專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
通常有必要或期望有選擇地控制多種電子負(fù)載的輸出或工作 效率。典型地，為了達(dá)到控制效果，改變應(yīng)用于負(fù)載的電流和/或電
壓。 一種可以被控制的負(fù)載是有才幾發(fā)光二才及管(OLED)。通過選擇 性地改變應(yīng)用的電流，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整OLED的發(fā)光度(也就是亮度)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子電路，包括第一電荷存儲(chǔ)器件及第二電 荷存儲(chǔ)器件；第一晶體管，具有連接至所述第一電荷存儲(chǔ)器件的控 制節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管被配置成將斜坡信號(hào)源電耦接至所述第二 電荷存儲(chǔ)器件；以及第二晶體管，具有被配置成連接至所述斜坡信 號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第二晶體管還被配置成將負(fù)載電耦接至所述 第二電荷存儲(chǔ)器件。本發(fā)明還提供一種電子驅(qū)動(dòng)器電路，包括第 一存儲(chǔ)器件，被配置成連接至電壓源，所述第一存儲(chǔ)器件還被配置 成存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于控制信號(hào)的電荷；第二存儲(chǔ)器件，被配置成連接至所 述電壓源；第一晶體管，具有連接至所述第一存儲(chǔ)器件的控制節(jié)點(diǎn)， 所述第一晶體管被配置成將所述第二存儲(chǔ)器件電耦接至周期斜坡 信號(hào)源；以及第二晶體管，具有被配置成連接至所述周期斜坡信號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第二晶體管還被配置成將負(fù)載電耦接至所述第 二存儲(chǔ)器件。
本發(fā)明另外還提供一種電子電路，包括第一晶體管；第二晶 體管；以及電荷存儲(chǔ)器件，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管 及所述電荷存儲(chǔ)器件共同被配置成根據(jù)周期斜坡信號(hào)及控制信號(hào) 為負(fù)載才是供A:K寬調(diào)制(PWM)的驅(qū)動(dòng)電流。
本發(fā)明另外還提供一種電子驅(qū)動(dòng)器電路，包括在共同基^^上 制成的第 一電荷存儲(chǔ)器件及第二電荷存儲(chǔ)器件；以及在共同基板上 制成的第一晶體管、第二晶體管及第三晶體管，其中 所述第一晶體管包括連接至所述第一電荷存儲(chǔ)器件的控制節(jié)點(diǎn)，所 述第一晶體管被配置成將周期斜坡信號(hào)源電耦接至所述第二電荷
存儲(chǔ)器件；所述第二晶體管包括被配置成連接至所述周期斜坡信號(hào) 源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第二晶體管被配置成將負(fù)載電耦接至所述第二 電荷存儲(chǔ)器件；以及所述第三晶體管包括被配置成連接至周期采樣 信號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第三晶體管被配置成將控制信號(hào)源電耦接 至所述第一電荷存儲(chǔ)器件。
本發(fā)明另外還提供一種電子電路，包括第一電路部分，；故配 置成根據(jù)周期采樣信號(hào)采樣并保存控制信號(hào)；以及第二電路部分， 被配置成根據(jù)周期斜坡信號(hào)及所述被采樣及被保存的控制信號(hào)為 負(fù)載4是供月永寬調(diào)制(PWM)的馬區(qū)動(dòng)電5危。


參考附圖來進(jìn)行詳細(xì)說明。在圖中，參考標(biāo)號(hào)最左端的數(shù)字代 表該參考標(biāo)號(hào)首次在其中出現(xiàn)的圖。在說明書和圖的不同實(shí)例中所 使用的相同參考標(biāo)號(hào)可以表示類似或同 一物件。
圖1是依據(jù)本教導(dǎo)的驅(qū)動(dòng)電路的示意性電路圖。圖2是圖1的驅(qū)動(dòng)電路的某些功能方面的簡(jiǎn)化表示。 圖3是描述了圖1的驅(qū)動(dòng)電路的工作周期的流程圖。 圖4是描述了依據(jù)本教導(dǎo)的斜坡信號(hào)的信號(hào)時(shí)序圖。 圖5是描述了圖1的驅(qū)動(dòng)電^各的一部分中的電流的信號(hào)時(shí)序圖。
圖6是描述了圖1的驅(qū)動(dòng)電路的另一部分中的電流的信號(hào)時(shí)序圖。
圖7是描述了依據(jù)本教導(dǎo)的電流-電壓關(guān)系的信號(hào)圖。
具體實(shí)施例方式
這里披露了為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或其它電子負(fù)載供電 的可控驅(qū)動(dòng)電路。依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了將脈寬調(diào)制(PWM)驅(qū) 動(dòng)電流應(yīng)用到OLED的電路結(jié)構(gòu)?？梢砸罁?jù)周期采樣的控制信號(hào)來 調(diào)制用于OLED的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)間均值。又可以在控制范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)?改變OLED的發(fā)光度。這里4是供的電路結(jié)構(gòu)可以至少部分地制造在 共同的基片上，從而限定各自的集成電路器件。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施 例中，這里提出的驅(qū)動(dòng)電路的至少一部分可以在65納米(或更小) 環(huán)境里制造。
依據(jù)一個(gè)方面，控制信號(hào)被周期地采樣并用于控制給OLED的 平均電流驅(qū)動(dòng)。周期斜坡信號(hào)使電流脈沖與OLED同步。在第一個(gè) 工作周期里存儲(chǔ)器件;改電，然后在第二個(gè)工作周期里通過OLED驅(qū) 動(dòng)電流充電。周期斜坡和采樣信號(hào)可以來自本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路外部 的各自源。可以提供集成電路，包括周期斜坡信號(hào)源和采樣信號(hào)源 以及本教導(dǎo)的驅(qū)動(dòng)電3各。這里描述的技術(shù)可以通過多種途徑實(shí)現(xiàn)。下面結(jié)合附圖和正在 進(jìn)4亍的討"i侖^是供了 一個(gè)示例性的上下文。
示例性電路
圖1示出了依據(jù)本教導(dǎo)的說明性電路100。電^各100也可以被 稱作驅(qū)動(dòng)電路100。電路100包括一對(duì)各自的電荷存儲(chǔ)器件102和 104。如圖所示，每個(gè)電荷存儲(chǔ)器件(存儲(chǔ)器件)102和104被限定 為金屬氧化物半導(dǎo)體電容器(MOSCAP)。特別地，每個(gè)存儲(chǔ)器件 102和104都通過P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管來描 述。也可以使用其它電荷存儲(chǔ)器件102和104 (比如電容器等)。無 論如何，存儲(chǔ)器件102具有配置為在節(jié)點(diǎn)106處連4妾至電壓源 (VDD)的第一電荷存儲(chǔ)板(或區(qū)域)。存儲(chǔ)器件102還具有連接 至電路節(jié)點(diǎn)108的第二板(或區(qū)域)。存儲(chǔ)器件104具有配置為在 節(jié)點(diǎn)106處連接至VDD的第一板(或區(qū)域)和連接至電路節(jié)點(diǎn)110 的各自的第二板(或區(qū)域)。
電路100還包括晶體管112。如圖所示，晶體管112被限定為 P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。也可以-使用其 它合適類型的晶體管112。晶體管112包括配置為在節(jié)點(diǎn)114處連 接至周期采樣信號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)(例如柵極)。晶體管112還被配 置成在節(jié)點(diǎn)116處將存儲(chǔ)器件102 (也就是節(jié)點(diǎn)108)與控制信號(hào) 源電耦接。圖1描述了周期采樣信號(hào)Sl的示例性的、不進(jìn)行限制 的實(shí)例。
如這里所使用的，術(shù)語"電耦接"(及其各種衍生詞和時(shí)態(tài))
指的是在兩個(gè)或多個(gè)實(shí)體之間實(shí)J見電通道或者這種電通道的一部 分。在晶體管的情況下，依照應(yīng)用于該晶體管的控制節(jié)點(diǎn)(例如棚-極)的信號(hào)，至少部分地建立電耦接的程度。例如，在節(jié)點(diǎn)114處 的周期采樣信號(hào)對(duì)晶體管112施加控制影響，從而實(shí)現(xiàn)了節(jié)點(diǎn)108和116之間的電通道(或絕緣)。電工程領(lǐng)域的普通技術(shù)人員了解 不同類型的晶體管的可控電耦接性能，并且對(duì)于本教導(dǎo)的理解來說 不需要對(duì)這個(gè)基本點(diǎn)進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
電路IOO還包括晶體管118。如圖所示，晶體管118是PMOS 晶體管。也可以使用其它合適類型的晶體管118。晶體管118包括 經(jīng)由節(jié)點(diǎn)108連接至電荷存儲(chǔ)器件102的控制節(jié)點(diǎn)(例如柵極)。 晶體管118被配置為在電路節(jié)點(diǎn)120處將存儲(chǔ)器件104 (例如節(jié)點(diǎn) 110)電耦接至周期斜坡信號(hào)源。從而，電荷(如果有的話，由存 儲(chǔ)器件102容納)至少部分地確定了節(jié)點(diǎn)110和120之間經(jīng)由晶體 管118的電耦接。圖1中還描述了周期斜坡信號(hào)S2的示例性的、 非限制性的實(shí)例。
電路100包括晶體管122，如圖所示，晶體管122是PMOS晶 體管。也可以使用其它合適類型的晶體管122。晶體管122包括配 置為經(jīng)由節(jié)點(diǎn)120連接至周期斜坡信號(hào)的控制節(jié)點(diǎn)(例如柵極)。 晶體管122被配置為將存儲(chǔ)器件104電耦4妄至有才幾發(fā)光二才及管 (OLED) 124。節(jié)點(diǎn)120處的周期斜坡信號(hào)至少部分地確定了存儲(chǔ) 器件104和OLED 124之間經(jīng)由晶體管122的電耦接。
電路100還包括晶體管126。如圖所示，晶體管126是PMOS 晶體管。也可以使用其它合適類型的晶體管126。晶體管126包括 配置為在節(jié)點(diǎn)128處連接至電位源(POTENTIAL")的控制節(jié)點(diǎn)(例 ^口沖冊(cè)才及)。POTENTIAL"可以是》也電4立(ground),或者其它小于 VDD (例如，相對(duì)于VDD是負(fù)的)的合適電位。晶體管126凈皮配 置為將晶體管122電耦接至OLED 124。晶體管126還被配置為在 (基本上)沒有電流提供至OLED 124時(shí)吸收、或緩沖電路100在 工作周期內(nèi)的壓降。這樣，晶體管126用于防止晶體管122在電路 100的某些工作階段被過電壓損壞。下面提供了電路100的工作的 這個(gè)方面和其它方面更詳盡的細(xì)節(jié)。電路IOO包4舌如上面所介紹的OLED 124。在本教導(dǎo)的上下文中，OLED 124可以^皮稱作是負(fù)載， 或總負(fù)載的一部分。OLED 124^皮配置為在電路節(jié)點(diǎn)130處連4妻至 電壓源V-MINUS。
在一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施例中(未示出)，晶體管126是不存在 的，并且包含其它裝置以保護(hù)OLED 124。在一個(gè)或多個(gè)這種實(shí)施 例中，保護(hù)裝置(未示出)執(zhí)行了箝位(clamping)功能，從而將 OLED 124上的電壓限制到安全水平。箝位裝置(未示出)的非限 制性實(shí)例包括二極管、二極管連接結(jié)構(gòu)的MOSFET晶體管等等。
圖1所示的電^各IO(H皮配置為一個(gè)整體，以為OLED124或另 一個(gè)合適負(fù)載提供可選擇性的調(diào)整的PWM驅(qū)動(dòng)電流。電路100依 照周期采樣信號(hào)(例如S1)、可變控制信號(hào)和周期斜坡信號(hào)以及直 流(DC)電壓源VDD、 POTENTIAL-l、 V-MINUS工作。下面表1 包括依據(jù)電3各100的一個(gè)實(shí)施例所選的電壓和元件值的示例性的、 非限制性的實(shí)例。
表1示例偵—
VDD
2.5伏特
V-控制
0.6-2.0伏特
V-MINUS
-4.0伏特
存卡者(102) 1.0 x 10_15法々立
存儲(chǔ)(104) 10.0 x 1(T"法4i
POTENTIAL-1 0. 0伏特(地電勢(shì))圖2顯示了示出電路100所選的功能部分的電路200。為了理 解的清楚性，電路200省略了電路100的元件。電路200主要包括 那些合作以為OLED 124提供脈寬調(diào)制驅(qū)動(dòng)電流的元件。電路200 一尋在下文描述電3各100的工作時(shí)^皮提及。
示例性^Mt
圖3是描述了電路(如電路100 )的示例性操作序列300的流 程圖。序列300包括特定的操作步驟和特定的執(zhí)行順序。然而，在 不背離本發(fā)明的范圍的前提下，可以省略某些操作步驟或增加其它
的步驟，和/或也可以實(shí)行其它執(zhí)行順序。為了理解的清楚性，序列 300描述了不同且分立的事件的重復(fù)流禾呈。然而，電子領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員能夠了解，電路IOO以基本連續(xù)的方式工作，從一個(gè)工作 階l殳過渡到下一個(gè)。
在302處，周期斜坡信號(hào)變換到電位VDD。典型地，但不是 必要地，這個(gè)變換是/人先前4妄地狀態(tài)(例如OV)階i 夭變化。在一 個(gè)非限制性的實(shí)例中，VDD等于2.5VDC。也可以4吏用其它合適電 平的VDD。斜坡信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)保持這個(gè)VDD值不變。對(duì)于電 3各100來i兌，4艮i殳殺牛i皮信號(hào)出現(xiàn)在節(jié)點(diǎn)120處，并且在圖1、圖2 和圖4中以V-斜坡來表示。
在304處，周期采樣信號(hào)使得控制信號(hào)被采樣并由第一存儲(chǔ)器 件保存。在電路100中，采樣信號(hào)出現(xiàn)在節(jié)點(diǎn)114處并使晶體管112 在節(jié)點(diǎn)116處的將控制信號(hào)電耦接至存儲(chǔ)器件102。作為響應(yīng)，存 儲(chǔ)器件102存儲(chǔ)(例如，保存)與控制信號(hào)的瞬時(shí)值對(duì)應(yīng)(或接近 對(duì)應(yīng))的電荷。在圖2的電路200中，這個(gè)采樣值以V-HOLD來表 示。在306處，第 一晶體管用于使第二存儲(chǔ)器件放電至斜坡信號(hào)電 位，當(dāng)前是VDD。在電^各100中，晶體管118#皮V-HOLD偏壓， 以將節(jié)點(diǎn)120處的V-斜坡電耦接至節(jié)點(diǎn)110處的存儲(chǔ)器件104。當(dāng) 前，V-斜坡處于不變值VDD并且存儲(chǔ)器件104有效地"放電"，從 而使得VDD電位出現(xiàn)在兩個(gè)板(區(qū)域)上。
在308處，斜坡信號(hào)開始衰減。在電路100中，節(jié)點(diǎn)120處的
V-斜坡開始朝向接地狀態(tài)電位衰減。斜坡信號(hào)的衰減率就是斜坡信 號(hào)的轉(zhuǎn)換速率(slew rate)。如圖1中由信號(hào)S2所描述的，這個(gè)衰 減本質(zhì)上是線性的。然而，也可以使用其它類型的衰減樣式(對(duì)數(shù)等)。
在310處，V-斜坡衰減至一個(gè)點(diǎn)，從而根據(jù)V-HOLD的值第一 晶體管開始關(guān)閉。在電路100中，晶體管118關(guān)閉并不再提供節(jié)點(diǎn) 120處的V-斜坡和存儲(chǔ)器件104之間的適當(dāng)電耦接。從而，節(jié)點(diǎn)120 和存4諸器件104 (例如，節(jié)點(diǎn)110) 4皮此有效;也電絕纟彖。在一個(gè)非 限制性的實(shí)施例中，"關(guān)閉"發(fā)生在V-斜坡近似等于(V-HOLD + VT1)時(shí)，這里VT1是晶體管118的(4冊(cè)-源)闊電壓。
在312處，斜坡信號(hào)繼續(xù)進(jìn)一步衰減直至第二晶體管開啟。這 個(gè)第二晶體管用于電耦接負(fù)載和第二存儲(chǔ)器件，使得電流流經(jīng)負(fù)
載。在電路100中，晶體管122由節(jié)點(diǎn)120處的V-斜坡而偏置，以 在存<諸器<牛104和有才幾發(fā)光二才及管124之間傳導(dǎo)電流。并且，用于 保護(hù)晶體管122的晶體管126在存々者器件104與OLED 124的電耦 接中起到另一連接(Link)的作用。無論如何，晶體管122現(xiàn)在基 本上起到了源才及跟隨器(source follower )的作用，這里通過OLED 124的電;危由以下表達(dá)式《合出
Ioled = ( SR ) ( C1()4 )(表達(dá)式1 )其中Ioled是流經(jīng)OLED 124的瞬時(shí)電流，單位是安培，SR是 斜坡信號(hào)的轉(zhuǎn)換速率，單位是電壓/秒，而do4是電容器104的值， 單位是法拉。表達(dá)式1是眾所周知的關(guān)系式的特殊形式i= (C) (dv/dt)。流經(jīng)OLED 124的電流用于對(duì)存儲(chǔ)器件104充電，并驅(qū) 動(dòng)節(jié)點(diǎn)110處的電勢(shì)降到V-MINUS值(例如，-4V等等)。
在314處，斜坡信號(hào)呈現(xiàn)一段時(shí)間的持續(xù)4妄地狀態(tài)。在電路100 中，節(jié)點(diǎn)120處的V-斜坡轉(zhuǎn)為地電勢(shì)并在一段時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定。
在316處，第二存儲(chǔ)器件的持續(xù)充電達(dá)到第二晶體管變換成關(guān) 閉的點(diǎn)。從而，在上述312處開始的流經(jīng)負(fù)載的電流脈沖結(jié)束。晶 體管122變換成關(guān)閉，并且流經(jīng)OLED 124和晶體管126的電流終 止。從而，電路100的一個(gè)完整工作周期已發(fā)生，且序歹'J300回到 上述的302。
序列300描述了電路100的循環(huán)的、正在進(jìn)行的工作中的單個(gè) 工作周期。流經(jīng)OLED 124的電流脈沖的幅度和最大持續(xù)時(shí)間基本 上由周期斜坡信號(hào)的特征決定，例如峰峰值、頻率、波形衰減部分 的轉(zhuǎn)換速率等等。又可以通過采樣控制信號(hào)在一個(gè)范圍內(nèi)調(diào)制傳遞 至OLED 124的電流脈沖的寬度。從而，可以通過周期斜坡信號(hào)的 特征，在很大程度上確定電路100的工作范圍。然后可以通過單個(gè) 變化的控制信號(hào)完成那些范圍內(nèi)的脈沖寬度調(diào)制。
電路100致力于控制OLED 124的發(fā)光度。在一個(gè)實(shí)施例中， OLED 124可以^皮i人為是獨(dú)立的器件。然而，在其它實(shí)施例中，OLED 124只不過是在電子顯示器中限定各自像素的有機(jī)發(fā)光二極管的大 量陣列中的一個(gè)。在這種實(shí)施例中，每個(gè)OLED #皮各自的電路100 選4奪性地驅(qū)動(dòng)，/人而4吏得圖片可以出現(xiàn)在全部顯示器上。在一個(gè)或 多個(gè)適當(dāng)比例的實(shí)施例中，電路100也可以;波應(yīng)用于控制各種其它負(fù)載(例如，電動(dòng)機(jī)、其它類型的發(fā)光二極管、白熾燈、聲音傳感 器等等)。
示范性信號(hào)
圖4是描述了示例性、非限制性的周期斜坡信號(hào)(也就是，V-斜坡)的一個(gè)循環(huán)的信號(hào)時(shí)序圖400。圖4包括與上述序列300的 步驟相對(duì)應(yīng)的標(biāo)記302及306-316。時(shí)序圖400 4皮包括，以^更更好 地了解電路100的工作。
圖5是描述了在電路100的一部分內(nèi)流動(dòng)的電流的信號(hào)時(shí)序圖 500。圖500包4舌四條不同的、示例'j"生的工作曲線(或?qū)＞袍Eloci) 502-508，它們分別與來自節(jié)點(diǎn)120處的斜;皮信號(hào)的電流、流經(jīng)晶體 管118的電流、通過節(jié)點(diǎn)110流向存儲(chǔ)器件104的電流相對(duì)應(yīng)。從 而，圖表500描述了存儲(chǔ)器件104分別的放電曲線。軌跡502-508 中的每條均對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在節(jié)點(diǎn)108處的各自的采樣控制信號(hào)值 (V-HOLD)。因而，在示例性的控制信號(hào)范圍內(nèi)，專九跡502對(duì)應(yīng)于 最大的V-HOLD值(例如，2V )，而軌跡508對(duì)應(yīng)于最小的V-HOLD 值(例如，0.6V )。而專九跡504和506對(duì)應(yīng)于各自的中間V-HOLD 值。圖5示出了對(duì)于各自增大的V-HOLD值，流經(jīng)晶體管118的總 電荷(也就是，電流的時(shí)間積分)減少了。
圖6是描述了在電路100另 一部分內(nèi)流動(dòng)的電流的信號(hào)時(shí)序圖 600。圖600包括四條不同的、示例性的工作曲線602-608，它們分 別對(duì)應(yīng)于來自存儲(chǔ)器件104的電流、流經(jīng)各自晶體管122， 126的 電流、流向OLED 124的電流。因此，圖600描述了流經(jīng)OLED 124 (也就是，負(fù)載)的各自電流脈沖(PWM)。在示例性的控制信號(hào) 范圍內(nèi)，軌跡602-608中的每條分別對(duì)應(yīng)于各自V-HOLD值。軌跡 602、 604、 606及608對(duì)應(yīng)于各自最大到最小V-HOLD值。圖6示 出了對(duì)于各自增大的V-HOLD值，流經(jīng)OLED 124的總電荷增加了 。圖7是描述了4艮據(jù)電^各100的示例性工作的示例性控制電壓-負(fù)載電流關(guān)系的信號(hào)圖700。參照電路100，圖表700標(biāo)繪了控制 電壓V-HOLD (節(jié)點(diǎn)108)與流經(jīng)OLED 124的平均電流。圖700 包括三個(gè)示例性性能曲線(或軌跡)，分別是702、 704和706。每 條軌跡702-704代表在各自的周期采樣頻率(例如，在節(jié)點(diǎn)114處 的SAMPLE)下的控制電壓與平均負(fù)載電流關(guān)系。乂人而，軌跡702 代表比兩條軌跡704和706中的任意一條的采樣頻率都高的采樣頻 率。而4九跡706 ^表比其它專九跡702和704中的4壬意一條的采才羊頻 率都^f氏的采樣頻率。
如圖7所描述的，采樣頻率的降《氐導(dǎo)致可以4皮傳送至OLED 124 的最大平均電流相應(yīng)降低。換句話說，采樣頻率的降低導(dǎo)致了更窄 的可用控制范圍，具有更^f氐的最大工作點(diǎn)。從而，如果希望具有相 對(duì)更大的最大OLED發(fā)光度的全部控制范圍，那么必須采用相對(duì)更 高的采樣頻率。在一個(gè)非限制性的實(shí)施例中，在節(jié)點(diǎn)114處的周期 采樣信號(hào)具有300千赫茲的頻率。也可以釆用其它合適的采樣頻率。
圖7還描述了外部性能包絡(luò)線708(envelope)。由包絡(luò)線708限 制的區(qū)域(包括702-706)代表了電路100的示例性實(shí)施例的所有 可能控制電壓-負(fù)載電流工作點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的其它驅(qū)動(dòng)電路可以具 有相應(yīng)變化的性能包絡(luò)線。圖700還示出了必須采用最小控制電壓 以便獲得最小導(dǎo)電角(conduction angle )。如圖中所描述的，這個(gè) 最小控制電壓略小于一個(gè)電壓DC。這個(gè)值對(duì)應(yīng)于電i 各100的晶體 管118的閾電壓。
考慮到電路100,圖700指出平均負(fù)載電流可以由以下表達(dá)式
近合乂主會(huì)出
IOLED (Avg) = ( SR) ( C1()4 ) ( △ T/T ) (表達(dá)式2 )其中IoLED"vg)是流經(jīng)OLED124的平均電流，單位是安培，SR 是V-斜坡(節(jié)點(diǎn)102處)的轉(zhuǎn)換速率，單位是伏特/秒，do4是電容 器104的值，單位是法拉，AT是導(dǎo)電時(shí)間，T是采樣信號(hào)(節(jié)點(diǎn) 114處)的周期。
結(jié)論
盡管以結(jié)構(gòu)要點(diǎn)和/或方法技術(shù)的特定語言描述了本發(fā)明，應(yīng)了 解的是，由附加權(quán)利要求限定的本發(fā)明沒有必要受限于上述的特定 特征或技術(shù)。而是，這些特定特征和技術(shù)是作為執(zhí)行權(quán)利要求的優(yōu) 選形式而/〉開的。
權(quán)利要求
1. 一種電子電路，包括第一電荷存儲(chǔ)器件及第二電荷存儲(chǔ)器件；第一晶體管，具有連接至所述第一電荷存儲(chǔ)器件的控制節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管被配置成將斜坡信號(hào)源電耦接至所述第二電荷存儲(chǔ)器件；以及第二晶體管，具有被配置成連接至所述斜坡信號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第二晶體管還被配置成將負(fù)載電耦接至所述第二電荷存儲(chǔ)器件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述負(fù)載包括有機(jī)發(fā) 光二極管(OLED)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，還包括第三晶體管，所述第 三晶體管具有被配置成連接至采樣信號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第 三晶體管被配置成將控制信號(hào)源電耦接至所述第一電荷存儲(chǔ) 器件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，還包括第三晶體管，所述第 三晶體管被配置成將所述第二晶體管電耦接至所述負(fù)載。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，至少一個(gè)所述第一電 荷存儲(chǔ)器件或所述第二電荷存儲(chǔ)器件被限定為各自的金屬氧 化物半導(dǎo)體(MOS)器件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中，所述電子電路的至少 一部分在65納米的環(huán)境內(nèi)^皮制造。
7. —種電子驅(qū)動(dòng)器電路，包括第一存儲(chǔ)器件，被配置成連接至電壓源，所述第一存儲(chǔ)器 件還^皮配置成存〗諸對(duì)應(yīng)于控制信號(hào)的電荷；第二存儲(chǔ)器件，被配置成連接至所述電壓源；第 一 晶體管，具有連接至所述第 一存儲(chǔ)器件的控制節(jié)點(diǎn)， 所述第一晶體管被配置成將所述第二存儲(chǔ)器件電耦接至周期 斜坡信號(hào)源；以及第二晶體管，具有被配置成連接至所述周期斜坡信號(hào)源的 控制節(jié)點(diǎn)，所述第二晶體管還被配置成將負(fù)載電耦接至所述第 二存儲(chǔ)器件。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，還包括第三晶體管，具有被配置成連接至周期釆樣信號(hào)源的控制 節(jié)點(diǎn)，所述第三晶體管還^^皮配置成將所述控制信號(hào)源電耦接至 所述第一電荷存儲(chǔ)器件；以及第四晶體管，被配置成將所述第二晶體管電耦接至所述負(fù) 載，所述第四晶體管還#1配置成當(dāng)沒有電流流向所述負(fù)載時(shí)吸 收壓降。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述負(fù)載包括 有才幾發(fā)光二才及管(OLED)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，至少一個(gè)所述 第一存儲(chǔ)器件或所述第二存儲(chǔ)器件被限定為金屬氧化物半導(dǎo) 體(MOS)器件。
11. 4艮據(jù)4又利要求7所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，至少一個(gè)所述 第一晶體管或所述第二晶體管被限定為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) #丈應(yīng)晶體管(MOSFET)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述第一晶體 管還被配置成根據(jù)所述周期斜坡信號(hào)使所述電子驅(qū)動(dòng)器電路 回到重置狀態(tài)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述電子驅(qū)動(dòng) 器電3各的至少一部分在65納米的環(huán)境內(nèi)凈皮制造。
14. 一種電子電if各，包4舌第一晶體管； 第二晶體管；以及電荷存儲(chǔ)器件，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管 及所述電荷存儲(chǔ)器件共同被配置成根據(jù)周期斜坡信號(hào)及控制 ^f言號(hào)為負(fù)載沖是供月永寬調(diào)制(PWM)的驅(qū)動(dòng)電流。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子電路，其中，所述電荷存儲(chǔ)器件 是第 一 電荷存儲(chǔ)器件，所述電子電路還包括第三晶體管及第二 電荷存儲(chǔ)器件，它們共同被配置成根據(jù)周期采樣信號(hào)采樣并保 存所述控制信號(hào)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子電路，其中，所述第一晶體管包 括連接至所述第二電荷存儲(chǔ)器件的控制節(jié)點(diǎn)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子電路，其中，至少一個(gè)所述第一 電荷存儲(chǔ)器件或所述第二電荷存儲(chǔ)器件被限定為金屬氧化物 半導(dǎo)體(MOS)器件。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子電路，其中，所述負(fù)載包括有機(jī) 發(fā)光二極管(OLED)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子電路，還包括第三晶體管，所述 第三晶體管被配置成將所述第二晶體管電耦接至所述負(fù)載，所 述第三晶體管還被配置成當(dāng)所述負(fù)載沒有接收所述驅(qū)動(dòng)電流 時(shí)呈現(xiàn)出壓降。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子電路，其中，所述電子電路的至 少一部分在65納米的環(huán)境內(nèi)^皮制造。
21. —種電子驅(qū)動(dòng)器電^各，包括在共同基板上制成的第 一 電荷存儲(chǔ)器件及第二電荷存儲(chǔ) 器件；以及在共同基板上制成的第一晶體管、第二晶體管及第三晶 體管，其中所述第 一 晶體管包括連接至所述第 一 電荷存儲(chǔ)器件 的控制節(jié)點(diǎn)，所述第一晶體管被配置成將周期斜坡信號(hào)源 電耦接至所述第二電荷存儲(chǔ)器件；所述第二晶體管包括被配置成連接至所述周期斜坡 信號(hào)源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第二晶體管被配置成將負(fù)載電耦 接至所述第二電荷存儲(chǔ)器件；以及所述第三晶體管包括被配置成連接至周期采樣信號(hào) 源的控制節(jié)點(diǎn)，所述第三晶體管被配置成將控制信號(hào)源電 耦接至所述第 一 電荷存儲(chǔ)器件。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述第一晶 體管、所述第二晶體管及所述第二電荷存儲(chǔ)器件共同被配置成根據(jù)所述周期斜坡信號(hào)及所述控制信號(hào)為負(fù)載提供脈寬調(diào)制(PWM)的馬區(qū)動(dòng)電;危。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述第三晶 體管及所述第一電荷存儲(chǔ)器件共同被配置成根據(jù)所述周期采 樣信號(hào)采樣并保存所述控制信號(hào)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述負(fù)載包 括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
25. —種電子電路，包括第一電路部分，被配置成根據(jù)周期采樣信號(hào)采樣并保存 控制信號(hào)；以及第二電路部分，被配置成根據(jù)周期斜坡信號(hào)及所述一皮采 樣及被保存的控制信號(hào)為負(fù)載提供脈寬調(diào)制(PWM)的驅(qū)動(dòng) 電流。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的驅(qū)動(dòng)電流的脈寬調(diào)制(PWM)由經(jīng)歷了相應(yīng)信號(hào)控制的電路來執(zhí)行。
文檔編號(hào)H05B37/02GK101437341SQ20081017219
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者喬斯·路易斯·塞巴洛 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司