專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法薄膜移除設(shè)備及擦拭裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光元件的制造方法及薄膜移除設(shè)備，且特別是有關(guān)于一種有機(jī)電激發(fā)光元件(Organic Electro-Luminescent Device，OELD)的制造方法薄膜移除設(shè)備及其擦拭裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)電激發(fā)光元件是一種利用有機(jī)功能性材料(organic functionalmaterial)的自發(fā)光特性來(lái)達(dá)到顯示效果的元件，其中依照有機(jī)功能性材料的分子量分為小分子有機(jī)電激發(fā)光元件(Small Molecule OELD，SM-OELD)與高分子電激發(fā)光元件(Polymer Electro-Luminescent Device，PELD)兩大類(lèi)。兩者的發(fā)光結(jié)構(gòu)皆是由一對(duì)電極以及有機(jī)功能性材料層所構(gòu)成。當(dāng)施加直流電壓時(shí)，電洞從陽(yáng)極(anode)注入有機(jī)功能性材料層，而電子從陰極(cathode)注入有機(jī)功能性材料層，因?yàn)橥饧与妶?chǎng)所造成的電位差，使得電洞與電子兩種載子(carrier)在有機(jī)功能性材料層中移動(dòng)并產(chǎn)生輻射性結(jié)合(Radiative Recombination)。部分由電子電洞再結(jié)合所放出的能量會(huì)將有機(jī)功能性材料分子激發(fā)形成單一激態(tài)分子。當(dāng)單一激態(tài)分子釋放能量回到基態(tài)時(shí)，其中一定比例的能量會(huì)以光子的方式放出而發(fā)光，此即為有機(jī)電激發(fā)光元件的發(fā)光原理。
目前有機(jī)電激發(fā)光元件量產(chǎn)的方式通常會(huì)在一片未經(jīng)過(guò)切割且尺寸相當(dāng)大的基板上規(guī)劃出多個(gè)區(qū)塊，接著再于各個(gè)區(qū)塊上制作有機(jī)電激發(fā)光元件。之后，再透過(guò)切割的方式將各個(gè)有機(jī)電激發(fā)光元件單體化(singulation)。以下將針對(duì)已知有機(jī)電激發(fā)光元件的制造流程作詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1A至圖1D，其繪示已知有機(jī)電激發(fā)光元件的制造流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，首先提供一基板110，并形成一陽(yáng)極層120于基板110上。然后，使用一旋轉(zhuǎn)涂布制程(spin on coating process)，形成一有機(jī)材料層130于陽(yáng)極層120上。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，對(duì)于有機(jī)材料層130進(jìn)行圖案化制程(patterningprocess)，以定義出發(fā)光區(qū)域100a。請(qǐng)參照?qǐng)D1C，形成一陰極層140于有機(jī)材料層130上。請(qǐng)參照?qǐng)D1D，進(jìn)行一封膠制程(MoldingProcess)，形成一封裝膠體(molding compound)150，以包覆部分陽(yáng)極層120、有機(jī)材料層130與部分陰極層140。隨后，對(duì)于基板110進(jìn)行一切割制程(cutting process)，以切割出有機(jī)電激發(fā)光元件晶粒100。
承上所述，對(duì)于有機(jī)材料層130進(jìn)行圖案化制程的方法例如是激光剝離制程(laser ablation process)或干蝕刻制程(dry etchingprocess)。其中，激光剝離制程采用適當(dāng)波長(zhǎng)的激光光，以燃燒或光反應(yīng)(photoreaction)方式去除基板110上的有機(jī)材料層130，而達(dá)到將有機(jī)材料層130圖案化的目的。然而，激光剝離制程雖然能夠有效去除有機(jī)材料層130，但是設(shè)備昂貴。此外，由于激光光束(laserbeam)尺寸限制，故激光光束無(wú)法一次去除大面積的有機(jī)材料層130。另外，部分有機(jī)材料層130經(jīng)過(guò)激光照射后可能產(chǎn)生污染物。
上述的干蝕刻制程則是在真空環(huán)境下使用電漿(plasma)與反應(yīng)性氣體(reactive gas)，并配合覆蓋于基板110上的遮罩(mask)，以移除暴露的有機(jī)材料層130。相較于激光剝離制程，干蝕刻制程具有去除速率快且產(chǎn)能高等優(yōu)點(diǎn)，但需要復(fù)雜的遮罩與昂貴的真空設(shè)備的配合。此外，部分有機(jī)材料不允許接受電漿制程，也就無(wú)法適用于干蝕刻制程。值得注意的是，無(wú)論是激光剝離制程或干蝕刻制程均受限于有機(jī)材料的種類(lèi)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種薄膜移除設(shè)備，其是能夠在非真空環(huán)境下移除薄膜。
此外，本發(fā)明的再一目的就是提供一種擦拭裝置，其是適于移除各種有機(jī)材料薄膜。
另外，本發(fā)明的又一目的就是提供一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，其是適于移除各種有機(jī)材料薄膜。
基于上述目的或其他目的，本發(fā)明提出一種薄膜移除設(shè)備，其是適于移除一基板上的一薄膜，而薄膜移除設(shè)備例如包括一底座、一擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(transmission mechanism of the erasing device)、一第一擦拭裝置與一定位平臺(tái)(positioning platform)。其中，擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)是配設(shè)于底座上。此外，第一擦拭裝置是配設(shè)于擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。另外，定位平臺(tái)是配設(shè)于底座上，以承載基板，其中擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)是帶動(dòng)第一擦拭裝置，以將基板上的薄膜移除。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，第一擦拭裝置例如包括一供帶模組、一收帶模組與一擦拭頭模組。其中，擦拭頭模組配置于供帶模組與收帶模組之間，而供帶模組適于提供一擦拭帶至擦拭頭模組中，且收帶模組適于回收擦拭頭模組所使用過(guò)的擦拭帶。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，供帶模組例如包括一供帶機(jī)構(gòu)與一第一惰輪組。其中，供帶機(jī)構(gòu)適于提供擦拭帶，而第一惰輪組是配置于擦拭頭模組與供帶機(jī)構(gòu)之間。此外，收帶模組例如包括一收帶機(jī)構(gòu)與一第二惰輪組。其中，收帶機(jī)構(gòu)適于接收擦拭帶，而第二惰輪組是配置于擦拭頭模組與收帶機(jī)構(gòu)之間。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，第一擦拭裝置例如還包括一擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，而擦拭頭模組是配設(shè)于擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，第一擦拭裝置例如還包括一擦拭液供應(yīng)模組，連接至擦拭頭模組，以提供一擦拭液至擦拭頭模組。此外，擦拭頭模組例如具有一擦拭液供應(yīng)通孔，而擦拭液供應(yīng)模組是與擦拭液供應(yīng)通孔連接，以將擦拭液提供至擦拭帶。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，第一擦拭裝置例如還包括至少一光學(xué)感測(cè)器，配設(shè)于擦拭帶的傳輸路徑上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，擦拭帶例如包括一無(wú)塵布。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，定位平臺(tái)例如包括一定位機(jī)構(gòu)，以定位基板于定位平臺(tái)上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，薄膜移除設(shè)備例如還包括一定位平臺(tái)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，與定位平臺(tái)連接，以控制定位平臺(tái)的移動(dòng)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，薄膜移除設(shè)備例如還包括一第二擦拭裝置，配置于擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。
基于上述目的或其他目的，本發(fā)明提出一種擦拭裝置，其是例如包括一供帶模組、一收帶模組與一擦拭頭模組。其中，擦拭頭模組是配置于供帶模組與收帶模組之間，而供帶模組適于提供一擦拭帶至擦拭頭模組中，且收帶模組適于回收擦拭頭模組所使用過(guò)的擦拭帶。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的擦拭裝置，供帶模組例如包括一供帶機(jī)構(gòu)與一第一惰輪組。其中，供帶機(jī)構(gòu)適于提供擦拭帶，而第一惰輪組是配置于擦拭頭模組與供帶機(jī)構(gòu)之間。此外，收帶模組例如包括一收帶機(jī)構(gòu)與一第二惰輪組。其中，收帶機(jī)構(gòu)適于接收擦拭帶，而第二惰輪組是配置于擦拭頭模組與收帶機(jī)構(gòu)之間。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，擦拭裝置例如還包括一擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，而擦拭頭模組是配設(shè)于擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，擦拭裝置例如還包括一擦拭液供應(yīng)模組，連接至擦拭頭模組，以提供一擦拭液至擦拭頭模組。此外，擦拭頭模組例如具有一擦拭液供應(yīng)通孔，而擦拭液供應(yīng)模組是與擦拭液供應(yīng)通孔連接，以將該擦拭液提供至擦拭帶。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，擦拭裝置例如還包括至少一光學(xué)感測(cè)器，配設(shè)于擦拭帶的傳輸路徑上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的薄膜移除設(shè)備，擦拭帶例如包括一無(wú)塵布。
基于上述目的或其他目的，本發(fā)明提出一種有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法，至少包括下列步驟。首先，提供一基板。之后，形成一第一電極層于基板上。然后，形成一有機(jī)材料層于第一電極層與部分基板上。隨后，利用一擦拭液以擦拭的方式去除部分有機(jī)材料層，以將有機(jī)材料層圖案化。接著，形成一第二電極層于圖案化的有機(jī)材料層上。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法例如還包括對(duì)于有機(jī)材料層進(jìn)行一封膠步驟，以形成多個(gè)有機(jī)電激發(fā)光元件。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法例如還包括對(duì)于基板進(jìn)行一切割步驟，以形成多個(gè)有機(jī)電激發(fā)光元件晶粒。
基于上述，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備采用擦拭方式去除基板的薄膜層，所以本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備適用于各種材料，且特別是無(wú)法使用激光剝離制程或干蝕刻制程的材料。此外，相較于已知技術(shù)的激光剝離制程或干蝕刻制程需要配合真空環(huán)境或特殊氣體環(huán)境，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備在非真空環(huán)境下便可進(jìn)行運(yùn)作。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下，其中
圖1A至圖1D繪示已知有機(jī)電激發(fā)光元件的制造流程示意圖。
圖2A繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜移除設(shè)備的前視圖。
圖2B繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜移除設(shè)備的俯視圖。
圖3繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的擦拭裝置的前視圖與側(cè)視圖。
圖4A至圖4E繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法。
具體實(shí)施例方式
圖2A繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜移除設(shè)備的前視圖。圖2B繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜移除設(shè)備的俯視圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A與圖2B，薄膜移除設(shè)備300適于移除一基板200上的一薄膜，而薄膜移除設(shè)備300例如包括一底座310、一擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320、一第一擦拭裝置330、一第二擦拭裝置340與一定位平臺(tái)350。其中，擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320是配設(shè)于底座310上。此外，第一擦拭裝置330與第二擦拭裝置340分別配設(shè)于擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)350上。另外，定位平臺(tái)350是配設(shè)于底座310上，以承載基板200(如圖2B所示)，其中擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320是帶動(dòng)該第一擦拭裝置330與第二擦拭裝置340，以將基板200上的薄膜移除。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320例如包括一XY軸傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，而第二擦拭裝置340的擦拭方向是與第一擦拭裝置330的擦拭方向垂直，但本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備300并不限定第二擦拭裝置340的擦拭方向是與第一擦拭裝置330的擦拭方向需垂直。此外，定位平臺(tái)350例如包括一定位機(jī)構(gòu)352，以定位基板200于定位平臺(tái)350上。此外，定位機(jī)構(gòu)352例如包括多個(gè)定位銷(xiāo)(position pin)352a與多個(gè)頂出機(jī)構(gòu)(push mechanism)352b，而基板200是承靠于這些定位銷(xiāo)352a與這些頂出機(jī)構(gòu)352b。值得注意的是，本實(shí)施例的擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320并不限定于XY軸傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，而擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320的主要功能為帶動(dòng)第一擦拭裝置330或第二擦拭裝置340移動(dòng)至基板200上的任意位置，所以機(jī)器手臂(robot arm)或其他能夠達(dá)到此功能的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)亦為本實(shí)施例的內(nèi)容。另外，定位機(jī)構(gòu)352并不限定于定位銷(xiāo)352a與頂出機(jī)構(gòu)352b的組合，若定位機(jī)構(gòu)352為一承靠機(jī)構(gòu)、一夾持機(jī)構(gòu)或其他能夠固定基板200的機(jī)構(gòu)亦為本實(shí)施例的內(nèi)容。
承上所述，基板200由定位銷(xiāo)352a與頂出機(jī)構(gòu)352b于定位平臺(tái)350上完成粗定位(rough adjustment)。此外，若要達(dá)到更高的對(duì)位精度(adjustment precision)，則薄膜移除設(shè)備300例如還包括一定位平臺(tái)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)360，其是與定位平臺(tái)350連接，以控制定位平臺(tái)的移動(dòng)。此外，定位平臺(tái)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)360更可輔助使用電荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)的影像對(duì)位系統(tǒng)(image adjustmentsystem)，以達(dá)到精密定位(fine adjustment)。值得一提的是，若配合使用定位平臺(tái)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)360與擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320，則單獨(dú)的第一擦拭裝置330或第二擦拭裝置340即可移動(dòng)至基板200上的任意位置。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2B，薄膜移除設(shè)備300采用第一擦拭裝置330或第二擦拭裝置340，以擦拭方式去除基板200的薄膜，所以本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備300能夠適用于各種材料，特別是無(wú)法使用激光剝離制程或干蝕刻制程的材料。此外，相較于已知技術(shù)的激光剝離制程或干蝕刻制程需要配合真空環(huán)境或特殊氣體環(huán)境，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備300在非真空環(huán)境下便可進(jìn)行運(yùn)作，所以本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備300具有較低的設(shè)備成本與維護(hù)成本。另外，相較于已知技術(shù)的干蝕刻制程，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備300只需重新設(shè)定第一擦拭裝置330或第二擦拭裝置340的移動(dòng)路徑便可應(yīng)用于不同規(guī)格的產(chǎn)品，而無(wú)須重新制作昂貴的遮罩。再者，由擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)320與定位平臺(tái)350的配合，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備300能夠適用于各種不同尺寸的基板200。以下，對(duì)于第一擦拭裝置330作進(jìn)一步說(shuō)明。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的擦拭裝置的前視圖與側(cè)視圖。擦拭裝置400例如包括一供帶模組410、一收帶模組420與一擦拭頭模組430。其中，擦拭頭模組430是配置于供帶模組410與收帶模組420之間，而供帶模組410適于提供一擦拭帶412至擦拭頭模組430中，且收帶模組420適于回收擦拭頭模組430所使用過(guò)的擦拭帶412。此外，為了增加擦拭裝置400的操作便利性，擦拭裝置400例如還包括一擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)440，而擦拭頭模組430是配設(shè)于擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)440上。另外，擦拭帶412例如包括無(wú)塵布或其他不發(fā)塵材質(zhì)，而擦拭帶412的寬度例如5至10公厘，較佳為8公厘。對(duì)于供帶模組410、收帶模組420與擦拭頭模組430，其分別詳述如后。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3，供帶模組410例如包括一供帶機(jī)構(gòu)414與一第一惰輪組416。其中，供帶機(jī)構(gòu)414適于提供擦拭帶412，而第一惰輪組416是配置于擦拭頭模組430與供帶機(jī)構(gòu)414之間。此外，收帶模組420例如包括一收帶機(jī)構(gòu)422與一第二惰輪組424。其中，收帶機(jī)構(gòu)422適于接收擦拭帶412，而收帶機(jī)構(gòu)422例如包括一驅(qū)動(dòng)馬達(dá)422a，且第二惰輪組424是配置于擦拭頭模組430與收帶機(jī)構(gòu)422之間。
承上所述，若擦拭帶412需要沾附擦拭液，則擦拭裝置400例如還包括一擦拭液供應(yīng)模組450，連接至擦拭頭模組430，以提供一擦拭液至擦拭頭模組450，而擦拭液能夠溶解薄膜層，且擦拭液供應(yīng)模組450包括一擦拭液供應(yīng)泵(pump)(未繪示)，以控制擦拭液的流量。此外，擦拭頭模組430例如具有一擦拭液供應(yīng)通孔430a，而擦拭液供應(yīng)模組450是與擦拭液供應(yīng)通孔430a連接，以將擦拭液提供至擦拭帶412。再者，為了檢測(cè)擦拭帶412是否斷裂，擦拭裝置400例如還包括至少一光學(xué)感測(cè)器460，配設(shè)于擦拭帶412的傳輸路徑上，而光學(xué)感測(cè)器460例如包括一激光感測(cè)器、一紅外線(xiàn)感測(cè)器或其他光學(xué)感測(cè)器。
承上所述，相較于已知技術(shù)的激光剝離制程，本發(fā)明的擦拭裝置400由擦拭帶412沾附擦拭液，以摩擦方式去除薄膜層，而溶解的薄膜材料是吸附于擦拭帶412。因此，無(wú)污染物殘留的問(wèn)題。此外，擦拭裝置400采用供帶模組410、收帶模組420與擦拭帶412的組合，故擦拭裝置400能夠持續(xù)地擦拭基板200上的薄膜材料，直到?jīng)]有干凈的擦拭帶412可供使用。換言之，使用全新擦拭帶412的擦拭裝置400能夠持續(xù)地擦拭多個(gè)基板200，以縮短停機(jī)的時(shí)間。
圖4A至圖4E繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法。請(qǐng)參照?qǐng)D4A，有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法至少包括下列步驟。首先，提供一基板200，而基板200例如為一透明玻璃或其他透明材質(zhì)。的后，形成一第一電極層220于基板200上，且基板200上已形成電極接腳210，其中形成第一電極層220與電極接腳210的方式例如為濺鍍上一銦錫氧化物層(Indium Tin Oxide，ITO)，并圖案化銦錫氧化物層。
請(qǐng)參照?qǐng)D4B，然后，形成一有機(jī)材料層230于第一電極層220與部分基板200上，而形成有機(jī)材料層230的方法例如旋轉(zhuǎn)涂布(spin on coating)制程或蒸鍍(evaporation)制程。
請(qǐng)參照?qǐng)D4C，利用一擦拭液以擦拭的方式去除部分有機(jī)材料層230，以將有機(jī)材料層230圖案化。值得注意的是，此步驟能夠在一非真空環(huán)境下進(jìn)行。
請(qǐng)參照?qǐng)D4D，形成一第二電極層240于圖案化的有機(jī)材料層230上，其中第二電極層240的形成方式例如為濺鍍或是沉積一層金屬層(未繪示)，并圖案化金屬層，以形成條狀排列的第二電極層240。此外，第二電極層240的兩端分別與電極接腳210電性連接。
請(qǐng)參照?qǐng)D4E，對(duì)于有機(jī)材料204進(jìn)行一封膠步驟，以在部分第二電極層240與有機(jī)材料層230上形成一封裝膠體250。進(jìn)而避免氧、水分子滲入元件中，造成元件封裝后的可靠度(reliability)下降。最后，再對(duì)于基板200進(jìn)行一切割步驟，以形成多個(gè)有機(jī)電激發(fā)光元件晶粒。
綜上所述，本發(fā)明的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法、薄膜移除設(shè)備及其擦拭裝置具有下列優(yōu)點(diǎn)一、相較于已知技術(shù)的干蝕刻制程，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備只需重新設(shè)定擦拭裝置的移動(dòng)路徑便可應(yīng)用于不同規(guī)格的產(chǎn)品，而無(wú)須重新制作昂貴的遮罩。
二、由擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)與定位平臺(tái)的組合，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備便能夠適用于各種不同尺寸的基板。
三、本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備采用擦拭裝置以擦拭方式去除基板的薄膜，所以本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備適用于各種材料，且特別是無(wú)法使用激光剝離制程或干蝕刻制程的材料。
四、相較于已知技術(shù)的激光剝離制程或干蝕刻制程需要配合真空環(huán)境或特殊氣體環(huán)境，本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備在非真空環(huán)境下便可進(jìn)行運(yùn)作，所以本發(fā)明的薄膜移除設(shè)備具有較低的設(shè)備成本與維護(hù)成本。
五、為了進(jìn)一步提升移除速率與品質(zhì)，本發(fā)明的擦拭裝置更能夠加入擦拭液供應(yīng)模組，而沾附擦拭液的擦拭帶，以摩擦方式去除薄膜，而溶解的薄膜材料是吸附于擦拭帶上。
六、本發(fā)明的擦拭裝置采用供/收帶模組與擦拭帶的組合，故本發(fā)明的擦拭裝置能夠持續(xù)地進(jìn)行操作，并完成多個(gè)基板的擦拭制程，以縮短停機(jī)的時(shí)間。
七、相較于激光剝離制程與干蝕刻制程，本發(fā)明的有機(jī)電激發(fā)光元件的制造方法采用擦拭方式去除薄膜除了避免其他化學(xué)污染與基板損傷外，更能提供一穩(wěn)定的表面潔凈度。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)的人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜移除設(shè)備，適于移除一基板上的一薄膜，其特征在于，該薄膜移除設(shè)備包括一底座；一擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，配設(shè)于該底座上；一第一擦拭裝置，配設(shè)于該擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上；以及一定位平臺(tái)，配設(shè)于該底座上，以承載該基板，其中該擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)是帶動(dòng)該第一擦拭裝置，以將該基板上的該薄膜移除。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該第一擦拭裝置包括一供帶模組；一收帶模組；以及一擦拭頭模組，配置于該供帶模組與該收帶模組之間，其中該供帶模組適于提供一擦拭帶至該擦拭頭模組中，而該收帶模組適于回收該擦拭頭模組所使用過(guò)的該擦拭帶。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該供帶模組包括一供帶機(jī)構(gòu)，適于提供該擦拭帶；以及一第一惰輪組，配置于該擦拭頭模組與該供帶機(jī)構(gòu)之間。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該收帶模組包括一收帶機(jī)構(gòu)，適于接收該擦拭帶；以及一第二惰輪組，配置于該擦拭頭模組與該收帶機(jī)構(gòu)之間。
5.如權(quán)利要求2所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該第一擦拭裝置還包括一擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，而該擦拭頭模組是配設(shè)于該擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。
6.如權(quán)利要求2所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該第一擦拭裝置還包括一擦拭液供應(yīng)模組，連接至該擦拭頭模組，以提供一擦拭液至該擦拭頭模組。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該擦拭頭模組具有一擦拭液供應(yīng)通孔，而該擦拭液供應(yīng)模組是與該擦拭液供應(yīng)通孔連接，以將該擦拭液提供至該擦拭帶。
8.如權(quán)利要求2所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該第一擦拭裝置還包括至少一光學(xué)感測(cè)器，配設(shè)于該擦拭帶的傳輸路徑上。
9.如權(quán)利要求2所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該擦拭帶包括一無(wú)塵布。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中該定位平臺(tái)包括一定位機(jī)構(gòu)，以定位該基板于該定位平臺(tái)上。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中還包括一定位平臺(tái)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，與該定位平臺(tái)連接，以控制該定位平臺(tái)的移動(dòng)。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜移除設(shè)備，其特征在于，其中還包括一第二擦拭裝置，配置于該擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。
13.一種擦拭裝置，其特征在于，包括一供帶模組；一收帶模組；以及一擦拭頭模組，配置于該供帶模組與該收帶模組之間，其中該供帶模組適于提供一擦拭帶至該擦拭頭模組中，而該收帶模組適于回收該擦拭頭模組所使用過(guò)的該擦拭帶。
14.如權(quán)利要求13所述的擦拭裝置，其特征在于，其中該供帶模組包括一供帶機(jī)構(gòu)，適于提供該擦拭帶；以及一第一惰輪組，配置于該擦拭頭模組與該供帶機(jī)構(gòu)之間。
15.如權(quán)利要求13所述的擦拭裝置，其特征在于，其中該收帶模組包括一收帶機(jī)構(gòu)，適于接收該擦拭帶；以及一第二惰輪組，配置于該擦拭頭模組與該收帶機(jī)構(gòu)之間。
16.如權(quán)利要求13所述的擦拭裝置，其特征在于，其中還包括一擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，而該擦拭頭模組是配設(shè)于該擦拭頭傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。
17.如權(quán)利要求13所述的擦拭裝置，其特征在于，其中還包括一擦拭液供應(yīng)模組，連接至該擦拭頭模組，以提供一擦拭液至該擦拭頭模組。
18.如權(quán)利要求17所述的擦拭裝置，其特征在于，其中該擦拭頭模組具有一擦拭液供應(yīng)通孔，而該擦拭液供應(yīng)模組是與該擦拭液供應(yīng)通孔連接，以將該擦拭液提供至該擦拭帶。
19.如權(quán)利要求13所述的擦拭裝置，其特征在于，其中還包括至少一光學(xué)感測(cè)器，配設(shè)于該擦拭帶的傳輸路徑上。
20.如權(quán)利要求13所述的擦拭裝置，其特征在于，其中該擦拭帶包括一無(wú)塵布。
全文摘要
一種薄膜移除設(shè)備，其是適于移除一基板上的一薄膜，而薄膜移除設(shè)備例如包括一底座、一擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、一擦拭裝置與一定位平臺(tái)。其中，擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)是配設(shè)于底座上。此外，擦拭裝置是配設(shè)于擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上。另外，定位平臺(tái)是配設(shè)于底座上，以承載基板，其中擦拭裝置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)是帶動(dòng)擦拭裝置，以將基板上的薄膜移除?；谏鲜觯∧ひ瞥O(shè)備使用擦拭方式去除薄膜，以降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1665354SQ200410007830
公開(kāi)日2005年9月7日 申請(qǐng)日期2004年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月4日
發(fā)明者陳純鑑, 廖麒貴, 黃志強(qiáng), 陳來(lái)成 申請(qǐng)人:翰立光電股份有限公司