專利名稱：一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在低溫下測試超導(dǎo)濾波器時，為克服屏蔽金屬盒因熱膨脹導(dǎo)致超導(dǎo)基片碎裂的方法，屬于超導(dǎo)電子學(xué)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
超導(dǎo)電子器件，特別是超導(dǎo)微帶式器件多用超導(dǎo)膜制造。為了避免外界的干擾一般將超導(dǎo)器件裝配在金屬屏蔽盒子里面，金屬盒子一般選用黃銅制作。由于超導(dǎo)薄膜襯底一般是用鋁酸鑭、氧化鎂和寶石等單晶材料，這些材料的膨脹系數(shù)很低，而黃銅的膨脹系數(shù)較高，膨脹系數(shù)為19*10^(-6)，并且對于溫度很敏感，而超導(dǎo)薄膜襯底鋁酸鑭、氧化鎂和寶石的熱膨脹系數(shù)分別為9.2*10^(-6)，11.2*10^(-6)和4～5*10^(-6)。所以將超導(dǎo)薄膜器件固定在黃銅盒底壁上，是很容易因熱脹冷縮使得超導(dǎo)薄膜器件碎裂。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法，該方法可以防止超導(dǎo)薄膜器件因熱脹冷縮而碎裂，同時還具有很好的微波特性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法包括如下步驟1)底托用純鈦制作；2)將底托鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件固定在鍍金的底托上，再將底托固定在盒子底部。
進(jìn)一步地，所述底托為矩形，所述托底兩邊設(shè)置有螺紋孔，螺釘穿過該螺紋孔將所述托底固定在所述盒子底部。
本發(fā)明另一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法包括如下步驟1)金屬盒底部用純鈦制作；2)將純鈦制作盒底鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件固定在鍍金的盒底上。
本發(fā)明采用純鈦?zhàn)鳛榈淄芯哂腥缦伦饔靡?、更好的傳輸特性和微波特性，二、與金屬盒(黃銅或合金鋁制做)有很好的電接觸，這樣底托就起到了很好的接地作用，三、底托與超導(dǎo)薄膜器件的熱膨脹相匹配，不會因熱膨脹現(xiàn)象使超導(dǎo)片破碎；此外，在底托的表面鍍上一層金，可以防止底托接地不良，同時也起到了減少微波損耗作用。用純鈦?zhàn)鳛楹械走€可以省去將底托固定于盒底的步驟，同樣具有更好的傳輸特性以及不會因熱膨脹現(xiàn)象使超導(dǎo)片破碎。


圖1為使用純鈦制作的底托的安裝示意圖。
圖2為圖1中底托的俯視圖。
圖3為同一種超導(dǎo)濾波器使用不同金屬底托的傳輸特性曲線圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1如圖1、2所示，本發(fā)明采用如下步驟1)底托1用純鈦制作；2)將底托1鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件2固定在鍍金的底托1上，再將底托1固定在盒子3底部；其中，底托1為矩形，高溫超導(dǎo)器件2固定在底托1上，托底1兩邊設(shè)置有螺紋孔5，螺釘4穿過該螺紋孔5將托底1固定在盒子3底部。
采用純鈦?zhàn)鳛榈淄?，其膨脹系數(shù)8.2*10^(-6)，不會因溫度變化而產(chǎn)生較大的體積變化，也就是對溫度不敏感，因此與所述三種超導(dǎo)襯底有很好的膨脹匹配性。另外，用純鈦?zhàn)鞯淄?還具有非常好的微波特性，如圖3所示，殷鋼是一種不銹鋼合金，適當(dāng)調(diào)整合金的配比，就可以使它的熱膨脹系數(shù)與上述任一種單晶的熱膨脹的匹配性能到達(dá)到要求，但是用同一器件分別與上述兩種材料制成的底托相結(jié)合進(jìn)行微波性能試驗(yàn)，結(jié)果表明殷鋼做的底托的微波性能比純鈦?zhàn)龅耐邢嗖钌踹h(yuǎn)。
實(shí)施例2本實(shí)施例具體步驟如下1)金屬盒底部用純鈦制作；2)將純鈦制作盒底鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件固定在鍍金的盒底上。
用純鈦?zhàn)鳛楹械走€可以省去將底托固定于盒底的步驟，同樣具有更好的傳輸特性以及不會因熱膨脹現(xiàn)象使超導(dǎo)片破碎。
權(quán)利要求
1.一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法，其特征在于，包括如下步驟1)底托用純鈦制作；2)將底托鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件固定在鍍金的底托上，再將底托固定在盒子底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法，其特征在于，所述底托為矩形，所述托底兩邊設(shè)置有螺紋孔，螺釘穿過該螺紋孔將所述托底固定在所述盒子底部。
3.一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法，其特征在于，包括如下步驟1)金屬盒底部用純鈦制作；2)將純鈦制作盒底鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件固定在鍍金的盒底上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種克服屏蔽金屬盒熱膨脹影響的方法，包括如下步驟1)底托用純鈦制作；2)將底托鍍金，鍍層的厚度為5～20微米；3)將高溫超導(dǎo)器件固定在鍍金的底托上，再將底托固定在盒子底部。本發(fā)明采用純鈦?zhàn)鳛榈淄芯哂腥缦伦饔靡?、更好的傳輸特性和微波特性，二、與金屬盒(黃銅或合金鋁制做)有很好的電接觸，這樣底托就起到了很好的接地作用，三、底托與超導(dǎo)薄膜器件的熱膨脹相匹配，不會因熱膨脹現(xiàn)象使超導(dǎo)片破碎；此外，在底托的表面鍍上一層金，可以防止底托接地不良，同時也起到了減少微波損耗作用。用純鈦?zhàn)鳛楹械走€可以省去將底托固定于盒底的步驟，同樣具有更好的傳輸特性以及不會因熱膨脹現(xiàn)象使超導(dǎo)片破碎。
文檔編號G12B17/00GK1744809SQ20051009359
公開日2006年3月8日 申請日期2005年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月30日
發(fā)明者張強(qiáng), 孫亮, 黃建冬, 何豫生 申請人:中國科學(xué)院物理研究所