專(zhuān)利名稱(chēng)：電子設(shè)備的殼體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種電子設(shè)備的殼體裝置，特別是指一種可提升靜電放電的防護(hù)能力的殼體裝置。
(2)背景技術(shù)許多電子設(shè)備如個(gè)人電腦、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和手機(jī)等，經(jīng)常容易受到靜電放電(electrostatic discharge，以下簡(jiǎn)稱(chēng)ESD)的襲擊而發(fā)生故障。特別是像PDA和手機(jī)等輕薄短小的電子設(shè)備，由于它們整個(gè)的生命周期都是經(jīng)常處在充滿(mǎn)靜電的環(huán)境中，如果防護(hù)ESD的設(shè)計(jì)不良，那么可能導(dǎo)致這些電子設(shè)備在使用過(guò)程中發(fā)生鎖死、重新開(kāi)機(jī)、數(shù)據(jù)遺失或狀況不穩(wěn)定等令人困擾的現(xiàn)象。
ESD對(duì)電子設(shè)備的影響最重要的是造成內(nèi)部電子元件的損壞，例如從手指或是其他物品突然的靜電放電可能會(huì)破壞靜電敏感元件或是微電路。處于ESD中的電子元件可能完全不受影響，但也有可能已發(fā)生損壞卻未能被立刻察覺(jué)。這些元件損壞具有累積性，將導(dǎo)致元件功能時(shí)好時(shí)壞，使得電子設(shè)備的品質(zhì)降低而縮短使用的壽命。
ESD產(chǎn)生的電壓(voltage)相當(dāng)?shù)母?，?dāng)環(huán)境中的相對(duì)濕度(relativehumidity)低于50％以下時(shí)，人體上所累積的靜電電荷的電壓可能超過(guò)3萬(wàn)伏特，然而多數(shù)的靜電敏感元件所能承受的電壓大都小于100伏特，甚至有些元件僅要10伏特就會(huì)遭到破壞。
特別像是PDA或是手機(jī)，其中的微電子元件對(duì)于ESD更是敏感，這是因?yàn)檫@些微電子元件是由絕緣層、導(dǎo)體層或是半導(dǎo)體層等極微小的結(jié)構(gòu)疊合而成，因此瞬間的靜電放電將可能導(dǎo)致微電子元件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的損壞。而容易受到ESD傷害的微電子元件例如包括有微處理器、特殊應(yīng)用IC元件(ASICS)，和存儲(chǔ)元件(memorydevice)如隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)等。ESD對(duì)于元件所造成的傷害可能只是將元件中所儲(chǔ)存的記錄抹除，但也有可能是直接對(duì)于元件的實(shí)體的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生無(wú)法回復(fù)的損壞。
另一個(gè)ESD重要的影響是對(duì)于作業(yè)環(huán)境的干擾，由于ESD所傳遞或發(fā)射出來(lái)的能量可能會(huì)被作業(yè)系統(tǒng)誤認(rèn)為是有效的數(shù)據(jù)，因此導(dǎo)致數(shù)據(jù)在傳輸過(guò)程中引發(fā)暫時(shí)性的錯(cuò)誤，更嚴(yán)重的情況是使得電子設(shè)備重新開(kāi)機(jī)或是電源消失，因而需要手動(dòng)重新開(kāi)啟。
參閱圖1，在實(shí)驗(yàn)室中利用靜電槍對(duì)于PDA類(lèi)的產(chǎn)品4進(jìn)行靜電放電40防護(hù)能力的測(cè)試，測(cè)試的方式包括有空中放電，以及對(duì)PDA殼體外部空隙的任一位置以±3kV靜電槍放電、±6kV靜電槍放電、±8kV靜電槍放電和±12kV靜電槍放電等方式掃描一次。在測(cè)試過(guò)程中，如果測(cè)試儀器發(fā)出″嗶″的一聲，那么則表示靜電已穿透外殼而打到內(nèi)部元件，測(cè)試的結(jié)果如下所示選擇按鈕41-3kV造成誤動(dòng)作、±6kV造成誤動(dòng)作、-12kV造成點(diǎn)選失敗功能鍵42+6kV造成誤動(dòng)作、±12kV造成誤動(dòng)作啟動(dòng)按鍵43-3kV造成重新開(kāi)機(jī)功能選擇鍵44+6kV造成重新開(kāi)機(jī)耳機(jī)插孔45+12kV造成重新開(kāi)機(jī)液晶面板接合處46-3kV造成重新開(kāi)機(jī)電源指示燈47±造成LED不亮由上可知，靜電槍放電后容易造成電子產(chǎn)品失效的位置，多集中在外殼的開(kāi)孔或按鍵上，因此確實(shí)有必要針對(duì)此種情況加以改善，以提升靜電放電的防護(hù)能力。
目前在ESD防護(hù)的技術(shù)上，所采取的其中一種方法就是以屏蔽(shielding)的概念，在元件、電路封裝、系統(tǒng)外設(shè)計(jì)專(zhuān)門(mén)的保護(hù)結(jié)構(gòu)，以避免元件遭受靜電放電的損壞。而另一種方法則是以接地(grounding)的概念，防止靜電電荷的累積，因而避免靜電放電的發(fā)生。
參閱圖2，一電子設(shè)備殼體5包覆著一載有電子元件(未圖示)的機(jī)板51，當(dāng)殼體5外部有高伏特、高能量的靜電放電6時(shí)，靜電放電的電子61經(jīng)由殼體5的間隙52流入殼體5內(nèi)部，并受到機(jī)板51上的電子元件的吸引，造成二次靜電放電62而破壞電子元件。針對(duì)此種狀況，一般常見(jiàn)的設(shè)計(jì)就是不使機(jī)板51與殼體5的間隙52位在同一直線的路徑上，以避免經(jīng)由該間隙52進(jìn)入的ESD電子61直接對(duì)機(jī)板51造成影響。
參閱圖3，一金屬材料的電子設(shè)備殼體5包覆著一載有一按鍵開(kāi)關(guān)511及其他電子元件(未圖示)的機(jī)板51，而殼體5上設(shè)置有一與按鍵開(kāi)關(guān)511相對(duì)應(yīng)的按鍵53。由于按鍵53是一活動(dòng)件，其無(wú)法有效地與金屬殼體5接觸導(dǎo)通，因此當(dāng)殼體5外部有高伏特、高能量的靜電放電6時(shí)，靜電放電的電子61經(jīng)由殼體5與按鍵53的間隙52流入殼體5內(nèi)部，高伏特電荷的累積加上機(jī)板51上電子元件的吸引，造成殼體5內(nèi)部產(chǎn)生二次靜電放電62。
參閱圖4，習(xí)知的屏蔽設(shè)計(jì)是在一電子設(shè)備殼體5與一機(jī)板51之間增設(shè)一防護(hù)片54，以阻擋ESD電子61的流入。但是這樣的增加防護(hù)片54的設(shè)計(jì)必定占據(jù)殼體5的內(nèi)部空間，因此必須增加殼體5的體積來(lái)加以適應(yīng)。同時(shí)，此種增加防護(hù)片54的設(shè)計(jì)也增加了機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)上的困難，因?yàn)樵跈C(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)上，殼體5上的間隙52可能是由不同的殼體部分組合而形成，因此難以形成緊密貼合于間隙52四周的防護(hù)片54結(jié)構(gòu)，但是防護(hù)片54如果無(wú)法貼合于間隙52的四周，那么其阻擋靜電放電電子61進(jìn)入殼體5內(nèi)部的功效將大為降低。
(3)實(shí)用新型內(nèi)容因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種可降低靜電放電對(duì)于電子設(shè)備損害的電子設(shè)備的殼體裝置。
本實(shí)用新型的電子設(shè)備的殼體裝置，用以容置該電子設(shè)備的一電子元件，包含一殼體和至少一導(dǎo)電件。該殼體內(nèi)部形成有一可容置該電子元件的容置空間，該殼體上形成一連通該殼體外部與該容置空間的間隙，該外部電荷可由該間隙流入并可對(duì)該電子元件放電，該殼體的內(nèi)壁面上并形成有一接地層。該導(dǎo)電件是設(shè)置在該殼體的內(nèi)壁面上并與該接地層電性連接，該導(dǎo)電件具有一向該容置空間延伸的尖端，其中該間隙至該尖端的距離小于該間隙至該電子元件的距離，使得外部電荷對(duì)該尖端放電而被導(dǎo)入該接地層。
(4)


圖1是習(xí)知的一個(gè)人數(shù)字助理機(jī)，說(shuō)明在實(shí)驗(yàn)室中以靜電槍對(duì)該個(gè)人數(shù)字助理機(jī)進(jìn)行靜電放電測(cè)試；圖2是習(xí)知一電子設(shè)備殼體包覆著一載有電子元件的機(jī)板，說(shuō)明該殼體外部發(fā)生靜電放電，靜電放電的電子經(jīng)由殼體的間隙流入殼體內(nèi)，并造成二次靜電放電；圖3是習(xí)知一電子設(shè)備殼體包覆著一載有電子元件的機(jī)板，說(shuō)明該殼體外部發(fā)生靜電放電，靜電放電的電子經(jīng)由殼體與一按鍵間的間隙流入殼體內(nèi)，并造成二次靜電放電；圖4是習(xí)知一電子設(shè)備殼體包覆著一載有電子元件的機(jī)板，且該殼體內(nèi)部設(shè)置有一防護(hù)片，用以防護(hù)靜電放電的電子經(jīng)由殼體的間隙流入殼體；圖5是本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置的第一較佳實(shí)施例，說(shuō)明一殼體的內(nèi)壁面上鄰近一間隙處設(shè)置有一具有尖端的導(dǎo)電件并以該殼體作為一接地層，該導(dǎo)電件可吸收二次靜電放電；圖6是本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置的第二較佳實(shí)施例，說(shuō)明一殼體的內(nèi)壁面上鄰近一按鍵的間隙處設(shè)置有一具有尖端的導(dǎo)電件并以該殼體作為一接地層，該導(dǎo)電件可吸收二次靜電放電；圖7是本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置的第三較佳實(shí)施例，說(shuō)明一殼體的內(nèi)壁面上鄰近多個(gè)間隙處設(shè)置有多個(gè)分別具有尖端的導(dǎo)電件并以該殼體作為一接地層，該導(dǎo)電件可吸收二次靜電放電；圖8是本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置的另一實(shí)施例，說(shuō)明一導(dǎo)電件可以用鉚接或焊接的方式固定在一殼體的內(nèi)壁面上；圖9是本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置的另一實(shí)施例，說(shuō)明一導(dǎo)電件的本體可以和一殼體以塑膠材質(zhì)一體成型，再于該殼體的內(nèi)壁面及該本體的表面形成一導(dǎo)電涂層；以及圖10是本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置的另一實(shí)施例，說(shuō)明一導(dǎo)電件可以埋設(shè)在一塑膠殼體中并射出成型，并在該殼體的內(nèi)壁面形成一與該導(dǎo)電件電性連接的導(dǎo)電涂層作為一接地層。
(5)
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的前述以及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合附圖的數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，將可清楚的呈現(xiàn)。此外，必須加以說(shuō)明的是，在以下各個(gè)實(shí)施例中相似的元件是以相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示。
參閱圖5，本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置1的第一較佳實(shí)施例可容置一電子設(shè)備2的一機(jī)板21，該機(jī)板21上載有多個(gè)電子元件(未圖示)。在本較佳實(shí)施例中，該電子設(shè)備2例如是一PDA，然而在本實(shí)用新型的其他較佳實(shí)施例中，該電子設(shè)備2可以是一個(gè)人電腦、一筆記本電腦或一移動(dòng)電話(huà)，并不以本較佳實(shí)施例中所例示的為限。
該殼體裝置1包含一殼體11和一導(dǎo)電件12。該殼體11的內(nèi)部形成有一可容置該機(jī)板21的容置空間111，而該殼體11上并形成一連通該殼體11外部與該容置空間111的間隙112。在本較佳實(shí)施例中，該殼體11例如是一金屬殼體，因此可直接以該殼體11本身當(dāng)作一接地層113。
該導(dǎo)電件12是固定設(shè)置在該殼體11的內(nèi)壁面上，并因此可與該殼體11的接地層113電性連接。該導(dǎo)電件12具有一向該容置空間111延伸的尖端121，其中該間隙112至該尖端121的距離D1小于該間隙112至該機(jī)板21上的其中一電子元件的距離D2。
靜電放電發(fā)生的原因是因?yàn)槲矬w上累積的電荷的電壓超過(guò)了靜電放電的崩潰電壓的臨界值(threshold level of the breakdown voltage for ESD)，而且當(dāng)兩物體間的靜電放電的崩潰電壓愈小時(shí)，兩物體間愈容易發(fā)生靜電放電。影響物體間靜電放電崩潰電壓的因素包括有兩物體接近端個(gè)別的形狀、兩物體接近端的距離、兩物體接近端間的電性，以及兩物體接近端的數(shù)量等，但是與兩物體接近端的方向無(wú)關(guān)。另外，環(huán)境中的因素也會(huì)影響靜電放電的崩潰電壓，這些因素包括溫度及濕度等。
其中必須加以說(shuō)明的是，當(dāng)一導(dǎo)體具有一表面曲度(surface curvature)較大的尖端時(shí)，該尖端的表面上會(huì)累積大量的電荷而形成一較大的電壓，該電壓容易達(dá)到靜電放電臨界值，因而容易產(chǎn)生所謂的「尖端放電」的現(xiàn)象(pointdischarge)。另外，兩物體接近端間距離愈近時(shí)，達(dá)到靜電放電的崩潰電壓也愈小，同樣地，當(dāng)兩物體接近端的數(shù)量愈多時(shí)，所需的崩潰電壓也較小。
在本較佳實(shí)施例中，當(dāng)該殼體11外部有一高伏特、高能量的靜電放電3發(fā)生時(shí)，外部電荷31會(huì)由該間隙112流入并可能對(duì)該機(jī)板21上的電子元件作二次靜電放電32。而該殼體11的內(nèi)壁面上設(shè)置有該導(dǎo)電件12，由于該導(dǎo)電件12具有一尖端121，且該尖端121比該機(jī)板21更接近該殼體11的間隙112，因此上述外部流入的電荷31較容易對(duì)該導(dǎo)電件尖端121作二次靜電放電32，因而可將電荷31導(dǎo)入該殼體11的接地層113中，可提升電子設(shè)備2中的電子元件對(duì)于靜電放電32的防護(hù)能力。
參閱圖6，本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置1的第二較佳實(shí)施例包含有一殼體11，該殼體11內(nèi)形成有一可容置該電子設(shè)備2的一機(jī)板21的容置空間111。該殼體11上設(shè)置有一按鍵114，而該機(jī)板21上裝置有一與該按鍵114相對(duì)應(yīng)的按鍵開(kāi)關(guān)211和多個(gè)電子元件(未圖示)。而該殼體11與按鍵114的接合處形成有一連通該殼體11外部與該容置空間111的間隙112。
在本較佳實(shí)施例中，該殼體11是一金屬殼體，因此可直接以該殼體11本身當(dāng)作一接地層113。
一導(dǎo)電件12設(shè)置在該殼體11的內(nèi)壁面上，亦即與該接地層113電性連接。該導(dǎo)電件12具有一向該容置空間111延伸的尖端121，其中該間隙112至該尖端121的距離D3小于該間隙112至該機(jī)板21上的其中一電子元件的距離D4。
同樣地，當(dāng)該殼體11外部有一高伏特、高能量的靜電放電3發(fā)生時(shí)，外部電荷31由該間隙112流入該容置空間111并累積在該按鍵114上。此時(shí)，由于導(dǎo)電件12的尖端121較該機(jī)板21接近該殼體11的間隙112，因此上述電荷31便對(duì)該導(dǎo)電件12的尖端121作二次靜電放電32，將電荷31導(dǎo)入該接地層113中。
參閱圖7，本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置1的第三較佳實(shí)施例包含有一殼體11，該殼體11包括有一上殼體件115及一下殼體件116，該上殼體件115及該下殼體件116相互接合而界定出一可容置該電子設(shè)備2的一機(jī)板21的容置空間111。一按鍵114設(shè)置在該上殼體件11上，而該機(jī)板21上裝置有一與該按鍵114相對(duì)應(yīng)的按鍵開(kāi)關(guān)211和多個(gè)電子元件(未圖示)。
該上殼體件115及該下殼體件116的接合處以及該按鍵114與該上殼體件11間的接合處形成有多個(gè)連通該殼體11外部與該容置空間111的間隙112。在本較佳實(shí)施例中，該殼體11是一金屬殼體，因此可直接以該殼體11本身當(dāng)作一接地層113。
多個(gè)導(dǎo)電件12設(shè)置在該殼體11的內(nèi)壁面上，亦即與該接地層113電性連接。每一導(dǎo)電件12具有一向該容置空間111延伸的尖端121。與上述其他較佳實(shí)施例相同的是，本實(shí)施例中各該間隙112至鄰近的各該導(dǎo)電件12的尖端121的距離小于各該間隙112至該機(jī)板21上的電子元件的距離。因此，如果該殼體11外部發(fā)生靜電放電3時(shí)，由該間隙112流入的電荷(未圖示)所產(chǎn)生的二次靜電放電32將會(huì)被該導(dǎo)電件12吸收并導(dǎo)入該接地層113中，因而避免靜電放電對(duì)機(jī)板21上的電子元件造成傷害。
在此一較佳實(shí)施例中，依據(jù)上述提到的尖端放電的效應(yīng)和影響崩潰電壓的原因，該導(dǎo)電件12的設(shè)計(jì)就如同避雷針一樣，該導(dǎo)電件12的尖端121愈尖銳，則該導(dǎo)電件12吸收靜電放電32的效果愈好，同樣地，鄰近各該間隙112的導(dǎo)電件12數(shù)量愈多，則各該間隙112與鄰近的各該導(dǎo)電件12間的崩潰電壓愈低，靜電放電32愈容易被導(dǎo)引至該導(dǎo)電件12上。
此外，在此必須加以說(shuō)明的是，在本實(shí)用新型各較佳實(shí)施例中，該間隙112并非僅能形成在該殼體11與該按鍵114接合處或是僅在該上殼體件115與下殼體件116接合處，事實(shí)上，該殼體11與任一電連接器(如耳機(jī)插孔、附加卡插槽或充電插座等，圖未示)的接合處、以及該殼體11上形成的螺絲孔(圖未示)及該殼體11上其他任何的開(kāi)孔處(圖未示)亦能形成本實(shí)用新型技術(shù)內(nèi)容中所稱(chēng)的該間隙112。
參閱圖8，在本實(shí)用新型上述各較佳實(shí)施例及其他較佳實(shí)施例中，當(dāng)該殼體11是一金屬殼體時(shí)，其中一導(dǎo)電件12可以是一具有一尖端121和一基部124的金屬圓錐形體，該導(dǎo)電件12的基部124與該殼體11鉚接而使該導(dǎo)電件12固定在該殼體11的內(nèi)壁面上。其他另一導(dǎo)電件12’可以是一具有一尖端121’和一基部124’的金屬圓錐形體，其基部124’可以利用一金屬焊墊125與該殼體11焊接而使該導(dǎo)電件12’固定在該殼體11的內(nèi)壁面上。
參閱圖9，在本實(shí)用新型上述各較佳實(shí)施例及其他較佳實(shí)施例中，當(dāng)該殼體11是一塑膠殼體時(shí)，其中一導(dǎo)電件12包括有一與該殼體11一體成型且位于該殼體11內(nèi)壁面上的本體122。由于該殼體11及該導(dǎo)電件本體122皆不具有導(dǎo)電性，因此必須在該殼體11的內(nèi)壁面及該導(dǎo)電件本體122的表面形成一連續(xù)的導(dǎo)電涂層13，例如是一導(dǎo)電漆層或一金屬鍍層，使得該導(dǎo)電涂層13分別作為該殼體11的一接地層113及該導(dǎo)電件12的一導(dǎo)電層123。由于該導(dǎo)電件12具有一表面的導(dǎo)電層123，且與該接地層113電性連接，因此該導(dǎo)電件12可吸收靜電放電的電荷。
參閱圖10，在本實(shí)用新型上述各較佳實(shí)施例及其他較佳實(shí)施例中，當(dāng)該殼體11是一塑膠殼體，而其中一導(dǎo)電件12可以是一具有一尖端121和一基部124的金屬圓錐形體時(shí)，可以將該金屬的導(dǎo)電件12的基部124埋入該塑膠的殼體11中并射出成型，此時(shí)還在該殼體11的內(nèi)壁面上形成一與該導(dǎo)電件12電性連接的一導(dǎo)電漆層或一金屬鍍層，以作為該殼體11的一接地層113。
歸納上述，本實(shí)用新型電子設(shè)備的殼體裝置1是在該電子設(shè)備2的殼體11的內(nèi)壁面上分別設(shè)置至少一具有一尖端121的導(dǎo)電件12及形成一與該導(dǎo)電件12電性連接的接地層113，當(dāng)該殼體11外部發(fā)生靜電放電3時(shí)，由該殼體11的間隙112流入的電荷31所產(chǎn)生的二次靜電放電32將會(huì)被該導(dǎo)電件12吸收并導(dǎo)入該接地層113中，因而避免靜電放電對(duì)機(jī)板21上的電子元件造成傷害，故確實(shí)能達(dá)到本實(shí)用新型的目的。
但以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡是按本實(shí)用新型申請(qǐng)權(quán)利要求及新明書(shū)內(nèi)容所作出的簡(jiǎn)單的等效變化與等效替換，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專(zhuān)利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，包含一殼體，其內(nèi)部形成有一可容置該電子元件的容置空間，該殼體上形成一連通該殼體外部與該容置空間的間隙，該外部電荷可由該間隙流入并可對(duì)該電子元件放電，該殼體的內(nèi)壁面上并形成有一接地層；以及至少一導(dǎo)電件，設(shè)置在該殼體的內(nèi)壁面上并與該接地層電性連接，該導(dǎo)電件具有一向該容置空間延伸的尖端，其中該間隙至該尖端的距離小于該間隙至該電子元件的距離，使得外部電荷對(duì)該尖端放電而被導(dǎo)入該接地層。
2.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電件是一圓錐形體。
3.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該殼體具有導(dǎo)電性，而作為該接地層。
4.如權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該殼體的材質(zhì)為金屬。
5.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電件為金屬，焊接在該殼體上。
6.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電件為金屬，鉚接在該殼體上。
7.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該殼體是由非導(dǎo)電性的材質(zhì)所制成。
8.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該接地層為一涂布在該殼體的內(nèi)壁面上的導(dǎo)電漆層。
9.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該接地層為一形成于該殼體的內(nèi)壁面上的金屬鍍層。
10.如權(quán)利要求8或第9所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該殼體的材質(zhì)為塑膠。
11.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電件還包括有一設(shè)置于該殼體的內(nèi)壁面上而不具有導(dǎo)電性的本體及一形成于該本體表面上的導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層與該接地層電性連接。
12.如權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電層為一涂布在該本體表面上的導(dǎo)電漆。
13.如權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該導(dǎo)電層為一形成于該本體表面上的金屬鍍層。
14.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，還包含一穿設(shè)在該殼體中的按鍵，該按鍵與該殼體的接合處形成該間隙。
15.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的殼體裝置，其特征在于，該殼體包括有一第一殼體件及一第二殼體件，該第一殼體件與該第二殼體件接合而界定該容置空間，其接合處形成該間隙。
專(zhuān)利摘要一種電子設(shè)備的殼體裝置，用以容置該電子設(shè)備的一電子元件，可提升對(duì)于外部電荷所產(chǎn)生的靜電放電的防護(hù)能力，該殼體裝置包含一殼體和至少一導(dǎo)電件。該殼體內(nèi)部形成有一可容置該電子元件的容置空間，該殼體上形成一連通該殼體外部與該容置空間的間隙，該外部電荷可由該間隙流入并可對(duì)該電子元件放電，該殼體的內(nèi)壁面上并形成有一接地層。該導(dǎo)電件是設(shè)置在該殼體的內(nèi)壁面上并與該接地層電性連接，該導(dǎo)電件具有一向該容置空間延伸的尖端，其中該間隙至該尖端的距離小于該間隙至該電子元件的距離，使得外部電荷對(duì)該尖端放電而被導(dǎo)入該接地層。
文檔編號(hào)H05K5/00GK2616006SQ03244310
公開(kāi)日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月21日
發(fā)明者葉志峰 申請(qǐng)人:緯創(chuàng)資通股份有限公司