；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層；以及托盤，用于在其上放置被加熱物體；其中在高頻加熱層和托盤之間設(shè)置一個(gè)間隙。所以，通過(guò)高頻加熱有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
一種根據(jù)本新型第二方面的高頻加熱裝置，包括加熱室，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室中；高頻發(fā)生單元，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層；以及托盤，用于在其上放置被加熱物體；其中在高頻加熱層和托盤之間設(shè)置一個(gè)間隙。所以，由于能從底部更均勻地加熱被加熱物體，加熱中的不均勻度更低，所以有效地加熱了被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第三方面，在托盤的一部分或者整個(gè)托盤中使用反射高頻電波的材料。所以，能有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第四方面，使用由金屬制成的托盤。所以，能有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第五方面，金屬制成的托盤放置在高頻加熱層上，高頻加熱層至少在高頻加熱層的生熱部分附近與金屬制成的托盤接觸。所以，能有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第六方面，特別是設(shè)置如第一方面或第二方面所述的托盤，以便把加熱室分成兩個(gè)部分。所以，從下部輻射的高頻電波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤的上部，向高頻加熱層輻射的高頻電波的量增加了，因而能容易地使被加熱物體的底面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第七方面，特別是如第一方面或第二方面所述的高頻發(fā)生單元，它設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱，具有傳播高頻電波的高頻傳播單元，以便把電波輻射到加熱室中。所以，由于能從下面更加均勻地加熱被加熱物體，加熱過(guò)程中的不均勻度變小了。
根據(jù)本新型的第八方面，特別是提供如第一方面或第二方面所述的金屬制的托盤，以便在高頻加熱層與托盤之間形成間隙。所以，由于高頻加熱層的熱量能更容易地傳導(dǎo)給金屬制成的托盤，因而更容易使被加熱物體的底面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第九方面，特別是，如第一方面所述，用于把托盤放進(jìn)加熱室中的導(dǎo)軌設(shè)置在加熱室的左右兩側(cè)的表面上。所以，從下部輻射的高頻電波幾乎不向上傳播，向高頻加熱層輻射的高頻電波的量增加了，因而能更容易地使被加熱物體的底面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第十個(gè)方面，為了把高頻加熱層和托盤放進(jìn)加熱室中，在轉(zhuǎn)盤上設(shè)置放置網(wǎng)(setting net)。所以，由于被加熱物體能在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)被加熱，因而能更容易也更均勻地使被加熱物體烤得焦黃。
一種根據(jù)本新型第十一個(gè)方面的裝置，包括高頻加熱層和由金屬制成的托盤，其中高頻加熱層位于托盤的下部。所以，由于高頻加熱層與托盤結(jié)合，因而沒(méi)有必要分別取出它們，這樣節(jié)省了勞動(dòng)力。
根據(jù)本新型的第十二個(gè)方面，托盤具有一個(gè)凹槽，用于在其中存放從被加熱物體流出的汁液。所以，由于像油這種從被加熱物體流出的汁液被清除，因而能更容易地使被加熱物體烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第十三個(gè)方面，在托盤的表面上設(shè)置一無(wú)粘性薄膜。所以，托盤的表面很難被弄臟。
根據(jù)本新型的第十四個(gè)方面，具有高吸熱率的吸熱薄膜設(shè)置在托盤的背面。所以，由于從高頻加熱層發(fā)出的熱量能更容易地被吸收到托盤上，因而能更容易地使被加熱物體烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第十五個(gè)方面，通過(guò)調(diào)整托盤不平整度的高度、寬度和間距，能調(diào)節(jié)發(fā)熱量。
根據(jù)本新型的第十六個(gè)方面，由不會(huì)造成火花的材料制成的支架設(shè)置在托盤與加熱室的壁表面接觸的部分。所以，能防止由托盤的金屬部分和導(dǎo)軌部分之間的高頻造成的火花。
根據(jù)本新型的第十七個(gè)方面，用樹(shù)脂作為制成支架的材料。所以，支架更容易模制，并能防止由托盤的金屬部分和導(dǎo)軌部分之間的高頻造成的火花。
根據(jù)本新型的第十八個(gè)方面，托盤和加熱層被支架夾在中間。所以，能防止加熱層的剝落，同時(shí)能防止由托盤的金屬部分和加熱室的側(cè)面之間的高頻電波造成的火花。
根據(jù)本新型的第十九個(gè)方面，用油灰(putty)把托盤和高頻加熱層粘在一起。所以，當(dāng)用托盤保持著高頻加熱層時(shí)，可以防止由高頻加熱層與托盤的金屬之間的高頻電波產(chǎn)生的熱量。
根據(jù)本新型的第二十個(gè)方面，高頻加熱層的高頻發(fā)熱薄膜的表面面向與托盤接觸的方向。所以，可以防止高頻發(fā)熱薄膜被損壞。
根據(jù)本新型的第二十一個(gè)方面，高頻加熱裝置包括加熱室，用于在其中存放被加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部，并用加熱器進(jìn)行加熱；高頻發(fā)生單元，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；以及托盤，其背面上具有高頻加熱層，被加熱物體放置在該托盤上。所以，由于具有高頻加熱層的托盤被從下面均勻輻射的微波均勻地加熱，所以能進(jìn)行使被加熱物體的表面烤得焦黃的烹調(diào)工作。
根據(jù)本新型的第二十二個(gè)方面，特別是設(shè)置如第一方面所述的托盤，以便把加熱室分成兩個(gè)部分。所以，從下部輻射的微波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤的上部，向高頻加熱層輻射的微波的量增加了，因而能容易地使被加熱物體的底面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第二十三個(gè)方面，特別是如第一方面所述的高頻發(fā)生單元，它設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱，具有傳播高頻電波的高頻傳播單元以便把電波輻射到加熱室中。所以，由于能從下面更加均勻地加熱被加熱物體，加熱過(guò)程中的不均勻度變小了。
根據(jù)本新型的第二十四個(gè)方面，特別是，如第一方面所述，用于把托盤放進(jìn)加熱室中的導(dǎo)軌設(shè)置在加熱室的左右兩側(cè)的表面上。所以，從下部輻射的高頻電波幾乎不向上傳播，向高頻加熱層輻射的高頻電波的量增加了，因而能更容易地使被加熱物體的底面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第二十五個(gè)方面，特別是，如第一方面所述的托盤由不傳導(dǎo)微波的金屬制成。所以，從下部輻射的高頻電波幾乎不向上傳播，向高頻加熱層輻射的高頻電波的量增加了，因而能更容易地使被加熱物體的底面烤得焦黃。
根據(jù)本新型的第二十六個(gè)方面的高頻加熱裝置，包括加熱室，用于存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層，具有吸收高頻電波并產(chǎn)生熱量的高頻發(fā)熱薄膜；以及托盤，由金屬制成，被加熱物體放置在該托盤上；其中高頻加熱層與托盤以一定空間相隔設(shè)置在位于加熱室左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件上，高頻加熱層和托盤被一個(gè)固定元件固定并彼此連接。所以，可以提供一種炊具，它通過(guò)高頻加熱有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃，且使用起來(lái)又容易又方便。
根據(jù)本新型的第二十七個(gè)方面，固定元件是插入型的，由此把高頻加熱層與托盤可拆卸地連接起來(lái)。所以，由于本新型根據(jù)在長(zhǎng)期使用過(guò)程中，高頻加熱層與托盤的壽命不同，不必一起更換它們，所以節(jié)約了維修成本。
根據(jù)本新型的第二十八個(gè)方面，用于把高頻加熱層與托盤可拆卸地結(jié)合起來(lái)的插入型固定元件分別設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上。所以，固定元件容易插到加熱室的導(dǎo)軌部件上，將高頻加熱層和托盤分開(kāi)就可以分別清潔它們被使用后留下的污跡，以便經(jīng)常清潔炊具并更加舒適地進(jìn)行烹調(diào)。
根據(jù)本新型的第二十九個(gè)方面，用兩個(gè)零件把高頻加熱層與托盤可拆卸地結(jié)合起來(lái)的插入型固定元件，分別設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上，即，總共設(shè)置四個(gè)固定元件。所以，由于插入固定元件不必用大的力量，因而便于家庭主婦使用，且使成本略有降低。
根據(jù)本新型的第三十和第三十一個(gè)方面，設(shè)置在加熱室深度方向上左右兩側(cè)上的插入型固定元件，由比如樹(shù)脂材料或陶瓷材料這樣的非金屬體制成。所以，由于能在加熱烹調(diào)時(shí)間在加熱室中提供間隙，因而可以防止由金屬制成的托盤產(chǎn)生火花。
一種根據(jù)本新型第三十二個(gè)方面的高頻加熱裝置，包括加熱室，用于存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層，由陶瓷制成，具有吸收高頻電波并產(chǎn)生熱量的高頻發(fā)熱薄膜；以及托盤，由金屬制成，被加熱物體放置在該托盤上；其中高頻加熱層和托盤彼此以一定間隔、放置在位于加熱室的左右兩側(cè)上的導(dǎo)軌部件上，用粘性元件把高頻加熱裝置和托盤彼此固定并連接在一起。所以，雖然高頻加熱層和托盤不能拆開(kāi)，但能防止它們因?yàn)槭д`而丟掉。另外，不會(huì)發(fā)生由于用戶錯(cuò)誤拆卸而產(chǎn)生的缺點(diǎn)。
根據(jù)本新型的第三十三個(gè)方面，用粘性元件把高頻加熱裝置和托盤彼此固定并連接在一起，陶瓷制成的高頻加熱層制造得比金屬制成的托盤長(zhǎng)，高頻加熱層放置在加熱室左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件上。所以，減少了部件的個(gè)數(shù)，并使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
根據(jù)本新型的第三十四個(gè)方面，用粘性元件把高頻加熱裝置和托盤彼此固定并連接在一起，金屬制成的托盤在位于加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上具有絕緣層，絕緣層設(shè)置在加熱室左右兩側(cè)的表面上的導(dǎo)軌上。所以，由于能在加熱烹調(diào)時(shí)在加熱室內(nèi)提供間隙，因而能防止火花。


圖1是本新型第一實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；圖2是本新型第二實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；
圖3是本新型第三實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖4是本新型第四實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；圖5是本新型第五實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖6是本新型第六實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖7是本新型第七實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖8是本新型第八實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖9是本新型第九實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖10是本新型第十實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖11是本新型第十實(shí)施方案的高頻加熱裝置的發(fā)熱的特性參數(shù)的圖表；圖12是本新型第十一個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖13是傳統(tǒng)高頻加熱裝置的正視圖；圖14是本新型第十二個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；圖15是本新型第十三個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；圖16是本新型第十五個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；圖17是本新型第十五個(gè)實(shí)施方案中具有一個(gè)凹槽的托盤的側(cè)面剖面圖；圖18A是本新型第十五個(gè)實(shí)施方案中具有一個(gè)凹槽的托盤的側(cè)面剖面圖，圖18B是第十五個(gè)實(shí)施方案中固定元件的主要部分的放大剖面圖；圖19是第十五個(gè)實(shí)施方案中具有四個(gè)固定元件的托盤的俯視圖；
圖20是本新型第十六個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的剖面圖；圖21是本新型第十六個(gè)實(shí)施方案中為托盤設(shè)置的絕緣層的剖面圖。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖描述本新型的實(shí)施方案。
(實(shí)施方案1)圖1是本新型第一實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
高頻加熱裝置4包括加熱室5，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元6，設(shè)置在加熱室內(nèi)，使加熱器進(jìn)行加熱；高頻發(fā)生單元7，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層9，其背面具有高頻發(fā)熱薄膜8；以及托盤10，用于在其上放置被加熱物體。
從高頻發(fā)生單元7產(chǎn)生的高頻電波由高頻傳播單元11均勻地從底部輻射到加熱室2中。并且，托盤10放置在位于要使用的加熱室側(cè)面上的導(dǎo)軌12上。
關(guān)于高頻加熱層9，使用由陶瓷制成的高頻加熱層9，其中具有由氮化物和硼化物制成的高頻發(fā)熱薄膜8。關(guān)于托盤10，使用其表面上具有波狀不平整度的托盤，其中具有間隙13的涂鋁層的鋼片的表面涂覆氟，其背面涂覆黑色的耐熱層。
如果在把高頻加熱層和托盤放進(jìn)裝置4中的狀態(tài)下，進(jìn)行十分鐘的預(yù)加熱之后，作為被加熱物體的雞肉被600W的上部加熱器(加熱單元6)和300W的高頻電波同時(shí)加熱十分鐘，肉的內(nèi)部和兩面都會(huì)被適當(dāng)加熱。特別是，可以均勻把肉的兩面都烤得焦黃，因而能很好地烤制雞肉?？s水率為13％，烤好的雞肉含有適量的汁液。另外，不需要翻轉(zhuǎn)雞肉，雞肉的內(nèi)部也能被加熱，并且能把肉的兩面都烤得焦黃。
我們認(rèn)為這是因?yàn)槿缦略蛴捎谠O(shè)置了間隙13，所以高頻發(fā)熱薄膜8和托盤10的金屬表面的間距變大，由此高頻發(fā)熱薄膜8上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻發(fā)熱薄膜8中的發(fā)熱變強(qiáng)；與沒(méi)有設(shè)置間隙的情況相比，減小了轉(zhuǎn)向托盤10表面的高頻電波量，由此，不會(huì)升高雞肉的縮水率，但能把肉的兩面都烤得適度焦黃。
另外，如果在托盤10的表面上沒(méi)有波狀不平整度，并且沒(méi)有設(shè)置間隙13，肉的背面被烤得焦黃的程度就會(huì)輕，很多高頻電波被輻射雞肉，所以雞肉的縮水率變高(34％)，所以雞肉收縮變硬，很難把肉的背面烤得焦黃。
我們認(rèn)為這是因?yàn)槿缦略蛴捎诟哳l發(fā)熱薄膜8和托盤10的金屬表面的間距小，高頻發(fā)熱薄膜8上的電場(chǎng)強(qiáng)度變小，高頻發(fā)熱薄膜8中的發(fā)熱變?nèi)?，轉(zhuǎn)向托盤10的表面的高頻電波量變大，由此，雞肉的縮水率變高，很難把肉的背面烤得焦黃。
另外，使用由上述高頻加熱裝置4加熱的水來(lái)比較設(shè)有金屬制成的托盤10與未設(shè)金屬制成的托盤10的情況之間的差別，以及設(shè)有間隙13與未設(shè)間隙13的情況之間的差別。比較是在100ml的10℃的水在用1000W加熱10分鐘的條件下進(jìn)行的。
在未設(shè)金屬制成的托盤的情況下，溫度升高5.7℃。以輸出功率計(jì)算，對(duì)水供應(yīng)了342W。
如果沒(méi)有設(shè)置金屬制成的托盤，并且沒(méi)有設(shè)置間隙，水的溫度上升4.7℃。以輸出功率計(jì)算，對(duì)水供應(yīng)了282W。
如果設(shè)有金屬制成的托盤，并且設(shè)有間隙，水的溫度上升3.0℃。以輸出功率計(jì)算，對(duì)水供應(yīng)了180W。
另一方面，如果沒(méi)有設(shè)置金屬制成的托盤，高頻加熱層底部的溫度從23℃上升到30℃，即，升高了7℃。
如果設(shè)有金屬制成的托盤但沒(méi)有設(shè)置間隙，高頻加熱層底部的溫度從23℃上升到25℃，即，升高了2℃。
如果設(shè)有金屬制成的托盤并且設(shè)有間隙，高頻加熱層底部的溫度從23℃上升到34℃，即，升高了11℃。
從上述描述中，我們可以發(fā)現(xiàn)與設(shè)有金屬制成的托盤的情況相比，只有用高頻加熱層作為托盤并進(jìn)行高頻加熱時(shí)，更多的高頻電波才能輻射到被加熱物體。
并且，即使金屬制成的托盤放置在高頻加熱層上，如果沒(méi)有設(shè)置間隙，高頻加熱層的溫度不會(huì)上升。即，我們發(fā)現(xiàn)在這種情況下很難加熱高頻加熱層，與設(shè)有間隙的情況相比，更多的高頻電波輻射到被加熱物體。我們認(rèn)為，這使肉(如果是雞肉的話)收縮，因?yàn)?，雖然底面被烤得焦黃，但很多高頻電波被輻射到雞肉。
并且，我們發(fā)現(xiàn)，通過(guò)設(shè)置金屬制成的托盤的間隙，輻射到被加熱物體的高頻電波的量比起沒(méi)設(shè)置間隙的情況來(lái)變小了。我們認(rèn)為，該間隙使得被加熱的雞肉被適當(dāng)加熱而不會(huì)收縮，但能被烤得焦黃。
并且，在該實(shí)施例中，同時(shí)進(jìn)行加熱器加熱和高頻加熱。不過(guò)，可以分別進(jìn)行這兩種加熱工作，或者重復(fù)進(jìn)行同時(shí)加熱和分別加熱。
另外，與微波的輸出口設(shè)置在側(cè)面上的情況相比，設(shè)置在下面的情況，加熱過(guò)程中的不均勻度變小了。
關(guān)于導(dǎo)軌12，如果它在深度方向上設(shè)置得較長(zhǎng)，托盤10與側(cè)壁表面之間的間隙變小，從底部輻射的高頻電波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤10的上部，所以被加熱物體的底面更容易被烤得焦黃。
關(guān)于托盤10的設(shè)置和結(jié)構(gòu)，為了把加熱室分成上下兩個(gè)部分，托盤輪廓的形成使得托盤與加熱室的側(cè)壁表面之間的間隙，以及托盤與用來(lái)關(guān)閉加熱室的門之間的間隙變小，由此從下部輻射的高頻電波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤的上部，輻射到高頻加熱層的高頻電波量變大，被加熱物體的底面更容易被烤得焦黃。
關(guān)于加熱單元6，除了電子管加熱器、護(hù)套加熱器之外，可以使用應(yīng)用熱風(fēng)的加熱器。另外，雖然高頻加熱層9的背面上具有高頻發(fā)熱薄膜8，它本身可以用由高頻電波發(fā)熱的陶瓷制成。
在向下設(shè)置的高頻傳播單元11上，陶瓷制成的板(圖1中未示出)設(shè)置在加熱室的底部，它可以被用作在高頻加熱時(shí)在其上放置被加熱物體(如烹調(diào)食品)的臺(tái)板。所以，烹調(diào)食品不會(huì)噴濺到高頻傳播裝置11上。
雖然在金屬制成的托盤10中使用鋁涂層的鋼片，但也可以使用任何其表面反射高頻電波的材料，例如，通過(guò)金屬涂覆、金屬蒸發(fā)等方法而具有高頻反射層的陶瓷基底。
雖然在金屬制成的托盤10中使用涂鋁涂層的鋼片，但可以使用任何不傳播高頻電波的金屬，例如不銹鋼；鋁；鋁合金；各種涂層的鋼片，如鋅涂層銅牌、鋁鋅合金涂層鋼片、銅涂層鋼片等；冷軋鋼片；鍍金屬材料；等等。
雖然用氮化物和硼化物制成高頻發(fā)熱薄膜8，但也可以使用比如氧化錫、氧化銦這樣的金屬氧化物，以及混合氧化物。
(實(shí)施方案2)圖2是本新型第二實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在圖2中，具有高頻發(fā)熱薄膜14與金屬制成的托盤16之間的間隙17。高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的相似。
如果在上述條件下加熱雞肉，可以把肉的兩面都烤得焦黃。我們認(rèn)為這是因?yàn)槿缦略蛴捎诟哳l發(fā)熱薄膜14和托盤16的金屬表面的間距變大，高頻發(fā)熱薄膜14上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻發(fā)熱薄膜14中的發(fā)熱變強(qiáng)；與沒(méi)有設(shè)置間隙的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤16的表面的高頻電波量減少，由此，雞肉的縮水率不會(huì)變高，卻可以把肉的兩面都烤得焦黃適度。
并且，高頻加熱層與作為高頻加熱層15的發(fā)熱部分的高頻發(fā)熱薄膜14附近的金屬制成的托盤接觸，由此，從高頻發(fā)熱薄膜14產(chǎn)生的熱容易通過(guò)高頻加熱層15的陶瓷基底傳導(dǎo)至金屬制成的托盤16。所以，能有效地加熱被加熱物體的內(nèi)部，從而使被加熱物體的表面烤得焦黃。
(實(shí)施方案3)圖3是本新型第三實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在圖3中，在具有高頻發(fā)熱薄膜18的高頻加熱層19與金屬制成的托盤20之間充填絕緣的陶瓷材料。但是，設(shè)置與第一實(shí)施方案的間隙13相應(yīng)的間隙21，從而在托盤20的金屬表面與高頻發(fā)熱薄膜18之間形成一定間距。高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的一樣。如果在上述條件下加熱雞肉，可以把肉的兩面都烤得焦黃。我們認(rèn)為這是因?yàn)槿缦略蛴捎诟哳l發(fā)熱薄膜18和托盤20的金屬表面的間距變大，高頻發(fā)熱薄膜18上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻發(fā)熱薄膜18中的發(fā)熱變強(qiáng)；與沒(méi)有設(shè)置間隙的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤20的表面的高頻電波量減少，由此，雞肉的縮水率不會(huì)變高，卻可以把肉的兩面都烤得焦黃適度。
并且，在用絕緣材料充填高頻加熱層與托盤之間的部分的這種結(jié)構(gòu)中，高頻加熱層19變重。另一方面，由于熱容量變大，當(dāng)進(jìn)行規(guī)范加熱時(shí)，托盤很難變冷，所以如果是在連續(xù)使用或是管道型連續(xù)高頻加熱的情況中也能使被加熱物體烤得焦黃。
(實(shí)施方案4)圖4是本新型第四實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
一種高頻加熱裝置22包括加熱室23，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元24，用于用加熱器進(jìn)行加熱，設(shè)置在加熱室的上部；高頻發(fā)生單元25，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層27，其背面具有高頻發(fā)熱薄膜26；以及托盤28，用于在其上放置被加熱物體；以及設(shè)置網(wǎng)30，用于在轉(zhuǎn)盤29上設(shè)置高頻加熱層27和托盤28并把它們放進(jìn)加熱室。
在上述情況下，從高頻發(fā)生單元25產(chǎn)生高頻電波輻射進(jìn)加熱室23中。轉(zhuǎn)盤29由電機(jī)31驅(qū)動(dòng)，高頻發(fā)熱薄膜26被高頻電波輻射，由此，托盤28被均勻加熱。所以，被加熱物體的兩面都能被均勻加熱，并能使被加熱物體的兩面都被烤得焦黃適度。
(實(shí)施方案5)圖5是本新型第五實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在圖5中，間隙35設(shè)置在具有高頻發(fā)熱薄膜32的高頻加熱層33，與用于支持托盤34背面上的高頻加熱層33的金屬制成的托盤34之間。該高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的類似。
通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，可以像第一實(shí)施方案中的一樣使被加熱物體的表面烤得焦黃。并且，由于高頻加熱層位于托盤的下部，高頻加熱層與托盤結(jié)合，所以沒(méi)有必要分別取出它們，因而節(jié)省了勞動(dòng)力。
(實(shí)施方案6)圖6是本新型第六實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在圖6中，為金屬制成的托盤36設(shè)置用于在其中存放從被加熱物體流出的汁液的凹槽37。在圖1，托盤10是從下面看來(lái)的；而在圖6中，是從側(cè)面看來(lái)的，其中設(shè)置了凹槽37。即，凹槽37設(shè)置在托盤36的前面和后面。該高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的相似。
由于設(shè)置了用于在其中存放從被加熱物體流出的汁液的凹槽37，所以從被加熱物體流出的油被清除，因而能更容易使被加熱物體烤得焦黃，且使被加熱物體烤得焦脆。
(實(shí)施方案7)圖7是本新型第七實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；在圖7中，金屬制成的托盤元件38的表面上覆蓋著一無(wú)粘性薄膜39，其背面覆蓋著具有高吸熱率的吸熱薄膜40。
由于上述結(jié)構(gòu)，托盤的表面很難被弄臟。并且，由于從高頻加熱層產(chǎn)生的熱量更容易被托盤吸收，因而更容易把被加熱物體的表面烤得焦黃。
(實(shí)施方案8)圖8是本新型第八實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；在圖8中，在金屬制成的托盤43與具有高頻發(fā)熱薄膜41的高頻加熱層42之間，設(shè)置與第一實(shí)施方案中的間隙13相應(yīng)的間隙44，以便在托盤43的金屬表面與高頻發(fā)熱薄膜41之間形成一個(gè)間距。并且，用于防止與加熱室側(cè)壁表面接觸的支架45設(shè)置在托盤43的端面上。該高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的一樣。由于上述結(jié)構(gòu)和支架，可以防止在高頻加熱時(shí)加熱室的側(cè)壁表面與托盤的金屬部分之間產(chǎn)生的火花。
(實(shí)施方案9)圖9是本新型第九實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；在圖9中，在金屬制成的托盤48與具有高頻發(fā)熱薄膜46的高頻加熱層47之間，設(shè)置與第一實(shí)施方案中的間隙13相應(yīng)的間隙49，以便在托盤48的金屬表面與高頻發(fā)熱薄膜46之間形成一個(gè)間距。并且，設(shè)置支架50以便把托盤48和高頻加熱層47夾在中間。該高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的一樣。由于上述結(jié)構(gòu)和支架50，可以防止加熱層47的掉落，可以防止高頻加熱層與加熱室的側(cè)壁表面(如導(dǎo)軌部件)接觸，從而防止火花。
(實(shí)施方案10)圖10是本新型第十實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖；在圖10中，在金屬制成的托盤53與具有高頻發(fā)熱薄膜51的高頻加熱層52之間，設(shè)置與第一實(shí)施方案中的間隙13相應(yīng)的間隙54，以便在托盤53的金屬表面與高頻發(fā)熱薄膜51之間形成一個(gè)間距。并且，為金屬制成的托盤53設(shè)置一個(gè)用于儲(chǔ)存從被加熱物體流出的汁液的凹槽55，托盤53與高頻加熱層52用油灰56粘在一起。該高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的一樣。在此情況下，凹槽設(shè)置在整個(gè)周邊，由此，高頻加熱層52可以用油灰被粘在整個(gè)周邊。并不需要在整個(gè)周邊都用油灰56來(lái)粘附，而是一部分可以不粘，因?yàn)楦哳l加熱層52和托盤53可以用粘性來(lái)保持。所以，防止了由高頻加熱層52和托盤53之間的高頻電波產(chǎn)生的熱量。
并且，可以得到下述關(guān)系a+b＝P，其中[a]是托盤53不平部分的凸起部分的寬度58，[b]是其中的凹陷部分的寬度59，而[P]是間距60。另外，高頻加熱層52與托盤53的凸起部分之間的間隙54中的間距為高度H57。
圖11是本新型第十實(shí)施方案的高頻加熱裝置的發(fā)熱的特性參數(shù)的圖表。
這里，采用3mm片厚的液晶玻璃作為高頻加熱層52的基底材料；采用氧化錫制成高頻發(fā)熱薄膜51。當(dāng)氧化錫薄膜的電阻值為400Ω/cm2時(shí)，如果H的值從0mm至10mm不等，而a、b、和P的值從0mm至40mm不等，當(dāng)托盤被1000W的高頻電波加熱5分鐘時(shí)，在圖11中示出了托盤53的凸起部分的頂部的表面溫度的最大值。另外，示出了輸出換算值。
觀察托盤53的發(fā)熱情況，如果H的值從0mm至10mm不等，我們發(fā)現(xiàn)當(dāng)2≤H≤8時(shí)，產(chǎn)生的熱量高。當(dāng)3≤H≤6時(shí)，產(chǎn)生的熱量更高。并且，如果a、b、P變化，當(dāng)b變小時(shí)，產(chǎn)生的熱量變低。我們認(rèn)為原因如下當(dāng)凹陷部分的寬度變小時(shí)，其與高頻加熱層52接觸的表面變小，所以熱量難以傳導(dǎo)至托盤53。并且，當(dāng)P變大時(shí)，產(chǎn)生熱量變低。這是因?yàn)榧词菇佑|表面變大，間隙54的絕對(duì)數(shù)量，即，間隙數(shù)變小，所以減少了發(fā)熱部分。
另外，通過(guò)用高頻加熱加熱水來(lái)比較由于間隙54的H、a、b、P的變化而引起的不同。該比較是在100ml的10℃的水在1000W加熱10分鐘的條件下進(jìn)行的。
如果托盤53中沒(méi)有不平整的部分，即，如果H＝0mm，且a＝b＝P＝0mm，水的溫度上升4.8℃。以輸出功率計(jì)算，為水供應(yīng)了288W。
如果托盤53中有不平整的部分，H＝4mm，a＝b＝10，且P＝20，水的溫度上升3.0℃。以輸出功率計(jì)算，為水供應(yīng)了180W。
如圖11所示，我們發(fā)現(xiàn)間隙54具有合適的空間，高頻電波很難轉(zhuǎn)向托盤53的上表面，所以相應(yīng)地，高頻電波更多輻射到高頻加熱層52。并且，即使高頻電波的轉(zhuǎn)向減小，如果高度H變大，托盤與高頻加熱層的間距變大，造成熱損耗，所以熱量難以傳導(dǎo)至托盤。
另外，很難在金屬上把高度H作得大于10mm。如果間距P較大，可以使H變大。但是，為了使被加熱物體的表面被均勻地烤得焦黃，很騅把間距作大。
如上所述，通過(guò)調(diào)整間隙54的高度，可以調(diào)節(jié)凹陷部分、凸起部分、間距的寬度以及托盤53表面上的發(fā)熱溫度。與第一實(shí)施方案中一樣得到凹陷和凸起部分的高度、寬度之間的關(guān)系。
(實(shí)施方案11)圖12是本新型第十一個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在圖12中，在金屬制成的托盤63與具有高頻發(fā)熱薄膜61的高頻加熱層62之間，設(shè)置與第一實(shí)施方案中的間隙13相應(yīng)的間隙64，以便在托盤63的金屬表面與高頻發(fā)熱薄膜61之間形成一個(gè)間距。并且，為金屬制成的托盤63設(shè)置一個(gè)用于儲(chǔ)存從被加熱物體流出的汁液的凹槽65，托盤63與高頻加熱層62用油灰66粘在一起。該高頻加熱裝置的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的一樣。
該實(shí)施方案與第十個(gè)實(shí)施方案不同，因?yàn)楦哳l發(fā)熱薄膜61設(shè)置在托盤63的側(cè)面上。所以，可以防止高頻發(fā)熱薄膜61被損壞。但是，為了得到與第十個(gè)實(shí)施方案中相同的發(fā)熱，要把間隙64的高度設(shè)定為5mm至9mm。我們認(rèn)為原因如下由于高頻發(fā)熱薄膜61設(shè)置在托盤63的側(cè)面上，高頻發(fā)熱薄膜61與凸起部分的間距減少了3mm，這3mm是高頻加熱層62的厚度；為了得到與第十個(gè)實(shí)施方案中相同的間隙間距，需要設(shè)定這個(gè)高度。
凹陷和凸起部分的高度、寬度，以及間距之間的關(guān)系與第十個(gè)實(shí)施方案中的類似。即，高度的值在5mm至9mm之間合適；如果a、b和P變化，如b變小，發(fā)熱變?nèi)?；如P變大，發(fā)熱變?nèi)酢?br> (實(shí)施方案12)圖14是本新型(第十二個(gè)實(shí)施方案的)高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；一種高頻加熱裝置104，包括加熱室105，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元106，設(shè)置在加熱室的上部，使加熱器進(jìn)行加熱；高頻發(fā)生單元107，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；以及托盤109，其背面上具有高頻加熱層108，被加熱物體放置在該托盤上。高頻發(fā)生單元107產(chǎn)生的微波從底部輻射進(jìn)加熱室2中。并且，托盤109設(shè)置在位于加熱室側(cè)面上的導(dǎo)軌110上以備使用。
如果用由陶瓷制成的托盤109且其背面上具有由氮化物和硼化物制成的高頻發(fā)熱薄膜108作為托盤109、并用雞肉作為被加熱物體，由位于加熱室上部的加熱單元106以及微波一起進(jìn)行加熱，雞肉的內(nèi)部就會(huì)被加熱并且雞肉的兩面都會(huì)被烤得焦黃，因而很好地烤制了雞肉。
另一方面，在如日本特許公開(kāi)No.2562/1988中公開(kāi)的傳統(tǒng)微波爐1中，微波輻射口2設(shè)置在加熱放烹調(diào)室3的側(cè)壁上。所以，如果已經(jīng)把托盤放進(jìn)了加熱烹調(diào)室3中，靠近微波輻射口2的托盤部分會(huì)被過(guò)度加熱，因而造成加熱過(guò)程中的不均勻度，表面也不會(huì)被均勻地烤得焦黃。
關(guān)于導(dǎo)軌110，如果它在深度方向上被設(shè)置得較長(zhǎng)，托盤109與側(cè)壁表面之間的間隙會(huì)變小，從下部輻射的微波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤109的上部，因而被加熱物體的底面更容易被烤得焦黃。
關(guān)于托盤109的設(shè)置和結(jié)構(gòu)，為了把加熱室分成上下兩個(gè)部分，托盤輪廓的形成以便使托盤與加熱室的側(cè)壁表面之間的間隙以及托盤與用于關(guān)閉加熱室的門之間的間隙變小，由此，從下部輻射的微波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤的上部，輻射到高頻加熱層的微波量變大，被加熱物體的底面更容易被烤得焦黃。
關(guān)于加熱單元106，除了電子管加熱器、護(hù)套加熱器之外，可以使用應(yīng)用熱風(fēng)的加熱器。另外，雖然托盤109的背面上具有高頻加熱層108并且其上放置被加熱物體，但它本身可以用由高頻電波發(fā)熱的陶瓷制成。
(實(shí)施方案13)圖15是本新型第十三個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
在圖15中，附圖標(biāo)記111表示高頻傳播單元，為了用設(shè)置在加熱室底部并產(chǎn)生高頻以進(jìn)行高頻加熱的高頻發(fā)生單元107產(chǎn)生的微波輻射被加熱物體，它傳播高頻電波以便把高頻電波輻射進(jìn)加熱室中。該實(shí)施方案中的其它結(jié)構(gòu)與(第一實(shí)施方案中)的類似。由于該結(jié)構(gòu)，微波更均勻地從底部輻射進(jìn)加熱室2中，因而能更均勻地加熱被加熱物體。
(實(shí)施方案14)用金屬制成的、不會(huì)傳遞微波的托盤109代替用陶瓷材料制成的托盤。因此，從底部輻射的微波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向上部，且輻射到高頻加熱層的微波量變大，因而更容易把被加熱物體的底面烤得焦黃。
(實(shí)施方案15)圖16是本新型高頻加熱裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖面圖；圖17是具有一個(gè)凹槽的托盤的側(cè)面剖面圖；圖18A和18B是固定元件的主要部分的放大剖面圖；圖19是具有四個(gè)固定元件的托盤的俯視圖。
高頻加熱裝置204包括加熱室205，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元206，設(shè)置在加熱室的上部，使加熱器進(jìn)行加熱；以及高頻發(fā)生單元207，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱。從高頻發(fā)生單元207產(chǎn)生的高頻電波由高頻傳播單元208均勻地從下部輻射進(jìn)加熱室205。另一方面，在深度方向中延伸的導(dǎo)軌部件209設(shè)置在加熱室205的左右兩側(cè)壁上，具有高頻發(fā)熱薄膜210的高頻加熱層211位于其背面，而用于在其上放置被加熱物體的金屬制成的托盤212設(shè)置在導(dǎo)軌部件209上。
另一方面，關(guān)于高頻加熱層211，使用由陶瓷制成的高頻加熱層，其中具有由氮化物和硼化物制成的高頻發(fā)熱薄膜210。托盤212表面上具有波狀不平整度，其中具有間隙213的鋁涂層鋼片的表面涂覆氟，其背面涂覆黑色的耐熱層。并且，高頻加熱層211和托盤212由固定元件214彼此連接并結(jié)合在一起。
此時(shí)，托盤212在深度方向上設(shè)置在加熱室205左右兩側(cè)壁上的導(dǎo)軌部件209上，因而在垂直方向上把加熱室205分成上下兩個(gè)部分。
在向下設(shè)置的高頻傳播單元208上，由陶瓷制成的板(圖16中未示出)設(shè)置在加熱室205的底部，它能用作一個(gè)臺(tái)板，在高頻加熱時(shí)在其上放置被加熱物體(比如烹調(diào)食品)。所以，烹調(diào)食品不會(huì)噴濺到高頻傳播單元208上。
另外，如圖17所示，為金屬制成的托盤212設(shè)置一個(gè)用于儲(chǔ)存從被加熱物體流出的汁液的凹槽215。在圖16中，托盤212是從前面看的，而圖17中的是從側(cè)面看的。即，凹槽215設(shè)置在托盤212的前面和背面。
下面將描述操作及工作。
當(dāng)進(jìn)行加熱被加熱物體的內(nèi)部并使其表面烤得焦黃的烹調(diào)時(shí)，由于托盤212具有高頻加熱層211且其表面上具有波狀不平整度以形成間隙213，其中具有間隙213的鋁涂層鋼片的表面被涂覆氟且其背面被涂覆黑色的耐熱層，高頻發(fā)熱薄膜10與托盤212的金屬表面之間的間距變大，由此，高頻發(fā)熱薄膜10上的電場(chǎng)強(qiáng)度變大，高頻發(fā)熱薄膜10中的發(fā)熱變強(qiáng)。與沒(méi)有設(shè)置間隙213的情況相比，轉(zhuǎn)向托盤212表面的高頻電波量減小，由此，不會(huì)升高雞肉的縮水率就可以使雞肉的兩面都會(huì)被烤得焦黃適度。根據(jù)一位新型者的實(shí)驗(yàn)論證，如果在把高頻加熱層和托盤放進(jìn)裝置204中的狀態(tài)下進(jìn)行10分鐘的預(yù)加熱之后，由600W的上部加熱器(即加熱單元206)和用300W的高頻電波同時(shí)對(duì)用作被加熱物體的雞肉加熱10分鐘，肉的內(nèi)部和兩面都被適度加熱。特別是，可以使肉的兩面都被均勻地烤得焦黃，因而很好地烤制了雞肉?？s水率為13％，烤好的雞肉含有適量的汁液。并且，不需要翻轉(zhuǎn)雞肉的勞動(dòng)，就可以加熱肉的內(nèi)部且使肉的兩面都烤得焦黃。
并且，如果托盤212的表面不設(shè)置波狀不平整度且未設(shè)置間隙213，背面被烤得焦黃的程度就會(huì)輕，且很多高頻電波被輻射到雞肉，因而雞肉的縮水率變高(24％)，雞肉收縮變硬，且難以使雞肉的背面烤得焦黃。原因如下由于高頻發(fā)熱薄膜10與托盤的金屬表面之間的間距小，高頻發(fā)熱薄膜10上的電場(chǎng)強(qiáng)度變低，高頻發(fā)熱薄膜10中的發(fā)熱變?nèi)?，且轉(zhuǎn)向托盤212表面的高頻電波量變大，由此，雞肉的縮水率變高，且難以使雞肉的背面烤得焦黃。
并且，由于設(shè)置在加熱室205中的導(dǎo)軌部件209，托盤212輪廓的形成使得托盤與加熱室205的側(cè)壁表面之間的間隙以及托盤與用于關(guān)閉加熱室的門之間的間隙變小，由此，從下部輻射的微波幾乎不會(huì)轉(zhuǎn)向托盤212的上部，輻射到高頻加熱層211的微波量變大，且更容易使被加熱物體的底面烤得焦黃。
在使被加熱物體的表面烤得焦黃的烹調(diào)中的這個(gè)時(shí)刻，高頻加熱層211以及其表面上具有由波狀不平整度形成的間隙的托盤212，設(shè)置在位于加熱室205中的導(dǎo)軌部件209上以備使用。這里，用固定元件214把高頻加熱層211和托盤212彼此固定并結(jié)合起來(lái)，由此，被加熱物體的內(nèi)部通過(guò)高頻加熱被有效地加熱，可以使被加熱物體的表面烤得焦黃，且沒(méi)有必要分別取出高頻加熱層211和托盤212，這節(jié)省了勞動(dòng)力。所以，可以使高頻加熱裝置便于使用。
下面，如圖3A和3B所示，固定元件214是插入型的，設(shè)置在加熱室205的深度方向上，它把高頻加熱層211和托盤212可拆卸地固定起來(lái)。
關(guān)于插入型，其結(jié)構(gòu)是將固定元件插入以便保持在高頻加熱層211和托盤212之間；其結(jié)構(gòu)也可以是為固定元件214提供銷釘216并裝配進(jìn)托盤212的凹槽部分217中。所以，由于本新型根據(jù)在長(zhǎng)期使用過(guò)程中，高頻加熱層211與托盤212的壽命不同，不必一起更換它們，所以節(jié)約了維修成本。
并且，提供插入型固定元件214以便在加熱室205兩面的深度方向上延伸，因而固定元件214容易插入設(shè)置在加熱室205側(cè)面上的導(dǎo)軌部件209中。并且，取出固定元件214，將高頻加熱層211和托盤212分開(kāi)就可以分別清潔它們被使用后留下的污跡，因而能經(jīng)常清潔炊具并更加舒適地進(jìn)行烹調(diào)。
并且，如圖19所示，用兩個(gè)零件把高頻加熱層211與托盤212可拆卸地結(jié)合起來(lái)的插入型固定元件214，分別設(shè)置在加熱室205深度方向上的左右兩側(cè)上，即，總共設(shè)置四個(gè)固定元件214a、214b、214c和214d。所以，由于插入固定元件214不必用大的力量，因而便于家庭主婦使用，且使成本略有降低。
并且，設(shè)置在加熱室205深度方向上左右兩側(cè)上的插入型固定元件214，由比如樹(shù)脂材料或陶瓷材料這樣的非金屬體制成。所以，由于能在加熱烹調(diào)時(shí)間在加熱室205中提供間隙，因而可以防止從金屬制成的托盤212產(chǎn)生火花。
并且，金屬制成的托盤212具有一個(gè)凹槽215，用于在其中存放從被加熱物體流出的汁液。由于從被加熱物體流出的油被清除，因而能更容易地使被加熱物體烤得焦黃，并能把被加熱物體烤得焦脆。
另外，在該實(shí)施例中，同時(shí)進(jìn)行加熱器加熱和高頻加熱。但是，可以分別進(jìn)行這兩種加熱工作，或者可以重復(fù)進(jìn)行同時(shí)加熱和分別加熱。
關(guān)于加熱單元206，除了電子管加熱器、護(hù)套加熱器之外，可以使用應(yīng)用熱風(fēng)的加熱器。另外，雖然高頻加熱層211的背面上具有高頻發(fā)熱薄膜210，但它本身可以用由高頻電波發(fā)熱的陶瓷制成。
另外，與微波輸出口設(shè)置在側(cè)面上的情況相比，在微波口設(shè)置在下部的情況中，加熱過(guò)程中的不均勻度更小。
(實(shí)施方案16)圖20是本新型第十六個(gè)實(shí)施方案的高頻加熱裝置主要部分的剖面圖；圖21是為托盤設(shè)置的絕緣層的側(cè)面剖面圖。
基本上，與第十五個(gè)實(shí)施方案中的類似，該高頻加熱裝置包括陶瓷制成的高頻加熱層211，和用于在其上放置被加熱物體的金屬制成的托盤212，其中高頻加熱層211與托盤212在加熱室205左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件209上以一定間隔設(shè)置。第十六個(gè)實(shí)施方案與第十五個(gè)實(shí)施方案不同在于，高頻加熱層211與托盤212由粘性元件218彼此固定并結(jié)合起來(lái)。
并且，由粘性元件218彼此固定并結(jié)合起來(lái)的高頻加熱層211和托盤212，被插到在深度方向上設(shè)置在加熱室205左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件209上。
在該狀態(tài)下，操作與工作與第十五個(gè)實(shí)施方案中的相似。所以，這里不再描述。
由于高頻加熱層211和托盤212被粘性元件218連接并結(jié)合起來(lái)，所以它們不能分開(kāi)。但是，防止在未使用時(shí)的存儲(chǔ)期間它們被丟失，且由于用戶對(duì)分離的錯(cuò)誤使用而產(chǎn)生的缺點(diǎn)也不會(huì)發(fā)生。
并且，高頻加熱層211與托盤212由粘性元件218彼此固定并結(jié)合起來(lái)，由陶瓷制成的高頻加熱層211的橫向尺寸，大于由金屬制成的托盤212的橫向尺寸，高頻加熱層211放置在設(shè)置在加熱室205的左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件209上。所以，不需要用于防止金屬制成的托盤212產(chǎn)生火花的元件，因而減少了部件個(gè)數(shù)并使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
并且，高頻加熱層211與托盤212由粘性元件218彼此固定并結(jié)合起來(lái)，金屬制成的托盤212在深度方向上其左右兩側(cè)上具有絕緣層219，絕緣層219設(shè)置在位于加熱室205左右兩側(cè)上的導(dǎo)軌部件209上。所以，由于可以在加熱烹調(diào)期間為加熱室205設(shè)置間隙，所以能防止火花。
如上所述，根據(jù)本新型第二十個(gè)方面，通過(guò)高頻加熱使被加熱物體的內(nèi)部被有效加熱，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。
如上所述，根據(jù)本新型的第二十一至第二十五個(gè)方面，具有高頻加熱層的 托盤由從底部發(fā)出的微波均勻加熱。所以，能進(jìn)行使被加熱物體的表面烤得焦黃的烹調(diào)。
如上所述，根據(jù)本新型的第二十六至第三十四個(gè)方面，可以提供高頻加熱裝置，它能有效地用高頻加熱來(lái)加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃，且使用起來(lái)又容易又方便。
權(quán)利要求1.一種高頻加熱裝置，包括加熱室，在其中存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室中；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層；以及托盤，在其上放置被加熱物體；其特征在于在所述高頻加熱層和所述托盤之間設(shè)置一個(gè)間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于高頻發(fā)生單元設(shè)置在加熱室的底部。
3.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤的一部分或者整個(gè)托盤由反射高頻電波的材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤由金屬制成。
5.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤由金屬制成，并放置在高頻加熱層上；并且其中高頻加熱層至少在高頻加熱層的生熱部分附近與金屬制成的托盤接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于設(shè)置托盤以便把加熱室分成兩個(gè)部分。
7.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于還包括高頻傳播單元，用于傳播高頻電波并把高頻電波輻射到加熱室中。
8.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤由金屬制成且形狀不平整。
9.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于還包括在加熱室的左右兩側(cè)的表面上設(shè)置導(dǎo)軌，以便把托盤放進(jìn)加熱室中。
10.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于還包括在轉(zhuǎn)盤上設(shè)置放置網(wǎng)，用于把高頻加熱層和托盤放進(jìn)加熱室中。
11.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于高頻加熱層保持在托盤的底部。
12.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤具有一個(gè)凹槽，在其中存放從被加熱物體流出的汁液。
13.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于在托盤的表面上設(shè)置一無(wú)粘性薄膜。
14.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于具有高吸熱率的吸熱薄膜設(shè)置在托盤的背面。
15.如權(quán)利要求8所述的高頻加熱裝置，其特征在于能通過(guò)調(diào)整托盤不平整度的高度、寬度和間距來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)熱量。
16.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，還包括由不會(huì)造成火花的材料制成的支架設(shè)置在托盤與加熱室的壁表面接觸的部分。
17.如權(quán)利要求16所述的高頻加熱裝置，其特征在于支架由樹(shù)脂制成。
18.如權(quán)利要求16所述的高頻加熱裝置，其特征在于支架把托盤和加熱層夾在中間。
19.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于用油灰把托盤和(高頻)加熱層粘在一起。
20.如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于高頻發(fā)熱薄膜設(shè)置在高頻加熱層的表面上，在該方向中其上設(shè)置高頻發(fā)熱薄膜的表面與托盤接觸。
21.一種高頻加熱裝置，其特征在于包括加熱室，在其中存放被加熱物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部，并使加熱器進(jìn)行加熱；高頻發(fā)生單元，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；以及托盤，其背面上具有高頻加熱層，被加熱物體放置在該托盤上。
22.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤把加熱室分成兩個(gè)部分。
23.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱裝置，其特征在于還包括高頻傳播單元，傳播高頻電波并把電波輻射到加熱室中。
24.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱裝置，其特征在于還包括設(shè)置在加熱室的左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌，以便把托盤放進(jìn)加熱室中。
25.如權(quán)利要求21所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤由不傳導(dǎo)微波的金屬制成。
26.一種高頻加熱裝置，包括加熱室，在其中存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層，具有吸收高頻電波并產(chǎn)生熱量的高頻發(fā)熱薄膜；以及托盤，由金屬制成，被加熱物體放置在該托盤上；其特征在于高頻加熱層與托盤彼此以一定間隔設(shè)置在位于加熱室左右兩側(cè)表面上的導(dǎo)軌部件上，高頻加熱層和托盤被一個(gè)固定元件彼此固定并連接。
27.如權(quán)利要求26所述的高頻加熱裝置，其特征在于固定元件是插入型的，由此把高頻加熱層與托盤可拆卸地連接起來(lái)。
28.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱裝置，其特征在于插入型固定元件分別設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上。
29.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱裝置，其特征在于用兩個(gè)零件把插入型固定元件分別設(shè)置在加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上，即，總共設(shè)置四個(gè)固定元件。
30.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱裝置，其特征在于設(shè)置在加熱室深度方向上左右兩側(cè)上的插入型固定元件由非金屬體制成。
31.如權(quán)利要求27所述的高頻加熱裝置，其特征在于設(shè)置在加熱室深度方向上左右兩側(cè)上的插入型固定元件由樹(shù)脂材料或陶瓷材料制成。
32.一種高頻加熱裝置，包括加熱室，存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部；高頻發(fā)生單元，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層，由陶瓷制成，具有吸收高頻電波并產(chǎn)生熱量的高頻發(fā)熱薄膜；以及托盤，由金屬制成，被加熱物體放置在該托盤上；其特征在于高頻加熱層和托盤彼此以一定間隔放置在位于加熱室的左右兩側(cè)上的導(dǎo)軌部件上，用粘性元件把高頻加熱層和托盤彼此固定并連接。
33.如權(quán)利要求32所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述高頻加熱層制造得比所述托盤長(zhǎng)，并放置在導(dǎo)軌部件上。
34.如權(quán)利要求32所述的高頻加熱裝置，其特征在于托盤在位于加熱室深度方向上的左右兩側(cè)上具有絕緣層，并且其中絕緣層設(shè)置在導(dǎo)軌部件上。
專利摘要提供一種高頻加熱裝置，它能用高頻加熱來(lái)加熱被加熱物體的內(nèi)部，并能使被加熱物體的表面烤得焦黃。該高頻加熱裝置包括加熱室，用于在其中存放被加熱的物體；加熱單元，設(shè)置在加熱室的上部，使加熱器進(jìn)行加熱；高頻發(fā)生單元，設(shè)置在加熱室的底部，產(chǎn)生高頻電波以進(jìn)行高頻加熱；高頻加熱層，其背面上具有高頻發(fā)熱薄膜；以及托盤，用于在其上放置被加熱物體；其中在高頻加熱層與托盤之間設(shè)置間隙。因此，可以使被加熱物體的表面烤得焦黃。
文檔編號(hào)H05B6/80GK2598294SQ0320221
公開(kāi)日2004年1月7日 申請(qǐng)日期2003年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月31日
發(fā)明者磯谷守, 山崎孝彥, 彥, 子, 末廣峰子, 內(nèi)山智美, 美, 男, 藤下和男 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社